4月8日，山東濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)重點(diǎn)招商引資項(xiàng)目簽約儀式舉行。此次簽約項(xiàng)目總投資額達(dá)到127.38億元，包括中鴻新晶第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群等10個(gè)項(xiàng)目。

據(jù)山東發(fā)布指出，中鴻新晶第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目總投資約111億元，總建設(shè)周期5年，分三期進(jìn)行。

其中項(xiàng)目一期產(chǎn)業(yè)投資8億元，計(jì)劃3年內(nèi)完成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群初步建設(shè)，完成深紫外LED生產(chǎn)線20條，6-8英寸碳化硅單晶生產(chǎn)、加工、碳化硅外延生產(chǎn)線各2條，氮化鎵中試線1條。一期完成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值20億元，利稅24.2億元。

項(xiàng)目二期投資51億元，完成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強(qiáng)) 公司，打造全球領(lǐng)先的“國家級(jí)戰(zhàn)略新興半導(dǎo)體研究院”視一期進(jìn)展及市場(chǎng)需求情況適時(shí)啟動(dòng)，計(jì)劃2年內(nèi)完成6-8英寸碳化硅單晶擴(kuò)產(chǎn)、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產(chǎn)線各1條。二期完成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值120億元，利稅將超過20億元。

項(xiàng)目三期投資52億元，將ASCATRON公司后續(xù)芯片生產(chǎn)全部轉(zhuǎn)移至中國，項(xiàng)目建成后預(yù)期將帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)近千億元產(chǎn)值。

該項(xiàng)目依托中科院半導(dǎo)體所、微電子所等源頭創(chuàng)新力量，中電化合物公司及航天國際有限公司等產(chǎn)業(yè)龍頭、中南資本、中科院控股等金融資本，由中鴻新晶公司提供先進(jìn)技術(shù)與團(tuán)隊(duì)，整合韓國浦項(xiàng)半導(dǎo)體、LG半導(dǎo)體，瑞典Epiluvac(艾彼盧米肯)等國際知名半導(dǎo)體企業(yè)優(yōu)勢(shì)資源，采用產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合模式，打造覆蓋以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈，涵蓋單晶生長(zhǎng)、外延、器件、模塊等全產(chǎn)品線。

資料顯示，中鴻新晶科技有限公司成立于2017年，是為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業(yè)、專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體高純碳化硅微粉生產(chǎn)、碳化硅單晶爐的研發(fā)制造，碳化硅和氮化鎵芯片設(shè)計(jì)和制造的企業(yè)。中鴻新晶的愿景是要做第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)跑者，承擔(dān)起中國在電子信息產(chǎn)業(yè)換道超車、重塑世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的時(shí)代使命。

近日，江北新區(qū)舉行“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)簽約儀式。

活動(dòng)中，超芯星半導(dǎo)體項(xiàng)目和中安半導(dǎo)體項(xiàng)目與新區(qū)簽約，未來都將落戶新區(qū)研創(chuàng)園。據(jù)了解，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，是國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅材料供應(yīng)商，碳化硅作為三代半導(dǎo)體材料，將在軌道交通、5G、新能源汽車等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴(kuò)徑晶體，實(shí)現(xiàn)厚度突破，屬于技術(shù)領(lǐng)先的三代半產(chǎn)品。總部遷入研創(chuàng)園后將推動(dòng)上市計(jì)劃，項(xiàng)目規(guī)劃三年實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅襯底年產(chǎn)3萬片，未來還將在SiC襯底產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，將進(jìn)一步研發(fā)SiC切磨拋工藝，打造國內(nèi)SiC行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)。

另外，中安半導(dǎo)體作為先進(jìn)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)設(shè)備研發(fā)商，擁有國內(nèi)領(lǐng)先的檢測(cè)設(shè)備研發(fā)能力。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)擁有硅片檢測(cè)核心技術(shù)，并且具備工程應(yīng)用、生產(chǎn)管理以及銷售服務(wù)等各方面的管理經(jīng)驗(yàn)以及多年所累積的市場(chǎng)資源。此次項(xiàng)目主要是開發(fā)半導(dǎo)體硅片平整度和三維形貌檢測(cè)設(shè)備，從事開發(fā)200mm和300mm硅片平整度和三維形貌檢測(cè)設(shè)備，目前已獲得金茂資本首期風(fēng)險(xiǎn)投資，未來將通過開發(fā)擁有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)和中國專利的硅片平整度及形狀測(cè)量設(shè)備填補(bǔ)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的一項(xiàng)空白。

