近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。eMRAM屬新型存儲技術(shù)，與當(dāng)前占據(jù)市場主流的DRAM和NAND閃存相比，具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM的潛質(zhì)。它在22nm工藝下的投產(chǎn)，將加快新型存儲技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)程，未來發(fā)展前景看好。

22nm FD-SOI工藝eMRAM年內(nèi)量產(chǎn)，采用相關(guān)芯片的終端明年面世

根據(jù)格芯的報告，將在德國德累斯頓1號晶圓廠的12英寸生產(chǎn)線，進(jìn)行eMRAM的制造加工。目前，格芯正在接洽多家客戶，計劃于2020年安排多次生產(chǎn)流片。這也意味著，采用22nm FD-SOI工藝的eMRAM有望于2020年投入量產(chǎn)，采用相關(guān)芯片產(chǎn)品的終端設(shè)備于2021年有望面世。

eMRAM屬新型存儲技術(shù)，相比DRAM和NAND閃存，具有更快的存取速度和更高的耐用性，適用于物聯(lián)網(wǎng)、通用微控制器、汽車電子、終端側(cè)人工智能設(shè)備和其他低功耗設(shè)備當(dāng)中?；?2nm FD-SOI先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)制造，產(chǎn)品將具有更高的性價比。格芯汽車、工業(yè)和多市場戰(zhàn)略業(yè)務(wù)部門高級副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示：“客戶可利用這些解決方案來構(gòu)建適用于高性能和低功耗應(yīng)用的創(chuàng)新產(chǎn)品。基于FDX平臺生產(chǎn)的eMRAM，更有利于集成在高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的解決方案中實現(xiàn)產(chǎn)品的差異化?！?/p>

除格芯之外，其他半導(dǎo)體廠商對于eMRAM等新型存儲器的開發(fā)也非常重視。2019年年初，三星曾宣布基于28nm FD-SOI工藝，在韓國器興廠區(qū)投產(chǎn)eMRAM，并計劃生產(chǎn)1千兆容量的eMRAM測試芯片，為大規(guī)模生產(chǎn)做準(zhǔn)備。三星代工市場副總裁Ryan Lee表示：“通過eMRAM與現(xiàn)有成熟的邏輯技術(shù)相結(jié)合，三星晶圓代工將繼續(xù)擴(kuò)大新興的非易失存儲器工藝產(chǎn)品組合，以滿足客戶和市場需求?！迸_積電技術(shù)長孫元成也曾經(jīng)透露，臺積電已開始研發(fā)eMRAM和eRRAM等，并計劃采用22nm工藝。這是臺積電應(yīng)對物聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備、高速運(yùn)算電腦和智能汽車等領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新存儲器。

應(yīng)用材料則在2019年推出業(yè)界首款具備量產(chǎn)價值的MRAM制造設(shè)備平臺Endura Clover MRAM PVD系統(tǒng)，可進(jìn)行材料沉積、介面清潔和熱處理功能等，在半導(dǎo)體設(shè)備上為MRAM的量產(chǎn)提供了可行性。根據(jù)應(yīng)用材料金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明的介紹，一個PVD系統(tǒng)可以整合7個Clover PVD腔室，在一個PVD系統(tǒng)中就可以完成10多種不同材料和超過30層以上的沉積，由于不需要像以往設(shè)備那樣進(jìn)行真空中斷，將大幅提升成品率。

存取速度提高10倍以上，有望成為未來云服務(wù)數(shù)據(jù)中心首選

目前，業(yè)界關(guān)于新型存儲器的討論一直很熱，并不僅局限于eMRAM。3D XPoint、PCRAM、ReRAMRRAM等均是人們重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)。

