今年以來(lái)，氮化鎵(GaN)快充成為“網(wǎng)紅”產(chǎn)品，受到小米、OPPO、魅族等手機(jī)廠商的“熱捧”。氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域迅速起量的同時(shí)，其應(yīng)用范圍也在持續(xù)擴(kuò)展，正向新基建所涉及的5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等領(lǐng)域滲透。新基建將如何賦能氮化鎵，我國(guó)企業(yè)該如何抓住氮化鎵的成長(zhǎng)契機(jī)，利用好市場(chǎng)窗口?

5G可率先打開商用空間

由于氮化鎵具備高頻率、高功率密度、損耗小等優(yōu)勢(shì)，射頻器件成為氮化鎵最有前景的應(yīng)用領(lǐng)域之一。5G時(shí)代，氮化鎵將加速滲透基站所需的射頻功率放大器(PA)。

集邦咨詢指出，由于硅材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點(diǎn)，RF CMOS已經(jīng)不能滿足要求。GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢(shì)，將逐步替代Si LDMOS，大幅運(yùn)用于PA。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)指出，5G商用宏基站以64通道的大規(guī)模陣列天線為主，單基站PA需求達(dá)到192個(gè)。2019年全球GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5.27億美元，預(yù)計(jì)2023年將達(dá)到13.24億美元。

“5G對(duì)氮化鎵的需求增長(zhǎng)是非常明顯的，5G基站所需的PA，為氮化鎵帶來(lái)了絕佳的市場(chǎng)機(jī)遇。隨著硅的性能開發(fā)逼近極限，氮化鎵替代硅切入更大帶寬、更高頻率的工作場(chǎng)景，使氮化鎵的優(yōu)勢(shì)能充分發(fā)揮出來(lái)，這是一個(gè)技術(shù)換代帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)會(huì)?！碧K州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事總經(jīng)理任勉向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示。

今年3月，工業(yè)和信息化部在《關(guān)于推動(dòng)5G加快發(fā)展的通知》中指出，將適時(shí)發(fā)布部分5G毫米波頻段、頻率使用規(guī)劃。任勉表示，毫米波基站對(duì)射頻功率器件的需求，比當(dāng)前的宏基站市場(chǎng)更為可觀，將為氮化鎵帶來(lái)更加龐大的市場(chǎng)增量。

當(dāng)前，我國(guó)企業(yè)已經(jīng)在5G氮化鎵射頻功率器件有所布局。蘇州能訊高能半導(dǎo)體已建成4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線，產(chǎn)能達(dá)到25000片4英寸氮化鎵晶圓，以迎接5G無(wú)線通信對(duì)氮化鎵射頻芯片的市場(chǎng)需求。海特高新在5G宏基站的射頻GaN已實(shí)現(xiàn)突破，在流片工藝上，已可實(shí)現(xiàn)代工制造。英諾賽科、賽微電子等企業(yè)也在積極開展相關(guān)布局。

高效率特性賦能數(shù)據(jù)中心

在電力電子領(lǐng)域，氮化鎵充電器的市場(chǎng)熱度不減。除了追求高頻率、小體積的快充市場(chǎng)，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、高端工業(yè)配電系統(tǒng)電源等領(lǐng)域也有著應(yīng)用潛能。

對(duì)于數(shù)據(jù)中心，服務(wù)器運(yùn)行所需的電能往往占據(jù)運(yùn)營(yíng)成本的“大頭”,如何提升能效比成為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵課題。任勉指出，相對(duì)快充等體積敏感的應(yīng)用領(lǐng)域，服務(wù)器電源將更好地發(fā)揮氮化鎵高效率、低功耗的優(yōu)勢(shì)。

“氮化鎵最大的特點(diǎn)是功率轉(zhuǎn)化效率高。尤其在數(shù)據(jù)中心等高能耗的使用場(chǎng)景下，氮化鎵憑借高效率的優(yōu)勢(shì)，將帶來(lái)顯著的節(jié)能效果?！比蚊阏f(shuō)。

根據(jù)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商GaN Systems測(cè)算，GaN器件用于從AC(交流電)到DC(直流電)的電源轉(zhuǎn)換，以及轉(zhuǎn)換負(fù)載的DC電源，可以將整體效率從使用硅器件的77%提高到84%，使數(shù)據(jù)中心的功率密度增加25%以上，并將單個(gè)機(jī)架的電力成本降低2300美元以上。

新能源汽車應(yīng)用進(jìn)入研發(fā)期

在車規(guī)級(jí)市場(chǎng)，同為第三代半導(dǎo)體的碳化硅已經(jīng)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，但氮化鎵還處于研發(fā)階段。

目前，用于新能源汽車的功率器件主要有三個(gè)領(lǐng)域：一是電機(jī)控制器，用于驅(qū)動(dòng)及控制系統(tǒng);二是OBC(車載充電器)，將交流電轉(zhuǎn)化為可以被新能源汽車動(dòng)力電池使用的直流電;三是DC-DC直流轉(zhuǎn)換器，將動(dòng)力電池的直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流電，給儀表盤、顯示屏、監(jiān)控系統(tǒng)等車載設(shè)備供電。專家表示，以當(dāng)前的技術(shù)水平來(lái)看，氮化鎵用于DC-DC直流轉(zhuǎn)換器這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域有著較為明顯的優(yōu)勢(shì)。

