7月1日，北京證監(jiān)局披露了國開證券股份有限公司關于北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導工作的總結報告。

資料顯示，天科合達于2019年12月6日與國開證券簽署上市輔導協(xié)議，并于2019年12月12日取得中國證監(jiān)會北京監(jiān)管局輔導備案受理?？偨Y報告指出，本次輔導工作已完成，輔導機構認為天科合達符合中國證監(jiān)會和上海證券交易所對科創(chuàng)板擬上市公司的各項要求或規(guī)定，達到了輔導工作的預期效果，具備在科創(chuàng)板發(fā)行上市的基本條件。

根據(jù)官網(wǎng)介紹，天科合達成立于2006年9月，是一家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產和銷售的企業(yè)，擁有一個研發(fā)中心和一個集晶體生長-晶體加工-晶片加工-清洗檢測的全套碳化硅晶片生產基地

在此之前，天科合達曾于2017年4月在新三板掛牌上市，2019年8月12日終止新三板掛牌，數(shù)月后開啟了IPO征程，隨著上市輔導完成，天科合達的科創(chuàng)板上市之路又邁出一步。

擬闖關科創(chuàng)板IPO 天科合達完成上市輔導最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

據(jù)濟南日報報道，總投資60億元的富能功率半導體項目預計今年6月建成，年底實現(xiàn)投片生產。

據(jù)濟南市人民政府辦公廳發(fā)布2020年度市級重點項目名單，富能功率半導體項目規(guī)劃建設月產10萬片的兩座8英寸廠及一座月產5萬片的12英寸廠，一期總投資金額約人民幣60億元，主要建設月產3萬片的8英寸硅基功率元件產能和月產1000片的6英寸碳化硅（SiC）功率元件產能，應用領域包括消費、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車等。項目投產后預計年產量48萬片，年產值可達36億元。

據(jù)此前公開消息，該項目計劃2020年底實現(xiàn)量產，2022年滿產。資料顯示，該項目由濟南產業(yè)發(fā)展投資集團、高新控股集團、富杰基金及富能技術團隊共同參與實施，是濟南高新區(qū)加強電子信息產業(yè)補鏈強鏈引入的重點項目。

據(jù)濟南網(wǎng)報道，來五年，富能將從高端硅和碳化硅等產品切入市場，有效實現(xiàn)進口替代，五年后年營業(yè)額達100億人民幣，力爭在10年內達到國際一流半導體生產企業(yè)水平。

總投資60億，這個半導體項目預計本月建成、年底投片生產最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，鄭州航空港實驗區(qū)管委會、中國航天科技集團第九研究院第七七一研究所、達維多企業(yè)管理有限公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議，三方擬合作建設半導體生產制造及封裝基地項目。鄭州航空港區(qū)發(fā)布微信號指出，該項目將在航空港實驗區(qū)建設第三代化合物半導體SiC生產線、高可靠集成電路封裝生產線、工業(yè)模塊電源生產線，打造集IC設計、芯片制造、先進封裝為一體的產業(yè)生態(tài)體系。

這是航空港實驗區(qū)在集成電路領域繼單晶硅片、先進靶材、晶圓先進切割設備等項目的基礎上的又一重大突破，標志著實驗區(qū)集成電路產業(yè)實現(xiàn)全產業(yè)鏈布局，產業(yè)生態(tài)逐步形成。

中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所，始建于1965年10月，主要從事計算機、半導體集成電路、混合集成三大專業(yè)的研制開發(fā)、批產配套、檢測經營，是國家唯一集計算機、半導體集成電路和混合集成科研生產為一體的大型專業(yè)研究所，全球IT百強“中興通訊”的創(chuàng)辦單位，是我國航天微電子和計算機的先驅和主力軍。

建設碳化硅等生產線 這個半導體項目簽約鄭州最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

據(jù)中央紀委國家監(jiān)委網(wǎng)站指出，目前中國電科（山西）碳化硅材料產業(yè)基地已經實現(xiàn)4英寸晶片的大批量產，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經開始工程化驗證，為客戶提供小批量的產品試用，預計年底達到產業(yè)化應用與國際水平相當。

