2月28日，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。

中國電科黨組書記、董事長熊群力指出，中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。

中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目包括“一個(gè)中心、三個(gè)基地”。“一個(gè)中心”即中國電科(山西)三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、“三個(gè)基地”即中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科（山西）電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科（山西）能源產(chǎn)業(yè)基地。

項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值100億元。通過吸引上游企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)聚集效應(yīng)，打造電子裝備制造、三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，建成國內(nèi)最大的碳化硅材料供應(yīng)基地，積極推動山西經(jīng)濟(jì)的轉(zhuǎn)型升級。

其中，本次投產(chǎn)的中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地將建成國內(nèi)最大的碳化硅（SiC）材料供應(yīng)基地。中國電科（山西）碳化硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目于2019年4月1日開工建設(shè)，同年9月26日封頂。

據(jù)此前山西綜改示范區(qū)消息，一期項(xiàng)目建筑面積2.7萬平方米，能容納600臺碳化硅單晶生產(chǎn)爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產(chǎn)能，將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面，實(shí)現(xiàn)完全自主可供。項(xiàng)目投產(chǎn)后將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產(chǎn)企業(yè)，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值10億元。

中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地順利投產(chǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

化合物半導(dǎo)體制造代工大廠環(huán)宇光電，于2019年12月9日召開董事會。會中決議考量于現(xiàn)行國際貿(mào)易情勢變化起伏，以及嘗試滿足中國大陸生產(chǎn)需求目標(biāo)，因此決定撤銷與廈門三安集成（三安光電子公司）之合資案，進(jìn)而轉(zhuǎn)向與常州晶品光電（晶元電子子公司）共同成立新晶宇光電；該廠商目標(biāo)將鎖定無線射頻及光電元件，并以6英寸化合物半導(dǎo)體晶圓為主要代工業(yè)務(wù)。

三安光電轉(zhuǎn)型于化合物半導(dǎo)體應(yīng)用仍不夠快速，環(huán)宇董事會決議撤銷合資案

LED大廠龍頭三安光電，由于受到相關(guān)LED廠商搶市的競爭壓力，使得整體營收持續(xù)下探。由圖可知，三安光電自2018年開始，營收表現(xiàn)已呈現(xiàn)持續(xù)下滑態(tài)勢，甚至2019年第二季已達(dá)到整體營收低點(diǎn)（年減26%），這點(diǎn)對于全體投資人及合資廠商而言是一個(gè)壞消息。

▲2017年第一季~2019年第三季三安光電營收表現(xiàn)。（Source：三安光電；拓墣產(chǎn)業(yè)研究院整理，2019/12）

或許環(huán)宇光電已觀察到傳統(tǒng)中、低端LED市場漸入市場成熟衰退期，因而于2019年12月董事會決議撤銷先前與三安光電的合資案（廈門三安環(huán)宇集成），進(jìn)而與晶電（晶元電子）子公司晶品光電共同合資成立新公司。此結(jié)果似乎也反應(yīng)三安光電近期試圖由LED制造商逐步轉(zhuǎn)型成為第三代半導(dǎo)體元件廠之行動，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型速度對應(yīng)于市場需求面，仍舊顯得不夠快速。

晶元電子積極投入于化合物半導(dǎo)體元件應(yīng)用市場，成功吸引環(huán)宇進(jìn)行合作

晶電早期與三安光電同屬于LED制造大廠，但晶電已于2010年陸續(xù)投身于中、高端LED照明產(chǎn)品開發(fā)，試圖拉開與其他低端LED廠商削價(jià)競爭的商業(yè)模式；且該廠商也嘗試積極布局化合物半導(dǎo)體應(yīng)用，于2018年10月成立子公司晶成半導(dǎo)體，目標(biāo)以研發(fā)磊晶及制造相關(guān)事業(yè)為主（如VCSEL、射頻元件等）。

相對而言，晶電于化合物半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域中，除了主動走向中、高端LED商品化，更積極投身于3D感測與通訊事業(yè)中，所以面對LED市場的白熱化，晶電仍然可保有一定市占比，并且透過踴躍參與化合物半導(dǎo)體等相關(guān)的研發(fā)工作，藉此吸引如環(huán)宇光電共同成立新公司（新晶宇），鎖定生產(chǎn)光電及無線射頻元件等應(yīng)用領(lǐng)域。

環(huán)宇決議與三安分手，另與晶電一同開發(fā)射頻及光電元件最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