2006年英特爾即與美光聯(lián)合成立了IM Flash Technologies公司，共同開發(fā)新型存儲器3D Xpoint。雖然雙方于2018年因技術(shù)路線分歧而分道揚(yáng)鑣，但是目前英特爾與美光均已各自量產(chǎn)3D Xpoint，并投入推廣。英特爾在其云計算解決方案中，將3D Xpoint和3D NAND整合在單一模塊當(dāng)中，作為HDD硬盤、3D NAND與DRAM內(nèi)存之間的一個新的層級。由于傲騰硬盤的容量是DDR4內(nèi)存的10倍，斷電也不丟失數(shù)據(jù)，將增加存儲系統(tǒng)的整體性能。英特爾中國研究院院長宋繼強(qiáng)告訴記者：“將DRAM、NAND Flash和傲騰技術(shù)相結(jié)合，在緩存和DRAM之間，DRAM存儲之間插入第三層，填補(bǔ)內(nèi)存層級上的空白，使存儲結(jié)構(gòu)間的過渡更加平滑，對于提高系統(tǒng)性能非常有利?！痹?019年的“Mircon Insight”技術(shù)大會上，美光也推出了基于3D XPoint技術(shù)的超高速SSD硬盤X100。美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示：“美光是全球為數(shù)不多的DRAM、NAND和3D XPoint解決方案垂直整合提供商，該產(chǎn)品將繼續(xù)推動我們的產(chǎn)品組合向更高價值的解決方案發(fā)展，從而加速人工智能能力發(fā)展、推動更快的數(shù)據(jù)分析，并為客戶創(chuàng)造新的價值?！?/p>

ReRAM和PCRAM同樣屬于非易失性存儲器，適合作為“存儲級存儲器”填補(bǔ)服務(wù)器DRAM和NAND閃存之間不斷擴(kuò)大的性價比差距。根據(jù)周春明的介紹，在將PCRAM或者ReRAM用于數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)當(dāng)中時，相較于傳統(tǒng)的NAND，可以提供超過10倍的存取速度，有望成為未來云服務(wù)數(shù)據(jù)中心的首選。目前，業(yè)界對于PCRAM與ReRAM的量產(chǎn)開發(fā)也十分積極。2019年在推出面向MRAM生產(chǎn)的PVD系統(tǒng)的同時，應(yīng)用材料還推出了支持PCRAM、ReRAM量產(chǎn)化的Endura Impulse PVD設(shè)備。周春明預(yù)測未來3～5年，新型存儲器有望解決制造上瓶頸快速進(jìn)入市場。

融合還是替代？

eMRAM等新型存儲器會取代DRAM和NAND Flash成為市場主流嗎？集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）資深協(xié)理吳雅婷認(rèn)為，eMRAM只會部分取代DRAM/NAND的使用量，但并沒有辦法完全取代現(xiàn)有的存儲器解決方案。在所有新一代存儲器中，eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash極其相似，具備一定的優(yōu)缺點(diǎn)，并未具備完全替代DRAM和NAND Flash的性能。“使用新一代存儲器，對于傳統(tǒng)平臺來說，需要改變以往的平臺架構(gòu)才能適應(yīng)，并不是可以輕松使用的。”吳雅婷說。

應(yīng)用材料金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明也表示，新型存儲器具有更快的存取速度，更好的耐用性，更小的裸片尺寸、成本和功耗等性能優(yōu)勢。例如，以統(tǒng)合式 MRAM 解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節(jié)省90%的功耗。不過，周春明也指出，目前下一代存儲器在量產(chǎn)制程方面仍然存在很多瓶頸。

也就是說，新一代存儲器想要獲得一定的市場空間，還需要與現(xiàn)有的存儲器解決方案進(jìn)行配合，加快適應(yīng)傳統(tǒng)平臺的架構(gòu)，釋放性能方面的優(yōu)勢。

新型存儲的機(jī)會來了？格芯22nm工藝量產(chǎn)eMRAM最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

就在2018年8月，在晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)宣布停止7納米及其以下先進(jìn)制程的發(fā)展之后，長期合作伙伴的處理器大廠AMD便開始將7納米Zen架構(gòu)的CPU訂單全都交給臺積電代工，雙方的這兩年的合作關(guān)系非常緊密，也使得AMD獲得諸多效益。

與之相比，AMD的前合作伙伴格芯在不發(fā)展先進(jìn)制程的情況下，改在成熟制程上擴(kuò)展業(yè)務(wù)。日前，格芯就宣布已經(jīng)完成了22FDX（22納米FD-SOI）的技術(shù)開發(fā)，且未來將在這技術(shù)上進(jìn)一步成為相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)者，而這樣等于宣布了格芯未來將與x86架構(gòu)CPU的代工漸行漸遠(yuǎn)。

