集邦咨詢：DRAM均價受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季。

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周。

進入第二季，受惠于1Ynm制程貢獻，供給位元仍持續(xù)成長。在極力消化庫存的考量下，DRAM供應(yīng)商普遍采取持續(xù)大幅降價的策略以刺激銷售。與第一季相似，跌幅最大的產(chǎn)品別為PC與服務(wù)器內(nèi)存，跌幅約兩成。而行動式內(nèi)存受惠于新機潮的拉貨動能跌幅較小，約10~15%，預(yù)估DRAM均價在第二季將持續(xù)下跌近兩成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收斂，則取決于需求端的回溫以及第二季底庫存去化的成效。DRAMeXchange分析，2019年各產(chǎn)品的DRAM平均搭載容量成長表現(xiàn)將不若去年，因此，終端需求的回溫是DRAM景氣是否落底的關(guān)鍵因素。單純就供需預(yù)測來看，上半年供過于求的狀況遠(yuǎn)高過下半年，預(yù)期價格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。

PC、服務(wù)器用DRAM 2Q跌價幅度未見收斂，行動內(nèi)存跌幅趨緩

觀察DRAM各應(yīng)用別今年的價格走勢，由于庫存水位較高的關(guān)系，自去年第四季以來，以標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存的跌幅最為明顯。以PC需求面來說，今年缺乏刺激出貨量成長的因素，再加上Intel CPU缺貨狀況在中低階機種仍未緩解，使得出貨不振的狀況在上半年特別顯著。以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組8GB解決方案來看，第一季度的價格已經(jīng)下滑近三成，最低價已落在近40美元。展望第二季，均價持續(xù)下探35美元，年底恐怕要挑戰(zhàn)30美元關(guān)卡。

服務(wù)器在經(jīng)歷連續(xù)兩年的需求高峰后，第一季由于庫存偏高，加上進入傳統(tǒng)OEM的淡季，備貨動能顯著衰退。雖然三月開始，部分北美資料中心業(yè)者開始陸續(xù)洽單，但整體采購力道仍未明顯復(fù)蘇。再者，現(xiàn)階段供需雙方普遍庫存偏高，在既有庫存去化與需求動能恢復(fù)前，預(yù)估服務(wù)器內(nèi)存價格將持續(xù)走跌。DRAMeXchange預(yù)估，第二季仍將有兩成左右的跌幅，第三與第四季也會維持接近一成左右的降價空間。

在行動內(nèi)存方面，第一季受到智能手機市場需求不旺，生產(chǎn)總量較去年同期衰退逾10%的影響，行動內(nèi)存供應(yīng)商庫存無法有效去化，導(dǎo)致價格持續(xù)下探，discrete以及eMCP產(chǎn)品平均跌幅接近2成，市場報價混亂。

展望第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone雙陣營旗艦新機備料帶動單機搭載容量提升外，也同時受惠傳統(tǒng)市場旺季，整體需求將轉(zhuǎn)趨熱絡(luò)，預(yù)估合約價跌幅將較第一季收斂，不過考慮到今年智能手機總生產(chǎn)數(shù)量將呈現(xiàn)負(fù)成長，中、低階手機平均搭載容量成長有限，第二、三季的合約價格依舊難以止跌。

而就利基型存儲器價格走勢來看，農(nóng)歷假期過后，中國有部分機上盒、網(wǎng)通標(biāo)案訂單出現(xiàn)帶動小量拉貨需求，然一次性標(biāo)案結(jié)束后，整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下，預(yù)期今年第二季與三季利基型存儲器價格仍將分別走跌15%與10%。

DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，近期服務(wù)器用DRAM需求已經(jīng)反彈，此舉將幫助第二季DRAM市況優(yōu)于首季，下半年轉(zhuǎn)好。

李培瑛分析，去年前三季DRAM大好，很主要的一個原因是服務(wù)器需求所帶動的，但自去年第三季底開始，服務(wù)器用DRAM需求急凍，致使整個DRAM產(chǎn)業(yè)面臨供給過剩的窘境，連帶DRAM報價也迅速下跌。