功率半導(dǎo)體晶圓制造代工大廠漢磊，公布2019年第三季營收情形，由于2019年前3季市場遭遇去庫存及市況不佳等因素影響，第三季營收為1.24億美元，年減21.2%。

面對大環(huán)境不佳挑戰(zhàn)，漢磊總經(jīng)理莊淵棋表示：「2019年第三季開始，營收表現(xiàn)將谷底反彈，并且隨著功率半導(dǎo)體需求逐季回穩(wěn)；預(yù)計(jì)到2020年第二季，整體產(chǎn)能利用率有機(jī)會回升至9成?！?/p>

現(xiàn)行功率元件由于成本考量，主要以Si與SiC晶圓并搭配磊晶技術(shù)為主流

由于功率半導(dǎo)體所需的操作電壓較大，傳統(tǒng)Si元件因本身材料特性，崩潰電壓值(Breakdown Voltage)難以承受數(shù)百伏特以上，因而元件材料逐漸改由第三代半導(dǎo)體之寬能隙材料(SiC與GaN)取代。

另一方面，由于晶圓(Substrate)成本與制程條件等考量，Si晶圓無論在尺寸、價(jià)格上仍較SiC與GaN晶圓大且便宜許多，所以為求有效降低晶圓成本，磊晶生成技術(shù)此時(shí)就變得格外重要。

目前制造功率半導(dǎo)體的主流晶圓，依然以尺寸較大、價(jià)格平價(jià)的Si晶圓為大宗；而可承受高電壓但尺寸稍小、價(jià)格稍貴的SiC晶圓則為次要。

選定晶圓材料(Si或SiC)后，即可透過MOCVD或MBE機(jī)臺，成長元件所需之SiC或GaN磊晶結(jié)構(gòu)；隨后再進(jìn)行相關(guān)半導(dǎo)體前段制程(薄膜、顯影及蝕刻)步驟，最終完成1顆功率元件。

全球資料中心與5G基地臺建置需求，引領(lǐng)功率IDM廠與代工廠營收動能

根據(jù)現(xiàn)行功率半導(dǎo)體發(fā)展情形，目前主要以GaN(氮化鎵)及SiC(碳化硅)等第三代半導(dǎo)體材料為主。

其中，國際IDM大廠如英飛凌Infineon、科銳Cree、II-V等投入動作最積極，且相關(guān)廠商正試圖搶占全球?qū)捘芟恫牧侠诰膳c晶圓代工等市場。

近期搭上Server資料中心與5G基地臺設(shè)備建置需求，預(yù)估到2019年第四季，國際IDM大廠于功率半導(dǎo)體與電源管理芯片等訂單需求將逐步提升，因而帶動底下制造代工廠商相關(guān)產(chǎn)能跟著擴(kuò)張。

跟隨此發(fā)展趨勢，漢磊為第三代半導(dǎo)體中的制造代工大廠，雖然2019年前3季營收市場狀況表現(xiàn)略有不佳，但隨著近期IDM大廠的逐步轉(zhuǎn)單挹注下，將驅(qū)使提升整體產(chǎn)能利用率，對于后續(xù)經(jīng)營發(fā)展上將有一定程度上的助益。

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資料中心與5G建置需求高漲，功率半導(dǎo)體市場將逐步回穩(wěn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，寧波杭州灣新區(qū)與中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司全資子公司——華大半導(dǎo)體有限公司完成寬禁帶半導(dǎo)體材料項(xiàng)目簽約，為“名城名灣”建設(shè)再添“芯”動能。

據(jù)寧波杭州灣新區(qū)發(fā)布指出，該項(xiàng)目系浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資10.5億元，計(jì)劃年產(chǎn)8萬片4-6吋碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

華大寬禁帶半導(dǎo)體材料項(xiàng)目專注半導(dǎo)體制造過程的前端工序——半導(dǎo)體材料，而且還是屬于時(shí)下發(fā)展大熱門的第三代半導(dǎo)體材料。

第三代半導(dǎo)體材料即以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，已成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和競爭焦點(diǎn)。碳化硅更被列入“中國制造2025”規(guī)劃，是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。

可以說，新時(shí)期集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展背景下，該項(xiàng)目的簽約對新區(qū)搶占下一代信息技術(shù)制高點(diǎn)具有較大發(fā)展意義。寬禁帶半導(dǎo)體材料項(xiàng)目的“落子”，蘊(yùn)含著新區(qū)完善集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈，搶抓半導(dǎo)體材料技術(shù)迭代發(fā)展機(jī)遇的決心。

