朝鮮日報、中央日報日文版11日報導，韓國唯一的半導體硅晶圓廠SK Siltron于10日舉行的董事會上決議，將收購美國化學大廠杜邦（DuPont）的碳化硅（Silicon Carbide，SiC）晶圓事業(yè)，收購額為4.5億美元，在獲得各國當局許可的前提下，目標在今年內完成收購手續(xù)。

SK Siltron指出，“此次的收購是呼應韓國政府近來推動的材料技術自立化政策，且也是為了確保全球競爭力”。SK Siltron表示，“在硅晶圓領域要追上日本恐怕很難，因此將在次世代技術上進行挑戰(zhàn)”。目前能量產SiC晶圓的廠商除了杜邦之外，還有日本昭和電工、Denso、住友等。

報導指出，此次的收購案將是SK繼2017年1月從LG手中收購LG Siltron以來首起大型購并案。SK Siltrons年營收規(guī)模約1.3萬億韓元，而此次的收購額超過其年營收的三分之一水準。

據(jù)報導，韓國所需的硅晶圓高度仰賴日本進口，而市場憂心日本今后若追加對韓國加強出口管制的話，硅晶圓很有可能將成為管控的對象之一。目前在全球半導體硅晶圓市場上，日本信越化學、SUMCO合計掌控55%左右的市占率，SK Siltron、德國Siltronic、中國臺灣環(huán)球晶圓市占率皆在后追趕。

8月4日晚間，露笑科技發(fā)布公告稱，全資子公司內蒙古露笑藍寶石近日與國宏中宇科技發(fā)展有限公司簽訂了《碳化硅長晶成套設備定制合同》，內蒙古露笑藍寶石將為國宏中宇提供80套碳化硅長晶爐成套設備，合同總金額約 1.26億元。

露笑科技董秘李陳濤在接受《證券日報》記者采訪時表示，露笑科技在研發(fā)藍寶石長晶爐時的經驗以及相關技術和人才儲備，能夠為公司研發(fā)和生產碳化硅長晶爐提供巨大的幫助和技術支持，這將是公司產業(yè)升級轉型的大好時機。

盈利能力回升

李陳濤表示，上述合同順利實施后，將對露笑科技的未來業(yè)績表現(xiàn)產生積極影響。

根據(jù)露笑科技近日披露的中報業(yè)績預告顯示，2019年上半年，公司預計實現(xiàn)凈利潤1.5億元至1.8億元，同比增幅在52.94%-83.53%之間，有望實現(xiàn)業(yè)績的大幅增長和盈利能力的逐步回升。

“露笑科技長期研究新材料技術及裝備，在兩年前就已將發(fā)展目光轉向目前備受關注的第三代半導體碳化硅材料領域。目前碳化硅器件在新能源汽車、高速軌道交通、超高壓智能電網、5G通信等領域已批量應用，除此之外，其更是發(fā)展第三代半導體產業(yè)的關鍵基礎材料，”李陳濤向《證券日報》記者表示。

李陳濤提到，露笑科技已與中科鋼研節(jié)能科技有限公司和國宏中晶集團簽訂戰(zhàn)略框架合作協(xié)議，將共同在碳化硅長晶專用裝備、長晶及襯底片加工工藝等方面開展全方位研發(fā)與合作。

據(jù)其介紹，中科鋼研是由中國鋼研新冶高科技集團有限公司出資成立的央企混改公司，作為國宏中宇控股母公司國宏中晶的股東，中科鋼研與國宏華業(yè)于2016年合作創(chuàng)立了碳化硅重點實驗室，整合中國鋼研在晶體材料領域的人才和技術積累，通過國際先進技術的引進、消化吸收、再創(chuàng)新，在碳化硅襯底片制備技術方面已經達到國內領先水平。

碳化硅成多領域寵兒

據(jù)了解，半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎材料，支撐著通信、計算機、信息家電與網絡技術等電子信息產業(yè)的發(fā)展，半導體材料及應用已成為衡量一個國家經濟發(fā)展、科技進步和國防實力的重要標志。

公開資料顯示，碳化硅（SiC）是第三代寬禁帶半導體材料中，研究最為成熟、市場應用前景最大的一種。碳化硅半導體材料綜合性能是第一代半導體材料性能的數(shù)百倍到一千倍，在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射器件等方面具有巨大的應用潛力。

目前，導電型碳化硅襯底片材料主要應用于新能源汽車、新能源汽車充電站、太陽能逆變器、服務器等領域；半絕緣型碳化硅襯底片則主要應用于5G通訊基站、大功率相控陣雷達、衛(wèi)星通訊等領域。

中國產業(yè)信息網數(shù)據(jù)顯示，預計導電型碳化硅襯底片全球市場規(guī)模將從2017年的4億美元增長到2022年的16億美元，樂觀預測甚至能達到34億美元。半絕緣型碳化硅襯底片全球市場規(guī)模將從2017年的4億美元增長到2022年的11億美元。

經過十幾年的產業(yè)化發(fā)展，碳化硅半導體材料、器件、應用產業(yè)鏈已經初步建立，市場規(guī)模不斷擴大。據(jù)記者了解，目前碳化硅半導體材料產業(yè)化生產企業(yè)主要有科銳、II-VI、道康寧、SiCrystal、昭和電工等。其中，1987年成立的美國科銳在碳化硅襯底材料、外延片、器件和模塊領域占據(jù)著絕對領先地位。