安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示，電動(dòng)汽車對(duì)高效率、高功率密度有著嚴(yán)苛的要求。通過(guò)節(jié)約零組件對(duì)車內(nèi)空間的占用，讓乘坐空間更加舒適。針對(duì)高功率密度、強(qiáng)續(xù)航能力等需求，目前的硅功率半導(dǎo)體材料器件已經(jīng)發(fā)展到瓶頸期。氮化鎵器件的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，在高效率和高功率密度方面更能符合電動(dòng)汽車的需求。

當(dāng)前，頭部廠商對(duì)車規(guī)氮化鎵多處于研發(fā)階段。安世半導(dǎo)體正在研發(fā)用于高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器、OBC等車用氮化鎵產(chǎn)品;意法半導(dǎo)體看好氮化鎵在OBC及48V直流轉(zhuǎn)換器的潛力，并于今年宣布與臺(tái)積電合作，共同推進(jìn)氮化鎵在汽車電氣化領(lǐng)域的應(yīng)用;納微半導(dǎo)體在去年路演中表示，其GaN FET相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)可用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力車的OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，可以降低能量損耗并提升開關(guān)速度，使車輛實(shí)現(xiàn)更快的速度和更長(zhǎng)的里程。

“車規(guī)功率器件的認(rèn)證，從A Sample到B Sample到C Sample，不管是可靠性還是方案的成熟度，都需要一定的驗(yàn)證時(shí)間。目前氮化鎵在車規(guī)領(lǐng)域的應(yīng)用還處于初級(jí)階段，但未來(lái)幾年預(yù)計(jì)會(huì)呈現(xiàn)遞進(jìn)式的增長(zhǎng)?！崩顤|岳說(shuō)。

GaN應(yīng)用多項(xiàng)挑戰(zhàn)待解

雖然氮化鎵在多個(gè)新基建領(lǐng)域具備應(yīng)用前景，但其仍處于發(fā)展初期，在技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品驗(yàn)證、市場(chǎng)滲透等方面，還有待進(jìn)一步催熟和突破。

任勉指出，在5G射頻領(lǐng)域，射頻的技術(shù)壁壘比電力電子高得多。電力電子工藝主要涉及材料、器件設(shè)計(jì)、前道工藝和后道封測(cè)。但射頻器件多了一個(gè)電磁波的技術(shù)維度，涉及射頻電路、射頻功放以及微波電子等，技術(shù)門檻更高。

在車用領(lǐng)域，李東岳表示，主要存在四方面的挑戰(zhàn)：一是車用領(lǐng)域的功率要求波動(dòng)較大，需要在所有工況下，保持器件參數(shù)的長(zhǎng)期穩(wěn)定;二是車規(guī)功率器件長(zhǎng)期處于高振動(dòng)、高濕度、高溫度的工作環(huán)境，要求器件在應(yīng)對(duì)熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力的過(guò)程中有著極高的可靠性;三是車在裝備的過(guò)程中，在體積重量和制造成本上都有嚴(yán)格的要求，功率器件必須契合汽車裝備本身的需要;四是車規(guī)器件需要做到15年到20年的使用壽命，技術(shù)門檻很高。

對(duì)于我國(guó)企業(yè)該如何利用好5G等新基建領(lǐng)域?yàn)榈墡?lái)市場(chǎng)機(jī)遇，集邦咨詢分析師王尊民表示，在5G基站及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等使用場(chǎng)景，相關(guān)技術(shù)仍受國(guó)際大廠控制，因此我國(guó)廠商在其中參與的機(jī)會(huì)比較少。

“目前，我國(guó)廠商若要緊隨新基建的發(fā)展趨勢(shì)，首先要強(qiáng)化自身的制造與技術(shù)研發(fā)能力，例如RF通訊、電力傳輸?shù)闹圃鞂?shí)力，才會(huì)逐步在相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟?！蓖踝鹈裾f(shuō)。

任勉指出，面向5G等領(lǐng)域的需求，我國(guó)氮化鎵相關(guān)企業(yè)要提前三到五年布局，進(jìn)行五年左右的技術(shù)積累和三年左右的產(chǎn)能建設(shè)。

“市場(chǎng)窗口往往稍縱即逝，一旦市場(chǎng)格局成形，企業(yè)再想進(jìn)入并獲得市場(chǎng)主動(dòng)權(quán)，就會(huì)比較困難。要提前準(zhǔn)備技術(shù)、產(chǎn)能、人才，提升布局效率，抓緊時(shí)間切入。”任勉說(shuō)。

第三代半導(dǎo)體氮化鎵+“新基建”=？最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

6月4日，三安光電股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“三安光電”）發(fā)布公告稱，6月3日，公司收到中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“中國(guó)證監(jiān)會(huì)”）出具的《關(guān)于核準(zhǔn)三安光電股份有限公司非公開發(fā)行股票的批復(fù)》（證監(jiān)許可[2020]989號(hào)）文件，核準(zhǔn)公司非公開發(fā)行不超過(guò)400,916,380股新股，發(fā)生轉(zhuǎn)增股本等情形導(dǎo)致總股本發(fā)生變化的，可相應(yīng)調(diào)整本次發(fā)行數(shù)量。

根據(jù)此前的公告，三安光電本次非公開發(fā)行募集資金總額不超過(guò)70億元，因此，公司本次非公開發(fā)行股票的發(fā)行數(shù)量由不超過(guò)398,633,257股（含398,633,257股）調(diào)整為不超過(guò)400,916,380股（含400,916,380股）。