南京江北新區(qū)黨工委專職副書記羅群表示，集成電路是新區(qū)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一，圍繞“芯片之城”產(chǎn)業(yè)構(gòu)想，新區(qū)營造多元化集成電路生態(tài)圈，構(gòu)建以IC設(shè)計(jì)為引領(lǐng)的集成電路完整產(chǎn)業(yè)鏈。此次，中安、超芯星落戶新區(qū)，將對(duì)新區(qū)在新基建領(lǐng)域加快突破，為經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)和高質(zhì)量發(fā)展注入新的強(qiáng)勁動(dòng)能。新區(qū)將提供最優(yōu)惠的政策、最貼心的服務(wù)，開展全方位、多層次、高水平的技術(shù)交流與產(chǎn)業(yè)合作，使得企業(yè)能夠在快速、優(yōu)質(zhì)地發(fā)展壯大，成長(zhǎng)為各自領(lǐng)域真正的龍頭企業(yè)。

“兩家公司加盟是對(duì)新區(qū)集成電路完整產(chǎn)業(yè)鏈的再完善，再提升?！蹦暇┘呻娐樊a(chǎn)業(yè)服務(wù)中心主任時(shí)龍興說。目前，新區(qū)的集成電路產(chǎn)業(yè)以臺(tái)積電等龍頭項(xiàng)目為支撐，以紫光展銳、ARM、Synopsys等頂尖芯片設(shè)計(jì)企業(yè)為引領(lǐng)，以現(xiàn)有集成電路企業(yè)為基礎(chǔ)，構(gòu)建IC設(shè)計(jì)為引領(lǐng)的集成電路完整產(chǎn)業(yè)鏈。此次合作是對(duì)新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的一種豐富和補(bǔ)充，是加強(qiáng)集聚的過程。未來，新區(qū)將重點(diǎn)在高端芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，打造全球智能設(shè)計(jì)中心，同時(shí)，推動(dòng)芯片設(shè)計(jì)與網(wǎng)絡(luò)通信、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能協(xié)同發(fā)展，力爭(zhēng)在今年形成以芯片設(shè)計(jì)為核心的集成電路千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群。

近日，產(chǎn)投資本管理的語音基金與北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“世紀(jì)金光”）簽署投資協(xié)議并完成首期出資，標(biāo)志著合肥首個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目正式落地。

隨著碳化硅產(chǎn)業(yè)化日趨成熟，產(chǎn)投資本緊抓第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)會(huì)，搶先布局。本次，產(chǎn)投資本作為領(lǐng)投方參與世紀(jì)金光C輪融資，對(duì)合肥市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)和技術(shù)創(chuàng)新有重要意義。

世紀(jì)金光是國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，成立于2010年，總部位于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，是國家大基金在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域投資的重點(diǎn)企業(yè)之一。

近幾年來，世紀(jì)金光創(chuàng)新性地解決了高純碳化硅粉料提純技術(shù)、6英寸碳化硅單晶制備技術(shù)、碳化硅SBD、MOSFET材料、結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等，已完成從碳化硅材料生產(chǎn)、功率元器件和模塊制備到行業(yè)應(yīng)用開發(fā)與解決方案提供等關(guān)鍵領(lǐng)域的全面布局，是國內(nèi)第一家擁有SiC全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的半導(dǎo)體公司。

投資50億元，建設(shè)用地約1000畝的中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園即將在山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)投產(chǎn)。

據(jù)人民網(wǎng)報(bào)道，該項(xiàng)目計(jì)劃用5年時(shí)間，建成“一中心三基地”，即：中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科（山西）三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、中國電科（山西）光伏新能源產(chǎn)業(yè)基地。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值100億元。

通過吸引上游企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)聚集效應(yīng)，打造電子裝備制造、三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，建成國內(nèi)最大的碳化硅材料供應(yīng)基地，積極推動(dòng)山西經(jīng)濟(jì)的轉(zhuǎn)型升級(jí)。?

