今年以來，氮化鎵(GaN)快充成為“網(wǎng)紅”產(chǎn)品，受到小米、OPPO、魅族等手機廠商的“熱捧”。氮化鎵在消費電子領(lǐng)域迅速起量的同時，其應(yīng)用范圍也在持續(xù)擴展，正向新基建所涉及的5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等領(lǐng)域滲透。新基建將如何賦能氮化鎵，我國企業(yè)該如何抓住氮化鎵的成長契機，利用好市場窗口?

5G可率先打開商用空間

由于氮化鎵具備高頻率、高功率密度、損耗小等優(yōu)勢，射頻器件成為氮化鎵最有前景的應(yīng)用領(lǐng)域之一。5G時代，氮化鎵將加速滲透基站所需的射頻功率放大器(PA)。

集邦咨詢指出，由于硅材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點，RF CMOS已經(jīng)不能滿足要求。GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢，將逐步替代Si LDMOS，大幅運用于PA。市場研究機構(gòu)指出，5G商用宏基站以64通道的大規(guī)模陣列天線為主，單基站PA需求達到192個。2019年全球GaN射頻器件市場規(guī)模達到5.27億美元，預(yù)計2023年將達到13.24億美元。

“5G對氮化鎵的需求增長是非常明顯的，5G基站所需的PA，為氮化鎵帶來了絕佳的市場機遇。隨著硅的性能開發(fā)逼近極限，氮化鎵替代硅切入更大帶寬、更高頻率的工作場景，使氮化鎵的優(yōu)勢能充分發(fā)揮出來，這是一個技術(shù)換代帶來的市場機會。”蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事總經(jīng)理任勉向《中國電子報》記者表示。

今年3月，工業(yè)和信息化部在《關(guān)于推動5G加快發(fā)展的通知》中指出，將適時發(fā)布部分5G毫米波頻段、頻率使用規(guī)劃。任勉表示，毫米波基站對射頻功率器件的需求，比當(dāng)前的宏基站市場更為可觀，將為氮化鎵帶來更加龐大的市場增量。

當(dāng)前，我國企業(yè)已經(jīng)在5G氮化鎵射頻功率器件有所布局。蘇州能訊高能半導(dǎo)體已建成4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線，產(chǎn)能達到25000片4英寸氮化鎵晶圓，以迎接5G無線通信對氮化鎵射頻芯片的市場需求。海特高新在5G宏基站的射頻GaN已實現(xiàn)突破，在流片工藝上，已可實現(xiàn)代工制造。英諾賽科、賽微電子等企業(yè)也在積極開展相關(guān)布局。

高效率特性賦能數(shù)據(jù)中心

在電力電子領(lǐng)域，氮化鎵充電器的市場熱度不減。除了追求高頻率、小體積的快充市場，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、高端工業(yè)配電系統(tǒng)電源等領(lǐng)域也有著應(yīng)用潛能。

對于數(shù)據(jù)中心，服務(wù)器運行所需的電能往往占據(jù)運營成本的“大頭”,如何提升能效比成為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵課題。任勉指出，相對快充等體積敏感的應(yīng)用領(lǐng)域，服務(wù)器電源將更好地發(fā)揮氮化鎵高效率、低功耗的優(yōu)勢。

“氮化鎵最大的特點是功率轉(zhuǎn)化效率高。尤其在數(shù)據(jù)中心等高能耗的使用場景下，氮化鎵憑借高效率的優(yōu)勢，將帶來顯著的節(jié)能效果?！比蚊阏f。

根據(jù)數(shù)據(jù)中心運營商GaN Systems測算，GaN器件用于從AC(交流電)到DC(直流電)的電源轉(zhuǎn)換，以及轉(zhuǎn)換負載的DC電源，可以將整體效率從使用硅器件的77%提高到84%，使數(shù)據(jù)中心的功率密度增加25%以上，并將單個機架的電力成本降低2300美元以上。

新能源汽車應(yīng)用進入研發(fā)期

在車規(guī)級市場，同為第三代半導(dǎo)體的碳化硅已經(jīng)實現(xiàn)應(yīng)用，但氮化鎵還處于研發(fā)階段。

目前，用于新能源汽車的功率器件主要有三個領(lǐng)域：一是電機控制器，用于驅(qū)動及控制系統(tǒng);二是OBC(車載充電器)，將交流電轉(zhuǎn)化為可以被新能源汽車動力電池使用的直流電;三是DC-DC直流轉(zhuǎn)換器，將動力電池的直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流電，給儀表盤、顯示屏、監(jiān)控系統(tǒng)等車載設(shè)備供電。專家表示，以當(dāng)前的技術(shù)水平來看，氮化鎵用于DC-DC直流轉(zhuǎn)換器這個細分領(lǐng)域有著較為明顯的優(yōu)勢。

