日前，處理器大廠英特爾推出結(jié)合 DRAM 及 NAND Flash 優(yōu)點(diǎn)于其中的? Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10，期望憑借著英特爾本身在服務(wù)器處理器上的市占率優(yōu)勢(shì)，將 H10 推廣到服務(wù)器當(dāng)中，進(jìn)一步挑戰(zhàn)目前服務(wù)器存儲(chǔ)器中三星與 SK 海力士的地位。

而對(duì)于來勢(shì)洶洶的英特爾，三星與 SK 海力士隨即表示，將推出相類似的產(chǎn)品以抗衡英特爾。因此，服務(wù)器存儲(chǔ)器大展進(jìn)入一觸即發(fā)的狀態(tài)。

根據(jù)韓國(guó)媒體《ETnews》的報(bào)導(dǎo)，英特爾日前推出將 Intel Optane 與 Intel QLC 3D NAND 技術(shù)結(jié)合在一個(gè) M.2 模塊當(dāng)中的 Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10。雖然英特爾宣稱，H10 將適用于輕薄的筆記型計(jì)算機(jī)上，以及某些空間受限的桌上型計(jì)算機(jī)，提供了當(dāng)今傳統(tǒng) Triple Level Cell (TLC) 3D NAND SSD 無法滿足的更高效能，并且減少對(duì)于第 2 顆資料儲(chǔ)存設(shè)備的需求。

但是，因?yàn)?H10 具備著融合了 DRAM 與 NAND Flash 的優(yōu)點(diǎn)，那就是雖然在 DRAM 的存儲(chǔ)器速度比過去傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器稍慢，卻有著價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)，而且具有 NAND Flash 斷電后資料依舊能保存，成為另外儲(chǔ)存空間的優(yōu)點(diǎn)。而且，因?yàn)橛⑻貭柵c美光多年來所開發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)，可以將 NAND Flash 的速度提高 1,000 倍，而且延長(zhǎng)持續(xù)使用時(shí)間的情況下，更使其適合在服務(wù)器內(nèi)所使用。因此，對(duì)于當(dāng)前服務(wù)器存儲(chǔ)器的兩大廠商──三星與 SK 海力士來說的確造成威脅，使得三星與SK海力士也宣布將推出相類似的產(chǎn)品應(yīng)戰(zhàn)。

報(bào)導(dǎo)表示，英特爾的 H10 被稱之為下一代的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，而且采用 Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行動(dòng)平臺(tái)，將于本季稍晚透過主要 OEM 廠商推出。透過這些平臺(tái)，日常用戶將能夠在多工處理時(shí)，達(dá)到啟動(dòng)文件檔案的速度提高 2 倍，或者游戲啟動(dòng)速度提高 60%，以及打開媒體檔案的速度提高 90% 的效能。

而隨著筆電使用的 H10 問世，未來英特爾在服務(wù)器方面的相關(guān)產(chǎn)品也將會(huì)很快地推出，而憑借著英特爾在服務(wù)器上的高市占率優(yōu)勢(shì)，未來將會(huì)影響到三星與 SK 在服務(wù)器存儲(chǔ)器上的市占率。因此針對(duì)次此一市場(chǎng)，三星與海力士也將推出相類似的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)，不讓英特爾專美于前。

英特爾H10存儲(chǔ)器威脅服務(wù)器市場(chǎng)，三星與 SK 海力士也將推新品最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

集邦咨詢：DRAM均價(jià)受庫(kù)存尚未去化完成影響，跌勢(shì)恐將持續(xù)至下半年

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，受庫(kù)存過高影響，DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計(jì)在庫(kù)存尚未去化完成的影響下，DRAM均價(jià)跌勢(shì)恐將持續(xù)至第三季。

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫(kù)存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫(kù)存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周。