2009年AMD將半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)拆分出來，成立了格羅方德(GlobalFoundries，后改名為格芯）。自此，AMD變成了Fabless的無晶圓IC設(shè)計公司，芯片生產(chǎn)則是都交給格芯來代工。之后AMD不斷減少對格芯的持有股份，如今的AMD已經(jīng)與格芯沒有任何關(guān)系，格芯當(dāng)前的大股東為阿拉伯聯(lián)合大公國國有投資部門旗下的阿布達(dá)比穆巴達(dá)拉投資公司。

而由于AMD與格芯的這段歷史，使得AMD在2018年之前都是透過格芯進(jìn)行芯片生產(chǎn)。直到2018年格芯宣布退出7納米及其以下先進(jìn)制程的研發(fā)之后，AMD才開始把7納米處理器的訂單轉(zhuǎn)給臺積電代工，如今包括的7納米Ryzen及Navi顯卡都是臺積電代工，與格芯的合作只保留14納米及12納米制程的合作。

雖然格芯過去一直幫AMD進(jìn)行代工生產(chǎn)，但公司本身卻一直沒有獲利。尤其在停止發(fā)展7納米以下先進(jìn)制程，使得AMD開始將7納米CPU轉(zhuǎn)單臺積電之后，格芯的財務(wù)狀況更加吃緊。這使得這些年來格芯陸續(xù)處理掉多家晶圓廠，包括新加坡的Fab 3E、美國紐約州的Fab 10等，目的是將經(jīng)營重心也收縮到了一些新興領(lǐng)域，比如RF射頻、eMRAM存儲器等產(chǎn)品上，這也促成了格芯在22FDX（22 nm FD-SOI）上的技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）上。

格芯表示，使用其22FDX制程技術(shù)所生產(chǎn)的eMRAM測試芯片，在ECC關(guān)閉模式下，在-40°C到125°C的工作溫度下，具有10萬個周期的耐久性和10年的資料保存能力，具有可靠性高，耐高溫差的特點(diǎn)。因此，eMRAM將是可能一統(tǒng)存儲器及閃存的未來型存儲器。現(xiàn)階段雖容量比較小，主要用于物聯(lián)網(wǎng)、車載電子等市場，但是前途將不可限量。

而有了22FDX制程技術(shù)生產(chǎn)的eMRAM的基礎(chǔ)，格芯也表示，未來他們將要做eMRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，致力于幫助客戶開發(fā)功能豐富的差異化產(chǎn)品，以及推動潛在的新計算架構(gòu)等新技術(shù)發(fā)展。這說明格芯未來在晶圓代工的走向上，將會與x86 CPU的代工漸行漸遠(yuǎn)，另外開創(chuàng)新藍(lán)海市場。

對此，市場人士指出，在x86市場的激烈競爭強(qiáng)度下，格芯目前的確沒有特別的利基點(diǎn)，轉(zhuǎn)向其他領(lǐng)域發(fā)展，則可能為格芯創(chuàng)造一業(yè)務(wù)新藍(lán)海。不過，此領(lǐng)域還是有其他等業(yè)者的競爭，格芯要如何善用本身優(yōu)勢，則有待后續(xù)進(jìn)一步觀察。

格芯發(fā)展完成22FDX eMRAM生產(chǎn)技術(shù) 與x86 CPU生產(chǎn)漸行漸遠(yuǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺上的嵌入式磁隨機(jī)存取存儲器（eMRAM）已正式投入生產(chǎn)。同時格芯正與多家客戶共同合作，計劃于2020年實現(xiàn)多重下線生產(chǎn)。格芯樹立業(yè)界里程碑，證明了eMRAM的可擴(kuò)展性在物聯(lián)網(wǎng)、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應(yīng)用在進(jìn)階制程節(jié)點(diǎn)上是經(jīng)濟(jì)有效的選擇。

格芯的eMRAM，讓設(shè)計師能夠擴(kuò)展現(xiàn)有的物聯(lián)網(wǎng)和微控制器單元架構(gòu)，以取得28nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的功耗和密度優(yōu)勢，并作為大容量嵌入式NOR快閃存儲器的替代方案。