總投資10.5億元 浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目落戶寧波最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近幾年，國內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來哪些影響？國內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問題？需要采取什么措施？

產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼

以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體，憑借其高效率、高密度、高可靠性等優(yōu)勢，在新能源汽車、通信以及家用電器等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的新焦點(diǎn)。

業(yè)內(nèi)人士朱邵歆在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，在5G通信、新能源汽車、光伏逆變器等應(yīng)用需求的明確牽引下，目前，應(yīng)用領(lǐng)域的頭部企業(yè)已開始使用第三代半導(dǎo)體技術(shù)，也進(jìn)一步提振了行業(yè)信心和堅(jiān)定對第三代半導(dǎo)體技術(shù)路線的投資。

蘇州納維科技有限公司董事長徐科分析了第三代半導(dǎo)體現(xiàn)在發(fā)展如火如荼的原因有三：其一，從技術(shù)本身來看，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的重要性不言而喻，它推動著社會從信息社會向智能社會發(fā)展，已經(jīng)深入到各個(gè)領(lǐng)域，從國防、航天，到節(jié)能、醫(yī)療，再到新能源汽車、手機(jī)充電器，與我們每個(gè)人的生活息息相關(guān)、密不可分。這樣的一種技術(shù)，必然會吸引社會資本的注入。

其二，從國際范圍看，在經(jīng)歷人類歷史上幾次重大的技術(shù)變革后，發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)漸成趨勢。因?yàn)樗谇娜桓淖兪澜缃?jīng)濟(jì)格局，國家要安定、人民要富足，先進(jìn)技術(shù)帶動經(jīng)濟(jì)發(fā)展是不變的道理。所以，無論是西方發(fā)達(dá)國家，還是亞洲發(fā)展中國家，都在從不同層面推進(jìn)全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

其三，從國內(nèi)層面看，一方面，經(jīng)濟(jì)發(fā)展轉(zhuǎn)向?qū)嶓w經(jīng)濟(jì)；另一方面，是中央和地方政策聯(lián)動導(dǎo)向，鼎力推進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，這種拋磚引玉的做法也會帶動社會資本的注入。

分析師呂芃浩認(rèn)為，在摩爾定律已接近物理極限的情況下，以新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件為特點(diǎn)的超越摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了新的發(fā)展方向，因此，第三代半導(dǎo)體成為各國在集成電路領(lǐng)域競相追逐的戰(zhàn)略制高點(diǎn)，它對產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生巨大影響。

目前，我國第三代半導(dǎo)體投資增加，產(chǎn)業(yè)鏈也在逐步完善。同時(shí)，我國是世界上最大的半導(dǎo)體市場，這為我國企業(yè)發(fā)展第三代半導(dǎo)體創(chuàng)造了近水樓臺的機(jī)會。通過資源聚集，突破從第三代半導(dǎo)體研發(fā)、工程化到應(yīng)用的創(chuàng)新鏈條與價(jià)值鏈條，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更多活力。

記者注意到，近日在首屆中國淄博“芯材料、芯技術(shù)、芯動能”高峰論壇上傳出消息，山東淄博市臨淄區(qū)將建設(shè)國內(nèi)首個(gè)以第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)及生產(chǎn)，磁功能材料、芯片及智能制造核心部件生產(chǎn)為主體的集成電路材料產(chǎn)業(yè)基地。不久前，在北京順義舉辦的“第八屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽智慧能源與智慧交通行業(yè)決賽”上，順義區(qū)負(fù)責(zé)人表示，他們正在打造成全國乃至全世界范圍內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)研基地。

投資切忌急功近利

在投資熱的背后，業(yè)內(nèi)人士也同時(shí)擔(dān)心是否會像某些產(chǎn)業(yè)一哄而上后的“繁花落盡”。徐科告訴《中國電子報(bào)》記者，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在很多應(yīng)用領(lǐng)域仍然是一些概念性的東西，尚不成熟，投資一定要慎重，避免一哄而上，發(fā)展第三代半導(dǎo)體要避免急功近利的想法。針對鏈條長、鏈條環(huán)節(jié)多的產(chǎn)業(yè)，往往風(fēng)險(xiǎn)和誘惑最大的地方，就是產(chǎn)業(yè)鏈的末端。