進(jìn)入第二季，受惠于1Ynm制程貢獻(xiàn)，供給位元仍持續(xù)成長(zhǎng)。在極力消化庫(kù)存的考量下，DRAM供應(yīng)商普遍采取持續(xù)大幅降價(jià)的策略以刺激銷售。與第一季相似，跌幅最大的產(chǎn)品別為PC與服務(wù)器內(nèi)存，跌幅約兩成。而行動(dòng)式內(nèi)存受惠于新機(jī)潮的拉貨動(dòng)能跌幅較小，約10~15%，預(yù)估DRAM均價(jià)在第二季將持續(xù)下跌近兩成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收斂，則取決于需求端的回溫以及第二季底庫(kù)存去化的成效。DRAMeXchange分析，2019年各產(chǎn)品的DRAM平均搭載容量成長(zhǎng)表現(xiàn)將不若去年，因此，終端需求的回溫是DRAM景氣是否落底的關(guān)鍵因素。單純就供需預(yù)測(cè)來看，上半年供過于求的狀況遠(yuǎn)高過下半年，預(yù)期價(jià)格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。

PC、服務(wù)器用DRAM 2Q跌價(jià)幅度未見收斂，行動(dòng)內(nèi)存跌幅趨緩

觀察DRAM各應(yīng)用別今年的價(jià)格走勢(shì)，由于庫(kù)存水位較高的關(guān)系，自去年第四季以來，以標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存的跌幅最為明顯。以PC需求面來說，今年缺乏刺激出貨量成長(zhǎng)的因素，再加上Intel CPU缺貨狀況在中低階機(jī)種仍未緩解，使得出貨不振的狀況在上半年特別顯著。以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組8GB解決方案來看，第一季度的價(jià)格已經(jīng)下滑近三成，最低價(jià)已落在近40美元。展望第二季，均價(jià)持續(xù)下探35美元，年底恐怕要挑戰(zhàn)30美元關(guān)卡。

服務(wù)器在經(jīng)歷連續(xù)兩年的需求高峰后，第一季由于庫(kù)存偏高，加上進(jìn)入傳統(tǒng)OEM的淡季，備貨動(dòng)能顯著衰退。雖然三月開始，部分北美資料中心業(yè)者開始陸續(xù)洽單，但整體采購(gòu)力道仍未明顯復(fù)蘇。再者，現(xiàn)階段供需雙方普遍庫(kù)存偏高，在既有庫(kù)存去化與需求動(dòng)能恢復(fù)前，預(yù)估服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)走跌。DRAMeXchange預(yù)估，第二季仍將有兩成左右的跌幅，第三與第四季也會(huì)維持接近一成左右的降價(jià)空間。

在行動(dòng)內(nèi)存方面，第一季受到智能手機(jī)市場(chǎng)需求不旺，生產(chǎn)總量較去年同期衰退逾10%的影響，行動(dòng)內(nèi)存供應(yīng)商庫(kù)存無法有效去化，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)下探，discrete以及eMCP產(chǎn)品平均跌幅接近2成，市場(chǎng)報(bào)價(jià)混亂。

展望第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone雙陣營(yíng)旗艦新機(jī)備料帶動(dòng)單機(jī)搭載容量提升外，也同時(shí)受惠傳統(tǒng)市場(chǎng)旺季，整體需求將轉(zhuǎn)趨熱絡(luò)，預(yù)估合約價(jià)跌幅將較第一季收斂，不過考慮到今年智能手機(jī)總生產(chǎn)數(shù)量將呈現(xiàn)負(fù)成長(zhǎng)，中、低階手機(jī)平均搭載容量成長(zhǎng)有限，第二、三季的合約價(jià)格依舊難以止跌。

而就利基型存儲(chǔ)器價(jià)格走勢(shì)來看，農(nóng)歷假期過后，中國(guó)有部分機(jī)上盒、網(wǎng)通標(biāo)案訂單出現(xiàn)帶動(dòng)小量拉貨需求，然一次性標(biāo)案結(jié)束后，整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下，預(yù)期今年第二季與三季利基型存儲(chǔ)器價(jià)格仍將分別走跌15%與10%。

集邦咨詢：DRAM均價(jià)受庫(kù)存尚未去化完成影響，跌勢(shì)恐將持續(xù)至下半年最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，近期服務(wù)器用DRAM需求已經(jīng)反彈，此舉將幫助第二季DRAM市況優(yōu)于首季，下半年轉(zhuǎn)好。

