北京時(shí)間7月17日消息，韓國一個(gè)科研團(tuán)隊(duì)已成功在大尺寸晶圓上成功實(shí)現(xiàn)了一種更節(jié)能的三元金屬氧化物半導(dǎo)體。

韓國蔚山科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子和計(jì)算機(jī)工程系教授Kyung Rok Kim及其團(tuán)隊(duì)，成功開發(fā)了一種根據(jù)三進(jìn)制邏輯系統(tǒng)而非現(xiàn)有二進(jìn)制邏輯系統(tǒng)運(yùn)行的半導(dǎo)體。這一研究的論文發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上。

該科研團(tuán)隊(duì)表示，利用由0、1、2組成的三進(jìn)制系統(tǒng)，減少了半導(dǎo)體需要處理的信息數(shù)量，提高信息處理速度，從而降低能耗。它還有助于進(jìn)一步減小芯片尺寸。

例如，利用二進(jìn)制表示128這個(gè)數(shù)，需要8“位”數(shù)據(jù)；利用三進(jìn)制則只需要5“位”數(shù)據(jù)。

電流泄露是進(jìn)一步減小芯片尺寸的一個(gè)主要障礙。在較小的空間內(nèi)封裝更多電路，會(huì)使隧道效應(yīng)更嚴(yán)重，增加泄露的電流，也意味著設(shè)備會(huì)消耗更多電能。

Kyung Rok Kim表示，如果這一半導(dǎo)體技術(shù)商業(yè)化，這不但標(biāo)志著芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變，也將對人工智能、無人駕駛汽車、物聯(lián)網(wǎng)、生物芯片和機(jī)器人等嚴(yán)重依賴半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響。

自2017年9月以來，三星一直通過三星科學(xué)和技術(shù)基金會(huì)資助Kyung Rok Kim的研究。三星科學(xué)和技術(shù)基金會(huì)對有前景的科技項(xiàng)目提供支持。

三星已經(jīng)在芯片代工業(yè)務(wù)部門驗(yàn)證這一技術(shù)。

為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大(16～12nm)之FinFET元件。

進(jìn)一步分析FD-SOI市占情形，在各廠商相繼投入開發(fā)資源下，2018年整體元件市場規(guī)模達(dá)160億美元，預(yù)估2019年整體市場可望達(dá)到270億美元(年增68.6%)，后續(xù)成長態(tài)勢也將逐年上揚(yáng)。

技術(shù)的發(fā)展演進(jìn)，F(xiàn)D-SOI實(shí)現(xiàn)低功耗、高性價(jià)比之元件架構(gòu)

由于半導(dǎo)體發(fā)展趨勢，使得相同面積下試圖填入更多晶體管的想法逐漸受到重視，因此衍生出微縮整體尺寸的構(gòu)想，而閘極(Gate)尺寸將是微縮重點(diǎn)。以傳統(tǒng)Planar元件發(fā)展來看，其閘極線寬已微縮至極限，因而需改變元件結(jié)構(gòu)才能因應(yīng)此要求，而立體構(gòu)造的FinFET(鰭式場效晶體管)元件就在此時(shí)被開發(fā)出來。

FinFET名稱主要由于元件結(jié)構(gòu)以立體方式呈現(xiàn)，且其閘極構(gòu)造如同魚鰭一般，豎立于源極(Source)與汲極(Drain)間，作為控制元件的開關(guān)。在這樣新穎結(jié)構(gòu)下，雖可符合微縮尺寸之需求，但最大問題仍是閘極線寬必須在16nm以下(如12nm、10nm)，才能有效控制從源極到汲極間的電流開關(guān)。

依現(xiàn)行元件發(fā)展情形，盡管已從傳統(tǒng)的Planar元件推升至FinFET結(jié)構(gòu)，閘極線寬仍存在一段難以使用上的尺寸區(qū)，還需有其他元件技術(shù)加以補(bǔ)足，而FD-SOI元件結(jié)構(gòu)剛好補(bǔ)上此缺口，實(shí)現(xiàn)低功耗、高性價(jià)比、制造周期短之元件架構(gòu)。