今年3月，中國電科（山西）碳化硅材料產業(yè)基地在山西轉型綜合改革示范區(qū)正式投產，第一批設備正式啟動?；匾黄陧椖靠扇菁{600臺碳化硅單晶生長爐，項目建成后將具備年產10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產能力，是目前國內最大的碳化硅材料產業(yè)基地。這一基地的啟動，將徹底打破國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現(xiàn)碳化硅的完全自主供應。

目前國際上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原來國內實驗室生產的碳化硅晶片的合格率僅有30%。但在碳化硅產業(yè)基地，這個合格率可以達到65%。

中電科總經理李斌介紹，現(xiàn)在我們在實現(xiàn)迅速研發(fā)的同時也進一步開展量產，三年內整個項目要達到18萬片每年的產能。另外，我們目前在進行8英寸晶片的研究，希望三年之后，我們能有8英寸的樣片出來。因為晶片是整個碳化硅產業(yè)鏈的上游，要走到器件研究的前面。

實現(xiàn)碳化硅完全自主供應 中電科實現(xiàn)4英寸晶片量產最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

起碳化硅晶片，大家也許會覺得很陌生。但在我們熟知的電動汽車和5G通信中，它卻發(fā)揮著舉足輕重的作用。5G之所以速度快，是因為它有一顆非常強大的心臟，這個心臟依賴的就是一片薄如紙的碳化硅晶片。雖然從外表看只是個小圓片，但作為目前全球最先進的第三代半導體材料，碳化硅晶片具有其他材料不具備的諸多優(yōu)點，是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底。除電動汽車、5G通信外，在國防、航空航天等領域，碳化硅晶片也有著廣闊的應用前景，它的研究和應用極具戰(zhàn)略意義，有著不可替代的優(yōu)勢，被視作國家新一代信息技術核心競爭力的重要支撐。5月12日，習近平總書記來到山西轉型綜合改革示范區(qū)政務服務中心改革創(chuàng)新展廳，了解示范區(qū)改革創(chuàng)新發(fā)展情況。位于示范區(qū)內的中國電科（山西）碳化硅材料產業(yè)基地，就是全國最大生產規(guī)模的碳化硅生產基地。

從長期依賴進口、被國外“卡脖子”，到掌握批量生產技術、實現(xiàn)完全自主供應，近年來，中國的碳化硅研制與生產成效卓著。這小小的晶片里蘊含著哪些創(chuàng)新技術？研發(fā)制造過程中又運用了哪些高超工藝？讓我們一探究竟。

① 晶片有什么用途？

每生產一輛電動汽車，至少要消耗一片碳化硅

厚度0.5毫米，約為5張A4紙的厚度；直徑4英寸或6英寸，和一張CD光盤差不多。這樣一個薄薄的圓片，就是碳化硅晶片。而就是這樣一個薄片，市場售價卻在2000美元左右，還經常是“一片難求”。

碳化硅晶片為何這么搶手？這還要從碳化硅這一材料說起。

碳化硅材料作為成熟的第三代半導體材料，具有耐高溫、大功率、高頻等天然優(yōu)勢，在新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)電機、5G通信等領域展現(xiàn)出極大的應用潛力，在許多戰(zhàn)略行業(yè)都有重要應用價值。與普通硅相比，碳化硅器件的耐壓性是同等硅器件的10倍。同時，碳化硅材料對電力的能耗極低，是一種理想的節(jié)能材料。如果按照年產40萬片碳化硅晶片算，僅僅應用在照明領域，每年減耗的電能就相當于節(jié)省2600萬噸標準煤。