李培瑛分析，去年前三季DRAM大好，很主要的一個(gè)原因是服務(wù)器需求所帶動(dòng)的，但自去年第三季底開始，服務(wù)器用DRAM需求急凍，致使整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)面臨供給過剩的窘境，連帶DRAM報(bào)價(jià)也迅速下跌。

但自今年3月開始，服務(wù)器用DRAM需求開始加溫，此舉似乎也意味著，DRAM產(chǎn)業(yè)最差時(shí)間已經(jīng)過去了，產(chǎn)業(yè)也開始出現(xiàn)觸底反彈的契機(jī)；而李培瑛也透露，第二季DRAM產(chǎn)業(yè)景氣會(huì)比第一季好些，下半年仍有產(chǎn)業(yè)旺季效應(yīng)可期。

南亞科：服務(wù)器用DRAM需求已重現(xiàn)曙光最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

去年第4季DRAM供應(yīng)商總營(yíng)收較前一季下滑18.3%，其中三星的位元出貨在3大原廠中下滑最多。（彭博資料照）

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，DRAM報(bào)價(jià)于2018年第4季開始反轉(zhuǎn)向下，造成DRAM整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收下滑。DRAM供應(yīng)商的位元出貨（sales bit）大幅季減，去年第4季DRAM總營(yíng)收較前一季下滑18.3%。

廠商報(bào)價(jià)策略更積極

DRAMeXchange指出，2019年1月份合約價(jià)格持續(xù)走跌，就一線PC-OEM大廠訂價(jià)來看，主流8GB模塊1月均價(jià)已滑落至50美元，且2、3月在月合約（monthly deal）議定下，價(jià)格持續(xù)下探，預(yù)估整體第1季跌幅約在20~25%。此外，DRAM供應(yīng)商于2018年第4季的生產(chǎn)位元（production bit）遠(yuǎn)高于位元出貨，導(dǎo)致庫(kù)存壓力加劇，因此為加速去化庫(kù)存，廠商在報(bào)價(jià)策略上將更為積極。

從營(yíng)收角度來觀察，產(chǎn)業(yè)龍頭三星在服務(wù)器存儲(chǔ)器出貨大減的沖擊下，第4季位元出貨在3大原廠中下滑最多，營(yíng)收較上季下滑25.7%，來到94.5億美元，市占則跌至41.3%。而SK海力士的位元出貨僅下滑約2%，營(yíng)收季減12.3%，至71.4億美元，市占突破3成，來到31.2%。

美光仍舊維持第3，雖較上季下滑9.2%，但在3大原廠中表現(xiàn)最佳，市占率上升到23.5%，營(yíng)收來到53.7億美元。

臺(tái)系廠商部分，南亞科第4季受到標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器市況不佳影響，位元出貨下跌超過20%，營(yíng)收較前一季大幅衰退30.8%。

力晶科技本身DRAM營(yíng)收較上季成長(zhǎng)10.3%，但若涵蓋DRAM代工業(yè)務(wù)，營(yíng)收則下滑近雙位數(shù)。華邦DRAM營(yíng)收下滑16.8%，產(chǎn)品價(jià)格跌幅不到5%，但位元出貨仍因整體拉貨動(dòng)能疲弱，季減逾10%。

上季DRAM價(jià)反轉(zhuǎn)向下 今年Q1持續(xù)下探20%最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

集邦咨詢：2018年第四季DRAM產(chǎn)值正式反轉(zhuǎn)向下，原廠獲利能力衰退

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，DRAM報(bào)價(jià)于2018年第四季開始反轉(zhuǎn)向下，造成DRAM整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收下滑。由于需求端的庫(kù)存水位普遍偏高，導(dǎo)致采購(gòu)力道薄弱，連帶使得DRAM供應(yīng)商的位元出貨(sales bit)多呈現(xiàn)大幅季衰退。在量?jī)r(jià)齊跌的壓力下，2018年第四季DRAM總營(yíng)收較上季下滑18.3%。