對于現(xiàn)行技術(shù)發(fā)展情形，依照所需元件尺寸及功能的不同，可區(qū)分為兩大陣營：

精進(jìn)于微縮閘極線寬之FinFET制程技術(shù)開發(fā)(如臺積電、Samsung等)，試圖增加晶體管數(shù)量，提升整體元件工作效率；

投入FD-SOI制程技術(shù)，嘗試開發(fā)出低功耗、高性價(jià)比之功能性元件。盡管兩者之歷史脈絡(luò)有所不同、技術(shù)上各有千秋，但就元件技術(shù)發(fā)展趨勢評估，兩者技術(shù)仍將持續(xù)發(fā)展及并存。
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各家大廠投入FD-SOI元件開發(fā)，看好后續(xù)市場發(fā)展

FD-SOI元件技術(shù)主要源于一種水平式晶體管結(jié)構(gòu)，透過SOI晶圓(Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結(jié)構(gòu))方式，將最上層Si層借由制程、設(shè)計(jì)以滿足所需功能，并作為元件導(dǎo)通層之用；而中間SiO2層，憑借于高阻值之材料特性，隔絕晶體管間不必要的寄生電容，提高元件工作效率，因此在這樣的制程條件下，F(xiàn)D-SOI可透過傳統(tǒng)Si芯片的機(jī)臺進(jìn)行加工，降低開發(fā)所需的設(shè)備成本。

依現(xiàn)行終端產(chǎn)品應(yīng)用，F(xiàn)D-SOI元件技術(shù)將可應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)IoT、車用元件與MEMS(微機(jī)電)元件等領(lǐng)域，目前已有Samsung、GlobalFoundries、STM等大廠相繼投入制程開發(fā)上。

雖然這些產(chǎn)品大多可由28nm制程條件下進(jìn)行量產(chǎn)，但隨著技術(shù)進(jìn)步，憑借于閘極線寬逐漸微縮的趨勢帶動(dòng)下，將驅(qū)使制程條件朝向22nm、12nm目標(biāo)邁進(jìn)，甚至進(jìn)一步跨入10nm制程，從而在相同面積下產(chǎn)生更多元件，大幅提升整體元件效率。

觀察采用FD-SOI元件的發(fā)展現(xiàn)況，從2017年開始，STM已收到Mobileye訂單需求，并運(yùn)用28nm制程制造ADAS芯片；NXP也于2017年起，積極投入i.MX處理器系列的開發(fā)，并選擇Samsung FD-SOI之28nm制程技術(shù)為合作伙伴。

另外，GlobalFoundries于2018年取得新創(chuàng)公司Arbe Robotics訂單，其FD-SOI元件將使用先進(jìn)的22nm制程技術(shù)，目標(biāo)打造車用雷達(dá)芯片。由此可見，各家廠商在車用芯片領(lǐng)域，使用FD-SOI技術(shù)已成為一股風(fēng)潮，后續(xù)仍看好該技術(shù)的市場發(fā)展。

日前，重慶市人民政府印發(fā)《重慶市推動(dòng)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項(xiàng)行動(dòng)方案（2019—2022年）》（以下簡稱《行動(dòng)方案》），制定了到2025年基本建成鏈群完整、生態(tài)完備、特色明顯、發(fā)展質(zhì)量效益顯著的國家先進(jìn)制造業(yè)重鎮(zhèn)的主要目標(biāo)。

為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，《行動(dòng)方案》提出要鞏固提升智能產(chǎn)業(yè)、汽車摩托車產(chǎn)業(yè)兩大支柱產(chǎn)業(yè)集群，培育壯大裝備產(chǎn)業(yè)、材料產(chǎn)業(yè)、生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)、消費(fèi)品產(chǎn)業(yè)、農(nóng)副食品加工產(chǎn)業(yè)和技術(shù)服務(wù)產(chǎn)業(yè)集群，推動(dòng)支柱產(chǎn)業(yè)向高端邁進(jìn)。

其中，集成電路作為智能產(chǎn)業(yè)的重要領(lǐng)域之一，《行動(dòng)方案》對其發(fā)展作出了詳細(xì)規(guī)劃，包括提出到2020年力爭累計(jì)建成3條晶圓線，到2022年力爭累計(jì)建成4-5條晶圓線等。