其中，長(zhǎng)沙先導(dǎo)高芯投資合伙企業(yè)（有限合伙）擬認(rèn)購(gòu)金額為50億元，擬認(rèn)購(gòu)股份數(shù)量由284,738,041股調(diào)整為286,368,843股；珠海格力電器股份有限公司擬認(rèn)購(gòu)金額為20億元，擬認(rèn)購(gòu)股份數(shù)量由113,895,216股調(diào)整為114,547,537股。

據(jù)了解，三安光電本次非公開發(fā)行募集資金總額扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額擬投入半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（一期），本次募集資金投資項(xiàng)目計(jì)劃總投資金額約138億元，擬使用募集資金投入金額為70億元。

項(xiàng)目將建設(shè)主要包括三大業(yè)務(wù)板塊及公共配套建設(shè)，三大業(yè)務(wù)板塊分別為：氮化鎵業(yè)務(wù)板塊、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊、特種封裝業(yè)務(wù)板塊。本次募投項(xiàng)目實(shí)施后，將建成包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片；高端砷化鎵LED外延、芯片；大功率氮化鎵激光器；特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用四個(gè)產(chǎn)品方向的研發(fā)、生產(chǎn)基地。

其中，各業(yè)務(wù)板塊具體的產(chǎn)能規(guī)劃如下：

1、氮化鎵業(yè)務(wù)板塊：（1）年產(chǎn)氮化鎵芯片769.20萬(wàn)片，其中：第五代顯示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60萬(wàn)片/年、超高效節(jié)能芯片530.80萬(wàn)片/年、紫外（UV）芯片30.80萬(wàn)片/年、大功率芯片46.00萬(wàn)片/年；（2）PSS襯底年產(chǎn)923.40萬(wàn)片；（3）大功率激光器年產(chǎn)141.80萬(wàn)顆。

2、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊：（1）年產(chǎn)GaAs LED芯片123.20萬(wàn)片，其中：第五代顯示芯片（Mini/Micro LED）17.60萬(wàn)片/年、ITO紅光芯片34.90萬(wàn)片/年、RS紅光芯片19.10萬(wàn)片/年、高功率紅外產(chǎn)品14.20萬(wàn)片/年、植物生長(zhǎng)燈芯片14.40萬(wàn)片/年、大功率戶外亮化芯片7.20萬(wàn)片/年、車用級(jí)芯片7.00萬(wàn)片/年、醫(yī)療健康芯片8.80萬(wàn)片/年；（2）年產(chǎn)太陽(yáng)電池芯片40.50萬(wàn)片，其中：商用衛(wèi)星電池13.50萬(wàn)片/年、臨近空間裝置27.00萬(wàn)片/年。

3、特種封裝業(yè)務(wù)板塊：（1）UV LED封裝81.40kk/年；（2）Mini LED芯片級(jí)封裝8,483.00 kk/年；（3）車用級(jí)LED封裝57.80kk/年；（4）大功率LED封裝63.20kk/年；（5）IR LED封裝39.00kk/年。

三安光電：70億定增新股申請(qǐng)獲證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)批復(fù)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，廣西桂林高新區(qū)管委會(huì)與位于中國(guó)臺(tái)灣的欣憶電子股份有限公司通過(guò)視頻連線召開海峽兩岸項(xiàng)目推進(jìn)會(huì)，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開展“云洽談”。

據(jù)桂林日?qǐng)?bào)報(bào)道，第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目一期總投資16億元，計(jì)劃用地120畝，擬將依托桂林電子科技大學(xué)科研與人才優(yōu)勢(shì)，在桂林國(guó)家高新區(qū)建設(shè)獲利能力較強(qiáng)、國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)影響力較大的氮化鎵集成電路生產(chǎn)線。

當(dāng)前，多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項(xiàng)目落戶桂林，如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺(tái)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目等。

如今，桂林或?qū)⒃儆瓉?lái)一個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。屆時(shí)，桂林將借項(xiàng)目吸引高端技術(shù)人才引進(jìn)，帶動(dòng)更多半導(dǎo)體上、下游及配套產(chǎn)業(yè)集聚，在桂林市乃至廣西打造一個(gè)國(guó)內(nèi)重要的特色集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

桂林日?qǐng)?bào)指出，欣憶電子股份有限公司為臺(tái)商獨(dú)資高新技術(shù)企業(yè)，總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹，主要從事半導(dǎo)體封裝測(cè)試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售,為亞太地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備商三大廠商之一。

總投資16億元的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶廣西桂林最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

4月8日，華為舉行P40系列國(guó)行版線上發(fā)布會(huì)。發(fā)布會(huì)上，除了發(fā)布了P40系列三款新機(jī)等，余承東帶來(lái)了GaN（氮化鎵）雙口超級(jí)快充充電器，最大充電功率為65W，5月下旬開賣，售價(jià)為249元。

據(jù)介紹，這款華為氮化鎵充電器支持Type-A和Type-C雙口充電，能給手機(jī)、平臺(tái)和PC充電，其中USB-C接口支持標(biāo)準(zhǔn)的PD協(xié)議，折疊插腳設(shè)計(jì)，具體細(xì)節(jié)官方尚未公布。