我國應用市場對第三代半導體需求旺盛，中國是全球第三代半導體龍頭企業(yè)的主要銷售市場。在業(yè)內人士看來，眼下全球碳化硅市場正處于爆發(fā)前期的起步階段，國內企業(yè)與海外傳統(tǒng)巨頭之間的技術差距相對變小。雖然國內第三代半導體企業(yè)大部分仍處于發(fā)展起步階段，但依然有望在技術發(fā)展、資本助力及政策支持下在本土市場的應用中實現(xiàn)彎道超車。

全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。

Cree收回Wolfspeed事業(yè)部，加碼擴廠開發(fā)功率及射頻元件

以LED材料與元件起家的Cree，近年將研發(fā)方向集中于功率及射頻元件領域的理由，可從其與Infineon的并購案淵源說起。原先Cree旗下以功率及射頻元件為主力的Wolfspeed事業(yè)部因本身經營策略，已規(guī)劃于2016年7月公告出售該部門至Infineon功率半導體事業(yè)體，期望借由此次并購案，使Infineon成為車用SiC元件上的領先霸主；但事情發(fā)展并非如此順利，2017年2月出售案經美國外資投資委員會(CFIUS)評估后，以可能涉及軍事管制技術原因決議禁止該并購案，迫使Cree需重新思考因應策略及經營方針。

此后Cree于2018年2月及3月時，提出與Infineon的SiC晶圓長期供貨協(xié)議，并向Infineon收購其射頻功率半導體事業(yè)部，試圖解決美國外資投資委員會出售禁令的損失，保持與Infineon之合作關系。

2019年5月Cree又提出擴廠計劃，說明其已將開發(fā)重心逐漸轉回功率及射頻元件領域上，持續(xù)投入8寸SiC晶圓生成技術的提升，藉此拉抬SiC元件于車用、工業(yè)及消費型電子領域之市占空間。

各廠于GaN on SiC磊晶技術之目標市場皆不同，后續(xù)發(fā)展仍需持續(xù)觀察

現(xiàn)行GaN on SiC磊晶技術主要集中于Cree手中，Cree擁有最大SiC晶圓市占率(超過5成以上)；根據(jù)官網資料，目前使用的SiC基板尺寸最大可達6寸，主要應用于功率半導體的車用、工業(yè)及消費型電子元件中，少量使用于通訊射頻領域上；未來擴廠計劃完工后，預期可見8寸SiC基板應用于相關功率及射頻元件制造。

另外，Cree在GaN on SiC磊晶技術領域的競爭對手為NTT AT(日本電信電話先進技術)，其使用的SiC基板最大尺寸為4寸，借由后續(xù)磊晶成長如AlGaN(或InAlGaN)緩沖層后，形成HEMT(高電子移動率晶體晶體管)結構，目標開發(fā)高頻通訊功率元件。

因此現(xiàn)階段GaN on SiC磊晶技術之應用情形，各家廠商瞄準的目標市場皆不同，該技術仍處于發(fā)展階段，有待后續(xù)持續(xù)關注。

隨著汽車電子、工控等應用領域蓬勃發(fā)展，市場對碳化硅（SiC）的需求持續(xù)增長，國內外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴產，日前碳化硅大廠Cree（科銳）也宣布將投資10億美元擴大碳化硅產能。

5月7日，Cree發(fā)布新聞稿中表示，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴大碳化硅產能，在美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC碳化硅生產工廠和一座材料超級工廠。

這是Cree有史以來最大的生產投資，將為Wolfspeed碳化硅和碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）業(yè)務提供動能。這次產能擴大在2024年全部完工后，將帶來碳化硅晶圓制造產能的30倍增長和碳化硅材料生產的30倍增長，以滿足2024年之前的預期市場增長。

5年的投資將充分利用現(xiàn)有的建筑設施North Fab、并整新200mm設備，建造采用最先進技術的滿足汽車認證的生產工廠，其中4.5億美元用于North Fab，4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory），1億美元用于伴隨著業(yè)務增長所需要的其它投入。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設施領域采用碳化硅的優(yōu)勢來驅動創(chuàng)新所產生的巨大效益。但是現(xiàn)有的供應卻遠遠不能夠滿足對碳化硅的需求?！保嘈胚@次擴產大幅增加的產能將滿足Wolfspeed 碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠的預期增長。

Cree旗下Wolfspeed是全球領先的碳化硅晶圓和外延晶圓制造商，整合了從碳化硅襯底到模組的全產業(yè)鏈生產環(huán)節(jié)，在市場占據(jù)主導地位。據(jù)悉，Cree的碳化硅襯底占據(jù)了全球市場近40%份額，在碳化硅器件領域的市場份額亦僅次于英飛凌。

此前，Cree相繼與英飛凌、意法半導體等廠商簽署多年供貨協(xié)議，為這些廠商長期供應碳化硅晶圓，以滿足工業(yè)和汽車等應用領域持續(xù)增長的市場需求。

目前除了Cree，羅姆前不久也宣布將擴大用于電動車等用途的碳化硅電源控制芯片產能，日本昭和電工近兩年來曾三度宣布對碳化硅晶圓投資擴產，國內山東天岳等企業(yè)亦在進行產能升級，下游代工廠也在加速布局，碳化硅市場正在持續(xù)升溫。