格芯的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發(fā)性存儲器（eNVM），已通過五項嚴(yán)格的實際回焊測試，在-40℃到125℃的溫度測試范圍，展現(xiàn)出10萬次循環(huán)耐久性和資料保存期限高達(dá)十年。FDX eMRAM解決方案通過AEC-Q100質(zhì)量等級2之驗證標(biāo)準(zhǔn)。該解決方案的開發(fā)正在進(jìn)行中，期望可以在明年通過符合AEC-Q100質(zhì)量等級1解決方案之驗證標(biāo)準(zhǔn)。

格芯汽車與工業(yè)多市場部門資深副總暨總經(jīng)理Mike Hogan表示，格芯致力于透過穩(wěn)定、功能多元的解決方案讓FDX平臺與眾不同，進(jìn)而讓客戶以高性能和低功耗之應(yīng)用來開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品。格芯的差異化eMRAM，部署在業(yè)界最先進(jìn)的FDX平臺上，為易于整合的eMRAM解決方案提供獨(dú)一無二的高效能RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能夠提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已連接的IoT應(yīng)用。

格芯與設(shè)計合作伙伴今起提供客制化設(shè)計套件，其中包含可插式套件、4到48兆位硅驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援內(nèi)建測試功能。

eMRAM是一項可擴(kuò)充的功能，預(yù)計將在FinFET和未來的FDX平臺上應(yīng)用，是eNVM的進(jìn)階規(guī)劃。格芯位于德國德勒斯登Fab1的先進(jìn)12吋晶圓生產(chǎn)線，將會采用MRAM來支援22FDX的批量生產(chǎn)。

格芯22FDX平臺首款eMRAM正式量產(chǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

格芯昨日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。此次公告是一個重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應(yīng)用中作為先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的高性價比選擇。

格芯的eMRAM產(chǎn)品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設(shè)計人員擴(kuò)展現(xiàn)有物聯(lián)網(wǎng)和微控制器單元架構(gòu)，以實現(xiàn)28nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的功率和密度優(yōu)勢。

格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲器(eNVM)，已通過了5次嚴(yán)格的回流焊實測，在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)具有100,000次使用壽命和10年數(shù)據(jù)保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級設(shè)計，且還在開發(fā)工藝，預(yù)計明年將支持AEC-Q100 1級解決方案。

格芯汽車、工業(yè)和多市場戰(zhàn)略業(yè)務(wù)部門高級副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們將繼續(xù)通過功能豐富的可靠解決方案實現(xiàn)差異化FDX平臺，客戶可利用這些解決方案來構(gòu)建適用于高性能和低功耗應(yīng)用的創(chuàng)新產(chǎn)品。我們的差異化eMRAM部署在業(yè)界先進(jìn)的FDX平臺之上，可在易于集成的eMRAM解決方案中實現(xiàn)高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的獨(dú)特組合，幫助客戶提供新一代超低功耗MCU和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。”

格芯攜手設(shè)計合作伙伴，即日起提供定制設(shè)計套件，包括通過芯片驗證的插入式MRAM模塊（4至48MB），以及MRAM內(nèi)置自檢功能支持。

eMRAM是一種可擴(kuò)展功能，預(yù)計將在FinFET和未來的FDX平臺上推出，作為公司先進(jìn)eNVM路線圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓1號晶圓廠的先進(jìn)300mm產(chǎn)品線將為MRAM22FDX的量產(chǎn)提供支持。

格芯推出基于22FDX平臺且可批量生產(chǎn)的eMRAM最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

2019年1月，晶圓代工廠世界先進(jìn)集成電路股份有限公司（以下簡稱“世界先進(jìn)”）宣布將斥資2.36億美元購買格芯位于新加坡Tampines的Fab 3E 8英寸晶圓廠相關(guān)資產(chǎn)。今日（2020年1月2日），世界先進(jìn)宣布該交易完成交割。