安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳向《中國電子報》記者表示，電動汽車對高效率、高功率密度有著嚴苛的要求。通過節(jié)約零組件對車內(nèi)空間的占用，讓乘坐空間更加舒適。針對高功率密度、強續(xù)航能力等需求，目前的硅功率半導(dǎo)體材料器件已經(jīng)發(fā)展到瓶頸期。氮化鎵器件的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，在高效率和高功率密度方面更能符合電動汽車的需求。

當(dāng)前，頭部廠商對車規(guī)氮化鎵多處于研發(fā)階段。安世半導(dǎo)體正在研發(fā)用于高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器、OBC等車用氮化鎵產(chǎn)品;意法半導(dǎo)體看好氮化鎵在OBC及48V直流轉(zhuǎn)換器的潛力，并于今年宣布與臺積電合作，共同推進氮化鎵在汽車電氣化領(lǐng)域的應(yīng)用;納微半導(dǎo)體在去年路演中表示，其GaN FET相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)可用于電動汽車和混合動力車的OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，可以降低能量損耗并提升開關(guān)速度，使車輛實現(xiàn)更快的速度和更長的里程。

“車規(guī)功率器件的認證，從A Sample到B Sample到C Sample，不管是可靠性還是方案的成熟度，都需要一定的驗證時間。目前氮化鎵在車規(guī)領(lǐng)域的應(yīng)用還處于初級階段，但未來幾年預(yù)計會呈現(xiàn)遞進式的增長?！崩顤|岳說。

GaN應(yīng)用多項挑戰(zhàn)待解

雖然氮化鎵在多個新基建領(lǐng)域具備應(yīng)用前景，但其仍處于發(fā)展初期，在技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品驗證、市場滲透等方面，還有待進一步催熟和突破。

任勉指出，在5G射頻領(lǐng)域，射頻的技術(shù)壁壘比電力電子高得多。電力電子工藝主要涉及材料、器件設(shè)計、前道工藝和后道封測。但射頻器件多了一個電磁波的技術(shù)維度，涉及射頻電路、射頻功放以及微波電子等，技術(shù)門檻更高。

在車用領(lǐng)域，李東岳表示，主要存在四方面的挑戰(zhàn)：一是車用領(lǐng)域的功率要求波動較大，需要在所有工況下，保持器件參數(shù)的長期穩(wěn)定;二是車規(guī)功率器件長期處于高振動、高濕度、高溫度的工作環(huán)境，要求器件在應(yīng)對熱應(yīng)力和機械應(yīng)力的過程中有著極高的可靠性;三是車在裝備的過程中，在體積重量和制造成本上都有嚴格的要求，功率器件必須契合汽車裝備本身的需要;四是車規(guī)器件需要做到15年到20年的使用壽命，技術(shù)門檻很高。

對于我國企業(yè)該如何利用好5G等新基建領(lǐng)域為氮化鎵帶來市場機遇，集邦咨詢分析師王尊民表示，在5G基站及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等使用場景，相關(guān)技術(shù)仍受國際大廠控制，因此我國廠商在其中參與的機會比較少。

“目前，我國廠商若要緊隨新基建的發(fā)展趨勢，首先要強化自身的制造與技術(shù)研發(fā)能力，例如RF通訊、電力傳輸?shù)闹圃鞂嵙?，才會逐步在相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟?！蓖踝鹈裾f。

任勉指出，面向5G等領(lǐng)域的需求，我國氮化鎵相關(guān)企業(yè)要提前三到五年布局，進行五年左右的技術(shù)積累和三年左右的產(chǎn)能建設(shè)。

“市場窗口往往稍縱即逝，一旦市場格局成形，企業(yè)再想進入并獲得市場主動權(quán)，就會比較困難。要提前準備技術(shù)、產(chǎn)能、人才，提升布局效率，抓緊時間切入?！比蚊阏f。

6月4日，三安光電股份有限公司（以下簡稱“三安光電”）發(fā)布公告稱，6月3日，公司收到中國證券監(jiān)督管理委員會（以下簡稱“中國證監(jiān)會”）出具的《關(guān)于核準三安光電股份有限公司非公開發(fā)行股票的批復(fù)》（證監(jiān)許可[2020]989號）文件，核準公司非公開發(fā)行不超過400,916,380股新股，發(fā)生轉(zhuǎn)增股本等情形導(dǎo)致總股本發(fā)生變化的，可相應(yīng)調(diào)整本次發(fā)行數(shù)量。