大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率，是第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶材料最響亮的“名片”，不過，碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的長(zhǎng)晶工藝技術(shù)是其核心。而在中國，碳化硅單晶襯底材料長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，其高昂的售價(jià)和不穩(wěn)定的供貨情況大大限制了國內(nèi)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展。

據(jù)了解，自2007年，中國電科2所開始著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，依靠自身在電子專用設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，潛心鉆研著碳化硅單晶生長(zhǎng)爐的研制。經(jīng)過多年的不懈努力，全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長(zhǎng)、晶片加工、外延驗(yàn)證等整套碳化硅材料研制線，在國內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。

近日，2019中國·濟(jì)寧新材料（半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)）發(fā)展國際論壇暨山東新材料產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地項(xiàng)目啟動(dòng)儀式在濟(jì)寧高新區(qū)舉行。

在活動(dòng)上，12個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行了集中簽約，總投資額約58億元。包括中俄科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目；山東新材料產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地項(xiàng)目；中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展歐亞市場(chǎng)戰(zhàn)略合作聯(lián)盟-遠(yuǎn)山新材料聯(lián)合研究院項(xiàng)目；遠(yuǎn)山新材料二期項(xiàng)目。緯世特新材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目；中國科技大學(xué)消防新材料設(shè)備項(xiàng)目等。

據(jù)濟(jì)寧高新指出，山東新材料產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地項(xiàng)目，總投資30億元，由高新控股集團(tuán)投資建設(shè)，以園區(qū)化布局、集群化發(fā)展、鏈條化招引為規(guī)劃設(shè)計(jì)理念，圍繞第三代半導(dǎo)體、碳基新材料、消防安全材料、紡織新材料等區(qū)內(nèi)已基本成型的產(chǎn)業(yè)鏈條建設(shè)新材料產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化及定制性園區(qū)，吸引產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)發(fā)展?；亟ǔ赏懂a(chǎn)后2-3年可實(shí)現(xiàn)總產(chǎn)值200億元。

近年來，濟(jì)寧高新區(qū)高度重視新材料產(chǎn)業(yè)，以全球視野謀劃和推動(dòng)創(chuàng)新，從土地、人才、資金創(chuàng)新載體建設(shè)等多方面保障和促進(jìn)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，著力打造研發(fā)國際化、產(chǎn)業(yè)高端化、發(fā)展集群化的新材料創(chuàng)新體系和產(chǎn)業(yè)體系。

濟(jì)寧高新區(qū)把新材料產(chǎn)業(yè)作為主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行謀劃定位，山大新材料、天岳碳化硅、元鴻光電、中建院氣凝膠等新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域新生力量集中進(jìn)駐，新材料產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；刍?，為濟(jì)寧市新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出了突出貢獻(xiàn)。

未來，濟(jì)寧高新區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)突破第三代半導(dǎo)體及碳基新材料、消防安全材料、紡織新材料領(lǐng)域，形成三大聚集區(qū)。

其中，半導(dǎo)體及碳基新材料集聚區(qū)將圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體及碳纖維、石墨烯等碳基新材料，吸引上下游半導(dǎo)體原材料、晶圓生產(chǎn)、芯片設(shè)計(jì)與封裝、元器件應(yīng)用、柔性晶體管、光子晶體、手機(jī)密封材料、碳纖維材料等企業(yè)入?yún)^(qū)發(fā)展，1-2年規(guī)?？偖a(chǎn)值實(shí)現(xiàn)突破200億。

科銳（Cree, Inc.，美國納斯達(dá)克上市代碼：CREE）與德爾?？萍迹―elphi Technologies PLC，美國紐約證券交易所上市代碼：DLPH）宣布開展汽車碳化硅（SiC）器件合作?？其J是碳化硅（SiC）半導(dǎo)體全球領(lǐng)先企業(yè)，德爾?？萍际瞧噭?dòng)力推進(jìn)技術(shù)全球供應(yīng)商，雙方的此次合作將通過采用碳化硅（SiC）半導(dǎo)體器件技術(shù)，為未來電動(dòng)汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強(qiáng)勁的電子系統(tǒng)。