記者了解到，目前，碳化硅制成的晶片主要應用在兩個方面。一個是作為襯底用于制作射頻器件，比如今年政府工作報告提到的新基建中的5G基站建設、城際高速鐵路、新能源汽車充電樁等。就5G基站建設來說，5G之所以傳輸速度快，是因為它有強大的5G芯片。而碳化硅晶片，就是5G芯片最理想的襯底?！艾F(xiàn)在咱們家里邊也有5G的一些小路由器，但它只是在室內，輻射距離很短，5G基站的輻射范圍至少要達到幾公里。這么高的功率，用碳化硅替代硅做射頻器件，就可以讓設備的體積做得更小，還能降低能量損耗、增加設備在惡劣環(huán)境下的可靠性。”山西碳化硅生產企業(yè)——中國電子科技集團公司（以下簡稱中電科）技術總監(jiān)魏汝省介紹道。

碳化硅晶片的另一個作用是用于制造電力電子器件，比如三極管，主要的應用領域是電動汽車。魏汝省表示：“目前，電動汽車的續(xù)航還是個問題。如果用上碳化硅晶片的話，就能在電池不變的情況下，使汽車的續(xù)航力增加10%左右。雖然碳化硅在電動汽車上的應用才剛剛起步，尚在開發(fā)中，但每生產一輛電動汽車，至少要消耗一片碳化硅，所以發(fā)展前景廣闊?！?/p>

除了功能強大，碳化硅晶片之所以如此珍貴的另一個更為重要的原因，是碳化硅器件對工藝要求很高。其中，高穩(wěn)定性的長晶工藝技術是其核心，原來只有美國等少數(shù)發(fā)達國家掌握，全球也僅有極少數(shù)企業(yè)能商業(yè)化量產。我國的碳化硅晶體研究起步較晚，20世紀90年代末才剛剛開始。但近年來，我國在碳化硅晶片領域奮力追趕，從基本原理研究和基礎實驗做起，逐漸掌握了碳化硅晶片技術，一步一步，從實驗室走向了產業(yè)化。2018年，中電科二所歷經11年艱苦攻關，在國內率先完成4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底材料的工程化和6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的研發(fā)，一舉突破國外對我國碳化硅晶體生長技術的長期封鎖。如今，國內已經實現(xiàn)了6英寸碳化硅晶片和外延片的研制，晶體質量接近國際水平。

② 晶片制造難在哪里？

晶體中連頭發(fā)絲幾十分之一細的微管都不能有

“碳化硅具有十分穩(wěn)定的特性，所以在一些惡劣環(huán)境下仍可穩(wěn)定工作。也正是因為穩(wěn)定的化學鍵，碳化硅生產的技術門檻非常高?！闭勂鹛蓟杈兄浦y，中國科學院半導體研究所副所長張韻列舉了以下幾個方面，“碳化硅晶錠生長條件苛刻，需要高溫（~2600℃）和高壓（>350MPa）生長環(huán)境；晶體生長速度緩慢，產能有限，質量也相對不穩(wěn)定；受到晶片生長爐尺寸限制，束縛了晶錠尺寸；碳化硅屬于硬脆材料，硬度僅次于金剛石，切割難度大，研磨精度難控制?！?/p>

要想生產出高質量的碳化硅晶片，必須攻克這些技術難關?！霸蹅儑鴥染蜕漕l器件方面一年就有10萬片的需求量，國外又對此類產品封鎖禁運，核心技術花錢是買不來的，只有自力更生，才能徹底解決被‘卡脖子’的問題?！敝须娍瓶偨浝砝畋笙蛴浾呓榻B了碳化硅晶片的復雜生產過程，“把高純度的碳化硅粉料放到長晶爐里加熱到2000多攝氏度，讓顆粒直接汽化，再控制它重新結晶，長成一個直徑為4英寸或6英寸的圓餅狀晶錠。之后，我們用很多根直徑僅0.18微米的金剛石線，同時切下去，把晶錠切成一片一片的圓片。每一片圓片再放到研磨設備里，把兩邊磨平，最后進行拋光，得到透明玻璃片一樣的晶片?！?/p>