近年來，大家逐漸意識到這個(gè)問題，特別是近來發(fā)生的中美貿(mào)易摩擦問題，更加讓人們認(rèn)識到了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的短板。所以，發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，一定要加大產(chǎn)業(yè)鏈上游核心材料研發(fā)和關(guān)鍵設(shè)備的開發(fā)投入，正所謂兵馬未動，糧草先行。徐科表示：“目前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱火朝天，各地政府加大投資，展開人才爭奪戰(zhàn)，這勢必會導(dǎo)致資源的傾向性，這就要我們保持清醒的頭腦，因地制宜，有所為有所不為，避免資源的過度浪費(fèi)?！?/p>

朱邵歆對《中國電子報(bào)》記者說，投資熱的背后，肯定會存在一些問題，比如是投資“產(chǎn)品”，還是投資“產(chǎn)線”。因?yàn)閺谋举|(zhì)上說，基于第三代半導(dǎo)體的射頻器件和功率器件，具有明確的產(chǎn)品屬性，需要在了解應(yīng)用企業(yè)需求的情況下進(jìn)行定制化生產(chǎn)，所以錘煉內(nèi)功打磨產(chǎn)品和技術(shù)，比直接投資產(chǎn)線更加重要和緊迫。在沒有明確客戶的情況下，不能過早擴(kuò)充產(chǎn)能。

“早期半導(dǎo)體照明（LED）產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展使得國內(nèi)已具有一定的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和人才儲備。然而，業(yè)內(nèi)必須認(rèn)識到，不同于LED產(chǎn)品，第三代半導(dǎo)體的射頻器件和功率器件更多的是面向5G基站、新能源汽車等偏工業(yè)應(yīng)用的市場，更多是定制化產(chǎn)品，對企業(yè)的設(shè)計(jì)能力和對應(yīng)用方案的理解能力要求更高?！敝焐垤дf。

呂芃浩分析了目前第三代半導(dǎo)體亟待突破的難點(diǎn)，包括如何降低襯底缺陷、提高良率，如何做到大尺寸、低成本等。碳化硅晶片面臨微管缺陷、外延效率低、摻雜工藝特殊、配套材料不耐高溫等問題，氮化鎵晶片面臨高質(zhì)量、大尺寸籽晶獲取問題，都是需要破解的技術(shù)難題。

培育龍頭做大做強(qiáng)

發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為業(yè)內(nèi)共識，順勢而為、借力發(fā)力是各地政府及企業(yè)努力的方向。呂芃浩認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依舊是投入大、周期長的產(chǎn)業(yè)，需要長時(shí)間的積累，也需要產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界等各界的通力協(xié)作。在產(chǎn)業(yè)發(fā)展上，除了政策和資金支持外，要培育龍頭企業(yè)，通過并購重組做大做強(qiáng)，避免遍地開花分散力量。同時(shí)，終端廠商也應(yīng)借助國內(nèi)的市場優(yōu)勢，積極支持國內(nèi)第三代半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展。

針對國內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，徐科給出了四點(diǎn)建議：首先，政策引導(dǎo)，市場主導(dǎo)。在關(guān)鍵的發(fā)展領(lǐng)域和環(huán)節(jié)，需要自上而下的主導(dǎo)，技術(shù)的發(fā)展和競爭力交由市場做出判斷。

其次，集中攻關(guān)，聯(lián)合發(fā)展。我國整體基礎(chǔ)實(shí)力不弱，但是技術(shù)分布零散，需要從產(chǎn)業(yè)鏈條上聯(lián)合發(fā)展，集中攻關(guān)共性關(guān)鍵技術(shù)。

再次，基礎(chǔ)研發(fā)投入占比增加。企業(yè)為了保持高速發(fā)展和核心競爭力，技術(shù)開發(fā)和基礎(chǔ)研發(fā)的投入必不可少，也需要持續(xù)的加大投入。

最后，“扶上馬，走一程”模式在一定時(shí)期內(nèi)存在。國內(nèi)第三代半導(dǎo)體企業(yè)，多為中小微企業(yè)，可能技術(shù)水平國際領(lǐng)先，市場前景不可估量，但是要想占據(jù)市場主導(dǎo)，特別是與國際巨頭企業(yè)競爭，政府和社會力量的保駕護(hù)航也是必不可少。

朱邵歆認(rèn)為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體企業(yè)必須從自身出發(fā)，結(jié)合自己的技術(shù)和市場優(yōu)勢，找準(zhǔn)定位，比如是面向5G通信、新能源汽車、光伏逆變器、消費(fèi)電子電源等，有針對性地開發(fā)自己的產(chǎn)品。

