晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)于16日宣布，將與Arm合作藉由基于格芯旗下FD-SOI的22FDX平臺(tái)，為蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用程序提供安全的系統(tǒng)SoC解決方案。

格芯表示，隨著逆向工程和其他對(duì)IP的非法威脅與日俱增，必須使用包括加密核心、硬件信任和高速協(xié)議引擎等方式的硬件安全I(xiàn)P解決方案，以求在基礎(chǔ)上保護(hù)復(fù)雜的電子系統(tǒng)。而格芯的22FDX平臺(tái)具有Arm CryptoIsland芯片安全隔離區(qū)，提供同芯片和硬件安全的解決方案，可將前端模塊（FEM）、射頻（RF）、基帶、嵌入式MRAM和加密功能輕松整合到一個(gè)物聯(lián)網(wǎng)SoC中，同時(shí)大幅度降低成本。

對(duì)此，Arm新興業(yè)務(wù)副總裁暨總經(jīng)理Vincent Korstanje表示，世界上有數(shù)十億臺(tái)設(shè)備產(chǎn)生關(guān)于智慧城市、農(nóng)村環(huán)境和數(shù)位轉(zhuǎn)型行業(yè)的數(shù)據(jù)，為了提供正確的洞見(jiàn)，安全性是不可或缺的。設(shè)計(jì)行動(dòng)裝置和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用程序的客戶將受益于格芯的22FDX高度整合、高效能平臺(tái)的CryptoIsland技術(shù)，因其提供全新等級(jí)的安全性，而其易于部署的特性將反映在成本比例上。

而格芯工業(yè)與多重市場(chǎng)副總裁Ed Kaste也指出，有這么多物聯(lián)網(wǎng)的渠道，再加上網(wǎng)絡(luò)攻擊防御的重要性與日俱增，相信未來(lái)幾年，芯片安全對(duì)業(yè)界和客戶會(huì)越來(lái)越重要。運(yùn)用格芯的22FDX平臺(tái)和Arm強(qiáng)大的CryptoIsland安全子系統(tǒng)，可以為共同客戶提供高度整合的安全解決方案，這將突破蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)以往的水平，為蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用程序提供新的安全識(shí)別功能。

格芯指出，旗下的22FDX提供快速的產(chǎn)品解決方案，包括符合硅標(biāo)準(zhǔn)的IP。目前，格芯在德國(guó)德勒斯登一號(hào)晶圓廠，透過(guò)最先進(jìn)的12吋晶圓產(chǎn)線，開(kāi)發(fā)22FDX安全解決方案。

自格芯2019年8月26日在美國(guó)與德國(guó)提出對(duì)臺(tái)積電的侵權(quán)訴訟后，各界都在關(guān)注臺(tái)積電的應(yīng)對(duì)策略。而在美國(guó)時(shí)間2019年9月26日，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)正式基于格芯的侵權(quán)申訴，對(duì)包含臺(tái)積電在內(nèi)的22家半導(dǎo)體廠商啟動(dòng)337調(diào)查，似乎也促使臺(tái)積電加快應(yīng)對(duì)腳步，采取正式的法律手段以捍衛(wèi)自身權(quán)益。

2019年9月30日臺(tái)積電正式對(duì)格芯提出侵權(quán)訴訟，至此，過(guò)去全球前兩大晶圓代工廠或?qū)⒄綄?duì)簿公堂，掀起市場(chǎng)對(duì)雙方策略布局的諸多討論，也讓晶圓代工產(chǎn)業(yè)再次增添話題性。

臺(tái)積電提出訴訟反擊格芯，然而和解方案或許對(duì)雙方影響最小

根據(jù)臺(tái)積電公布的新聞稿，臺(tái)積電于2019年9月30日在美國(guó)、德國(guó)及新加坡三地對(duì)格芯提出多項(xiàng)專利侵權(quán)訴訟，控告格芯侵犯臺(tái)積電涵蓋成熟及先進(jìn)制程技術(shù)核心功能的25項(xiàng)專利，涉及技術(shù)包括FinFET設(shè)計(jì)、淺溝槽隔離技術(shù)、雙重曝光方法、先進(jìn)密封環(huán)及閘極結(jié)構(gòu)，以及創(chuàng)新的接觸蝕刻停止層設(shè)計(jì)等，這些技術(shù)廣泛應(yīng)用在40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等制程。

此外，臺(tái)積電此訴訟中亦要求法院核發(fā)禁制令，禁止格芯生產(chǎn)及銷售侵權(quán)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，以及對(duì)非法使用臺(tái)積電半導(dǎo)體專利技術(shù)與銷售侵權(quán)產(chǎn)品的格芯尋求實(shí)質(zhì)性的損害賠償。

對(duì)臺(tái)積電而言，提出侵權(quán)訴訟舉動(dòng)不單是臺(tái)面上的反擊，更有機(jī)會(huì)迫使格芯評(píng)估彼此在冗長(zhǎng)訴訟過(guò)程可能造成的損失。