根據(jù)此前的公告，三安光電本次非公開發(fā)行募集資金總額不超過70億元，因此，公司本次非公開發(fā)行股票的發(fā)行數(shù)量由不超過398,633,257股（含398,633,257股）調(diào)整為不超過400,916,380股（含400,916,380股）。

其中，長沙先導(dǎo)高芯投資合伙企業(yè)（有限合伙）擬認購金額為50億元，擬認購股份數(shù)量由284,738,041股調(diào)整為286,368,843股；珠海格力電器股份有限公司擬認購金額為20億元，擬認購股份數(shù)量由113,895,216股調(diào)整為114,547,537股。

據(jù)了解，三安光電本次非公開發(fā)行募集資金總額扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額擬投入半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目（一期），本次募集資金投資項目計劃總投資金額約138億元，擬使用募集資金投入金額為70億元。

項目將建設(shè)主要包括三大業(yè)務(wù)板塊及公共配套建設(shè)，三大業(yè)務(wù)板塊分別為：氮化鎵業(yè)務(wù)板塊、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊、特種封裝業(yè)務(wù)板塊。本次募投項目實施后，將建成包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片；高端砷化鎵LED外延、芯片；大功率氮化鎵激光器；特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用四個產(chǎn)品方向的研發(fā)、生產(chǎn)基地。

其中，各業(yè)務(wù)板塊具體的產(chǎn)能規(guī)劃如下：

1、氮化鎵業(yè)務(wù)板塊：（1）年產(chǎn)氮化鎵芯片769.20萬片，其中：第五代顯示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60萬片/年、超高效節(jié)能芯片530.80萬片/年、紫外（UV）芯片30.80萬片/年、大功率芯片46.00萬片/年；（2）PSS襯底年產(chǎn)923.40萬片；（3）大功率激光器年產(chǎn)141.80萬顆。

2、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊：（1）年產(chǎn)GaAs LED芯片123.20萬片，其中：第五代顯示芯片（Mini/Micro LED）17.60萬片/年、ITO紅光芯片34.90萬片/年、RS紅光芯片19.10萬片/年、高功率紅外產(chǎn)品14.20萬片/年、植物生長燈芯片14.40萬片/年、大功率戶外亮化芯片7.20萬片/年、車用級芯片7.00萬片/年、醫(yī)療健康芯片8.80萬片/年；（2）年產(chǎn)太陽電池芯片40.50萬片，其中：商用衛(wèi)星電池13.50萬片/年、臨近空間裝置27.00萬片/年。

3、特種封裝業(yè)務(wù)板塊：（1）UV LED封裝81.40kk/年；（2）Mini LED芯片級封裝8,483.00 kk/年；（3）車用級LED封裝57.80kk/年；（4）大功率LED封裝63.20kk/年；（5）IR LED封裝39.00kk/年。

近日，廣西桂林高新區(qū)管委會與位于中國臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進會，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”。

據(jù)桂林日報報道，第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目一期總投資16億元，計劃用地120畝，擬將依托桂林電子科技大學(xué)科研與人才優(yōu)勢，在桂林國家高新區(qū)建設(shè)獲利能力較強、國內(nèi)外市場影響力較大的氮化鎵集成電路生產(chǎn)線。

當(dāng)前，多個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項目落戶桂林，如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺產(chǎn)業(yè)化項目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項目等。

如今，桂林或?qū)⒃儆瓉硪粋€第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目。屆時，桂林將借項目吸引高端技術(shù)人才引進，帶動更多半導(dǎo)體上、下游及配套產(chǎn)業(yè)集聚，在桂林市乃至廣西打造一個國內(nèi)重要的特色集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

桂林日報指出，欣憶電子股份有限公司為臺商獨資高新技術(shù)企業(yè)，總部設(shè)在中國臺灣新竹，主要從事半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售,為亞太地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備商三大廠商之一。

4月8日，華為舉行P40系列國行版線上發(fā)布會。發(fā)布會上，除了發(fā)布了P40系列三款新機等，余承東帶來了GaN（氮化鎵）雙口超級快充充電器，最大充電功率為65W，5月下旬開賣，售價為249元。

據(jù)介紹，這款華為氮化鎵充電器支持Type-A和Type-C雙口充電，能給手機、平臺和PC充電，其中USB-C接口支持標準的PD協(xié)議，折疊插腳設(shè)計，具體細節(jié)官方尚未公布。

氮化鎵技術(shù)趨于成熟，并且在USB PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)非常普遍，氮化鎵技術(shù)讓充電器的功率越做越大，體積卻越做越小，保證了產(chǎn)品的便攜性。