集成電路重點(diǎn)發(fā)展方向+重點(diǎn)工程

《行動(dòng)方案》指出，重慶市集成電路領(lǐng)域需鞏固提升電源管理芯片、存儲芯片、驅(qū)動(dòng)芯片，培育壯大先進(jìn)工藝生產(chǎn)線、人工智能及物聯(lián)網(wǎng)芯片、集成電路設(shè)計(jì)，研發(fā)方向包括下一代存儲、寬禁帶半導(dǎo)體、硅光集成、異質(zhì)異構(gòu)微系統(tǒng)集成。

根據(jù)《行動(dòng)方案》，集成電路領(lǐng)域的重點(diǎn)發(fā)展方向涵蓋了IP與設(shè)計(jì)、制造、封測、材料等各產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵，具體包括：

加大對集成電路相關(guān)IP、KNOW—HOW的積累、引進(jìn)和保護(hù)力度，引進(jìn)培育圖形處理、人工智能、智能傳感、汽車電子和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域FabLess企業(yè)，提升芯片設(shè)計(jì)供給能力。推動(dòng)現(xiàn)有功率半導(dǎo)體領(lǐng)域IDM企業(yè)加快產(chǎn)能建設(shè)和新品研發(fā)，發(fā)展高端電源管理芯片。提升模擬及數(shù)?；旌霞呻娐钒l(fā)展水平。聚焦大尺寸、窄線寬晶圓制造環(huán)節(jié)，與國內(nèi)外集成電路龍頭企業(yè)共建IDM模式為主的存儲芯片生產(chǎn)線，繼續(xù)做好國際先進(jìn)工藝Foundry引進(jìn)，推動(dòng)MEMS、化合物半導(dǎo)體等多品種、小批量特殊工藝線建設(shè)。發(fā)展CSP、WLP和MCP等先進(jìn)封裝工藝，形成與設(shè)計(jì)、制造相匹配的封測能力。加快PCB、襯底片、靶材、電子級化學(xué)品等原材料發(fā)展，構(gòu)建完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條。

此外，《行動(dòng)方案》還制定了集成電路發(fā)展三大重點(diǎn)工程：

集成電路特色工藝及封裝測試制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)工程：聚焦現(xiàn)有基礎(chǔ)較好領(lǐng)域，在2019年啟動(dòng)集成電路特色工藝及封裝測試、功率半導(dǎo)體等市級制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，推動(dòng)創(chuàng)建集成電路特色工藝及封裝測試國家級制造業(yè)創(chuàng)新中心。

集成電路設(shè)計(jì)業(yè)集聚區(qū)建設(shè)工程：建設(shè)市級集成電路公共服務(wù)平臺，提供EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）工具、仿真和檢測等公共服務(wù)，到2020年力爭累計(jì)引進(jìn)培育集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)50家，到2022年力爭累計(jì)引進(jìn)培育集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)100家。

多規(guī)格晶圓線建設(shè)工程：推動(dòng)現(xiàn)有企業(yè)規(guī)劃晶圓線盡快啟動(dòng)建設(shè)，加大在談項(xiàng)目跟進(jìn)，到2020年力爭累計(jì)建成3條晶圓線、到2022年力爭累計(jì)建成4—5條晶圓線。

《行動(dòng)方案》提出，在本地人才培養(yǎng)方面要推動(dòng)在渝高校與國內(nèi)著名大學(xué)、科研院所、知名企業(yè)聯(lián)合舉辦人工智能、集成電路等學(xué)院或二級學(xué)院；加快在集成電路、新能源及智能網(wǎng)聯(lián)汽車等領(lǐng)域建設(shè)一批世界級、國家級和市級一流學(xué)科和國家級、市級一流專業(yè)點(diǎn)。

傳感器+集成電路協(xié)同發(fā)展

此外，智能傳感器亦為智能產(chǎn)業(yè)的重要領(lǐng)域之一。《行動(dòng)方案》要求重慶加大智能傳感器領(lǐng)域龍頭企業(yè)引進(jìn)力度，推動(dòng)現(xiàn)有傳感器生產(chǎn)企業(yè)與集成電路企業(yè)深化合作，加強(qiáng)基于MEMS架構(gòu)的智能化產(chǎn)品、組件及生產(chǎn)工藝研發(fā)，提高傳感器質(zhì)量。