目前臺(tái)積電未公布確切侵權(quán)的專利號(hào)碼，但從專利包含的技術(shù)層面來(lái)看，與格芯提出的頗有些相似之處，因此在侵權(quán)判斷上可能會(huì)依循相同的邏輯或判斷原則，代表若一項(xiàng)專利侵權(quán)勝訴，相對(duì)應(yīng)或類似的另一項(xiàng)專利也有勝訴可能，反之亦然。

如此一來(lái)，或許較難定義出絕對(duì)的勝利者。假使這類情況出現(xiàn)，不管對(duì)格芯或臺(tái)積電都將會(huì)是兩面刃，損傷對(duì)方戰(zhàn)力的同時(shí)卻不一定能利己，有鑒于此，雙方尋求和解或互相撤銷告訴的機(jī)會(huì)就可能增加，將彼此的損失做最小化處理方為上策。

臺(tái)積電與格芯訴訟涉及重點(diǎn)制程，若出現(xiàn)利益?zhèn)t競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手或有受惠可能

分析雙方提出訴訟涉及的制程范圍來(lái)看，格芯瞄準(zhǔn)臺(tái)積電的主要是極具產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的制程，即28nm、16nm、12nm、10nm及7nm，在2019年第二季占比達(dá)45%，尤其臺(tái)積電7nm業(yè)績(jī)良好，產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)增，估計(jì)28nm以下制程營(yíng)收占比將持續(xù)上升，是格芯瞄準(zhǔn)能牽制臺(tái)積電的重要目標(biāo)。

此外，格芯是目前市場(chǎng)上極力推廣SOI相關(guān)產(chǎn)品的廠商之一，在臺(tái)積電鮮少著墨SOI技術(shù)的情況下，或許也希望藉由專利侵權(quán)訴訟效果來(lái)提升自家的FD-SOI技術(shù)市占率。

另一方面，臺(tái)積電訴訟涉及的制程范圍雖影響不到格芯的FD-SOI相關(guān)產(chǎn)品，但范圍擴(kuò)及格芯的成熟制程40nm，且在格芯停止研發(fā)7nm制程后，轉(zhuǎn)而力求優(yōu)化12nm制程效能表現(xiàn)，因此臺(tái)積電提出有關(guān)FinFET閘極設(shè)計(jì)、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設(shè)計(jì)等相關(guān)專利，對(duì)格芯也就有著不小的潛在可能影響；倘若專利證實(shí)侵權(quán)，等于又進(jìn)一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊(duì)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

值得一提的是，雙方瞄準(zhǔn)的制程范圍影響層面廣且重要性之高，或許也會(huì)讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手尋找得利的機(jī)會(huì)點(diǎn)。

無(wú)論從技術(shù)發(fā)展或營(yíng)收來(lái)看，Samsung與聯(lián)電正好是臺(tái)積電與格芯最主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，若此番訴訟的結(jié)果讓雙方互傷元?dú)?，可能給予Samsung與聯(lián)電追趕的契機(jī)，尤其聯(lián)電與格芯在技術(shù)與營(yíng)收上相近，加上聯(lián)電在日本完成的收購(gòu)計(jì)劃與格芯 2020年將交割廠房，倘若格芯在法律過(guò)程中有所損失，相信會(huì)縮小領(lǐng)先聯(lián)電差距，甚或有被聯(lián)電超越的機(jī)會(huì)。

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根據(jù) 《華爾街日?qǐng)?bào)》 的報(bào)導(dǎo)指出，晶圓代工大廠格芯 (GlobalFoundries) 執(zhí)行長(zhǎng) Tom Caulfield 日前指出，該公司目前正計(jì)劃藉由在 2022 年出售該公司的少數(shù)股權(quán)的方式，來(lái)達(dá)成上市的目的。外界預(yù)估，這將會(huì)是格芯向外界募資，以減輕財(cái)務(wù)壓力的方式之一。

格芯是在 2009 年由阿布達(dá)比主權(quán)財(cái)富基金，從 AMD 手上拆分購(gòu)買而來(lái)。后來(lái)，AMD 在不斷減少持股的情況下，至今已經(jīng)與格芯完全沒(méi)有任何的經(jīng)營(yíng)關(guān)系。再加上格芯 2018 年宣布退出先進(jìn)制程的研發(fā)之后，AMD 的訂單轉(zhuǎn)由臺(tái)積電來(lái)生產(chǎn)，使得 AMD 與格芯在生意上的往來(lái)也越來(lái)越平淡。不過(guò)，格芯目前位于美國(guó)紐約州 Malta 的 Fab 8 半導(dǎo)體晶圓廠，仍擁有 3,000 名員工，是該公司目前最大的生產(chǎn)基地。