他還特別指出，各地政府需要注意第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落地時(shí)的信息嚴(yán)重不對稱、對第三代半導(dǎo)體的市場定位和發(fā)展前景的判斷不夠準(zhǔn)確、扶持政策缺乏可持續(xù)性和精準(zhǔn)性等問題。

第三代半導(dǎo)體悄然升溫最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，露笑科技股份有限公司（以下簡稱“露笑科技”）發(fā)布公告稱，與中科鋼研節(jié)能科技有限公司（以下簡稱“中科鋼研”）、國宏中宇科技發(fā)展有限公司（以下簡稱“國宏中宇”）簽署了《中科鋼研節(jié)能科技有限公司與國宏中宇科技發(fā)展有限公司與露笑科技股份有限公司碳化硅項(xiàng)目戰(zhàn)略合作協(xié)議》（以下簡稱“戰(zhàn)略合作協(xié)議”）。

根據(jù)公告，露笑科技、中科鋼研以及國宏中宇三方同意共同合作，共同研發(fā)適用于中科鋼研工藝技術(shù)要求的4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸級別的碳化硅長晶設(shè)備；共同建設(shè)碳化硅襯底片加工中心。該加工中心定位于應(yīng)用最新一代碳化硅襯底片加工技術(shù)，主要面對及滿足國內(nèi)外快速增長的6英寸及以上尺寸級別的碳化硅襯底片加工需求，不斷提升的襯底片質(zhì)量與成品率水平。

露笑科技披露，目前首批2臺套升華法碳化硅長晶爐已經(jīng)完成設(shè)備性能驗(yàn)收交付使用，經(jīng)過優(yōu)化后的碳化硅長晶爐設(shè)備將應(yīng)用于國宏中宇主導(dǎo)的碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目中。

此外，公告還指出，根據(jù)國宏中宇碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的近期發(fā)展規(guī)劃，露笑科技及（或）其控股企業(yè)將于2020年前為國宏中宇主導(dǎo)的碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目定制約200臺碳化硅長晶爐，設(shè)備總采購金額約3億元；同時(shí)，為了適應(yīng)5G通訊市場對于高性能、高頻HEMT器件需求的快速增長，三方將在高純半絕緣型碳化硅長晶爐、高純半絕緣型碳化硅襯底片加工制造、基于高純半絕緣型碳化硅襯底片的氮化鎵外延片制造等方面開展深入合作，以盡快成為5G通訊行業(yè)核心關(guān)鍵材料的主要供貨企業(yè)。

此協(xié)議期限為兩年，由中科鋼研主導(dǎo)工藝技術(shù)與設(shè)備研發(fā)工作，國宏中宇主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)、運(yùn)營與市場銷售工作，露笑科技主導(dǎo)設(shè)備制造、項(xiàng)目投融資等工作并全程深入?yún)⑴c各項(xiàng)工作，通過各方的密切合作將碳化硅項(xiàng)目建設(shè)成為世界級的第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍企業(yè)。

露笑科技指出，本次合作有利于拓展公司在碳化硅領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局和發(fā)展，增強(qiáng)公司的研發(fā)能力，提高市場競爭力。

露笑科技簽署第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目戰(zhàn)略合作協(xié)議最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，伴隨車廠推出的各類電動汽車款增加，2020年電動汽車(純電、插電混合式、油電混合式)有望攀上600萬輛大關(guān)，目前以油電混合的成長速度較快，但就長遠(yuǎn)來看，純電動汽車仍持續(xù)占有重要份額，為提升消費(fèi)者接受度，高端電動汽車在性能與行駛距離的技術(shù)上還有進(jìn)步空間。

其中，關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體元件如SiC晶圓與SiC Diode、SiC MOSFET等，在技術(shù)與需求上需要時(shí)間提前布局，因此也看到越來越多相關(guān)廠商在此領(lǐng)域的積極動作。

高端電動汽車技術(shù)發(fā)展日益重要，推升未來SiC晶圓與元件需求將持續(xù)增加

現(xiàn)行電動汽車大多還是以硅基材的IGBT做為逆變器的芯片模塊，是功率半導(dǎo)體在電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)主流。SiC MOSFET雖具有較好的性能與散熱表現(xiàn)，但礙于成本過高及SiC晶圓制造技術(shù)復(fù)雜，良率表現(xiàn)沒有硅晶圓好，因此目前SiC在電動汽車使用的滲透率仍不高。

