近日Cree科銳宣布，其與意法半導(dǎo)體簽署了一份多年供貨協(xié)議，為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓。

按照協(xié)議規(guī)定，在當(dāng)前碳化硅功率器件市場需求顯著增長期間，Cree將向意法半導(dǎo)體供應(yīng)價值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。協(xié)議將加速SiC在汽車和工業(yè)兩大市場的商用。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，這是去年以來Cree為支持半導(dǎo)體工業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型而簽署的第三份多年供貨協(xié)議，Cree將不斷擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足持續(xù)增長的市場需求，特別是在工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)域。

Cree旗下Wolfspeed是全球領(lǐng)先的碳化硅晶圓和外延晶圓制造商，其整合了從SiC襯底到模組的全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)環(huán)節(jié)，在市場占據(jù)主導(dǎo)地位。據(jù)悉，Cree的SiC襯底占據(jù)了全球市場近40%份額，在SiC器件領(lǐng)域的市場份額亦僅次于英飛凌。

2016年，英飛凌曾試圖收購Wolfspeed，但由于Wolfspeed的主營業(yè)務(wù)SiC、GaN均為制造有源相控陣?yán)走_(dá)等軍事裝備的關(guān)鍵器件，該收購案被美國政府以危害國家安全為由予以否決而宣告失敗。為此，英飛凌還向Cree付了1250萬美元分手費。

SiC材料及器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，體積、重量以及成本的大幅減低，適用于汽車、鐵路、工業(yè)設(shè)備、家用消費電子設(shè)備等領(lǐng)域。英飛凌CEO雷哈德·普洛斯曾表示，Wolfspeed生產(chǎn)的SiC芯片在未來數(shù)年將逐漸取代傳統(tǒng)芯片，尤其是在電動和混合動力汽車市場。

盡管性能優(yōu)越，但由于產(chǎn)能不足、價格較高等各方面原因，SiC器件目前尚未得到大規(guī)模商用，近兩年來隨著新能源汽車等蓬勃發(fā)展，市場對SiC的需求亦顯著提升，越來越多的汽車制造商紛紛考慮使用SiC器件，這次Cree與意法半導(dǎo)體簽訂供貨協(xié)議，將有望加速SiC在汽車和業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的商用。

意法半導(dǎo)體是全球著名的半導(dǎo)體供應(yīng)商，在工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域均占有較高的市場份額，其產(chǎn)品涵蓋了工控、汽車電子、智能家居等各大領(lǐng)域的方方面面，如今斥巨資與Cree簽下SiC晶圓及外延片供貨長約，即意味著其將持續(xù)支持SiC器件的商用。

在2018年2月，Cree亦與英飛凌達(dá)成了SiC晶圓長期供應(yīng)協(xié)議，將向英飛凌長期供應(yīng)150mm SiC晶圓，以滿足當(dāng)前高增長的光伏逆變器、工業(yè)和汽車等市場。

隨著意法半導(dǎo)體、英飛凌等國際大廠的持續(xù)推進(jìn)，SiC器件的大規(guī)模商用將越來越近。

碳化硅、氮化鎵、氧化鎵和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料（又稱“第三代半導(dǎo)體”），被視為世界各國競相發(fā)展的戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性領(lǐng)域，2017年以來亦成為國內(nèi)重點發(fā)展方向之一，各地政府相繼布局。

前不久，在2018中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會，濟(jì)南市政府透露即將推出相關(guān)政策扶持寬禁帶產(chǎn)業(yè)發(fā)展，如今該政策已正式出臺。

濟(jì)南出臺第三代半導(dǎo)體專項政策

日前，濟(jì)南市政府印發(fā)《濟(jì)南市支持寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展的若干政策措施》（以下簡稱《若干政策措施》），以加快發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，推動全市新舊動能轉(zhuǎn)換和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級。

《若干政策措施》主要包括強(qiáng)化區(qū)域載體建設(shè)、支持科技成果轉(zhuǎn)化、創(chuàng)新財政金融支持、加快產(chǎn)業(yè)培育發(fā)展、加強(qiáng)“雙招雙引”工作、推動政策措施落地見效六大部分，涵蓋了區(qū)域布局、研發(fā)、資金、項目、招商等方面給予支持和補(bǔ)助等，部分重點內(nèi)容如下：

市、區(qū)兩級財政自2019年起，連續(xù)3年每年安排不低于3000萬元的資金支持寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)展，重點用于建設(shè)國際先進(jìn)的寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)、檢測和服務(wù)公共平臺，開展關(guān)鍵技術(shù)、芯片和器件等科技攻關(guān)，研發(fā)一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新材料、新工藝、新器件。

支持企業(yè)研發(fā)活動，對于符合條件的年銷售收入2億元以上企業(yè)，按其較上年度新增享受研發(fā)費用加計扣除費用部分的10%給予補(bǔ)助；年銷售收入2億元（含）以下企業(yè)，按其當(dāng)年享受研發(fā)費用加計扣除費用總額的10%給予補(bǔ)助；單個企業(yè)年度最高補(bǔ)助金額不超過1000萬元。