就在阿布達(dá)比主權(quán)財(cái)富基金 2009 年收購(gòu)格芯之際，格芯唯一的制造工廠是 AMD 在德國(guó)的一家工廠。而本次談及的美國(guó)紐約州 Fab 8 晶圓廠，則是阿布達(dá)比主權(quán)財(cái)富基金投資之后，在紐約州斥資約 14 億美元金額下所建造的。另外，在之后的收購(gòu)交易中，格芯還收購(gòu)了 IBM 位于紐約州和佛蒙特州的晶圓廠以外，還有新加坡特許半導(dǎo)體的制造工廠。

雖然，之前格芯大幅度的投資，但是卻沒(méi)有為公司帶來(lái)獲利。這使得 Caulfield 這位曾經(jīng)是 IBM 的高層，后來(lái)成為格芯 Fab 8 晶圓廠的總經(jīng)理，直到之前才升任格芯執(zhí)行長(zhǎng)上任后，不斷削減格芯的資本支出，使得格芯在先進(jìn)制程上的發(fā)展屢屢受挫，影響了公司的獲利。所以，很多人將 Caulfield 的削減資本支出是為謀求上市，以進(jìn)一步改善財(cái)務(wù)壓力前的準(zhǔn)備，如今則終于證實(shí)了這一部分。

不過(guò)，Caulfield 指出，上市只是為了證明格芯已經(jīng)成年，并且能夠成為一家真正充滿活力的企業(yè)的方式。因此，并沒(méi)有承認(rèn)格芯是藉上市來(lái)紓解財(cái)務(wù)壓力，而且也沒(méi)有說(shuō)明公司將通過(guò)上市來(lái)籌集多少資金。事實(shí)上，外界也分析，上市也是格芯必須要走的路，因?yàn)榘⒉歼_(dá)比主權(quán)財(cái)富基金很可能已經(jīng)停止了對(duì)格芯的資助，而 Caulfield 為了使得公司經(jīng)營(yíng)下去，除了減資之外，上市也是募資的好辦法。

然而，近期因?yàn)楦裥疽驗(yàn)樨?cái)務(wù)壓力，陸續(xù)出售旗下的資產(chǎn)，對(duì)外來(lái)的發(fā)展還有多少前景已經(jīng)令市場(chǎng)質(zhì)疑，所以過(guò)去一直以來(lái)都有打包出售的傳言。加上日前對(duì)晶圓代工龍頭臺(tái)積電及其相關(guān)客戶發(fā)動(dòng)侵權(quán)訴訟，市場(chǎng)評(píng)估這一做法目前還不一定能取得官司上的勝利前，但是就先將市場(chǎng)上的一票客戶包括蘋果、博通（Broadcom）、聯(lián)發(fā)科、nVidia、高通（Qualcomm）、賽靈思（Xilinx）等都合作不愉快的情況下，未來(lái)經(jīng)營(yíng)的路程恐將越來(lái)越狹窄，這使得上市之路能否順利，恐怕還在未定之天。

格芯的戰(zhàn)略是為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案，而踐行這一承諾的實(shí)際成果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)。多家物聯(lián)網(wǎng)大客戶已經(jīng)進(jìn)入這項(xiàng)技術(shù)的試驗(yàn)性生產(chǎn)階段。

與Everspin Technologies, Inc.合作開(kāi)發(fā)的嵌入式STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）技術(shù)旨在滿足物聯(lián)網(wǎng)、通用微控制器、汽車、邊緣AI和其他應(yīng)用對(duì)于低功耗運(yùn)行以及快速、可靠、非易失性代碼與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)所提出的關(guān)鍵性要求。

格芯eMRAM技術(shù)的獨(dú)特之處在于它是一種可靠的MRAM解決方案，能夠作為高容量嵌入式閃存(eFlash)的替代品。格芯eMRAM通過(guò)了嚴(yán)格的實(shí)際生產(chǎn)測(cè)試，并能夠在更加寬泛的溫度范圍中提供持久數(shù)據(jù)保留和耐久性。這一特性對(duì)于微控制器應(yīng)用和無(wú)線連接物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要，因?yàn)榍度胧酱鎯?chǔ)器必須能在高溫下保留代碼和數(shù)據(jù)，包括在PCB組裝時(shí)以260°C的高溫進(jìn)行回流焊。

與eFlash相比，格芯eMRAM將擦除和（重新）寫入速度提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)（200納秒與10微秒），同時(shí)能保持相當(dāng)?shù)淖x取速度，這使其能在許多應(yīng)用中提供優(yōu)于eFlash的功率優(yōu)勢(shì)。

最初使用格芯的低功耗22FDX工藝進(jìn)行開(kāi)發(fā)，是在“后段制程”金屬化步驟中部署MRAM，這使得用戶可以利用FDX和格芯FinFET技術(shù)規(guī)劃可靠的衍生的產(chǎn)品路線圖。這是因?yàn)樵谟米鞔鎯?chǔ)器技術(shù)時(shí)，STT-MRAM能夠支持用于調(diào)整存儲(chǔ)器位單元的工藝變化。因此，我們將會(huì)提供兩種“類型”的eMRAM：22FDX上的eMRAM-F，用于代碼/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)；作為工作存儲(chǔ)器的eMRAM-S，用于在未來(lái)增加1x節(jié)點(diǎn)的SRAM。