然而，自電動汽車龍頭廠商Tesla推出Model 3后，高階電動汽車市場氛圍可能有些許改變。相較市面上其他電動汽車廠商使用硅基底芯片(IGBT、MOSFET等)制作PEM(Power Electronics Module，用以做為AC/DC間的電流轉(zhuǎn)換)，Tesla Model 3完全使用SiC MOSFET來做PEM，也讓SiC MOSFET在電動汽車領(lǐng)域引起討論。

根據(jù)廠商說法，Tesla Model 3因使用SiC MOSFET模塊，因此AC/DC的電流轉(zhuǎn)換效率在長距離電動汽車市場上排名第一(若不論行駛距離，Hyundai推出的電動汽車Ionic Electric在電流轉(zhuǎn)換效率方面較Model 3好，但電池功率僅有27KWh，行駛距離只有Model 3一半)，讓以Tesla為主要競爭對手的高端汽車廠商評估使用SiC MOSFET的效益。

值得一提的是，車用Tier 1大廠Delphi在2019年9月發(fā)表其最新使用SiC模塊的800V Inverter(目前電動汽車主要使用400V系統(tǒng))，能延長電動汽車行駛距離并縮短電動汽車充電時(shí)間。此項(xiàng)技術(shù)也為Delphi贏得一家主要客戶為期8年，總值達(dá)27億美元訂單，預(yù)計(jì)自2022年開始供貨給使用800V系統(tǒng)的高端車款，為SiC未來需求加添信心。

此外，SiC MOSFET Module在快速充電樁的使用上也正迅速擴(kuò)展。豪華車品牌Porsche在2018年10月即發(fā)表以SiC MOSFET模塊建置可適合各種電動汽車使用的快速充電樁，除是為自家Taycan拉抬聲勢，也顯示快速充電樁在高階電動汽車市場的必要性。

由此看來，盡管目前電動汽車型以HEV居多，且現(xiàn)行多數(shù)電動汽車采用的功率元件仍以IGBT為主，但基礎(chǔ)設(shè)施的建置與消費(fèi)者的購買意愿仍需要時(shí)間布局，從長遠(yuǎn)規(guī)劃來看，市場端的需求后勢相當(dāng)可期，也將持續(xù)助長SiC話題性。

SiC相關(guān)廠商布局積極，營運(yùn)策略與產(chǎn)業(yè)類別多元

從車用SiC產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈分析，可看到不僅廠商多元，布局腳步也相當(dāng)積極，首先在SiC晶圓部份，市場上占比最高的廠商是美國Cree，在晶圓制作技術(shù)與良率方面皆有良好表現(xiàn)，市占約6成。

看好未來需求，Cree擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃相當(dāng)積極，2019年5月宣布為期5年的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，總投資為10億美元，估計(jì)屆時(shí)在SiC晶圓產(chǎn)能與SiC晶圓制作材料上將提升30倍之多。

有了充足的晶圓產(chǎn)能，旗下Wolfspeed也是生產(chǎn)SiC Diode、SiC MOSFET的主要廠商，相輔相成下將持續(xù)拉抬在SiC產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的占比，其余廠商還有美國II‐VI Incorporated、收購DuPont SiC晶圓事業(yè)的韓系硅晶圓廠商SK Siltron等。

在SiC芯片制造部分，主要功率半導(dǎo)體IDM廠商皆榜上有名，包括Infineon、ON Semiconductor、STMicroelectronics、ROHM、Mitsubishi Electrics等，是市場上提供SiC芯片與SiC Module的主要廠商。芯片商與模塊商在SiC材料上的布局也很積極，包括ROHM收購SiCrystal、STMicroelectronics收購Norstel、Infineon收購Siltectra借助冷切技術(shù)提升元件制作效率等。

另外，在車用Tier 1廠商與整車廠部份，例如日前Robert BOSCH即宣布，2020年將進(jìn)軍以SiC碳化硅晶圓做基底生產(chǎn)車用微芯片，主要用在AC/DC轉(zhuǎn)換，全力助攻主要客戶搶占電動汽車市場，而日本廠商DENSO亦有自己生產(chǎn)相關(guān)芯片的能力。