但自今年3月開始，服務(wù)器用DRAM需求開始加溫，此舉似乎也意味著，DRAM產(chǎn)業(yè)最差時間已經(jīng)過去了，產(chǎn)業(yè)也開始出現(xiàn)觸底反彈的契機；而李培瑛也透露，第二季DRAM產(chǎn)業(yè)景氣會比第一季好些，下半年仍有產(chǎn)業(yè)旺季效應(yīng)可期。

集邦咨詢：2018年第四季DRAM產(chǎn)值正式反轉(zhuǎn)向下，原廠獲利能力衰退

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，DRAM報價于2018年第四季開始反轉(zhuǎn)向下，造成DRAM整體產(chǎn)業(yè)營收下滑。由于需求端的庫存水位普遍偏高，導(dǎo)致采購力道薄弱，連帶使得DRAM供應(yīng)商的位元出貨(sales bit)多呈現(xiàn)大幅季衰退。在量價齊跌的壓力下，2018年第四季DRAM總營收較上季下滑18.3%。

DRAMeXchange指出，2019年一月份合約價格持續(xù)走跌。就一線PC-OEM大廠定價來看，主流8GB模組一月均價已滑落至50美元，且二、三月在月合約(monthly deal)議定的情況下，價格持續(xù)下探，預(yù)估整體第一季跌幅約在20-25%。此外，DRAM供應(yīng)商于2018年第四季的生產(chǎn)位元(production bit)遠(yuǎn)高于位元出貨，導(dǎo)致庫存壓力加劇。因此為加速去化庫存，廠商在報價策略上將更為積極。

從營收角度觀察，廠商普遍難逃季衰退的命運。產(chǎn)業(yè)龍頭三星在服務(wù)器內(nèi)存出貨大減的沖擊下，第四季位元出貨在三大原廠中下滑最多，營收較上季下滑25.7%，來到94.5億美元，市占則跌至41.3%。而SK海力士的位元出貨僅下滑約2%，因此營收下跌幅度較三星輕微，季減12.3%至71.4億美元，市占突破3成來到31.2%。

美光仍舊維持第三，在出貨策略較為彈性的幫助下，營收來到53.7億美元，雖較上季下滑9.2%，但在三大原廠中表現(xiàn)最佳，市占率上升到23.5%。

DRAMeXchange預(yù)估，三星面對市占明顯遭侵蝕且?guī)齑嫠幌鄬ζ叩碾p重壓力下，未來在報價策略上將更積極，避免市占持續(xù)遭壓縮。

觀察原廠獲利能力，2018年第四季受到整體價格下跌影響，供應(yīng)商的獲利高點正式告終，營業(yè)利益率皆呈現(xiàn)衰退。龍頭廠三星因降價求售的力道最小，且1Ynm比重逐漸提升，營業(yè)利益率僅由前一季的70%下滑至66%。然而，第四季即使報價反轉(zhuǎn)，生產(chǎn)DRAM的毛利率仍有8成左右水平，顯示三星仍有本錢做較為積極的價格策略。

SK海力士第四季出貨量高，代價即為獲利能力的侵蝕，本季度的營業(yè)利益率從第三季的66%下跌至58%。美光則因公司財報月份為9-11月，價格下跌幅度不如韓廠所結(jié)算的10-12月，因此營業(yè)利益率僅從上季的62%下跌至58%。

展望2019年第一季，在產(chǎn)業(yè)價格跌幅更劇烈的情況下，原廠獲利空間將被進一步壓縮。

由技術(shù)面觀察，隨著Line 17增加投片以及平澤廠二樓的DRAM產(chǎn)能陸續(xù)開出，三星于去年底已達到1X+1Ynm產(chǎn)出比重合計70%的目標(biāo)。今年平澤廠雖計劃不再增加投片量，但Line 17與平澤廠二樓仍將持續(xù)轉(zhuǎn)換1Ynm，為順應(yīng)目前市況，轉(zhuǎn)換速度并不快。

至于SK海力士，1Xnm良率已上軌道，中國無錫新建的第二座12英寸廠也已于今年上半年開始貢獻產(chǎn)出。不過由于全球經(jīng)濟不確定性的影響，無錫廠擴增投片的進度不會太積極。