格芯正與多家客戶開(kāi)展合作，在基于22FDX的設(shè)計(jì)中采用eMRAM運(yùn)行多項(xiàng)目晶圓(MPW)，并計(jì)劃在未來(lái)三個(gè)季度安排多次生產(chǎn)流片。格芯和我們的設(shè)計(jì)合作伙伴將聯(lián)合提供定制設(shè)計(jì)服務(wù)，22FDXeMRAM工藝設(shè)計(jì)套件的模塊密度范圍將覆蓋4Mb到32Mb（對(duì)于單個(gè)模塊）。單體密度為48Mb的模塊也計(jì)劃在2019年第四季度發(fā)布。

行業(yè)正處于轉(zhuǎn)型點(diǎn)

目前推動(dòng)嵌入式NVM替代技術(shù)的巨大動(dòng)力源于行業(yè)正處于轉(zhuǎn)型點(diǎn)：28nm節(jié)點(diǎn)可能是eFlash最后一個(gè)經(jīng)濟(jì)高效的節(jié)點(diǎn)。在向22nm過(guò)渡中，必須找到適合全新的和快速增長(zhǎng)的低功耗應(yīng)用的替代方案。

許多新eNVM存儲(chǔ)器技術(shù)看起來(lái)可能非常先進(jìn)，但還無(wú)法投入量產(chǎn)。例如，通過(guò)改變電介質(zhì)的電阻來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的RRAM（電阻RAM）是許多研究和開(kāi)發(fā)的主題，但是它在2xnm工藝節(jié)點(diǎn)上的成熟度限制了它的普及。同樣，PCM存儲(chǔ)器的普及受限于制程低于28nm的代工廠支持的缺失。

相比之下，格芯eMRAM是一個(gè)特別引人注目且及時(shí)的解決方案。雖然這項(xiàng)技術(shù)非常復(fù)雜，并且需要大量時(shí)間和成本來(lái)開(kāi)發(fā)和部署，但它能夠提供出色的性能和多樣性。除了通過(guò)基于功率高效的FDXSOI工藝與eMRAM相結(jié)合所獲得的功率優(yōu)勢(shì)之外，格芯的FDX工藝還具有業(yè)界領(lǐng)先的射頻連接功能，以及格芯提供的廣泛IP。這一切將成就獨(dú)特的高性能、高集成度、低功耗和小尺寸解決方案，進(jìn)而為客戶帶來(lái)巨大價(jià)值。

事實(shí)上，格芯在采用第三代MRAM技術(shù)生產(chǎn)22nmeMRAM產(chǎn)品的同時(shí)，也生產(chǎn)Everspin的256Mb40nm和1Gb28nm獨(dú)立MRAM產(chǎn)品（作為聯(lián)合開(kāi)發(fā)工作的一部分）。

除了eMRAM技術(shù)，格芯還為客戶提供eFlash和系統(tǒng)級(jí)封裝閃存(SIPFlash)嵌入式存儲(chǔ)器，基于從130nm至28nm的豐富技術(shù)范圍，以滿足廣泛的應(yīng)用需求。

一個(gè)成功的戰(zhàn)略

22FDXeMRAM技術(shù)的推出切實(shí)展示了格芯在差異化領(lǐng)域和能夠幫助客戶增值的領(lǐng)域加大投資的成果。

晶圓代工廠商格芯于美國(guó)時(shí)間2019年8月26日突然宣布，在美國(guó)與德國(guó)法院對(duì)以臺(tái)積電為首等20余家廠商提起16項(xiàng)專利侵權(quán)訴訟，并要求美國(guó)政府祭出進(jìn)口管制令，此舉引起業(yè)界嘩然，適逢美中貿(mào)易沖突越演越烈之際，再為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈增添一項(xiàng)不確定因素。

格芯侵權(quán)訴訟牽涉廠商層面廣泛，臺(tái)積電謹(jǐn)慎應(yīng)對(duì)

此次格芯提出的訴訟總計(jì)有16項(xiàng)專利侵權(quán)訴訟，13件屬于美國(guó)專利，3項(xiàng)屬于德國(guó)專利。此些專利橫跨的廠商包括晶圓代工廠(臺(tái)積電)、IC設(shè)計(jì)廠商(Apple、Broadcom、聯(lián)發(fā)科、NVIDIA、Qualcomm、Xilinx)、電子元件批發(fā)商(Avnet/EBV、Digi-key、Mouser)，以及消費(fèi)者產(chǎn)品制造商(Arista、華碩、BLU、Cisco、Google、海信、聯(lián)想、Motorola、TCL、OnePlus)；制程技術(shù)則涵蓋臺(tái)積電28nm/16nm/12nm/10nm/7nm主力營(yíng)收奈米節(jié)點(diǎn)，對(duì)于臺(tái)積電及其主要客戶的影響范圍著實(shí)不小。