根據(jù)《行動(dòng)方案》，重慶將重點(diǎn)發(fā)展車用激光雷達(dá)、毫米波雷達(dá)和位置傳感器，智能終端用慣性傳感器、重力感應(yīng)傳感器和指紋識別傳感器，工業(yè)機(jī)器人用二維/三維視覺傳感器、力矩傳感器和碰撞傳感器。

《行動(dòng)方案》提出傳感器+集成電路協(xié)同發(fā)展工程，要求加強(qiáng)MEMS與集成電路工藝共性技術(shù)和兼容性、小體積、低成本封裝工藝等技術(shù)工藝研究，推動(dòng)現(xiàn)有晶圓制造、封裝測試企業(yè)開放流片及封測業(yè)務(wù)，加快傳感器新品研發(fā)投放。

2022年目標(biāo)突破1000億元

近年來，重慶大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，此前已陸續(xù)出臺《重慶市加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干支持政策》、《重慶市集成電路技術(shù)創(chuàng)新實(shí)施方案》、《重慶市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展指導(dǎo)意見》等支持發(fā)展政策，該市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展思路日漸清晰。

目前，重慶已聚集了SK海力士、紫光集團(tuán)、華潤微電子、上海超硅等眾多知名集成電路產(chǎn)業(yè)。據(jù)悉，重慶集成電路已安排了4個(gè)百億級任務(wù)，目標(biāo)到2022年集成電路銷售收入預(yù)計(jì)突破1000億元，其中裝備材料100億元、設(shè)計(jì)企業(yè)200億元、封裝測試300億元、生產(chǎn)制造400億元。

由于半導(dǎo)體發(fā)展趨勢，在相同晶圓面積下填入更多晶體管，勢必使線寬逐漸微縮，但尺寸微縮卻有限制，其閘極線寬極限約在3～5nm間(線寬愈小則電阻值愈大)，使得科學(xué)家試圖找尋在不微縮線寬尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩爾定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶絕緣體技術(shù)，即為解決方法之一。

所謂SOI技術(shù)是由Si晶圓透過特殊氧化反應(yīng)，使氧化層(Buried Oxide)形成于Si層與Si晶圓間，最終產(chǎn)生Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結(jié)構(gòu)，由于SOI的半導(dǎo)體特性(低功耗、高性價(jià)比與低制造周期等)，使得元件擁有取代線寬較大(16-12nm)之FinFET結(jié)構(gòu)優(yōu)勢。

磊晶技術(shù)發(fā)展，無助于SOI生成上之演進(jìn)

SOI的發(fā)展脈絡(luò)可追朔至1960年中后期，由于半導(dǎo)體為了追求適當(dāng)?shù)慕^緣材料作為基板，逐漸開發(fā)出以藍(lán)寶石基板為基礎(chǔ)而成長的Si磊晶層SOS(Silicon on Sapphire)技術(shù)，為SOI原型，但由于藍(lán)寶石基板價(jià)格昂貴，目前已較無人使用此技術(shù)。

另一方面，日商Canon也于2000年初，針對SOI技術(shù)開發(fā)ELTRAN(Epitaxial Layer TRANsfer)成長方法，雖然SOI最上層之Si層材料可由磊晶方式成長，且條件易于控制，但整套流程需經(jīng)陽極氧化(形成多孔性Si層)、磊晶、高溫氧化、鍵結(jié)、分離蝕刻與氫氣退火等步驟，過程十分繁瑣，因而這項(xiàng)技術(shù)最后也無疾而終。

若以現(xiàn)階段SOI生成技術(shù)評估，主要可分為離子布植及晶圓接合等方式進(jìn)行，相關(guān)技術(shù)有以下幾種：SIMOX(Separation by IMplanted OXygen)、BESOI(Bond and Etch-back SOI)與Smart-Cut等，作為后續(xù)供應(yīng)現(xiàn)行SOI晶圓之方法。