氮化鎵（GaN）接連被手機廠商們“翻牌”

2019年10月，OPPO Reno Ace正式發(fā)布，標配65W超級閃充GaN充電器，這宣告了氮化鎵技術(shù)正式進入手機原裝充電器市場。OPPO因此成為了全球首家在手機充電器中導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的廠商。

2020年2月，小米新品發(fā)布會上推出明星產(chǎn)品65W GaN充電器，引爆市場對GaN的關(guān)注。

2020年3月，市場有消息爆料魅族也將入局氮化鎵（GaN）充電器領(lǐng)域，隨17 5G旗艦發(fā)布一款GaN氮化鎵充電器。

另外化合物半導(dǎo)體市場注意到，有外媒報道蘋果在今年的新品發(fā)布會中，除了推出新款的iPhone外，還將可能推出一款GaN充電器，同樣最高支持65W的充電速率。

而最早發(fā)布GaN充電器廠商是Anker，2018年10月，Anker發(fā)布了全球首款USB PD GaN充電器PowerPort Atom PD1，據(jù)稱，該產(chǎn)品和蘋果5W充電器差不多的體積卻能輸出高達27W的功率。后來，不少終端廠商盯上了GaN充電器，包括Baseus、RAVPower、UIBI、ZMI等品牌廠商均發(fā)布了氮化鎵快充產(chǎn)品，有些品牌甚至發(fā)布了多款，更新迭代非常迅速。

據(jù)化合物半導(dǎo)體市場了解，在今年CES2020上，包括Anker在內(nèi)的30家廠商推出了66款氮化鎵快充產(chǎn)品。值得注意的是，較于往年，本次CES展會的氮化鎵快充充電器工廠數(shù)量增加了不少，這也從側(cè)面反映出，氮化鎵快充技術(shù)走向成熟，被廣大廠商認可。

2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望達600多億元

有數(shù)據(jù)顯示，GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年約20億美元，年均復(fù)合增速達21%；主要受益于電信基礎(chǔ)設(shè)施5G宏基站建設(shè)、國防、快充、汽車電子、消費電子等應(yīng)用推動。

雖然氮化鎵增長最快的要數(shù)快充市場，但是，目前中國氮化鎵功率應(yīng)用市場還處于起步階段，市場對于氮化鎵的認識還不夠，并且氮化鎵自身的成本還太高。隨著硅基氮化鎵成本的降低以及可靠性的大幅提高，采用氮化鎵材料的快充充電器或?qū)⒊蔀樾袠I(yè)的主流。

據(jù)中信證券的研報表示，GaN材料具備高功率、高頻率、高導(dǎo)熱等優(yōu)勢，所做充電芯片實現(xiàn)了輸出大功率的同時保持充電器體積可控。目前國內(nèi)已有多家廠商布局GaN快充，預(yù)計隨著用戶對便攜性的需求提高，2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望達到600多億元，同時加速GaN芯片在其他新興領(lǐng)域?qū)i基產(chǎn)品的替代。

而此番華為推出氮化鎵充電器，有望進一步激發(fā)市場需求。未來如果蘋果也采用該項技術(shù)，氮化鎵充電器的滲透率將會加速上升。

4月8日，華為舉行P40系列國行版線上發(fā)布會。發(fā)布會上，除了發(fā)布了P40系列三款新機等，余承東帶來了GaN（氮化鎵）雙口超級快充充電器，最大充電功率為65W，5月下旬開賣，售價為249元。

據(jù)介紹，這款華為氮化鎵充電器支持Type-A和Type-C雙口充電，能給手機、平臺和PC充電，其中USB-C接口支持標準的PD協(xié)議，折疊插腳設(shè)計，具體細節(jié)官方尚未公布。

氮化鎵技術(shù)趨于成熟，并且在USB PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)非常普遍，氮化鎵技術(shù)讓充電器的功率越做越大，體積卻越做越小，保證了產(chǎn)品的便攜性。

氮化鎵（GaN）接連被手機廠商們“翻牌”

2019年10月，OPPO Reno Ace正式發(fā)布，標配65W超級閃充GaN充電器，這宣告了氮化鎵技術(shù)正式進入手機原裝充電器市場。OPPO因此成為了全球首家在手機充電器中導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的廠商。

2020年2月，小米新品發(fā)布會上推出明星產(chǎn)品65W GaN充電器，引爆市場對GaN的關(guān)注。

2020年3月，市場有消息爆料魅族也將入局氮化鎵（GaN）充電器領(lǐng)域，隨17 5G旗艦發(fā)布一款GaN氮化鎵充電器。

另外化合物半導(dǎo)體市場注意到，有外媒報道蘋果在今年的新品發(fā)布會中，除了推出新款的iPhone外，還將可能推出一款GaN充電器，同樣最高支持65W的充電速率。