從臺(tái)積電營(yíng)收分布來(lái)看，美國(guó)地區(qū)營(yíng)收占比高達(dá)6成，供應(yīng)美國(guó)許多主要科技大廠的芯片需求，尤其在7nm先進(jìn)制程方面的市占率更接近9成，對(duì)發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)技術(shù)如5G、AIoT、HPC等廠商來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電更是重要的合作伙伴。

美國(guó)的進(jìn)口管制令一旦進(jìn)入考慮實(shí)施階段，可說(shuō)是一把雙面刃，雖然降低臺(tái)積電營(yíng)收表現(xiàn)或讓客戶有未來(lái)轉(zhuǎn)單的考慮，此舉固然有利于格芯，但對(duì)美國(guó)科技廠商亦會(huì)造成廣泛沖擊，從消費(fèi)性電子產(chǎn)品到企業(yè)設(shè)備皆會(huì)受到影響；加上在侵權(quán)訴訟案件中，除非有確保日后勝訴的可能，不然若貿(mào)然實(shí)施禁令最后以敗訴收?qǐng)觯豢胤降膿p失也不一定是當(dāng)初的控訴方所能賠償，因此在這些因素考量下，短期內(nèi)會(huì)出現(xiàn)進(jìn)口管制令的可能性并不高。

另一方面，臺(tái)積電也在2019年8月27日發(fā)布聲明，強(qiáng)調(diào)自身在半導(dǎo)體硅智財(cái)?shù)淖灾餍耘c專利數(shù)目，否認(rèn)任何專利侵權(quán)事宜。從過(guò)去臺(tái)積電的制程技術(shù)發(fā)展看來(lái)，幾乎都在臺(tái)灣新竹的研發(fā)中心做最新制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，專利申請(qǐng)與批準(zhǔn)的數(shù)目也屬業(yè)界翹楚，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的重疊性并不高，或許在專利的大方向上有相似之處，但畢竟臺(tái)積電與格芯在納米節(jié)點(diǎn)上并不完全一致，若細(xì)究在制程產(chǎn)在線的實(shí)際應(yīng)用仍有所區(qū)別，是否侵權(quán)仍有待美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)與美國(guó)德州西部地方法院針對(duì)收到的訴訟文件進(jìn)一步審視。

格芯侵權(quán)訴訟或?qū)⒁l(fā)與中美貿(mào)易摩擦相關(guān)的負(fù)面效應(yīng)

格芯對(duì)臺(tái)積電提起的專利侵權(quán)訴訟，除非是希望經(jīng)由勝訴來(lái)改善格芯目前的財(cái)務(wù)狀況，但從客戶層面來(lái)說(shuō)似乎看不到明顯的吸引效果，也不大可能讓格芯重新投入先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)，因此除了冀望財(cái)務(wù)上能有持續(xù)性的權(quán)利金收入外，在現(xiàn)下中美貿(mào)易摩擦變化劇烈之際，不免也令人憂慮有額外負(fù)面效應(yīng)產(chǎn)生。

2019年5月底，美國(guó)將華為和其旗下70家相關(guān)企業(yè)列入美國(guó)商務(wù)部的出口實(shí)體清單(Entity List)，提到技術(shù)含量比例若有超過(guò)25%源自美國(guó)即必須遵守禁運(yùn)條款，停止供貨給華為與相關(guān)企業(yè)，當(dāng)時(shí)除了美系企業(yè)遵守外，也不乏非美系的廠商宣布暫停供貨，徹查其產(chǎn)品內(nèi)所含的「美國(guó)成分」。

而當(dāng)時(shí)臺(tái)積電則是立即表明，經(jīng)過(guò)詳細(xì)計(jì)算后，符合美國(guó)技術(shù)比例低于限制規(guī)范仍可繼續(xù)供貨，也讓華為海思免于斷貨危機(jī)。先前美國(guó)僅暫時(shí)延長(zhǎng)對(duì)華為的管制禁令時(shí)間，并非取消禁令，同時(shí)進(jìn)一步增加實(shí)體清單中與華為相關(guān)的廠商。

倘若格芯的專利侵權(quán)訴訟勝訴，代表臺(tái)積電采用的主要制程(28～7nm)皆增加包含美國(guó)技術(shù)，屆時(shí)制程技術(shù)的美國(guó)含量比例就極有可能上調(diào)，若超過(guò)25%或美國(guó)降低比例上限，可能讓臺(tái)積電很難繼續(xù)供貨給華為。

倘若訴訟時(shí)間拖延，或許也會(huì)成為臺(tái)積電與客戶合作關(guān)系中的潛在壓力，讓臺(tái)積電在中美貿(mào)易關(guān)系中的平衡點(diǎn)傾斜，不得不做出選擇，畢竟?fàn)I收占比超過(guò)6成的美系企業(yè)具有的話語(yǔ)權(quán)相對(duì)較高。