世界先進(jìn)官網(wǎng)消息表示，公司于2019年1月31日簽約向格芯公司購入位于新加坡Tampines的8英寸晶圓廠廠房、廠務(wù)設(shè)施、機(jī)器設(shè)備以及MEMS知識產(chǎn)權(quán)與業(yè)務(wù)，已依協(xié)議于2019年12月31日完成交割，世界先進(jìn)正式接手該廠營運(yùn)，成為世界先進(jìn)之新加坡子公司。

據(jù)了解，原格芯Fab 3E主要業(yè)務(wù)為MEMS代工，現(xiàn)有月產(chǎn)能約35000片8英寸晶圓。世界先進(jìn)此前表示，除驅(qū)動IC、電源管理IC、分離式元件與傳感器等原油業(yè)務(wù)外，購入新加坡廠后，也將積極開發(fā)MEMS市場。

資料顯示，1994年12月世界先進(jìn)成立于中國臺灣，原以生產(chǎn)及開發(fā)DRAM及其他存儲器芯片為主要營運(yùn)內(nèi)容，1999年導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品代工技術(shù)。2000年，世界先進(jìn)宣布由DRAM廠轉(zhuǎn)型為晶圓代工公司，并于2004年7月正式結(jié)束DRAM生產(chǎn)制造，轉(zhuǎn)型為百分之百的晶圓代工公司。

隨后，世界先進(jìn)通過并購以擴(kuò)充產(chǎn)能。2007年，世界先進(jìn)成功購入華邦電子的8英寸廠；2014年，世界先進(jìn)購入南亞科技所擁有位于桃園縣蘆竹鄉(xiāng)的8英寸晶圓廠房。在完成此次并購前，世界先進(jìn)共擁有三座8英寸晶圓廠，2019年平均月產(chǎn)能約二十萬九千片晶圓。

在集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新發(fā)布的2019年第四季度全球前十大晶圓代工廠營收排名中，世界先進(jìn)排名全球第九。

此次交易交割完成，世界先進(jìn)表示，新加坡廠目前員工約700人，其中95%為原格芯公司員工留任，預(yù)計2020年能為公司帶來超過15%之產(chǎn)能增幅，展現(xiàn)世界先進(jìn)對于擴(kuò)充產(chǎn)能的決心與承諾。

2.36億美元收購案完成交割 世界先進(jìn)再添一座8英寸晶圓廠最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

為了做好新的CPU/GPU架構(gòu)，Intel批量招募了Raja Koduri、Jim Keller等一大批業(yè)界牛人，而為了加強(qiáng)新工藝的研發(fā)，Intel最近又招攬了前GlobalFoundries CTO、前IBM微電子業(yè)務(wù)主管Gary Patton博士。

Gary Patton博士在半導(dǎo)體工藝方面造詣深厚，早些年就在IBM挑大梁，2015年GF收購了IBM晶圓制造業(yè)務(wù)，他也隨即進(jìn)了GF，擔(dān)任CTO，一直負(fù)責(zé)尖端工藝的研發(fā)。

只不過，GF已經(jīng)改變投資策略，直接取消了7nm、5nm等更新工藝的研發(fā)，不再與臺積電、三星正面對抗，改而專注于利潤率更高的14/12nm工藝，以及專用性的22FDX、12FDX。

這樣一來，Gary Patton這樣的頂尖人才就失去了用武之地，離開已是必然，而苦于工藝“落后”的Intel正是最佳去處。

Gary Patton加盟Intel后將擔(dān)任企業(yè)副總裁、設(shè)計實現(xiàn)總經(jīng)理，直接向Intel CTO Mike Mayberry匯報，主要負(fù)責(zé)建設(shè)生態(tài)系統(tǒng)、部署特定工藝，以及處理器設(shè)計套件開發(fā)(PDK)、IP、工具等，促成新工藝滿足預(yù)設(shè)的性能、成本、上市時間需求。

目前，Intel尚未官宣招募Gary Patton，不過在GF的網(wǎng)站上，Gary Patton的名字已經(jīng)消失。

加強(qiáng)新工藝研發(fā) 英特爾招募格芯CTO最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