DRAMeXchange指出，2019年一月份合約價(jià)格持續(xù)走跌。就一線PC-OEM大廠定價(jià)來看，主流8GB模組一月均價(jià)已滑落至50美元，且二、三月在月合約(monthly deal)議定的情況下，價(jià)格持續(xù)下探，預(yù)估整體第一季跌幅約在20-25%。此外，DRAM供應(yīng)商于2018年第四季的生產(chǎn)位元(production bit)遠(yuǎn)高于位元出貨，導(dǎo)致庫(kù)存壓力加劇。因此為加速去化庫(kù)存，廠商在報(bào)價(jià)策略上將更為積極。

從營(yíng)收角度觀察，廠商普遍難逃季衰退的命運(yùn)。產(chǎn)業(yè)龍頭三星在服務(wù)器內(nèi)存出貨大減的沖擊下，第四季位元出貨在三大原廠中下滑最多，營(yíng)收較上季下滑25.7%，來到94.5億美元，市占則跌至41.3%。而SK海力士的位元出貨僅下滑約2%，因此營(yíng)收下跌幅度較三星輕微，季減12.3%至71.4億美元，市占突破3成來到31.2%。

美光仍舊維持第三，在出貨策略較為彈性的幫助下，營(yíng)收來到53.7億美元，雖較上季下滑9.2%，但在三大原廠中表現(xiàn)最佳，市占率上升到23.5%。

DRAMeXchange預(yù)估，三星面對(duì)市占明顯遭侵蝕且?guī)齑嫠幌鄬?duì)偏高的雙重壓力下，未來在報(bào)價(jià)策略上將更積極，避免市占持續(xù)遭壓縮。

觀察原廠獲利能力，2018年第四季受到整體價(jià)格下跌影響，供應(yīng)商的獲利高點(diǎn)正式告終，營(yíng)業(yè)利益率皆呈現(xiàn)衰退。龍頭廠三星因降價(jià)求售的力道最小，且1Ynm比重逐漸提升，營(yíng)業(yè)利益率僅由前一季的70%下滑至66%。然而，第四季即使報(bào)價(jià)反轉(zhuǎn)，生產(chǎn)DRAM的毛利率仍有8成左右水平，顯示三星仍有本錢做較為積極的價(jià)格策略。

SK海力士第四季出貨量高，代價(jià)即為獲利能力的侵蝕，本季度的營(yíng)業(yè)利益率從第三季的66%下跌至58%。美光則因公司財(cái)報(bào)月份為9-11月，價(jià)格下跌幅度不如韓廠所結(jié)算的10-12月，因此營(yíng)業(yè)利益率僅從上季的62%下跌至58%。

展望2019年第一季，在產(chǎn)業(yè)價(jià)格跌幅更劇烈的情況下，原廠獲利空間將被進(jìn)一步壓縮。

由技術(shù)面觀察，隨著Line 17增加投片以及平澤廠二樓的DRAM產(chǎn)能陸續(xù)開出，三星于去年底已達(dá)到1X+1Ynm產(chǎn)出比重合計(jì)70%的目標(biāo)。今年平澤廠雖計(jì)劃不再增加投片量，但Line 17與平澤廠二樓仍將持續(xù)轉(zhuǎn)換1Ynm，為順應(yīng)目前市況，轉(zhuǎn)換速度并不快。

至于SK海力士，1Xnm良率已上軌道，中國(guó)無錫新建的第二座12英寸廠也已于今年上半年開始貢獻(xiàn)產(chǎn)出。不過由于全球經(jīng)濟(jì)不確定性的影響，無錫廠擴(kuò)增投片的進(jìn)度不會(huì)太積極。

而美光方面，臺(tái)灣美光內(nèi)存（原瑞晶）已全數(shù)以1Xnm生產(chǎn)，下一步將直接轉(zhuǎn)進(jìn)1Znm，但實(shí)際貢獻(xiàn)將落在2020年；臺(tái)灣美光晶圓科技（原華亞科）已于去年第二季進(jìn)行20nm往1Xnm的轉(zhuǎn)換，今年上半年將開始轉(zhuǎn)往1Ynm，并緩步提升比重。