支持重點建設(shè)項目，對企業(yè)重點投資的寬禁帶項目，根據(jù)企業(yè)資產(chǎn)規(guī)模、年銷售額、項目投資額、職工人數(shù)、技術(shù)水平等綜合情況給予扶持獎勵。企業(yè)新投資項目實際固定資產(chǎn)（不包括項目用地，下同）達(dá)到5000萬元以上的，竣工驗收后獎勵100萬元；企業(yè)新投資項目實際固定資產(chǎn)達(dá)到1億元以上的，竣工驗收后獎勵200萬元。

該《若干政策措施》自2019年1月1日起施行，有效期三年。

國內(nèi)第三代半導(dǎo)體版圖漸顯

除了濟(jì)南外，2018年深圳市坪山也發(fā)布第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策，隨著各地政府相繼出臺專項政策及重點布局，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)版圖亦逐漸開始形成，產(chǎn)業(yè)格局初現(xiàn)。目前，山東濟(jì)南市、深圳坪山區(qū)、北京順義區(qū)、江蘇蘇州汾湖高新區(qū)等地區(qū)均已明確表明要重要發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，浙江、廈門、江西等地已逐步發(fā)展成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)。

山東濟(jì)南市

據(jù)了解，山東省已將“支持濟(jì)南建寬禁帶半導(dǎo)體小鎮(zhèn)”納入《山東省新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2018-2022年）》，如今《濟(jì)南市支持寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展的若干政策措施》亦已出臺，濟(jì)南市第三半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局已十分明確。

2018年12月7日，在“2018中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會”上，濟(jì)南市政府與山東大學(xué)簽約將共同建設(shè)山東大學(xué)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究院，該研究院作為將來濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)的核心，承載著科技孵化器、產(chǎn)業(yè)發(fā)動機(jī)、人才聚集地、產(chǎn)業(yè)鏈聚集區(qū)四大功能定位。

目前，濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特色小鎮(zhèn)工作全面啟動。據(jù)濟(jì)南市槐蔭工業(yè)園區(qū)投資促進(jìn)局局長董忠介紹，小鎮(zhèn)擬分近期、中期、遠(yuǎn)期三個階段推進(jìn)，近期占地約500畝，包括重點建設(shè)占地約200畝的天岳二期工程等。預(yù)計到2030年，該小鎮(zhèn)將形成成熟的千億級寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

深圳坪山區(qū)

深圳市根據(jù)“十三五”規(guī)劃的國際科技和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心定位，正在實施新一輪創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略布局，將著力在核心芯片、人工智能等重點關(guān)鍵技術(shù)的突破。根據(jù)規(guī)劃，坪山區(qū)為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)先發(fā)展區(qū)域。

為了加快第三代半導(dǎo)體發(fā)展步伐，深圳市已相繼成第三代半導(dǎo)體器件重點實驗室、深圳第三代半導(dǎo)體研究院，并在坪山區(qū)設(shè)立第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。此外，坪山區(qū)政府已出臺《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》，以切實推動坪山區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展。

據(jù)了解，坪山第三代半導(dǎo)體（集成電路）未來產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)由位于坪山高新區(qū)西部的核心區(qū)和東北部的拓展區(qū)組成，總規(guī)劃用地面積5.09平方公里。坪山區(qū)現(xiàn)已集聚8家第三代半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域的核心企業(yè)，建立了材料、設(shè)備、設(shè)計、制造、封裝測試及下游應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

北京順義區(qū)

《北京市加快科技創(chuàng)新發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的指導(dǎo)意見》明確指出，要在順義區(qū)重點布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。據(jù)了解，順義已將第三代半導(dǎo)體列為該區(qū)三大千億產(chǎn)業(yè)集群之一予以重點打造，通過頂層設(shè)計，打造北京第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

目前，順義的國際第三代半導(dǎo)體眾聯(lián)空間被科技部評為國家級眾聯(lián)空間，入孵企業(yè)50余家；第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地已于2018年12月竣工，總面積7.1萬平方米，聯(lián)盟成員單位已達(dá)105家。此外，中電科集團(tuán)十三所、中電科集團(tuán)光電總部、平湖波科半導(dǎo)體芯片、漢能移動能源中心等一批重點項目相繼落地。

同時，順義區(qū)還啟動了第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)前期研究和規(guī)劃建設(shè)，編制第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，預(yù)留了充足的發(fā)展空間，制定第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專項政策，成立了專門機(jī)構(gòu)加強(qiáng)組織領(lǐng)導(dǎo)，統(tǒng)籌了財政資金加大支持力度，吸引了社會資本深化產(chǎn)融合作等。

隨著各地政府的扶持政策及規(guī)劃的相繼落地施行，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展有望進(jìn)一步加速，產(chǎn)業(yè)地域布局亦將逐漸清晰。