就目前觀察格芯對(duì)臺(tái)積電的專利權(quán)訴訟不一定有十足把握，但在現(xiàn)下的時(shí)間點(diǎn)與市場(chǎng)狀況，提出此專利侵權(quán)訴訟確實(shí)可能產(chǎn)生額外效果，不論是話題性或影響程度都將被放大檢視。

而面對(duì)2019下半年整體半導(dǎo)體市況在此情況下仍不明朗，臺(tái)積電或許將盡快提出抵御專利侵權(quán)的有力證據(jù)，以避免任何意外的負(fù)面效果產(chǎn)生。

8月26日，晶圓代工廠格芯發(fā)布新聞稿，格芯總部在美國(guó)和德國(guó)提起多起訴訟，指控臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)積電”）所使用的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)侵犯了16項(xiàng)格芯專利。

在提起法律訴訟的同時(shí)，格芯還申請(qǐng)了法院禁制令，以阻止臺(tái)積電使用侵權(quán)技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品被進(jìn)口至美國(guó)和德國(guó)，并表示基于臺(tái)積電使用格芯專有技術(shù)而產(chǎn)生的數(shù)百億美元的銷售額而向臺(tái)積電提出了巨額的損害賠償請(qǐng)求。

格芯在官網(wǎng)聲明中表示，這些法律訴訟要求格芯指明臺(tái)積電的主要客戶以及下游電子公司，后者在大多數(shù)情況下才是包含了臺(tái)積電侵權(quán)技術(shù)產(chǎn)品的實(shí)際進(jìn)口人。

根據(jù)格芯官網(wǎng)公示的說(shuō)明資料，這次訴訟除了臺(tái)積電外，涉及的下游客戶包括芯片設(shè)計(jì)廠商蘋果、博通、聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)、高通、賽靈思，元器件分銷商Avnet / EBV、Digi-key、Mouser，以及消費(fèi)電子廠商Arista、華碩、BLU、思科、谷歌、HiSense、聯(lián)想、摩托羅拉、TCL、OnePlus。

格芯的工程及技術(shù)副總裁Gregg Bartlett在聲明表示，盡管半導(dǎo)體生產(chǎn)在持續(xù)地向亞洲轉(zhuǎn)移，但格芯在美國(guó)和歐洲的半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行了大量投資。在過(guò)去的十年中，格芯共在美國(guó)投資超過(guò)150億美元，并在歐洲最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地投資超過(guò)60億美元。

“我們提起法律訴訟的目的在于保護(hù)這些投資，以及在背后驅(qū)動(dòng)著這些投資的基于美國(guó)和歐洲的技術(shù)創(chuàng)新?！盙regg Bartlett如是說(shuō)。

對(duì)于格芯提起訴訟一事，臺(tái)積電方面亦向媒體作出了回應(yīng)。臺(tái)積電方面表示，目前尚未收到法院文件，所以不清楚格芯的起訴內(nèi)容，并強(qiáng)調(diào)臺(tái)積電一直注重知識(shí)產(chǎn)權(quán)，所有技術(shù)都是自主研發(fā)、沒(méi)有侵權(quán)。

報(bào)道稱，臺(tái)積電方面還表示，既然對(duì)方已提出訴訟且進(jìn)入司法程序，臺(tái)積電會(huì)提出有利證明捍衛(wèi)權(quán)益，一切會(huì)由司法程序證明，不便多做評(píng)論。

眾所周知，臺(tái)積電和格芯均為全球知名的晶圓代工廠商。集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告顯示，2019年第二季度晶圓代工市占率排名前三分別為臺(tái)積電、三星與格芯，作為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，臺(tái)積電與格芯之間已不是第一次出現(xiàn)訴訟糾紛。

不過(guò)這次訴訟涉及范圍甚廣，目前對(duì)相關(guān)企業(yè)的影響尚未明朗，業(yè)界認(rèn)為若不能及時(shí)解決或有可能影響供貨，同時(shí)也再次提醒半導(dǎo)體企業(yè)注意規(guī)避專利侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)。

近日，全球第二大晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，采用12nm FinFET工藝，成功流片了基于ARM架構(gòu)的高性能3D封裝芯片。這意味著格芯亦投身于3D封裝領(lǐng)域，將與英特爾、臺(tái)積電等公司一道競(jìng)爭(zhēng)異構(gòu)計(jì)算時(shí)代的技術(shù)主動(dòng)權(quán)。

放棄7nm 格芯轉(zhuǎn)攻3D封裝

據(jù)報(bào)道，格芯攜手ARM公司驗(yàn)證了3D設(shè)計(jì)測(cè)試（DFT）方法，可以在芯片上集成多種節(jié)點(diǎn)技術(shù)，優(yōu)化邏輯電路、內(nèi)存帶寬和射頻性能，可向用戶提供更多差異化的解決方案。格芯平臺(tái)首席技術(shù)專家John Pellerin表示：“在大數(shù)據(jù)與認(rèn)知計(jì)算時(shí)代，先進(jìn)封裝的作用遠(yuǎn)甚以往。AI的使用與高吞吐量節(jié)能互連的需求，正通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)推動(dòng)加速器的增長(zhǎng)?！?/p>