科銳碳化硅（SiC）基金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)與德爾?？萍嫉臓恳?qū)動(dòng)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和充電器技術(shù)的結(jié)合，將助力電動(dòng)汽車（EV）提高行駛里程和實(shí)現(xiàn)更快充電時(shí)間，同時(shí)還將減輕重量、節(jié)約空間、降低成本?？其J碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）最初將用于德爾福科技為某一全球頂級(jí)汽車制造商設(shè)計(jì)的800V電控逆變器。計(jì)劃量產(chǎn)時(shí)間為2022年。

德爾?？萍际紫瘓?zhí)行官Richard F. (Rick) Dauch表示：“德爾?？萍贾铝τ跒槠囍圃焐烫峁╅_拓性的解決方案。汽車制造商們正在努力滿足日趨嚴(yán)格的全球排放法規(guī)要求和消費(fèi)者對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）的期待。我們與科銳的合作，將為汽車制造商們創(chuàng)造顯著的效益。消除駕駛員對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）行駛里程、充電時(shí)間和成本等方面的憂慮，為整個(gè)行業(yè)帶來好處。”

由于汽車產(chǎn)業(yè)正在尋求加速從內(nèi)燃機(jī)向電動(dòng)汽車（EV）的轉(zhuǎn)變，從而碳化硅（SiC）基功率解決方案的采用正在整個(gè)汽車市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)快速地增長(zhǎng)。IHS預(yù)計(jì)，到2030年高電壓電動(dòng)輕型汽車的銷量將達(dá)到3000萬臺(tái)（占全球全部汽車銷售的27%）。電控逆變器是最具價(jià)值的電氣化部件之一，電控逆變器效率對(duì)于汽車性能眾多方面都可以帶來產(chǎn)業(yè)變革性的影響。

科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“科銳技術(shù)在這場(chǎng)向電動(dòng)汽車（EV）的重大轉(zhuǎn)變中處于核心位置。我們致力于支持汽車產(chǎn)業(yè)從硅（Si）基設(shè)計(jì)向更高效率、更高性能碳化硅（SiC）基解決方案的轉(zhuǎn)型。這次與德爾?？萍嫉暮献?，將幫助推進(jìn)碳化硅（SiC）在汽車領(lǐng)域的采用?？其J作為碳化硅（SiC）全球領(lǐng)先企業(yè)，正在持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能以滿足市場(chǎng)需求，通過我們業(yè)界領(lǐng)先的功率型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），助力實(shí)現(xiàn)一個(gè)嶄新的、更高效率的未來。”

科銳致力于引領(lǐng)從硅（Si）向碳化硅（SiC）的全球轉(zhuǎn)型，并于近期宣布擴(kuò)大碳化硅（SiC）產(chǎn)能，以實(shí)現(xiàn)30倍的產(chǎn)能提升。科銳通過旗下Wolfspeed事業(yè)部，提供全面的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率與射頻（RF）解決方案。

德爾?？萍夹滦吞蓟瑁⊿iC）逆變器在800V電壓條件下工作，為汽車工程師提供更多的靈活度，以優(yōu)化動(dòng)力總成系統(tǒng)。選項(xiàng)包括更多行駛里程或一個(gè)更小型的電池；超快充電或更小、更輕、更實(shí)惠的線纜；在剎車時(shí)實(shí)現(xiàn)更多的汽車能量回收，進(jìn)一步提高行駛里程。

日前，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天科合達(dá)”）發(fā)布公告稱，根據(jù)公司經(jīng)營發(fā)展需要及長(zhǎng)期戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃，經(jīng)慎重研究決定，擬申請(qǐng)公司股票在全國中小企業(yè)股份轉(zhuǎn)讓系統(tǒng)終止掛牌。