氮化鎵技術(shù)趨于成熟，并且在USB PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)非常普遍，氮化鎵技術(shù)讓充電器的功率越做越大，體積卻越做越小，保證了產(chǎn)品的便攜性。

氮化鎵（GaN）接連被手機(jī)廠商們“翻牌”

2019年10月，OPPO Reno Ace正式發(fā)布，標(biāo)配65W超級(jí)閃充GaN充電器，這宣告了氮化鎵技術(shù)正式進(jìn)入手機(jī)原裝充電器市場(chǎng)。OPPO因此成為了全球首家在手機(jī)充電器中導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的廠商。

2020年2月，小米新品發(fā)布會(huì)上推出明星產(chǎn)品65W GaN充電器，引爆市場(chǎng)對(duì)GaN的關(guān)注。

2020年3月，市場(chǎng)有消息爆料魅族也將入局氮化鎵（GaN）充電器領(lǐng)域，隨17 5G旗艦發(fā)布一款GaN氮化鎵充電器。

另外化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)注意到，有外媒報(bào)道蘋果在今年的新品發(fā)布會(huì)中，除了推出新款的iPhone外，還將可能推出一款GaN充電器，同樣最高支持65W的充電速率。

而最早發(fā)布GaN充電器廠商是Anker，2018年10月，Anker發(fā)布了全球首款USB PD GaN充電器PowerPort Atom PD1，據(jù)稱，該產(chǎn)品和蘋果5W充電器差不多的體積卻能輸出高達(dá)27W的功率。后來(lái)，不少終端廠商盯上了GaN充電器，包括Baseus、RAVPower、UIBI、ZMI等品牌廠商均發(fā)布了氮化鎵快充產(chǎn)品，有些品牌甚至發(fā)布了多款，更新迭代非常迅速。

據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，在今年CES2020上，包括Anker在內(nèi)的30家廠商推出了66款氮化鎵快充產(chǎn)品。值得注意的是，較于往年，本次CES展會(huì)的氮化鎵快充充電器工廠數(shù)量增加了不少，這也從側(cè)面反映出，氮化鎵快充技術(shù)走向成熟，被廣大廠商認(rèn)可。

2025年全球GaN快充市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)600多億元

有數(shù)據(jù)顯示，GaN射頻市場(chǎng)將從2018年的6.45億美元增長(zhǎng)到2024年約20億美元，年均復(fù)合增速達(dá)21%；主要受益于電信基礎(chǔ)設(shè)施5G宏基站建設(shè)、國(guó)防、快充、汽車電子、消費(fèi)電子等應(yīng)用推動(dòng)。

雖然氮化鎵增長(zhǎng)最快的要數(shù)快充市場(chǎng)，但是，目前中國(guó)氮化鎵功率應(yīng)用市場(chǎng)還處于起步階段，市場(chǎng)對(duì)于氮化鎵的認(rèn)識(shí)還不夠，并且氮化鎵自身的成本還太高。隨著硅基氮化鎵成本的降低以及可靠性的大幅提高，采用氮化鎵材料的快充充電器或?qū)⒊蔀樾袠I(yè)的主流。

據(jù)中信證券的研報(bào)表示，GaN材料具備高功率、高頻率、高導(dǎo)熱等優(yōu)勢(shì)，所做充電芯片實(shí)現(xiàn)了輸出大功率的同時(shí)保持充電器體積可控。目前國(guó)內(nèi)已有多家廠商布局GaN快充，預(yù)計(jì)隨著用戶對(duì)便攜性的需求提高，2025年全球GaN快充市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到600多億元，同時(shí)加速GaN芯片在其他新興領(lǐng)域?qū)i基產(chǎn)品的替代。

而此番華為推出氮化鎵充電器，有望進(jìn)一步激發(fā)市場(chǎng)需求。未來(lái)如果蘋果也采用該項(xiàng)技術(shù)，氮化鎵充電器的滲透率將會(huì)加速上升。

華為強(qiáng)勢(shì)入局！氮化鎵快充市場(chǎng)再添新軍最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

4月8日，華為舉行P40系列國(guó)行版線上發(fā)布會(huì)。發(fā)布會(huì)上，除了發(fā)布了P40系列三款新機(jī)等，余承東帶來(lái)了GaN（氮化鎵）雙口超級(jí)快充充電器，最大充電功率為65W，5月下旬開賣，售價(jià)為249元。

據(jù)介紹，這款華為氮化鎵充電器支持Type-A和Type-C雙口充電，能給手機(jī)、平臺(tái)和PC充電，其中USB-C接口支持標(biāo)準(zhǔn)的PD協(xié)議，折疊插腳設(shè)計(jì)，具體細(xì)節(jié)官方尚未公布。

氮化鎵技術(shù)趨于成熟，并且在USB PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)非常普遍，氮化鎵技術(shù)讓充電器的功率越做越大，體積卻越做越小，保證了產(chǎn)品的便攜性。

氮化鎵（GaN）接連被手機(jī)廠商們“翻牌”

2019年10月，OPPO Reno Ace正式發(fā)布，標(biāo)配65W超級(jí)閃充GaN充電器，這宣告了氮化鎵技術(shù)正式進(jìn)入手機(jī)原裝充電器市場(chǎng)。OPPO因此成為了全球首家在手機(jī)充電器中導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的廠商。