晶圓代工大廠聯(lián)電與臺灣地區(qū)知識產(chǎn)權(quán)大廠智原科技于18日宣布，推出基于聯(lián)電22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)制程的基礎(chǔ)元件IP解決方案。該22ULP/ULL基礎(chǔ)元件IP已成功通過硅驗證，包含多重電壓標(biāo)準(zhǔn)元件庫、ECO元件庫、IO元件庫、PowerSlash低功耗控制套件以及存儲器編譯器，可大幅降低芯片功耗，以滿足新一代的SoC設(shè)計需求。

根據(jù)兩家廠商表示，針對低功耗SoC需求，智原的22ULP/ULL基礎(chǔ)元件IP具備進(jìn)階的繞線架構(gòu)，以及優(yōu)化的功率、性能和面積設(shè)計。相較28納米技術(shù)，22納米元件庫可以在相同性能下減少10%芯片面積，或降低超過30%功耗。此外，該標(biāo)準(zhǔn)元件庫可于0.6V至1.0V廣域電壓下運(yùn)作，亦支援SoC內(nèi)的Always-on電路維持超低漏電，多樣的IO元件庫包括通用IO、多重電壓IO、RTC IO、OSC IO和類比ESD IO，存儲器編譯器具有雙電源軌功能、多重省電模式、和讀寫輔助功能等特色。

智原科技研發(fā)協(xié)理簡丞星表示，智原透過與聯(lián)電的長期合作以及豐富的ASIC經(jīng)驗，為客戶提供專業(yè)的聯(lián)電制程IP選用服務(wù)。透過藉由聯(lián)電22納米技術(shù)推出全新的邏輯元件庫和存儲器編譯器IP，能夠協(xié)助客戶在成本優(yōu)勢下開發(fā)低功耗SoC以布局物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、通訊及多媒體等新興應(yīng)用攫取商機(jī)。

聯(lián)電知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)暨設(shè)計支援處林子惠處長表示，在許多應(yīng)用中，SoC設(shè)計師都需要針對各種應(yīng)用的節(jié)能解決方案。隨著智原在聯(lián)電22納米可量產(chǎn)的特殊制程上推出的基礎(chǔ)元件IP解決方案，讓客戶可在我們具有競爭力的22納米平臺上，獲得包括超低漏電（22ULL）和超低功耗（22ULP）的全面設(shè)計支援，享有適用于物聯(lián)網(wǎng)及其他低功耗產(chǎn)品的完整平臺。

市場人士指出，事實上在聯(lián)電與格芯兩家晶圓代工大廠放棄先進(jìn)制程的研發(fā)之后，成熟制程的發(fā)展就成為這兩家廠商的競爭重點(diǎn)。其中，格芯曾經(jīng)表示，22FDX制程技術(shù)是格芯最重要的技術(shù)平臺之一，它提供了一個集合了性能、低功耗、低成本物聯(lián)網(wǎng)與主流移動設(shè)備、無線通訊互聯(lián)以及網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)秀搭配。使得22FDX制程技術(shù)具備的功能，可滿足連接、行動、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、網(wǎng)路和汽車等應(yīng)用領(lǐng)域下一代產(chǎn)品的需求。

格芯還在2018年7月表示，其22FDX技術(shù)在全球獲利了超過20億美元的營收，并在超過50項客戶設(shè)計中得到采用。因此，22FDX技術(shù)可說是在格芯擱置7納米及其以下先進(jìn)制程研發(fā)后最重要的制程平臺。

相較于格芯在22納米制程上的積極布局，聯(lián)電方面也不甘示弱，當(dāng)前與合作伙伴智原科技推出基于聯(lián)電22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)制程的基礎(chǔ)元件IP解決方案。隨著智原在聯(lián)電22納米可量產(chǎn)的特殊制程上推出的基礎(chǔ)元件IP解決方案，可以讓客戶在具有競爭力的22納米平臺上，獲得包括超低漏電（22ULL）和超低功耗（22ULP）的全面設(shè)計支援，亦可享有適用于物聯(lián)網(wǎng)及其他低功耗產(chǎn)品的完整平臺。

成熟制程上角力 聯(lián)電攜手智原推22納米知識產(chǎn)權(quán)挑戰(zhàn)格芯地位最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

才與臺積電進(jìn)行專利訴訟官司和解，并簽訂10年交互授權(quán)協(xié)議的晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時間。