而最早發(fā)布GaN充電器廠商是Anker，2018年10月，Anker發(fā)布了全球首款USB PD GaN充電器PowerPort Atom PD1，據(jù)稱，該產(chǎn)品和蘋果5W充電器差不多的體積卻能輸出高達27W的功率。后來，不少終端廠商盯上了GaN充電器，包括Baseus、RAVPower、UIBI、ZMI等品牌廠商均發(fā)布了氮化鎵快充產(chǎn)品，有些品牌甚至發(fā)布了多款，更新迭代非常迅速。

據(jù)化合物半導(dǎo)體市場了解，在今年CES2020上，包括Anker在內(nèi)的30家廠商推出了66款氮化鎵快充產(chǎn)品。值得注意的是，較于往年，本次CES展會的氮化鎵快充充電器工廠數(shù)量增加了不少，這也從側(cè)面反映出，氮化鎵快充技術(shù)走向成熟，被廣大廠商認可。

2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望達600多億元

有數(shù)據(jù)顯示，GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年約20億美元，年均復(fù)合增速達21%；主要受益于電信基礎(chǔ)設(shè)施5G宏基站建設(shè)、國防、快充、汽車電子、消費電子等應(yīng)用推動。

雖然氮化鎵增長最快的要數(shù)快充市場，但是，目前中國氮化鎵功率應(yīng)用市場還處于起步階段，市場對于氮化鎵的認識還不夠，并且氮化鎵自身的成本還太高。隨著硅基氮化鎵成本的降低以及可靠性的大幅提高，采用氮化鎵材料的快充充電器或?qū)⒊蔀樾袠I(yè)的主流。

據(jù)中信證券的研報表示，GaN材料具備高功率、高頻率、高導(dǎo)熱等優(yōu)勢，所做充電芯片實現(xiàn)了輸出大功率的同時保持充電器體積可控。目前國內(nèi)已有多家廠商布局GaN快充，預(yù)計隨著用戶對便攜性的需求提高，2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望達到600多億元，同時加速GaN芯片在其他新興領(lǐng)域?qū)i基產(chǎn)品的替代。

而此番華為推出氮化鎵充電器，有望進一步激發(fā)市場需求。未來如果蘋果也采用該項技術(shù)，氮化鎵充電器的滲透率將會加速上升。

在1月17日至2月27日這一個多月的時間里，湖北小米長江產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)(有限合伙) （下稱“小米產(chǎn)業(yè)基金”）投資（包括股權(quán)融資和戰(zhàn)略融資）了八家半導(dǎo)體公司。自成立手機處理器研發(fā)公司至今的第五個年頭，小米在半導(dǎo)體的投資策略反而更加激進，折射出哪些發(fā)展重點？

加碼半導(dǎo)體投資

小米產(chǎn)業(yè)基金由小米科技、湖北省長江經(jīng)濟帶產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金合伙企業(yè)于2017年發(fā)起設(shè)立，目標規(guī)模120億元，用于支持小米及小米生態(tài)鏈企業(yè)的業(yè)務(wù)拓展。2月20日，小米創(chuàng)始人雷軍稱小米產(chǎn)業(yè)基金支持“硬核科技”，將智能制造、工業(yè)機器人、先進裝備和半導(dǎo)體作為關(guān)注重點。

今年1月，小米產(chǎn)業(yè)基金入股了四家半導(dǎo)體相關(guān)公司，涉及材料、IC設(shè)計、IC制造等領(lǐng)域。1月17日，小米投資了模擬IC供應(yīng)商帝奧微電子，小米產(chǎn)業(yè)基金成為新增股東。1月21日，小米產(chǎn)業(yè)基金入股射頻芯片開發(fā)商芯百特微電子、電機驅(qū)動控制芯片研發(fā)設(shè)計公司峰岹科技，以及石墨烯應(yīng)用開發(fā)商墨?？萍?。

2月下旬，小米產(chǎn)業(yè)基金又投資了四家半導(dǎo)體相關(guān)公司。先于2月20日領(lǐng)投Wi-Fi6芯片設(shè)計公司速通半導(dǎo)體的A輪融資；又于2月24日投資并入股翱捷科技，該公司生產(chǎn)終端、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的電子芯片，第一大股東為阿里巴巴；同樣在24日，小米產(chǎn)業(yè)基金投資了射頻前端芯片及SoC供應(yīng)商昂瑞微電子，并于2月27日投資MCU開發(fā)商靈動微電子。??