2020年2月，小米新品發(fā)布會(huì)上推出明星產(chǎn)品65W GaN充電器，引爆市場(chǎng)對(duì)GaN的關(guān)注。

2020年3月，市場(chǎng)有消息爆料魅族也將入局氮化鎵（GaN）充電器領(lǐng)域，隨17 5G旗艦發(fā)布一款GaN氮化鎵充電器。

另外化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)注意到，有外媒報(bào)道蘋果在今年的新品發(fā)布會(huì)中，除了推出新款的iPhone外，還將可能推出一款GaN充電器，同樣最高支持65W的充電速率。

而最早發(fā)布GaN充電器廠商是Anker，2018年10月，Anker發(fā)布了全球首款USB PD GaN充電器PowerPort Atom PD1，據(jù)稱，該產(chǎn)品和蘋果5W充電器差不多的體積卻能輸出高達(dá)27W的功率。后來(lái)，不少終端廠商盯上了GaN充電器，包括Baseus、RAVPower、UIBI、ZMI等品牌廠商均發(fā)布了氮化鎵快充產(chǎn)品，有些品牌甚至發(fā)布了多款，更新迭代非常迅速。

據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，在今年CES2020上，包括Anker在內(nèi)的30家廠商推出了66款氮化鎵快充產(chǎn)品。值得注意的是，較于往年，本次CES展會(huì)的氮化鎵快充充電器工廠數(shù)量增加了不少，這也從側(cè)面反映出，氮化鎵快充技術(shù)走向成熟，被廣大廠商認(rèn)可。

2025年全球GaN快充市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)600多億元

有數(shù)據(jù)顯示，GaN射頻市場(chǎng)將從2018年的6.45億美元增長(zhǎng)到2024年約20億美元，年均復(fù)合增速達(dá)21%；主要受益于電信基礎(chǔ)設(shè)施5G宏基站建設(shè)、國(guó)防、快充、汽車電子、消費(fèi)電子等應(yīng)用推動(dòng)。

雖然氮化鎵增長(zhǎng)最快的要數(shù)快充市場(chǎng)，但是，目前中國(guó)氮化鎵功率應(yīng)用市場(chǎng)還處于起步階段，市場(chǎng)對(duì)于氮化鎵的認(rèn)識(shí)還不夠，并且氮化鎵自身的成本還太高。隨著硅基氮化鎵成本的降低以及可靠性的大幅提高，采用氮化鎵材料的快充充電器或?qū)⒊蔀樾袠I(yè)的主流。

據(jù)中信證券的研報(bào)表示，GaN材料具備高功率、高頻率、高導(dǎo)熱等優(yōu)勢(shì)，所做充電芯片實(shí)現(xiàn)了輸出大功率的同時(shí)保持充電器體積可控。目前國(guó)內(nèi)已有多家廠商布局GaN快充，預(yù)計(jì)隨著用戶對(duì)便攜性的需求提高，2025年全球GaN快充市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到600多億元，同時(shí)加速GaN芯片在其他新興領(lǐng)域?qū)i基產(chǎn)品的替代。

而此番華為推出氮化鎵充電器，有望進(jìn)一步激發(fā)市場(chǎng)需求。未來(lái)如果蘋果也采用該項(xiàng)技術(shù)，氮化鎵充電器的滲透率將會(huì)加速上升。

華為強(qiáng)勢(shì)入局！氮化鎵快充市場(chǎng)再添新軍最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

在1月17日至2月27日這一個(gè)多月的時(shí)間里，湖北小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)(有限合伙) （下稱“小米產(chǎn)業(yè)基金”）投資（包括股權(quán)融資和戰(zhàn)略融資）了八家半導(dǎo)體公司。自成立手機(jī)處理器研發(fā)公司至今的第五個(gè)年頭，小米在半導(dǎo)體的投資策略反而更加激進(jìn)，折射出哪些發(fā)展重點(diǎn)？

加碼半導(dǎo)體投資

小米產(chǎn)業(yè)基金由小米科技、湖北省長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金合伙企業(yè)于2017年發(fā)起設(shè)立，目標(biāo)規(guī)模120億元，用于支持小米及小米生態(tài)鏈企業(yè)的業(yè)務(wù)拓展。2月20日，小米創(chuàng)始人雷軍稱小米產(chǎn)業(yè)基金支持“硬核科技”，將智能制造、工業(yè)機(jī)器人、先進(jìn)裝備和半導(dǎo)體作為關(guān)注重點(diǎn)。

今年1月，小米產(chǎn)業(yè)基金入股了四家半導(dǎo)體相關(guān)公司，涉及材料、IC設(shè)計(jì)、IC制造等領(lǐng)域。1月17日，小米投資了模擬IC供應(yīng)商帝奧微電子，小米產(chǎn)業(yè)基金成為新增股東。1月21日，小米產(chǎn)業(yè)基金入股射頻芯片開發(fā)商芯百特微電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司峰岹科技，以及石墨烯應(yīng)用開發(fā)商墨?？萍?。

2月下旬，小米產(chǎn)業(yè)基金又投資了四家半導(dǎo)體相關(guān)公司。先于2月20日領(lǐng)投Wi-Fi6芯片設(shè)計(jì)公司速通半導(dǎo)體的A輪融資；又于2月24日投資并入股翱捷科技，該公司生產(chǎn)終端、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的電子芯片，第一大股東為阿里巴巴；同樣在24日，小米產(chǎn)業(yè)基金投資了射頻前端芯片及SoC供應(yīng)商昂瑞微電子，并于2月27日投資MCU開發(fā)商靈動(dòng)微電子。??