在車廠方面，陸系車廠比亞迪(BYD)有自研SiC及擴(kuò)大SiC功率元件的規(guī)劃，投入巨資布局SiC建立完整產(chǎn)業(yè)鏈，將整合材料(高純碳化硅粉)、單晶、外延片(Epitaxy)、芯片、模塊封裝等，致力于降低SiC元件的制作成本，加快其在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。

而在臺系供應(yīng)鏈方面，主要有硅晶圓廠環(huán)球晶與GTAT簽訂長約，以取得長期穩(wěn)定的SiC高質(zhì)量碳化硅晶球供應(yīng)，致力擴(kuò)展SiC晶圓供應(yīng)鏈占比；漢磊提供SiC Diode、SiC MOSFET代工服務(wù)；嘉晶提供SiC磊晶代工服務(wù)；升陽半導(dǎo)體提供晶圓薄化服務(wù)；瀚薪科技則聚焦SiC與GaN的元件開發(fā)，持續(xù)增加技術(shù)實(shí)力，逐漸讓自家產(chǎn)品能跟國際大廠相抗衡。

然較可惜的是，由于臺灣地區(qū)缺乏本土汽車產(chǎn)業(yè)的助益，車用芯片滲透率并不高，加上主要汽車廠商多半以長期合作的Tier 1或芯片商合作，臺系廠商要切入汽車供應(yīng)鏈仍有些許困難待克服，包括長期的車規(guī)認(rèn)證及建立客戶采買意愿等，目前較有獲利效益的應(yīng)用仍以工業(yè)電源管理與通訊方面為主，在車用SiC產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈要能有一定程度的占比尚需持續(xù)努力。

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電動汽車技術(shù)持續(xù)演進(jìn)，SiC廠商積極布局搶占市場！最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

10月27日，中烏第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院成立并落戶如皋。

據(jù)南通廣播電視臺報(bào)道，中烏第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院由烏克蘭國家科學(xué)院（單晶研究院）、江蘇省如皋高新區(qū)、江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體發(fā)起成立，研究院將聯(lián)合中國、烏克蘭、德國等產(chǎn)業(yè)專家，共同開展第三代半導(dǎo)體晶體制造智能裝備、大功率用晶圓、功率芯片及器件、光電材料、激光晶體材料及其他功能性晶體材料和設(shè)備等關(guān)鍵技術(shù)研究。

半導(dǎo)體晶體與現(xiàn)代人類日常生活息息相關(guān)?！叭绺拮プ×宋磥怼窃鞓I(yè)’的核心！”據(jù)中國工程院院士王子才介紹，智能制造發(fā)展的關(guān)鍵在于核心材料。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是當(dāng)前制作高溫、高頻、大功率、高壓芯片最為理想材料之一，未來將廣泛應(yīng)用于5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)等智能制造領(lǐng)域，市場潛力巨大。

第三代半導(dǎo)體及激光設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)集群在如皋初具規(guī)模。如皋市委書記張建華表示者，近年來，該市堅(jiān)持把第三代半導(dǎo)體及智能制造產(chǎn)業(yè)作為重要戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)加速布局，先后落戶迅鐳激光設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)園、總投資300億元的正威5G 新材料產(chǎn)業(yè)園，集聚了卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體、海迪科光電科技、中科新源等一批優(yōu)質(zhì)企業(yè)，吸引了孫智江、張新峰等一批行業(yè)領(lǐng)軍人才，建成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、第三代功率器件測試實(shí)驗(yàn)室、芯片級封裝實(shí)驗(yàn)室、納米壓印實(shí)驗(yàn)室等一批高端研發(fā)平臺。

如皋高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)是如皋發(fā)展高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的前沿陣地。如皋高新區(qū)管委會主任孫得利告訴交匯點(diǎn)記者，該區(qū)現(xiàn)擁有如皋第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究院、中科大控溫聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室、中烏第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院等平臺，集聚蘇州迅鐳激光、北京浦丹光電等30余家光電顯示、功率器件、第三代半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，規(guī)劃了2平方公里的光電科技產(chǎn)業(yè)園、2平方公里的激光和智能制造產(chǎn)業(yè)園。

第三代半導(dǎo)體研究院落戶江蘇如皋最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，科銳在官網(wǎng)宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)展，表示將在美國紐約州建造全球最大SiC制造工廠。