格芯表示，為了實現(xiàn)資料密集AI訓(xùn)練應(yīng)用的容量和頻寬，系統(tǒng)設(shè)計師面臨在同時保持合理的功率標(biāo)準(zhǔn)下，將更多的頻寬壓縮到較小區(qū)域的艱鉅挑戰(zhàn)。因此，格芯的12LP平臺和12LP+解決方案，搭配SiFive的定制化高頻寬存儲器介面，能使高頻寬存儲器輕松整合到系統(tǒng)單芯片（SoC）解決方案，從而在運(yùn)算和有線基礎(chǔ)設(shè)施市場中，為AI應(yīng)用提供快速、節(jié)能的數(shù)據(jù)處理。

另外，作為合作的一部分，設(shè)計人員還能使用SiFive的RISC-V IP產(chǎn)品組合和DesignShare IP生態(tài)系統(tǒng)，運(yùn)用格芯12LP+設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），大幅提高芯片的專門化，改善設(shè)計效率，在迅速又具成本效益的情況下提供差異化的SoC解決方案。

格芯進(jìn)一步指出，旗下的12LP+是一款針對AI訓(xùn)練和推理應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案，為設(shè)計人員提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取單元，支持處理器與存儲器之間快速、節(jié)能的數(shù)據(jù)傳輸。此外，用于2.5D封裝的新中介層有助于將高頻寬存儲器與處理器整合在一起，以實現(xiàn)快速、節(jié)能的數(shù)據(jù)處理。

目前，格芯正在位于美國紐約州馬爾他的8號晶圓廠，進(jìn)行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面和客制IP解決方案的開發(fā)?？蛻魧⒖稍?020年上半年開始進(jìn)行優(yōu)化芯片設(shè)計，開發(fā)針對高性能計算和邊緣AI應(yīng)用的差異化解決方案。

格芯針對人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

盡管外界普遍看好晶圓代工龍頭臺積電和格芯的專利訴訟圓滿落幕，但專利師警告長期來說交叉專利授權(quán)的情形并不利于臺積電，而且格芯仍舊有可能賣給三星，威脅臺積電的市場龍頭地位，長期來說對臺積電的麻煩程度恐怕更大。

中國臺灣智慧資本執(zhí)行長張智為以過去 15 年服務(wù)蘋果、微軟、高通等國際品牌客戶的經(jīng)驗推估，專利交叉授權(quán)一般來說不是雙方都無條件、免費(fèi)的狀況，可以觀察后續(xù)發(fā)布內(nèi)容，如果沒有提及“完全免費(fèi)授權(quán) non-fee-based cross license”，付費(fèi)方應(yīng)該會是臺積電，金額大小推估小則 3-4 千萬美金，大則幾億美金。

另外而且從“金額大小”還可以看出來背后的意涵，如果僅僅幾千萬美金，代表專利交叉授權(quán)的限制范圍較小，萬一轉(zhuǎn)賣給三星等競爭對手，買方透過格芯品牌來進(jìn)行出貨可能性高，對臺積電將造成威脅，但若金額上億美金，則代表臺積電用資產(chǎn)限縮格芯交叉授權(quán)范圍，也許限制內(nèi)容即被競爭對手收購后，喪失交叉授權(quán)權(quán)利亦有可能，對臺積電后續(xù)風(fēng)險較小。

張智為說“臺積電交叉授權(quán)格芯未來十年申請的半導(dǎo)體技術(shù)專利，短期來看臺積電因此免于訴訟，省下至多上千萬美金的訴訟律師費(fèi)，但長期解讀，營運(yùn)資金陷入困境的格芯在這場授權(quán)和解局卻是真正的大贏家，不但可能一次性收取臺積電三、四千萬甚至幾個億美金的授權(quán)金，還能提高自身市場估值?！?/p>

張智為進(jìn)一步指出格芯萬一被三星收購，會如何威脅到臺積電，說：“未來格芯若放棄上市，待價而沽，擁有臺積電未來十年專利授權(quán)，身價高個1.5-2倍都不是問題，業(yè)界從前幾個月就一直盛傳三星有意收購格芯，萬一真的成交，三星產(chǎn)品未來用格芯品牌出貨，臺積電未來十年，可能陷入重重專利危機(jī)?！?/p>