折射哪些發(fā)展重點(diǎn)

小米產(chǎn)業(yè)基金所投企業(yè)的主營(yíng)業(yè)務(wù)中，石墨烯、WiFi6不僅是小米近期產(chǎn)品發(fā)布的熱點(diǎn)，也是手機(jī)頭部廠商的關(guān)注重點(diǎn)。而射頻、MCU等則完善了小米的AIoT布局。

耐高溫、導(dǎo)熱性強(qiáng)的石墨烯，已經(jīng)引起小米、華為、三星等手機(jī)廠商的關(guān)注。小米10的散熱系統(tǒng)采用液冷、石墨烯、石墨等設(shè)計(jì)，利用石墨烯覆蓋處理器等核心器件。此前華為中央研究院瓦特實(shí)驗(yàn)室曾推出業(yè)界首個(gè)高溫長(zhǎng)壽命石墨烯助力的鋰離子電池。三星也研發(fā)出融合石墨烯材料的鋰電池，在60°高溫下仍可穩(wěn)定運(yùn)行。在宣布投資墨?？萍贾螅∶桩a(chǎn)業(yè)投資部合伙人孫昌旭表示，化學(xué)法生產(chǎn)的石墨烯應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊，除了新一代的純石墨烯散熱外，還是新一代半導(dǎo)體、電池及醫(yī)用材料。

作為5G時(shí)代的另一大無(wú)線通信機(jī)制，WiFi6以其9.6Gbps的最大吞吐能力得到終端及芯片廠商的重視。小米近期推出了首款WiFi6路由器，搭載高通6核企業(yè)級(jí)專業(yè)芯片，新機(jī)小米10、小米10 Pro均支持WiFi6。此前，高通推出了首款支持WiFi6和藍(lán)牙5.1的QCA6390芯片，三星、蘋果也推出了支持WiFi6的手機(jī)。IDC中國(guó)企業(yè)級(jí)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品研究部分析師郭越表示，WiFi6正處于導(dǎo)入期與高速增長(zhǎng)期，將在2020年進(jìn)入增長(zhǎng)元年。據(jù)悉，速通半導(dǎo)體將利用小米產(chǎn)業(yè)基金領(lǐng)投的A輪融資，進(jìn)一步投入研發(fā)和量產(chǎn)基于WiFi6的SoC產(chǎn)品。

對(duì)于翱捷、芯百特、昂瑞微電子、靈動(dòng)微電子的投融資，則是小米對(duì)5G時(shí)代AIoT布局的進(jìn)一步完善。雷軍在2019年表示，小米將于未來(lái)5年在AIoT領(lǐng)域持續(xù)投入超過(guò)100億元。

綜合來(lái)看，小米的投資入股具有完善產(chǎn)品線布局、追求財(cái)務(wù)回報(bào)、跟隨產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)等考量。

在產(chǎn)業(yè)布局方面，行業(yè)分析師陳躍楠向記者表示，射頻、數(shù)據(jù)通信芯片是未來(lái)5G、6G的主要芯片產(chǎn)品之一，WiFi6、模擬IC、石墨烯、MCU會(huì)在智能家居、智能駕駛等領(lǐng)域發(fā)揮作用，與小米的手機(jī)、AIoT等主要賽道十分契合。小米的一系列投資動(dòng)作有助于豐富產(chǎn)品體系，提升話語(yǔ)權(quán)和議價(jià)能力，完善對(duì)已有和即將進(jìn)入領(lǐng)域的布局。

在財(cái)務(wù)方面，Garner研究副總裁盛陵海向記者指出，小米的投資與財(cái)務(wù)回報(bào)及產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)息息相關(guān)。一方面小米的投資緊跟產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，另一方面對(duì)于產(chǎn)品發(fā)展方向較為明確的企業(yè)，在市場(chǎng)對(duì)于半導(dǎo)體十分關(guān)注的情況下，會(huì)給公司帶來(lái)更好的財(cái)務(wù)回報(bào)。

卡位AIoT 布局前沿

與華為、三星、蘋果等注重處理器自研的手機(jī)廠商一樣，小米也在手機(jī)處理器自研早有布局，并根據(jù)企業(yè)戰(zhàn)略的變化，發(fā)展出AIoT芯片研發(fā)的茁壯“分支”。

2019年之前，小米自研的重點(diǎn)是手機(jī)核心處理器，與小米將手機(jī)作為業(yè)務(wù)核心的策略一致。2014年，小米成立芯片公司松果電子，并于2017年發(fā)布澎湃S1芯片，首發(fā)機(jī)型為小米5C。2018年，赫星科技發(fā)布了搭載澎湃SoC芯片的Herelink數(shù)圖傳遙控一體機(jī)。松果電子表示，澎湃SoC芯片已應(yīng)用于百萬(wàn)級(jí)手機(jī)產(chǎn)品。