目前，生產碳化硅晶片的兩大關鍵技術是晶體生長和晶片的切割拋光。張韻表示，上游企業(yè)所生產的晶片尺寸和質量會影響下游碳化硅器件的性能、成品率及成本。只有把襯底質量做好了、成本降低了，才能讓下游的科研機構或者企業(yè)不再束手束腳，有更多的機會去多做器件級研究。

記者了解到，一個直徑4英寸的晶片一次可做成1000個芯片，而6英寸的晶片一次可做成3000個芯片，所以直徑大的晶片更有優(yōu)勢。從2英寸到6英寸，其中的關鍵是擴晶技術?！疤蓟杈怯梢粋€種子開始一層層生長起來的，從2英寸長到3英寸再到6英寸。在這個生長過程中，晶體很容易出現(xiàn)缺陷?！敝须娍粕a主管毛開禮說，“我們的一個指標叫微管，就是晶體中出現(xiàn)的大概只有頭發(fā)絲幾十分之一細的一個管狀孔洞，眼睛是看不到的。一旦出現(xiàn)微管，整個晶體就不合格了。由于溫度太高，沒辦法進行人工干預，所以整個生長過程就如同‘蒙眼繡花’，這恰恰是晶片最核心的技術。解決這個技術難題，我們用了七八年的時間。”

碳化硅晶片的加工也是一個艱難過程。毛開禮表示，晶片的粗糙度要求是表面起伏小于0.1納米，國內現(xiàn)在是采用化學和機械聯(lián)合的方式進行拋光?！皬募夹g上來說，我們的一個圓片原來切完的話，可能是700-800微米厚，而最終產品要求是500微米，所以相當于要磨掉幾百微米?，F(xiàn)在我們通過技術改進，切完大概就是550微米，只需磨掉50微米左右，整個生產成本有了大幅降低?！?/p>

③ 晶片量產前景如何？

600臺長晶爐、18萬片年產量，徹底擺脫進口依賴

今年3月，中國電科（山西）碳化硅材料產業(yè)基地在山西轉型綜合改革示范區(qū)正式投產，第一批設備正式啟動?；匾黄陧椖靠扇菁{600臺碳化硅單晶生長爐，項目建成后將具備年產10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產能力，是目前國內最大的碳化硅材料產業(yè)基地。這一基地的啟動，將徹底打破國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現(xiàn)碳化硅的完全自主供應。

在基地的碳化硅生產車間，白色的長晶爐一字排開，碳化硅晶片正在里面安靜生長。李斌介紹：“現(xiàn)在，咱們所使用的粉料合成設備、長晶爐，都是自己研發(fā)、自己生產的全國產化的設備。設備的配套產品和功能元器件能滿足長期、穩(wěn)定、可靠使用的要求，同時節(jié)能效果好，具有連續(xù)工作高穩(wěn)定性和良好精度保持性?！?/p>

對于國內半導體領域來說，產業(yè)化規(guī)模效應，不僅降低了碳化硅晶片的成本，也不斷促使碳化硅晶片質量提升。據(jù)李斌介紹，目前國際上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原來國內實驗室生產的碳化硅晶片的合格率僅有30%。但在碳化硅產業(yè)基地，這個合格率可以達到65%。

實現(xiàn)這樣高的合格率，一個是靠先進的設備，一個是靠管理。毛開禮介紹：“我們把所有的工藝分成若干段，增加了大量的一線工人，每段每個人只干這一件事情，不僅效率會提高，而且出錯率也大幅降低，因為原來一個人要參與前前后后大概有三四十道工序，不利于專業(yè)化，出錯率就會很高?！?/p>