不過，臺積電在這次訟戰(zhàn)當(dāng)中以驚人的速度完成和解，也是令專利業(yè)界感到非常意外的事情，張智為表示過往專利訴訟期程短則半年一載，長則拖個幾年歲月，臺積電這次僅僅花不到三個月就達(dá)成和解，在業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)可說是采用光速方式處理。

至于格芯，整體專利資產(chǎn)戰(zhàn)操盤相當(dāng)亮眼，張智為認(rèn)為，格芯從點(diǎn)線面表現(xiàn)都可圈可點(diǎn)，第一步是去年將全面“專利軍團(tuán)”在美國銀行質(zhì)押融資貸款換現(xiàn)金，第二再用其中比較強(qiáng)的專利組合約二十件，當(dāng)“陣前武將”對臺積電訴訟叫囂，最后在和解條件中得到臺積電目前手上所有專利的交叉授權(quán)，還贏得未來十年新申請專利的交叉授權(quán)，相當(dāng)于獲得帳面上的大補(bǔ)丸，這次的和解案可以當(dāng)作國際專利戰(zhàn)“以小博大”的教戰(zhàn)范本。

專利師不看好臺積電與格芯和解，后續(xù)發(fā)展不利于臺積電最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

臺積電與格芯互控侵犯專利權(quán)案最終圓滿落幕，雙方就現(xiàn)有及未來10年將申請的半導(dǎo)體技術(shù)專利達(dá)成全球?qū)＠换ナ跈?quán)協(xié)議。

今（29）日，臺積電宣布與格芯（GlobalFoundries）宣布撤銷雙方之間及與其客戶相關(guān)的所有法律訴訟。隨著臺積電和格芯持續(xù)大幅投資半導(dǎo)體研究與開發(fā)，兩家公司已就其現(xiàn)有及未來十年將申請之半導(dǎo)體技術(shù)專利達(dá)成全球?qū)＠换ナ跈?quán)協(xié)議。

此項協(xié)議將確保臺積公司及格芯的營運(yùn)不受限制，雙方客戶并可持續(xù)獲得兩家公司各自完整的技術(shù)及服務(wù)。

格芯執(zhí)行長Thomas Caulfield表示：“我們很高興能夠很快地和臺積電達(dá)成協(xié)議，此項協(xié)議認(rèn)可了雙方知識產(chǎn)權(quán)的實力，使我們兩家公司能夠聚焦于創(chuàng)新，并為雙方各自的全球客戶提供更好的服務(wù)。同時，該協(xié)議也確保了格芯持續(xù)成長的能力，對于身為全球經(jīng)濟(jì)核心的半導(dǎo)體業(yè)而言，也有利整個產(chǎn)業(yè)的成功發(fā)展。”

臺積公司副總經(jīng)理暨法務(wù)長方淑華表示：“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭一直以來都相當(dāng)激烈，驅(qū)使業(yè)者追求技術(shù)創(chuàng)新，以豐富全球數(shù)百萬人的生活。臺積公司已投入數(shù)百億美元資金進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，以達(dá)今日的領(lǐng)導(dǎo)地位。此項協(xié)議是相當(dāng)樂見的正面發(fā)展，使我們持續(xù)致力于滿足客戶的技術(shù)需求，維持創(chuàng)新活力，并使整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更加蓬勃昌盛?！?/p>

格芯8月26日分別向美國國際貿(mào)易委員會（ITC）、美國聯(lián)邦法院德拉瓦分院、德州西區(qū)分院及德國杜塞爾多夫地區(qū)法院和曼海姆地區(qū)法院控告臺積電使用的半導(dǎo)體制造技術(shù)侵犯其16項專利，掀起雙方訴訟爭端。

臺積電不甘示弱，于9月30日展開反擊，在美國、德國及新加坡控告格芯侵犯包括40納米、28納米、22納米、14納米及12納米等制程的25項專利。

侵權(quán)訴訟落幕 臺積電格芯全球?qū)＠换ナ跈?quán)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。