折射哪些發(fā)展重點

小米產(chǎn)業(yè)基金所投企業(yè)的主營業(yè)務(wù)中，石墨烯、WiFi6不僅是小米近期產(chǎn)品發(fā)布的熱點，也是手機頭部廠商的關(guān)注重點。而射頻、MCU等則完善了小米的AIoT布局。

耐高溫、導(dǎo)熱性強的石墨烯，已經(jīng)引起小米、華為、三星等手機廠商的關(guān)注。小米10的散熱系統(tǒng)采用液冷、石墨烯、石墨等設(shè)計，利用石墨烯覆蓋處理器等核心器件。此前華為中央研究院瓦特實驗室曾推出業(yè)界首個高溫長壽命石墨烯助力的鋰離子電池。三星也研發(fā)出融合石墨烯材料的鋰電池，在60°高溫下仍可穩(wěn)定運行。在宣布投資墨?？萍贾螅∶桩a(chǎn)業(yè)投資部合伙人孫昌旭表示，化學(xué)法生產(chǎn)的石墨烯應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊，除了新一代的純石墨烯散熱外，還是新一代半導(dǎo)體、電池及醫(yī)用材料。

作為5G時代的另一大無線通信機制，WiFi6以其9.6Gbps的最大吞吐能力得到終端及芯片廠商的重視。小米近期推出了首款WiFi6路由器，搭載高通6核企業(yè)級專業(yè)芯片，新機小米10、小米10 Pro均支持WiFi6。此前，高通推出了首款支持WiFi6和藍牙5.1的QCA6390芯片，三星、蘋果也推出了支持WiFi6的手機。IDC中國企業(yè)級網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品研究部分析師郭越表示，WiFi6正處于導(dǎo)入期與高速增長期，將在2020年進入增長元年。據(jù)悉，速通半導(dǎo)體將利用小米產(chǎn)業(yè)基金領(lǐng)投的A輪融資，進一步投入研發(fā)和量產(chǎn)基于WiFi6的SoC產(chǎn)品。

對于翱捷、芯百特、昂瑞微電子、靈動微電子的投融資，則是小米對5G時代AIoT布局的進一步完善。雷軍在2019年表示，小米將于未來5年在AIoT領(lǐng)域持續(xù)投入超過100億元。

綜合來看，小米的投資入股具有完善產(chǎn)品線布局、追求財務(wù)回報、跟隨產(chǎn)業(yè)熱點等考量。

在產(chǎn)業(yè)布局方面，行業(yè)分析師陳躍楠向記者表示，射頻、數(shù)據(jù)通信芯片是未來5G、6G的主要芯片產(chǎn)品之一，WiFi6、模擬IC、石墨烯、MCU會在智能家居、智能駕駛等領(lǐng)域發(fā)揮作用，與小米的手機、AIoT等主要賽道十分契合。小米的一系列投資動作有助于豐富產(chǎn)品體系，提升話語權(quán)和議價能力，完善對已有和即將進入領(lǐng)域的布局。

在財務(wù)方面，Garner研究副總裁盛陵海向記者指出，小米的投資與財務(wù)回報及產(chǎn)業(yè)熱點息息相關(guān)。一方面小米的投資緊跟產(chǎn)業(yè)熱點，另一方面對于產(chǎn)品發(fā)展方向較為明確的企業(yè)，在市場對于半導(dǎo)體十分關(guān)注的情況下，會給公司帶來更好的財務(wù)回報。

卡位AIoT 布局前沿

與華為、三星、蘋果等注重處理器自研的手機廠商一樣，小米也在手機處理器自研早有布局，并根據(jù)企業(yè)戰(zhàn)略的變化，發(fā)展出AIoT芯片研發(fā)的茁壯“分支”。

2019年之前，小米自研的重點是手機核心處理器，與小米將手機作為業(yè)務(wù)核心的策略一致。2014年，小米成立芯片公司松果電子，并于2017年發(fā)布澎湃S1芯片，首發(fā)機型為小米5C。2018年，赫星科技發(fā)布了搭載澎湃SoC芯片的Herelink數(shù)圖傳遙控一體機。松果電子表示，澎湃SoC芯片已應(yīng)用于百萬級手機產(chǎn)品。