臺(tái)系廠商部分，南亞科第四季受到標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存市況不佳影響，位元出貨下跌超過20%，營(yíng)收表現(xiàn)較前一季大幅衰退30.8%。毛利較佳的DDR4產(chǎn)品出貨比重低，加上整體產(chǎn)業(yè)報(bào)價(jià)向下，營(yíng)業(yè)利益率由上一季的51.0%下跌至41.8%。在廠房設(shè)備折舊攤提費(fèi)用提升，以及20nm所帶來的成本效益越來越小的情況下，獲利能力恐將持續(xù)萎縮。

力晶科技方面，本身DRAM營(yíng)收較上季成長(zhǎng)10.3%，若涵蓋DRAM代工業(yè)務(wù)，營(yíng)收則下滑近雙位數(shù)。至于華邦DRAM營(yíng)收下滑16.8%，產(chǎn)品價(jià)格跌幅不到5%，但位元出貨仍因整體拉貨動(dòng)能疲弱而季減逾10%。

集邦咨詢：2018年第四季DRAM產(chǎn)值正式反轉(zhuǎn)向下，原廠獲利能力衰退最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

DRAM市場(chǎng)供過于求，第1季產(chǎn)品價(jià)格下跌逾2成，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)預(yù)期，第2季產(chǎn)品價(jià)格可能再跌15%。

DRAMeXchange表示，因淡季效應(yīng)影響，庫(kù)存水位依然偏高，買方拉貨意愿疲弱，沖擊第1季DRAM價(jià)格下跌超過2成，其中，又以服務(wù)器存儲(chǔ)器下跌幅度最大，跌幅逼近3成。

展望后市，DRAMeXchange預(yù)期，第2季需求雖可能略有回溫，只是先前累積的庫(kù)存仍需時(shí)間去化，第2季供過于求壓力仍在，DRAM價(jià)格將再跌15%。

DRAMeXchange預(yù)估，服務(wù)器存儲(chǔ)器最快要到第3季庫(kù)存水位才可望有效降低，產(chǎn)品價(jià)格跌幅才會(huì)隨著收斂。行動(dòng)存儲(chǔ)器則受惠新機(jī)效應(yīng)，第2季需求可望轉(zhuǎn)強(qiáng)，只是產(chǎn)品價(jià)格仍難以止跌。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)

DRAM供過于求 第2季報(bào)價(jià)恐再跌15%最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

集邦咨詢：庫(kù)存去化不易，2019年第一季服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)跌幅逾兩成

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)受到庫(kù)存壓力與淡季效應(yīng)的影響，需求面持續(xù)低迷，且在全球貿(mào)易不穩(wěn)定的心理預(yù)期下，2019年上半年市場(chǎng)需求將更趨保守。2019年第一季服務(wù)器內(nèi)存的合約價(jià)將從原先預(yù)估的較前一季下跌15%，擴(kuò)大至兩成以上。

對(duì)此，DRAMeXchange資深分析師劉家豪表示，其主要原因仍出在服務(wù)器內(nèi)存庫(kù)存難以去化。若以原廠供給達(dá)成率(Supplier Fulfilment Rate)來看，平均需求滿足度已從去年第四季的90%，來到今年第一季的120%，整體市況供大于求?，F(xiàn)階段北美資料中心客戶的庫(kù)存水位普遍落在5至6周以上，而傳統(tǒng)品牌廠約維持在4周左右。以過往產(chǎn)線配置分析，庫(kù)存明顯高出一倍以上。

從需求面來看，服務(wù)器產(chǎn)業(yè)在歷經(jīng)過去兩年強(qiáng)勁的備貨動(dòng)能后，新平臺(tái)服務(wù)器需求已獲得滿足，零組件庫(kù)存也已備齊，同時(shí)在2019年總體經(jīng)濟(jì)不樂觀與貿(mào)易不穩(wěn)定等因素的影響下，無論是資料中心業(yè)者與品牌廠，對(duì)于上半年需求皆趨于保守。未來幾個(gè)季度，在內(nèi)存價(jià)格預(yù)期將持續(xù)走跌的氛圍下，拉貨動(dòng)能將更加疲弱。