公告顯示，天科合達(dá)董事會(huì)已于7月12日審議通過《關(guān)于申請(qǐng)公司股票在全國中小企業(yè)股份轉(zhuǎn)讓系統(tǒng)終止掛牌的議案》等相關(guān)議案，但尚需提交公司臨時(shí)股東大會(huì)審議。天科合達(dá)表示，公司及公司控股股東已就公司申請(qǐng)終止股票掛牌事宜與公司其他股東進(jìn)行充分溝通與協(xié)商，已就該事項(xiàng)初步達(dá)成一致意見。

天科合達(dá)將于7月29日召開臨時(shí)股東大會(huì)，并擬于股東大會(huì)審議通過后10個(gè)轉(zhuǎn)讓日內(nèi)向全國中小企業(yè)股份轉(zhuǎn)讓系統(tǒng)提交終止掛牌申請(qǐng)，具體終止掛牌時(shí)間以全國中小企業(yè)股份轉(zhuǎn)讓系統(tǒng)批準(zhǔn)時(shí)間為準(zhǔn)。公告提示，由于有關(guān)事宜尚需臨時(shí)股東大會(huì)審議并報(bào)全國中小企業(yè)份轉(zhuǎn)讓系統(tǒng)審批，故終止掛牌事宜尚存在不確定性。

資料顯示，天科合達(dá)成立于2006年，由新疆天富集團(tuán)、中國科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶體生長(zhǎng)爐和碳化硅晶體生長(zhǎng)、加工技術(shù)和專業(yè)設(shè)備，建立了完整的碳化硅晶片生產(chǎn)線。

2017年5月，天科合達(dá)在全國中小企業(yè)股份轉(zhuǎn)讓系統(tǒng)舉行“新三板”掛牌儀式，正式登陸新三板。如今時(shí)隔約兩年，天科合達(dá)宣布擬將從新三板退市。

媒體報(bào)道稱，3月26日，家電企業(yè)美的集團(tuán)與三安光電全資子公司廈門市三安集成電路有限公司（以下簡(jiǎn)稱“三安集成”）在廈門舉行了“第三代半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”揭牌儀式。

據(jù)介紹，美的集團(tuán)與三安集成雙方將展開戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體功率器件的創(chuàng)新發(fā)展，以加快國產(chǎn)芯片導(dǎo)入白色家電行業(yè)。具體而言，未來雙方合作方向?qū)⒕劢乖贕aN（氮化鎵）、SiC（碳化硅）半導(dǎo)體功率器件芯片與IPM（智能功率模塊）的應(yīng)用電路相關(guān)研發(fā)，并逐步導(dǎo)入白色家電領(lǐng)域。

官方資料顯示，三安集成成立于2014年，項(xiàng)目總投資額30億元，是涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領(lǐng)域的化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)，具備襯底材料、外延生長(zhǎng)、以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力，擁有大規(guī)模、先進(jìn)制程能力的MOCVD 外延生長(zhǎng)制造線。

第三代半導(dǎo)體在白電市場(chǎng)潛力巨大，美的集團(tuán)作為國內(nèi)前列的家電企業(yè)，據(jù)稱一直在積極尋找第三代半導(dǎo)體在白家電領(lǐng)域替代方案的國內(nèi)供應(yīng)商，以及導(dǎo)入第三代半導(dǎo)體的新型應(yīng)用場(chǎng)景。媒體報(bào)道顯示，2017年9月，美的家用空調(diào)研發(fā)中心與華南理工大學(xué)、鎵能半導(dǎo)體（佛山）有限公司、廈門芯光潤澤科技有限公司四方共建第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)應(yīng)用聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。

隨著這次美的集團(tuán)與三安集成戰(zhàn)略合作，將于有望進(jìn)一步加速第三代半導(dǎo)體在家電終端市場(chǎng)的應(yīng)用進(jìn)程。

媒體報(bào)道，近日位于山東青島萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的中科鋼研碳化硅項(xiàng)目正在加緊建設(shè)，今年將實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資10億元，占地約80畝，建筑面積5萬平方米，主要生產(chǎn)高品質(zhì)、大規(guī)格碳化硅晶體襯底片。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片與5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。