隨著小米創(chuàng)始人雷軍宣布將 “手機+AIoT”雙引擎作為小米的核心戰(zhàn)略，小米的半導(dǎo)體自研業(yè)務(wù)也隨之重組。2019年4月，小米將松果電子部分團隊分拆組建為新公司南京大魚半導(dǎo)體，松果電子繼續(xù)聚焦智能手機SoC的開發(fā)，大魚則專注于AI和IoT芯片與解決方案。同年5月，大魚半導(dǎo)體攜手阿里巴巴平頭哥推出全球首顆內(nèi)置 GPS /北斗的NB-IoT雙模芯片大魚U1，面向智慧城市、智能建筑等物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。同年11月，小米發(fā)布2019年第三季度財報，財報顯示小米智能手機收入達322.68億元，同比減少7.8%。與此同時，IoT和生活服務(wù)產(chǎn)品收入同比增長44%，達到156.06億美元，達到了智能手機收入的48%。也是在這個月，大魚半導(dǎo)體完成了A輪融資。

小米在半導(dǎo)體的投資版圖，也突出了AIoT布局。除了今年在AIoT相關(guān)的芯片、射頻領(lǐng)域的投資，2019年小米還入股了為移動互聯(lián)設(shè)備、IoT、數(shù)據(jù)中心等提供SoC、SiP及IP服務(wù)的芯原微電子，無線音頻系統(tǒng)級芯片提供商恒玄科技，并投資了為物聯(lián)網(wǎng)智能硬件提供核心芯片的安凱微電子。

值得一提的是，小米也對半導(dǎo)體領(lǐng)域的新架構(gòu)、新材料也有所著墨。松果電子曾于2018年宣布攜手阿里巴巴旗下中天微，聯(lián)合推動RISC-V CPU的商用進程。2019年，小米生態(tài)鏈企業(yè)華米科技推出首款基于RISC-V開源指令集的智能可穿戴芯片——“黃山1號”，預(yù)計2020年量產(chǎn)“黃山2號”。在新材料方面，小米也投資了第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵相關(guān)企業(yè)，并推出了氮化鎵充電器。為小米氮化鎵充電器提供功率IC的納微半導(dǎo)體表示，小米早前已通過資金注入，確立產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，兼顧投資和業(yè)務(wù)的雙重收益，幫助納微半導(dǎo)體拓寬銷售渠道。盛陵海向記者表示，小米對于前沿領(lǐng)域的布局，將有利于打造產(chǎn)品賣點并提升差異化程度。

以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。

據(jù)意法半導(dǎo)體介紹，Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進電力電子行業(yè)從硅基技術(shù)向GaN-on-silicon技術(shù)轉(zhuǎn)變，研發(fā)體積更小、能效更高的功率轉(zhuǎn)換器。Exagan的GaN功率開關(guān)是為標準200毫米晶圓設(shè)計。

雙方的交易條款沒有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規(guī)批準后即可完成交易。據(jù)披露，現(xiàn)已簽署的并購協(xié)議還規(guī)定，在多數(shù)股權(quán)收購交易完成24個月后，意法半導(dǎo)體有權(quán)收購剩余的Exagan少數(shù)股權(quán)。本交易將采用可用現(xiàn)金支付。

意法半導(dǎo)體表示，Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗將拓寬并推進意法半導(dǎo)體的汽車、工業(yè)和消費用功率GaN的開發(fā)規(guī)劃和業(yè)務(wù)。Exagan將繼續(xù)執(zhí)行現(xiàn)有產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃，意法半導(dǎo)體將為其部署產(chǎn)品提供支持。

意法半導(dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery稱，收購Exagan的多數(shù)股權(quán)是對意法半導(dǎo)體目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發(fā)項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。

據(jù)了解，2018年意法半導(dǎo)體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術(shù)。前不久，意法半導(dǎo)體宣布與臺積電攜手合作加速氮化鎵（GaN）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導(dǎo)入市場。

意法半導(dǎo)體汽車產(chǎn)品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出，意法半導(dǎo)體在氮化鎵制程技術(shù)的加速開發(fā)與交付看到了龐大的商機，將功率氮化鎵及氮化鎵集成電路產(chǎn)品導(dǎo)入市場。

嘉興南湖區(qū)政府網(wǎng)信息顯示，3月3日南湖區(qū)舉行一季度重大項目集中開竣工活動，參加本次集中開竣工活動的項目共54個，總投資達219.96億元。活動主會場開工儀式設(shè)在嘉興科技城的浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目現(xiàn)場。

活動現(xiàn)場，博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目舉行開工儀式，該項目是中國第三代半導(dǎo)體材料示范項目，也是嘉興南湖微電子產(chǎn)業(yè)平臺2020年引進的標志性項目。項目總投資25億元，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司將引進6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線設(shè)備，項目全部達產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收6600萬元以上。