通過與紐約州州長（Andrew M. Cuomo）辦公室以及其他州立與當(dāng)?shù)貦C(jī)構(gòu)和實(shí)體的戰(zhàn)略合作，科銳決定在美國紐約州Marcy建造一座全新的采用最先進(jìn)技術(shù)并滿足車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)的200mm功率和射頻（RF）晶圓制造工廠，而與之相輔相成的超級材料工廠（mega materials factory）的建造擴(kuò)產(chǎn)正在公司達(dá)勒姆總部開展進(jìn)行。

作為該合作的一部分，科銳將投資近10億美元，用于在紐約州fab的建造、設(shè)備和其它相關(guān)成本。紐約州將提供來自Empire State Development 的5億美元資金，同時(shí)科銳可以享受額外的當(dāng)?shù)丶?lì)政策和減稅以及來自紐約州立大學(xué)的設(shè)備和工具。

這一新制造工廠旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的產(chǎn)能，將建設(shè)成為一座規(guī)模更大、高度自動化和更高生產(chǎn)能力的工廠。

新工廠計(jì)劃將于2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，完工面積達(dá)到480,000平方英尺，其中近1/4將是超凈間，提供未來所需產(chǎn)能擴(kuò)充。這些擴(kuò)展計(jì)劃，將進(jìn)一步提升科銳在市場競爭的領(lǐng)先地位，加速碳化硅（SiC）在一系列高增長產(chǎn)業(yè)中的采用。

科銳指出，公司將繼續(xù)推進(jìn)從硅（Si）向碳化硅（SiC）技術(shù)的轉(zhuǎn)型，滿足公司開創(chuàng)性Wolfspeed技術(shù)日益提升的需求，支持電動汽車（EV）、4G/5G移動和工業(yè)市場的不斷增長。

科銳將建造全球最大SiC制造工廠，地址選在這里最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

為了構(gòu)筑新時(shí)代戰(zhàn)略優(yōu)勢，更好地服務(wù)改革發(fā)展大局，國務(wù)院國資委與上海市政府深化合作共同推進(jìn)落實(shí)國家戰(zhàn)略合作簽約儀式于9月5日下午在上海隆重舉行，上海市委書記李強(qiáng)出席簽約儀式并講話，國務(wù)院國資委黨委書記、主任郝鵬在簽約儀式上講話，并同上海市委副書記、市長應(yīng)勇代表雙方簽署協(xié)議，中國鋼研董事長、黨委書記張少明，中國鋼研黨委副書記、常委、工程事業(yè)部黨委書記、董事長張劍武，中國鋼研戰(zhàn)略發(fā)展部副主任劉國營出席了會議，中科鋼研節(jié)能科技有限公司董事長、總經(jīng)理張巖與寶山區(qū)委副書記、區(qū)長范少軍在會上共同簽署了“中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地寶山區(qū)的合作協(xié)議。

通過此次與寶山區(qū)的合作，擬將在科研水平、產(chǎn)業(yè)規(guī)模、上下游產(chǎn)業(yè)鏈完整性、產(chǎn)業(yè)示范引領(lǐng)作用方面打造領(lǐng)先優(yōu)勢，建設(shè)以上海總部基地為核心，擁有國內(nèi)外多個(gè)碳化硅晶體材料、碳化硅微粉、碳化硅電子電力芯片生產(chǎn)基地。各方將集合多方優(yōu)勢資源，賦能第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用技術(shù)的科技研發(fā)、科研成果產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)化、高科技產(chǎn)品的多場景商業(yè)化應(yīng)用等整個(gè)行業(yè)發(fā)展鏈條。

中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目上海總部基地項(xiàng)目落戶寶山區(qū)，有利于寶山區(qū)結(jié)合產(chǎn)業(yè)定位和發(fā)展基礎(chǔ)，通過政府引導(dǎo)、企業(yè)主導(dǎo)和市場化運(yùn)作，在引領(lǐng)新上海新材料產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)上發(fā)揮重要的支撐作用。同時(shí)，對于寶山區(qū)老工業(yè)基地而言，有助于引入和研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)和關(guān)鍵材料，以戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的垂直布局助推老工業(yè)基地轉(zhuǎn)型升級。

從未來看，特斯拉超級工廠的落成、上汽大眾、上汽榮威新能源戰(zhàn)略提速，將使上海重新占領(lǐng)車用半導(dǎo)體市場高地，中科鋼研將抓住上海此次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的機(jī)會，貼合市場成為新能源車用先進(jìn)晶體材料及下游應(yīng)用產(chǎn)品的核心供應(yīng)商。

中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總部基地落戶上海寶山最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。