目前，基地已經實現(xiàn)4英寸晶片的大批量產，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經開始工程化驗證，為客戶提供小批量的產品試用，預計年底達到產業(yè)化應用與國際水平相當。展望未來，李斌信心滿滿地說，“在碳化硅領域，我們要緊跟國際的腳步，因為目前我國在第三代半導體材料上跟國際的差距相對較小，我們要保證不能掉隊。習近平總書記說過，核心技術靠化緣是要不來的。在關鍵領域、卡脖子的地方要下大功夫?，F(xiàn)在我們在實現(xiàn)迅速研發(fā)的同時也進一步開展量產，三年內整個項目要達到18萬片每年的產能。另外，我們目前在進行8英寸晶片的研究，希望三年之后，我們能有8英寸的樣片出來。因為晶片是整個碳化硅產業(yè)鏈的上游，要走到器件研究的前面?！?/p>

（山西轉型綜合改革示范區(qū)紀檢監(jiān)察工作委員會對本文亦有貢獻）

碳化硅晶片:電動汽車和5G通信的強大心臟最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

據(jù)淄博發(fā)布指出，總投資20億元的綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目預計年底前一期就可投產，目前項目投產前的各項工作正在緊張進行，達產后可實現(xiàn)年產值50億元，帶動上下游產業(yè)鏈產值過百億元。

2019年12月，綠能芯創(chuàng)與山東淄博簽署合作協(xié)議，2020年2月，該項目在2020年淄博市重大項目集中開工儀式上正式開工。

北京綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目負責人、北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人、執(zhí)行長廖奇泊此前介紹，綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目建設的6吋碳化硅芯片生產線，總投資20億元，一期投資5億元，全部投產后可達月產1萬片，年收入可達30億元，該產線主要從事大功率分立器件、芯片系列產品的設計、制造，以及功率模塊應用、制造流程的研發(fā)。

淄博發(fā)布指出，該產線是世界第三條，也是國內第一條達到量產規(guī)模的碳化硅芯片產線。資料顯示，北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司成立于2017年12月，是一家專業(yè)從事半導體功率器件設計、制造工藝開發(fā)、市場應用、銷售的芯片設計公司。

總投資20億元 綠能芯創(chuàng)碳化硅項目年底前一期投產最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

據(jù)淄博發(fā)布指出，總投資20億元的綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目預計年底前一期就可投產，目前項目投產前的各項工作正在緊張進行，達產后可實現(xiàn)年產值50億元，帶動上下游產業(yè)鏈產值過百億元。

2019年12月，綠能芯創(chuàng)與山東淄博簽署合作協(xié)議，2020年2月，該項目在2020年淄博市重大項目集中開工儀式上正式開工。

北京綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目負責人、北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人、執(zhí)行長廖奇泊此前介紹，綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目建設的6吋碳化硅芯片生產線，總投資20億元，一期投資5億元，全部投產后可達月產1萬片，年收入可達30億元，該產線主要從事大功率分立器件、芯片系列產品的設計、制造，以及功率模塊應用、制造流程的研發(fā)。

淄博發(fā)布指出，該產線是世界第三條，也是國內第一條達到量產規(guī)模的碳化硅芯片產線。資料顯示，北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司成立于2017年12月，是一家專業(yè)從事半導體功率器件設計、制造工藝開發(fā)、市場應用、銷售的芯片設計公司。

總投資20億元 綠能芯創(chuàng)碳化硅項目年底前一期投產最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

5月7日，5月7日，北京監(jiān)管局披露了國開證券股份有限公司關于北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導工作報告（第二期）。

國開證券和天科合達于2019年12月6日簽署《北京天科合達半導體股份有限公司與國開證券股份有限公司關于首次公開發(fā)行股票并上市輔導協(xié)議》，并于2019年12月12日取得中國證監(jiān)會北京監(jiān)管局輔導備案受理。

官網(wǎng)資料顯示，天科合達于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立，目前注冊資本為10364.2866萬元，是一家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產和銷售的高新技術企業(yè)。2017年4月10日，天科合達在新三板掛牌上市，2019年8月12日終止新三板掛牌。

天科合達為全球SiC晶片的主要生產商之一，目前其在碳化硅單晶行業(yè)世界排名位于第四位，國內排名居前列，晶片產品大量出口至歐、美和日本等20多個國家和地區(qū)，是我國少數(shù)進入國外知名大企業(yè)的高技術產品。