隨著運(yùn)算的復(fù)雜化，異構(gòu)計(jì)算大行其道，更多不同類型的芯片需要被集成在一起，而依靠縮小線寬的辦法已經(jīng)無(wú)法同時(shí)滿足性能、功耗、面積以及信號(hào)傳輸速度等多方面的要求。在此情況下，越來(lái)越多的半導(dǎo)體廠商開(kāi)始把注意力放在系統(tǒng)集成層面，通過(guò)封裝技術(shù)尋求解決方案。這使得3D封裝成為當(dāng)前國(guó)際上幾大主流半導(dǎo)體晶圓制造廠商重點(diǎn)發(fā)展的技術(shù)。

雖然格芯在去年宣布放棄繼續(xù)在7nm以及更加先進(jìn)的制造工藝方向的研發(fā)，但這并不意味著其在新技術(shù)上再也無(wú)所作為。此次在3D封裝技術(shù)上的發(fā)力，正是格芯在大趨勢(shì)下所做出的努力，其新開(kāi)發(fā)的3D封裝解決方案不僅可為IC設(shè)計(jì)公司提供異構(gòu)邏輯和邏輯/內(nèi)存集成途徑，還可以優(yōu)化生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)制造，從而實(shí)現(xiàn)更低延遲、更高帶寬和更小特征尺寸。

3D封裝成半導(dǎo)體巨頭發(fā)展重點(diǎn)

同為半導(dǎo)體巨頭的英特爾、臺(tái)積電在3D封裝上投入更早，投入的精力也更大。去年年底，英特爾在其“架構(gòu)日”上首次推出全球第一款3D封裝技術(shù)Foveros，在此后不久召開(kāi)的CES2019大展上展出了采用Foveros技術(shù)封裝而成的Lakefield芯片。根據(jù)英特爾的介紹，該項(xiàng)技術(shù)的最大特點(diǎn)是可以在邏輯芯片上垂直堆疊另外一顆邏輯芯片，實(shí)現(xiàn)了真正意義上的3D堆疊。

而在日前召開(kāi)的SEMICON West大會(huì)上，英特爾再次推出了一項(xiàng)新的封裝技術(shù)Co-EMIB。這是一個(gè)將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用。它能夠讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連，并且基本達(dá)到單芯片的性能水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)人員也能夠利用Co-EMIB技術(shù)實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。

臺(tái)積電在3D封裝上的投入也很早。業(yè)界有一種說(shuō)法，正是因?yàn)榕_(tái)積電對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的重視，才使其在與三星的競(jìng)爭(zhēng)中占得優(yōu)勢(shì)，獲得了蘋果的訂單。無(wú)論這個(gè)說(shuō)法是否為真，封裝技術(shù)在臺(tái)積電技術(shù)版圖中的重要性已越來(lái)越突出。

在日前舉辦的2019中國(guó)技術(shù)論壇（TSMC2019 Technology Symposium）上，臺(tái)積電集中展示了從CoWoS、InFO的2.5D封裝到SoIC的3D封裝技術(shù)。CoWoS和InFO采用硅中介層把芯片封裝到硅載片上，并使用硅載片上的高密度走線進(jìn)行互連，從而實(shí)現(xiàn)亞3D級(jí)別的芯片堆疊效果。SoIC則是臺(tái)積電主推的3D封裝技術(shù)，它通過(guò)晶圓對(duì)晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合方式，可以將不同尺寸、制程技術(shù)及材料的小芯片堆疊在一起。相較2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，傳輸速度更快，功耗更低。

對(duì)此，半導(dǎo)體專家莫大康表示，半導(dǎo)體廠商希望基于封裝技術(shù)（而非前道制造工藝），將不同類型的芯片和小芯片集成在一起，從而接近甚至是達(dá)到系統(tǒng)級(jí)單芯片（SoC）的性能。這在異構(gòu)計(jì)算時(shí)代，面對(duì)多種不同類型的芯片集成需求，是一種非常有效的解決方案。

封裝子系統(tǒng)“IP”或?qū)⒊哨厔?shì)之一

產(chǎn)品功能、成本與上市時(shí)間是半導(dǎo)體公司關(guān)注的最主要因素。隨著需求的不斷增加，如果非要把所有電路都集成在一顆芯片之上，必然導(dǎo)致芯片的面積過(guò)大，同時(shí)增加設(shè)計(jì)成本和工藝復(fù)雜度，延長(zhǎng)產(chǎn)品周期，因此會(huì)增大制造工藝復(fù)雜度，也會(huì)讓制造成本越來(lái)越高。這也是異構(gòu)計(jì)算時(shí)代，人們面臨的主要挑戰(zhàn)。因此，從技術(shù)趨勢(shì)來(lái)看，主流半導(dǎo)體公司依托3D封裝技術(shù)，可以對(duì)復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)芯片加以實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)莫大康的介紹，人們還在探索采用多芯片異構(gòu)集成的方式把一顆復(fù)雜的芯片分解成若干個(gè)子系統(tǒng)，其中一些子系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化，然后就像IP核一樣把它們封裝在一起。這或許成為未來(lái)芯片制造的一個(gè)發(fā)展方向。當(dāng)然，這種方式目前并非沒(méi)有障礙。首先是散熱問(wèn)題。芯片的堆疊會(huì)讓散熱問(wèn)題變得更加棘手，設(shè)計(jì)人員需要更加精心地考慮系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，以適應(yīng)、調(diào)整各個(gè)熱點(diǎn)。