三大SOI生成方法，以Smart-Cut技術(shù)獨(dú)步群雄

以SIMOX技術(shù)為例，成長SOI方法主要透過離子布植機(jī)，將大量氧離子(O+ ions)打入Si晶圓前緣部分，再透過高溫退火(1,300℃)使其產(chǎn)生氧化層，最終形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結(jié)構(gòu)。

該技術(shù)制作的SOI雖較容易，但由于氧離子于離子布植時(shí)，難以穿透Si晶圓達(dá)到深處，使得Si層只有約50～240nm厚度，因此后續(xù)還需經(jīng)由磊晶成長方式，使Si層厚度增加，達(dá)到SOI元件所需的要求。

BESOI成長方式是先透過兩片Si晶圓，經(jīng)高溫氧化后形成兩片表面氧化層的結(jié)構(gòu)(SiO2/Si Substrate)，再將兩片氧化層相互接合并加熱(1,100℃)，使其產(chǎn)生鍵結(jié)與退火，最終經(jīng)CMP研磨后形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結(jié)構(gòu)。盡管Si層的厚度已較SIMOX技術(shù)相對好控制，但兩片氧化層接合之鍵結(jié)良率，仍是SOI晶圓產(chǎn)能的決定關(guān)鍵，需大量時(shí)間研磨除去多余Si層。

而Smart-Cut技術(shù)則為法國SOITEC開發(fā)的方法，可有效加速SOI制作速率。Smart-Cut前半部分將如BESOI技術(shù)一般，先將兩片Si晶圓經(jīng)高溫氧化形成表面氧化層，然后將其中一片的氧化層以離子布植機(jī)打入大量氫離子(H+)，隨后再將兩片氧化層以親水性鏈結(jié)(Hydrophilic Bonding)方式相互接合，并加熱至400～600℃使氫離子層產(chǎn)生斷裂，分離多余的Si層，最終經(jīng)退火(1,100℃)與CMP研磨后，形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結(jié)構(gòu)。

借由Smart-Cut方法，確實(shí)有效縮減CMP研磨時(shí)間(經(jīng)氫離子層斷裂后留下之Si層變薄的緣故)，但兩片氧化層的接合鍵結(jié)良率仍是SOI決定要素，盡管如此，Smart-Cut還是能大幅提高SOI晶圓的生成速率，有效降低SOI晶圓成本，并得以驅(qū)使現(xiàn)行的光通訊元件、物聯(lián)網(wǎng)與車用芯片領(lǐng)域加速發(fā)展。

5月7日，至純科技發(fā)布《公開發(fā)行A股可轉(zhuǎn)換公司債券預(yù)案》，擬公開發(fā)行總額不超過人民幣3.56億元的可轉(zhuǎn)換公司債券，募集資金投資建設(shè)半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造項(xiàng)目和晶圓再生基地項(xiàng)目。

根據(jù)可行性分析報(bào)告，半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造項(xiàng)目計(jì)劃投資總額1.8億元，擬投入募集資金金額1.2億元。該項(xiàng)目主要開展批次式半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備和單片式半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備的生產(chǎn)制造，建設(shè)周期為2年，達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)批次式半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備30臺，單片式半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備10臺的生產(chǎn)能力。

據(jù)介紹，濕法清洗是芯片制造過程中最頻繁的步驟，通過化學(xué)藥液或去離子水去除制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機(jī)物、金屬污染、拋光殘留物等物質(zhì)。

晶圓再生基地項(xiàng)目計(jì)劃投資總額為3.2億元，擬投入募集資金金額2.36億元，建設(shè)內(nèi)容主要包括生產(chǎn)車間建設(shè)及設(shè)備購置。該項(xiàng)目主要開展再生晶圓的加工服務(wù)，建設(shè)周期為2年，達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12英寸硅再生晶圓168萬片的產(chǎn)出能力。

晶圓再生是對晶圓制程所需測試片和擋控片進(jìn)行回收加工，使得晶圓能循環(huán)再利用。晶圓廠為縮減成本通常會(huì)將使用過的控片、擋片委托給開展晶圓再生服務(wù)的外部公司進(jìn)行加工，實(shí)現(xiàn)其循環(huán)再利用。