第三代半導體材料廠商天科合達開啟科創(chuàng)板上市征程最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

5月7日，5月7日，北京監(jiān)管局披露了國開證券股份有限公司關于北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導工作報告（第二期）。

國開證券和天科合達于2019年12月6日簽署《北京天科合達半導體股份有限公司與國開證券股份有限公司關于首次公開發(fā)行股票并上市輔導協(xié)議》，并于2019年12月12日取得中國證監(jiān)會北京監(jiān)管局輔導備案受理。

官網(wǎng)資料顯示，天科合達于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立，目前注冊資本為10364.2866萬元，是一家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產和銷售的高新技術企業(yè)。2017年4月10日，天科合達在新三板掛牌上市，2019年8月12日終止新三板掛牌。

天科合達為全球SiC晶片的主要生產商之一，目前其在碳化硅單晶行業(yè)世界排名位于第四位，國內排名居前列，晶片產品大量出口至歐、美和日本等20多個國家和地區(qū)，是我國少數(shù)進入國外知名大企業(yè)的高技術產品。

第三代半導體材料廠商天科合達開啟科創(chuàng)板上市征程最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

5月7日，電力功率半導體器件供應商西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司（以下簡稱“派瑞股份”）正式在深圳證券交易所創(chuàng)業(yè)板掛牌上市。

根據(jù)上市公告書，派瑞股份本次公開發(fā)行總股數(shù)為8000萬股（占發(fā)行后總股本的25.00%），發(fā)行價格為3.98元/股，募集資金總額為3.18億元，扣除發(fā)行費用后募集資金凈額2.69億元。上市首日，派瑞股份截至午間休盤的股價為5.73元/股，漲幅超過40%。

資料顯示，派瑞股份主營業(yè)務為電力半導體器件和裝置的研發(fā)、生產、實驗調試和銷售服務，產品可分為高壓直流閥用晶閘管、普通元器件及電力電子裝置三大類，其中高壓直流閥用晶閘管業(yè)務貢獻主要營收。

據(jù)了解，派瑞股份的控股股東是西安電力電子技術研究所（以下簡稱“西電所”），直接持有派瑞股份1.27億股股份，占本次發(fā)行后公司總股本的39.55%。陜西省國資委通過科控集團和西電所間接持有派瑞股份1.36億股股份，占該公司股份總數(shù)的42.3487%，為派瑞股份的實際控制人。

招股書介紹稱，西電所是我國電力半導體器件的發(fā)源地，我國第一只整流管、晶閘管、快速晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管（GTO）、光控晶閘管等電力半導體器件均由西電所研發(fā)。派瑞股份繼承了西電所的技術，掌握了先進的5英寸超大功率電控、光控晶閘管制造技術，研制出擁有自主知識產權的6英寸特大功率電控晶閘管等產品。

此次上市，派瑞股份擬將所募集資金投資建設大功率電力半導體器件及新型功率器件產業(yè)化項目。項目第一階段目標是建立8英寸芯片生產線，研發(fā)8英寸功率器件，額定電流達到或超過8000A；第二階段目標是研發(fā)SiC器件及模塊，建立SiC器件實驗中心，在第一階段成果的基礎上形成小批量生產SiC器件的能力，為實現(xiàn)SiC器件產業(yè)化奠定基礎。

派瑞股份表示，新的生產線工藝設備可生產特大功率8英寸晶閘管，并可向下兼容生產現(xiàn)有產品，包括直流輸電用超大功率5英寸、6英寸晶閘管以及普通元器件。同時，在晶閘管生產線的基礎上，研發(fā)IGCT和SiC器件等高端產品，通過建立第三代器件研發(fā)中心研發(fā)SiC器件，以期在第三代功率器件的技術和產品化方面獲得突破。

電力半導體企業(yè)派瑞股份正式登陸創(chuàng)業(yè)板最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。