據(jù)報道，該項目將分兩期實施，其中一期建筑面積5萬平方米，建設(shè)6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線，設(shè)計月產(chǎn)能為1000片氮化鎵射頻晶圓；二期建筑面積3.9萬平方米，建設(shè)6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線和外延片生產(chǎn)線，設(shè)計月產(chǎn)能為3000片氮化鎵射頻晶圓、月產(chǎn)能20000片氮化鎵功率晶圓。

浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司董事長張博表示，該項目預(yù)期在明年二季度就能達成試產(chǎn)，明年可以批量生產(chǎn)。

11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負責(zé)人出席簽約儀式。

該項目將新建大型規(guī)模化的GaN射頻器件與功率器件生產(chǎn)基地，總投資25億元，占地110畝。項目全部達產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收7000萬元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、軍工航天、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備、智能電網(wǎng)及太陽能逆變器等領(lǐng)域。

該項目的引進是嘉興科技城深入實施全面融入長三角一體化發(fā)展首位戰(zhàn)略的成果之一，將進一步推動南湖區(qū)集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，加速區(qū)塊鏈產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成長。

憑借在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的投資布局、頂級的專家團隊以及廣大的市場應(yīng)用，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司通過打造射頻功率（RF Power）及功率器件（Power IC）的業(yè)務(wù)板塊，實現(xiàn)了初具生態(tài)鏈格局、互為契合應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)版圖，建立起擁有自主知識產(chǎn)權(quán)并在全球范圍內(nèi)具有代表性的化合物半導(dǎo)體材料制造產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，使之成為具有世界影響力的中國第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)示范標桿。

耐威科技正在進一步布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱，其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議，擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項目。

投建氮化鎵（GaN）晶圓制造項目

公告顯示，耐威科技與與青島西海岸新區(qū)管委簽署《合作框架協(xié)議》，雙方根據(jù)國家有關(guān)法律法規(guī)及青島西海岸新區(qū)發(fā)展規(guī)劃，本著共同發(fā)展、互利共贏的原則，經(jīng)友好協(xié)商，就耐威科技擬在新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項目初步達成意向。

該項目擬建設(shè)一條6英寸氮化鎵微波器件生產(chǎn)線和一條 8英寸氮化鎵功率器件生產(chǎn)線；項目總建筑面積約20.40萬平米，其中廠房與辦公建筑面積約18.00萬平米，宿舍面積約2.40萬平米。項目建成后，將有助于青島形成氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)材料全產(chǎn)業(yè)鏈基地及產(chǎn)業(yè)集群。

此次簽訂的協(xié)議不涉及具體金額，至于項目資金，公告表示項目一期投資由耐威科技聯(lián)合有關(guān)產(chǎn)業(yè)投資基金共同出資不少于50%；其余資金由青島西海岸新區(qū)管委協(xié)調(diào)安排相關(guān)國有企業(yè)以土地廠房出資或直接投資方式解決，具體合作方式耐威科技與相關(guān)國有企業(yè)另行約定。

據(jù)介紹，青島西海岸新區(qū)管委為青島西海岸新區(qū)的行政主管單位，青島西海岸新區(qū)是國務(wù)院批準的第9個國家級新區(qū)，處于山東半島藍色經(jīng)濟區(qū)和環(huán)渤海經(jīng)濟圈內(nèi)，具有輻射內(nèi)陸、聯(lián)通南北、面向太平洋的戰(zhàn)略區(qū)位優(yōu)勢。

公告指出，本協(xié)議是雙方合作的框架協(xié)議，自協(xié)議簽署之日起有效期三個月，具體合作模式及內(nèi)容以雙方另行簽署的合同約定為準。

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈布局

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一。與第一、二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子 速率等優(yōu)點，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

由于性能優(yōu)越等原因，許多發(fā)達國家將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃，搶占戰(zhàn)略制高點。近年來，我國多地及不少企業(yè)正在加速布局，耐威科技也于去年正式涉足第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。

2018年7月，耐威科技在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立“青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計、開發(fā)；2018 年6月，耐威科技在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立“聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司”（以下簡稱“聚能晶源”），主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)。

目前，耐威科技在第三代半導(dǎo)體的布局已有階段性成果。2018年12月，耐威科技公告宣布，聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”；今年9月，聚能晶源宣布其第三代半導(dǎo)體材料制造項目（一期）正式投產(chǎn)。

這次擬在青島西海岸新區(qū)再投建氮化鎵（GaN）晶圓制造項目，耐威科技表示，若項目順利建成，將有利于公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇，盡快拓展相關(guān)材料與器件在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、新型電源等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。

11月27日，集邦咨詢旗下DRAMeXchange將在深圳主辦“2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”。