資料顯示，至純科技長期從事于提供高純工藝系統(tǒng)的整體解決方案，主要產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2015年，至純科技開始濕法工藝設(shè)備的研發(fā)，并于2017年成立半導(dǎo)體濕法事業(yè)部，致力于打造高端濕法設(shè)備制造開發(fā)平臺。

至純科技分析認(rèn)為，我國不斷新建并逐步投產(chǎn)的晶圓廠拉動(dòng)了對半導(dǎo)體清洗設(shè)備需求的強(qiáng)勁增長，該市場規(guī)模存在著廣闊的發(fā)展空間；基于降低不必要的損耗以及減少運(yùn)輸在途時(shí)間考慮，晶圓廠通常優(yōu)先選擇本地供應(yīng)商，進(jìn)一步刺激了國內(nèi)晶圓再生市場的持續(xù)增長，我國晶圓再生的市場規(guī)模亦較為可觀。

由于缺乏相關(guān)工藝技術(shù)，目前半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造及晶圓再生的國產(chǎn)化率較低，產(chǎn)業(yè)替代市場空間廣闊。隨著國家對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的各項(xiàng)政策順利落地實(shí)施，越來越多資本將逐漸參與到半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造及晶圓再生服務(wù)領(lǐng)域，彌補(bǔ)市場空缺。

3月9日，晶方科技發(fā)布“關(guān)于晶方產(chǎn)業(yè)投資基金對外投資進(jìn)展公告”，稱近日公司收到晶方光電通知，晶方光電與荷蘭Anteryon公司及其股東已完成收購協(xié)議的簽署、資金與股權(quán)的交割等相關(guān)事宜。

晶方光電整體出資3,225萬歐元收購荷蘭Anteryon公司，并取得Anteryon公司73%的股權(quán)。

據(jù)悉，Anteryon公司為全球領(lǐng)先的晶圓級光學(xué)組件設(shè)計(jì)、制造公司，具備完整的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)晶圓級高折射、高精度、高集成度、高可靠性的微型尺寸光學(xué)器件能力，其技術(shù)在目前深度識別、潛望式光路、衍射器件和微鏡頭陣列等方面有重要用途。

本次晶方產(chǎn)業(yè)基金收購Anteryon公司73%股權(quán)后，其擁有的核心半導(dǎo)體制造技術(shù)、材料和量產(chǎn)能力與晶方科技現(xiàn)有傳感器業(yè)務(wù)、市場可形成良好的產(chǎn)業(yè)互補(bǔ)，協(xié)同效應(yīng)顯著，有利于公司的產(chǎn)業(yè)鏈延伸與布局，并通過獲得傳感器發(fā)展所需的核心技術(shù)與制造能力，快速有效進(jìn)入智慧物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、虛擬及增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、醫(yī)療和智能制造相關(guān)的新興應(yīng)用領(lǐng)域，取得新的業(yè)務(wù)機(jī)會(huì)與利潤增長點(diǎn)。

近日，徐州日報(bào)報(bào)道，協(xié)鑫徐州大晶圓項(xiàng)目從正月初五開始，工廠恢復(fù)開工。

據(jù)悉，為保證工程進(jìn)度，工廠年前約安排了200人堅(jiān)守到大年三十放假，春節(jié)期間工地也有十余人值班。

按照項(xiàng)目進(jìn)度，今年5月將搬入拉晶爐，8月工藝調(diào)試完成，9月測試產(chǎn)品送樣。

協(xié)鑫徐州大晶圓項(xiàng)目總投資為150億元，一期投資為94.5億元，建筑面積43.9萬平方米。

作為徐州市與徐州經(jīng)開區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，協(xié)鑫大晶圓項(xiàng)目將建設(shè)200萬片/月半導(dǎo)體長晶體、30萬片/月8英寸半導(dǎo)體大硅片、50萬片/月12英寸大硅片和半導(dǎo)體輔材生產(chǎn)配套基地項(xiàng)目。

項(xiàng)目建成后，徐州將成為全國最大的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地，對我國半導(dǎo)體制造業(yè)提供關(guān)鍵原材料支撐。