為了避免供需問題持續(xù)惡化，今年DRAM原廠普遍沒有積極的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，同時(shí)也在服務(wù)器內(nèi)存的制程進(jìn)展與高容量芯片的轉(zhuǎn)產(chǎn)計(jì)劃上放緩腳步，以抑止過剩的供給。

其次，供給方為了加速去化庫(kù)存，從2018年第四季開始普遍以“月”的方式議定合約價(jià)。這顯示出在產(chǎn)能增加與銷售壓力升高的情況下，以量議價(jià)的模式已打破傳統(tǒng)原廠強(qiáng)勢(shì)的季度鎖定合約(Quarterly Lock-in Deal)，小批量與低價(jià)格的趨勢(shì)越來越明顯，這也意味著合約價(jià)將持續(xù)下探。

DRAMeXchange預(yù)期，第二季后服務(wù)器需求（如中國(guó)資料中心與全球品牌廠出貨）會(huì)陸續(xù)回溫，若庫(kù)存去化得宜，第三與第四季價(jià)格跌幅可望收斂，但預(yù)估全年價(jià)格跌幅仍將接近五成。

集邦咨詢：庫(kù)存去化不易，2019年第一季服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)跌幅逾兩成最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

隨著 5G 明年步入商轉(zhuǎn)，資料傳輸需求大增，可望顯著刺激存儲(chǔ)器景氣。雖然近期存儲(chǔ)器步入景氣向下循環(huán)，但歷經(jīng)調(diào)整后，5G、人工智能與邊緣運(yùn)算等帶動(dòng)科技新浪潮，將帶動(dòng) DRAM 與 NAND Flash 需求重回成長(zhǎng)，南亞科、華邦電等臺(tái)廠都將因此受惠。

DRAM 近年來受惠資料中心持續(xù)建置，服務(wù)器存儲(chǔ)器出貨量大幅攀升，伴隨 5G 商轉(zhuǎn)產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，將需要建置更多資料中心來容納。隨著資料中心需求持續(xù)推升，未來服務(wù)器 DRAM 可望成為成長(zhǎng)力道最強(qiáng)勁的存儲(chǔ)器領(lǐng)域，研調(diào)甚至認(rèn)為，未來 2 至 3 年內(nèi)，服務(wù)器存儲(chǔ)器將超越行動(dòng)式存儲(chǔ)器，成為供需主流。

為迎接服務(wù)器市場(chǎng)未來的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，南亞科今年正式重返缺席逾 5 年的服務(wù)器 DRAM 市場(chǎng)，8Gb DDR4 服務(wù)器產(chǎn)品已獲美系資料中心大廠驗(yàn)證通過，第 4 季小量出貨，并于明年放量，要全力搶攻服務(wù)器市場(chǎng)，盼明年底前服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品可占整體出貨比重超過 1 成。

除南亞科積極布局以因應(yīng)相關(guān)需求外，華邦電也不缺席。華邦電總經(jīng)理詹東義認(rèn)為，5G、人工智能與邊緣運(yùn)算需求增加，將使更多產(chǎn)品智慧化，成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)的新成長(zhǎng)動(dòng)能，因此對(duì)未來市場(chǎng)需求并不悲觀，將持續(xù)耕耘質(zhì)量要求較高的金字塔頂端客戶。

而在 NAND Flash 方面，隨著 5G 帶動(dòng)智慧家庭、自動(dòng)駕駛等新興領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展，擁有運(yùn)算能力的終端產(chǎn)品數(shù)量將會(huì)明顯提升，可望帶動(dòng)中低容量 NAND Flash 產(chǎn)品出貨量增加，后市需求動(dòng)能同樣樂觀可期。

資料傳輸需求增 可望刺激存儲(chǔ)器新一波成長(zhǎng)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。