而美光方面，臺灣美光內(nèi)存（原瑞晶）已全數(shù)以1Xnm生產(chǎn)，下一步將直接轉(zhuǎn)進1Znm，但實際貢獻將落在2020年；臺灣美光晶圓科技（原華亞科）已于去年第二季進行20nm往1Xnm的轉(zhuǎn)換，今年上半年將開始轉(zhuǎn)往1Ynm，并緩步提升比重。

臺系廠商部分，南亞科第四季受到標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存市況不佳影響，位元出貨下跌超過20%，營收表現(xiàn)較前一季大幅衰退30.8%。毛利較佳的DDR4產(chǎn)品出貨比重低，加上整體產(chǎn)業(yè)報價向下，營業(yè)利益率由上一季的51.0%下跌至41.8%。在廠房設(shè)備折舊攤提費用提升，以及20nm所帶來的成本效益越來越小的情況下，獲利能力恐將持續(xù)萎縮。

力晶科技方面，本身DRAM營收較上季成長10.3%，若涵蓋DRAM代工業(yè)務(wù)，營收則下滑近雙位數(shù)。至于華邦DRAM營收下滑16.8%，產(chǎn)品價格跌幅不到5%，但位元出貨仍因整體拉貨動能疲弱而季減逾10%。

DRAM市場供過于求，第1季產(chǎn)品價格下跌逾2成，市調(diào)機構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)預(yù)期，第2季產(chǎn)品價格可能再跌15%。

DRAMeXchange表示，因淡季效應(yīng)影響，庫存水位依然偏高，買方拉貨意愿疲弱，沖擊第1季DRAM價格下跌超過2成，其中，又以服務(wù)器存儲器下跌幅度最大，跌幅逼近3成。

展望后市，DRAMeXchange預(yù)期，第2季需求雖可能略有回溫，只是先前累積的庫存仍需時間去化，第2季供過于求壓力仍在，DRAM價格將再跌15%。

DRAMeXchange預(yù)估，服務(wù)器存儲器最快要到第3季庫存水位才可望有效降低，產(chǎn)品價格跌幅才會隨著收斂。行動存儲器則受惠新機效應(yīng)，第2季需求可望轉(zhuǎn)強，只是產(chǎn)品價格仍難以止跌。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)

隨著 5G 明年步入商轉(zhuǎn)，資料傳輸需求大增，可望顯著刺激存儲器景氣。雖然近期存儲器步入景氣向下循環(huán)，但歷經(jīng)調(diào)整后，5G、人工智能與邊緣運算等帶動科技新浪潮，將帶動 DRAM 與 NAND Flash 需求重回成長，南亞科、華邦電等臺廠都將因此受惠。

DRAM 近年來受惠資料中心持續(xù)建置，服務(wù)器存儲器出貨量大幅攀升，伴隨 5G 商轉(zhuǎn)產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，將需要建置更多資料中心來容納。隨著資料中心需求持續(xù)推升，未來服務(wù)器 DRAM 可望成為成長力道最強勁的存儲器領(lǐng)域，研調(diào)甚至認(rèn)為，未來 2 至 3 年內(nèi)，服務(wù)器存儲器將超越行動式存儲器，成為供需主流。

為迎接服務(wù)器市場未來的強勁成長動能，南亞科今年正式重返缺席逾 5 年的服務(wù)器 DRAM 市場，8Gb DDR4 服務(wù)器產(chǎn)品已獲美系資料中心大廠驗證通過，第 4 季小量出貨，并于明年放量，要全力搶攻服務(wù)器市場，盼明年底前服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品可占整體出貨比重超過 1 成。

除南亞科積極布局以因應(yīng)相關(guān)需求外，華邦電也不缺席。華邦電總經(jīng)理詹東義認(rèn)為，5G、人工智能與邊緣運算需求增加，將使更多產(chǎn)品智慧化，成為驅(qū)動產(chǎn)業(yè)的新成長動能，因此對未來市場需求并不悲觀，將持續(xù)耕耘質(zhì)量要求較高的金字塔頂端客戶。

而在 NAND Flash 方面，隨著 5G 帶動智慧家庭、自動駕駛等新興領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展，擁有運算能力的終端產(chǎn)品數(shù)量將會明顯提升，可望帶動中低容量 NAND Flash 產(chǎn)品出貨量增加，后市需求動能同樣樂觀可期。