更進(jìn)一步，這將影響到整個(gè)系統(tǒng)的架構(gòu)設(shè)計(jì)，不僅涉及物理架構(gòu)，也有可能會(huì)影響到芯片的設(shè)計(jì)架構(gòu)。此外，測(cè)試也是一個(gè)挑戰(zhàn)?？梢韵胂笤谝粋€(gè)封裝好的芯片組中，即使每一顆小芯片都能正常工作，也很難保證集成在一起的系統(tǒng)級(jí)芯片保持正常。對(duì)其進(jìn)行正確測(cè)試需要花費(fèi)更大功夫，這需要從最初EDA的工具，到仿真、制造以及封裝各個(gè)環(huán)節(jié)的協(xié)同努力。

之前放棄7納米及其以下先進(jìn)制程研發(fā)，又陸續(xù)出售旗下晶圓廠的晶圓代工廠商格芯(Globalfoundries)，14日又在其公司官網(wǎng)上公布，準(zhǔn)備將旗下的光罩業(yè)務(wù)出售給日本Toppan的子公司Toppan Photomasks，這是格芯近年來(lái)在出售多項(xiàng)資產(chǎn)之后，再一次出售旗下業(yè)務(wù)，也進(jìn)一步引發(fā)市場(chǎng)人士的關(guān)注。

根據(jù)公布的資料顯示，在Toppan收購(gòu)格芯位于美國(guó)佛蒙特州伯靈頓的光罩業(yè)務(wù)部分設(shè)備與資產(chǎn)之后，雙方也將透過(guò)簽屬一項(xiàng)多年的供應(yīng)協(xié)議，使Toppan將持續(xù)提供格芯目前所需要的光罩和相關(guān)服務(wù)。

換句話而言，格芯將光罩業(yè)務(wù)售給Toppan之后，雙方還是繼續(xù)合作，由Toppan供應(yīng)美國(guó)晶圓廠的光罩產(chǎn)品及服務(wù)。不過(guò)，格芯在公告內(nèi)容中并沒(méi)有提及這次交易的具體金額。

另外，之前雙方在德國(guó)的勒斯登合資的先進(jìn)光罩中心(AMTC)，預(yù)計(jì)將會(huì)接收此次格芯出售光罩業(yè)務(wù)的相關(guān)設(shè)備與資產(chǎn)，而且接下來(lái)幾個(gè)月內(nèi)，雙方將會(huì)合作完成這項(xiàng)轉(zhuǎn)移的工作。

事實(shí)上，為了解決自身的財(cái)務(wù)問(wèn)題，自2018年到現(xiàn)在，格芯已經(jīng)進(jìn)行了多次改革與瘦身計(jì)劃。其中，包括出售旗下的多座晶圓廠。

以2019年為例，1月份格芯就以2.4億美元的價(jià)格將位于新加坡的Fab 3E 8英寸晶圓廠出售給臺(tái)積電旗下的世界先進(jìn)半導(dǎo)體。

2月份，傳出格芯在中國(guó)成都投資100億美元的晶圓廠計(jì)劃生變。

4月份，格芯則是宣布與安森美半導(dǎo)體達(dá)成了協(xié)議，將位于美國(guó)紐約州的Fab 10 12寸晶圓廠出售給安森美，價(jià)格是4.3億美元。

而5月份，格芯則是再次將旗下的IC設(shè)計(jì)公司Avera半導(dǎo)體出售給Marvell，代價(jià)為7.4億美元。

面對(duì)格芯多次的出售資產(chǎn)，外界認(rèn)為是大股東阿布達(dá)比投資公司已經(jīng)無(wú)法忍受格芯遲遲無(wú)法獲利的情況。因此，甚至有韓國(guó)媒體點(diǎn)名，將有中資廠商將接手格芯的打包出售。不過(guò)，對(duì)于這樣的市場(chǎng)傳言，格芯已經(jīng)表示沒(méi)有打包出售的計(jì)劃，而且大股東也將全力支持。

至于相關(guān)資產(chǎn)的出售轉(zhuǎn)移，只是為了配合格芯在制程上移往專業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的過(guò)程，并將客戶的需求進(jìn)行調(diào)整而已。所以，格芯未來(lái)將會(huì)有甚么樣的轉(zhuǎn)變，值得繼續(xù)觀察下去。