隨著小米創(chuàng)始人雷軍宣布將 “手機(jī)+AIoT”雙引擎作為小米的核心戰(zhàn)略，小米的半導(dǎo)體自研業(yè)務(wù)也隨之重組。2019年4月，小米將松果電子部分團(tuán)隊(duì)分拆組建為新公司南京大魚半導(dǎo)體，松果電子繼續(xù)聚焦智能手機(jī)SoC的開發(fā)，大魚則專注于AI和IoT芯片與解決方案。同年5月，大魚半導(dǎo)體攜手阿里巴巴平頭哥推出全球首顆內(nèi)置 GPS /北斗的NB-IoT雙模芯片大魚U1，面向智慧城市、智能建筑等物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。同年11月，小米發(fā)布2019年第三季度財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)顯示小米智能手機(jī)收入達(dá)322.68億元，同比減少7.8%。與此同時(shí)，IoT和生活服務(wù)產(chǎn)品收入同比增長(zhǎng)44%，達(dá)到156.06億美元，達(dá)到了智能手機(jī)收入的48%。也是在這個(gè)月，大魚半導(dǎo)體完成了A輪融資。

小米在半導(dǎo)體的投資版圖，也突出了AIoT布局。除了今年在AIoT相關(guān)的芯片、射頻領(lǐng)域的投資，2019年小米還入股了為移動(dòng)互聯(lián)設(shè)備、IoT、數(shù)據(jù)中心等提供SoC、SiP及IP服務(wù)的芯原微電子，無(wú)線音頻系統(tǒng)級(jí)芯片提供商恒玄科技，并投資了為物聯(lián)網(wǎng)智能硬件提供核心芯片的安凱微電子。

值得一提的是，小米也對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的新架構(gòu)、新材料也有所著墨。松果電子曾于2018年宣布攜手阿里巴巴旗下中天微，聯(lián)合推動(dòng)RISC-V CPU的商用進(jìn)程。2019年，小米生態(tài)鏈企業(yè)華米科技推出首款基于RISC-V開源指令集的智能可穿戴芯片——“黃山1號(hào)”，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)“黃山2號(hào)”。在新材料方面，小米也投資了第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵相關(guān)企業(yè)，并推出了氮化鎵充電器。為小米氮化鎵充電器提供功率IC的納微半導(dǎo)體表示，小米早前已通過(guò)資金注入，確立產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，兼顧投資和業(yè)務(wù)的雙重收益，幫助納微半導(dǎo)體拓寬銷售渠道。盛陵海向記者表示，小米對(duì)于前沿領(lǐng)域的布局，將有利于打造產(chǎn)品賣點(diǎn)并提升差異化程度。

小米連投八家半導(dǎo)體公司 折射出哪些發(fā)展重點(diǎn)？最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導(dǎo)體材料越來(lái)越受到市場(chǎng)重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購(gòu)法國(guó)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購(gòu)協(xié)議。

據(jù)意法半導(dǎo)體介紹，Exagan成立于2014年，總部位于法國(guó)格勒諾布爾。該公司致力于推進(jìn)電力電子行業(yè)從硅基技術(shù)向GaN-on-silicon技術(shù)轉(zhuǎn)變，研發(fā)體積更小、能效更高的功率轉(zhuǎn)換器。Exagan的GaN功率開關(guān)是為標(biāo)準(zhǔn)200毫米晶圓設(shè)計(jì)。

雙方的交易條款沒有對(duì)外公布，等法國(guó)政府按照慣例成交法規(guī)批準(zhǔn)后即可完成交易。據(jù)披露，現(xiàn)已簽署的并購(gòu)協(xié)議還規(guī)定，在多數(shù)股權(quán)收購(gòu)交易完成24個(gè)月后，意法半導(dǎo)體有權(quán)收購(gòu)剩余的Exagan少數(shù)股權(quán)。本交易將采用可用現(xiàn)金支付。

意法半導(dǎo)體表示，Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)將拓寬并推進(jìn)意法半導(dǎo)體的汽車、工業(yè)和消費(fèi)用功率GaN的開發(fā)規(guī)劃和業(yè)務(wù)。Exagan將繼續(xù)執(zhí)行現(xiàn)有產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃，意法半導(dǎo)體將為其部署產(chǎn)品提供支持。

意法半導(dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery稱，收購(gòu)Exagan的多數(shù)股權(quán)是對(duì)意法半導(dǎo)體目前與CEA-Leti在法國(guó)圖爾的開發(fā)項(xiàng)目以及最近宣布的與臺(tái)積電的合作項(xiàng)目的補(bǔ)充。

據(jù)了解，2018年意法半導(dǎo)體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術(shù)。前不久，意法半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電攜手合作加速氮化鎵（GaN）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導(dǎo)入市場(chǎng)。

意法半導(dǎo)體汽車產(chǎn)品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出，意法半導(dǎo)體在氮化鎵制程技術(shù)的加速開發(fā)與交付看到了龐大的商機(jī)，將功率氮化鎵及氮化鎵集成電路產(chǎn)品導(dǎo)入市場(chǎng)。

加速布局氮化鎵 意法半導(dǎo)體收購(gòu)Exagan多數(shù)股權(quán)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

嘉興南湖區(qū)政府網(wǎng)信息顯示，3月3日南湖區(qū)舉行一季度重大項(xiàng)目集中開竣工活動(dòng)，參加本次集中開竣工活動(dòng)的項(xiàng)目共54個(gè)，總投資達(dá)219.96億元?；顒?dòng)主會(huì)場(chǎng)開工儀式設(shè)在嘉興科技城的浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)。

活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)，博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目舉行開工儀式，該項(xiàng)目是中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料示范項(xiàng)目，也是嘉興南湖微電子產(chǎn)業(yè)平臺(tái)2020年引進(jìn)的標(biāo)志性項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資25億元，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司將引進(jìn)6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線設(shè)備，項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收6600萬(wàn)元以上。