中科鋼研表示，未來將把國家級(jí)現(xiàn)金警惕研究院設(shè)在萊西，專注碳化硅研發(fā)生產(chǎn)，力爭(zhēng)在三年內(nèi)接近歐美最高水平。

碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料，在高溫、高壓與高頻條件下有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，適用于汽車、鐵路、工業(yè)設(shè)備、家用消費(fèi)電子設(shè)備、航空航天等領(lǐng)域，是目前最受關(guān)注的新型半導(dǎo)體材料之一。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國外企業(yè)所壟斷。

國內(nèi)市場(chǎng)，目前已初步形成了涵蓋各環(huán)節(jié)的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，在政策利好以及市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下，國內(nèi)企業(yè)在這一環(huán)節(jié)正努力跟跑與趕超。

SiC功率器件大勢(shì)所趨，國際巨頭競(jìng)相布局，如今意法半導(dǎo)體擬通過并購整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

日前，意法半導(dǎo)體宣布，公司已簽署協(xié)議，收購瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商N(yùn)orstel AB（“Norstel”）的多數(shù)股權(quán)。交易完成后，意法半導(dǎo)體將在全球產(chǎn)能受限的情況下控制部分SiC器件的整個(gè)供應(yīng)鏈。

根據(jù)協(xié)議，意法半導(dǎo)體此次將收購Norstel 55%股權(quán)，并可根據(jù)某些條件選擇收購剩余的45%股權(quán)，如果行使這些條件，收購總額將達(dá)1.375億美元，并以現(xiàn)金支付。

意法半導(dǎo)體總裁兼CEO Jean-Marc Chery表示，意法半導(dǎo)體是目前唯一一家大規(guī)模生產(chǎn)汽車級(jí)SiC的半導(dǎo)體公司，公司希望在工業(yè)和汽車應(yīng)用的數(shù)量和廣度上建立在SiC方面的強(qiáng)勁勢(shì)頭，以繼續(xù)保持在市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位，收購Norstel的多數(shù)股權(quán)是加強(qiáng)公司SiC生態(tài)系統(tǒng)的又一步，將增強(qiáng)公司的靈活性、提高產(chǎn)量和質(zhì)量，并支持公司的長(zhǎng)期碳化硅路線圖和業(yè)務(wù)。

資料顯示，Norstel總部位于瑞典諾爾雪平，成立于2005年，是全球SiC襯底及外延片的主要供應(yīng)商之一。而意法半導(dǎo)體原已是全球少數(shù)SiC IDM企業(yè)之一，如今通過收購Norstel進(jìn)一步布局SiC產(chǎn)業(yè)。2019年1月，意法半導(dǎo)體與科銳簽署多年供貨協(xié)議，Cree將向意法半導(dǎo)體供應(yīng)價(jià)值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。

SiC作為新一代材料備受矚目，國際企業(yè)多年前就已開始提前布局，英飛凌、科銳等巨頭已逐步完成了從材料、器件、模組到系統(tǒng)解決方案的全產(chǎn)業(yè)鏈貫通，SiC產(chǎn)業(yè)的并購整合動(dòng)作并不算十分明顯，但近年來亦時(shí)有發(fā)生，最近似乎更為活躍。

2016年，英飛凌曾試圖收購科銳旗下主營SiC、GaN業(yè)務(wù)的Wolfspeed，但由于SiC、GaN均為制造有源相控陣?yán)走_(dá)等軍事裝備的關(guān)鍵器件，該收購案被美國政府以危害國家安全為由予以否決而宣告失敗。為此，英飛凌向Cree付了1250萬美元分手費(fèi)。

前不久，英飛凌再度針對(duì)SiC展開收購，宣布以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，從而讓單片晶圓可出產(chǎn)的芯片數(shù)量翻番，進(jìn)一步加碼碳化硅市場(chǎng)。

如今，意法半導(dǎo)體也動(dòng)手收購Norstel，SiC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)相繼著手?jǐn)U產(chǎn)，中國企業(yè)對(duì)SiC的投資熱度持續(xù)升溫，SiC器件的大規(guī)模商用可期。