據(jù)報(bào)道，該項(xiàng)目將分兩期實(shí)施，其中一期建筑面積5萬(wàn)平方米，建設(shè)6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能為1000片氮化鎵射頻晶圓；二期建筑面積3.9萬(wàn)平方米，建設(shè)6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線和外延片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能為3000片氮化鎵射頻晶圓、月產(chǎn)能20000片氮化鎵功率晶圓。

浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司董事長(zhǎng)張博表示，該項(xiàng)目預(yù)期在明年二季度就能達(dá)成試產(chǎn)，明年可以批量生產(chǎn)。

總投資25億元 博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目開工最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會(huì)副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負(fù)責(zé)人出席簽約儀式。

該項(xiàng)目將新建大型規(guī)模化的GaN射頻器件與功率器件生產(chǎn)基地，總投資25億元，占地110畝。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收7000萬(wàn)元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運(yùn)用于5G通訊基站、智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、軍工航天、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備、智能電網(wǎng)及太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。

該項(xiàng)目的引進(jìn)是嘉興科技城深入實(shí)施全面融入長(zhǎng)三角一體化發(fā)展首位戰(zhàn)略的成果之一，將進(jìn)一步推動(dòng)南湖區(qū)集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，加速區(qū)塊鏈產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成長(zhǎng)。

憑借在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的投資布局、頂級(jí)的專家團(tuán)隊(duì)以及廣大的市場(chǎng)應(yīng)用，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司通過(guò)打造射頻功率（RF Power）及功率器件（Power IC）的業(yè)務(wù)板塊，實(shí)現(xiàn)了初具生態(tài)鏈格局、互為契合應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)版圖，建立起擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)并在全球范圍內(nèi)具有代表性的化合物半導(dǎo)體材料制造產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，使之成為具有世界影響力的中國(guó)第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)示范標(biāo)桿。

總投資25億元的集成電路制造項(xiàng)目簽約落戶浙江嘉興最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

耐威科技正在進(jìn)一步布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱，其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議，擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目。

投建氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目

公告顯示，耐威科技與與青島西海岸新區(qū)管委簽署《合作框架協(xié)議》，雙方根據(jù)國(guó)家有關(guān)法律法規(guī)及青島西海岸新區(qū)發(fā)展規(guī)劃，本著共同發(fā)展、互利共贏的原則，經(jīng)友好協(xié)商，就耐威科技擬在新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目初步達(dá)成意向。

該項(xiàng)目擬建設(shè)一條6英寸氮化鎵微波器件生產(chǎn)線和一條 8英寸氮化鎵功率器件生產(chǎn)線；項(xiàng)目總建筑面積約20.40萬(wàn)平米，其中廠房與辦公建筑面積約18.00萬(wàn)平米，宿舍面積約2.40萬(wàn)平米。項(xiàng)目建成后，將有助于青島形成氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)材料全產(chǎn)業(yè)鏈基地及產(chǎn)業(yè)集群。

此次簽訂的協(xié)議不涉及具體金額，至于項(xiàng)目資金，公告表示項(xiàng)目一期投資由耐威科技聯(lián)合有關(guān)產(chǎn)業(yè)投資基金共同出資不少于50%；其余資金由青島西海岸新區(qū)管委協(xié)調(diào)安排相關(guān)國(guó)有企業(yè)以土地廠房出資或直接投資方式解決，具體合作方式耐威科技與相關(guān)國(guó)有企業(yè)另行約定。

據(jù)介紹，青島西海岸新區(qū)管委為青島西海岸新區(qū)的行政主管單位，青島西海岸新區(qū)是國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)的第9個(gè)國(guó)家級(jí)新區(qū)，處于山東半島藍(lán)色經(jīng)濟(jì)區(qū)和環(huán)渤海經(jīng)濟(jì)圈內(nèi)，具有輻射內(nèi)陸、聯(lián)通南北、面向太平洋的戰(zhàn)略區(qū)位優(yōu)勢(shì)。

公告指出，本協(xié)議是雙方合作的框架協(xié)議，自協(xié)議簽署之日起有效期三個(gè)月，具體合作模式及內(nèi)容以雙方另行簽署的合同約定為準(zhǔn)。

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈布局

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一。與第一、二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子 速率等優(yōu)點(diǎn)，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

由于性能優(yōu)越等原因，許多發(fā)達(dá)國(guó)家將第三代半導(dǎo)體材料列入國(guó)家計(jì)劃，搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。近年來(lái)，我國(guó)多地及不少企業(yè)正在加速布局，耐威科技也于去年正式涉足第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。

2018年7月，耐威科技在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立“青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)；2018 年6月，耐威科技在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立“聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司”（以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”），主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)。

目前，耐威科技在第三代半導(dǎo)體的布局已有階段性成果。2018年12月，耐威科技公告宣布，聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”；今年9月，聚能晶源宣布其第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目（一期）正式投產(chǎn)。

這次擬在青島西海岸新區(qū)再投建氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目，耐威科技表示，若項(xiàng)目順利建成，將有利于公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，盡快拓展相關(guān)材料與器件在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、新型電源等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。

11月27日，集邦咨詢旗下DRAMeXchange將在深圳主辦“2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)”。

加碼布局第三代半導(dǎo)體 耐威科技擬投建氮化鎵晶圓制造項(xiàng)目最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。