擬闖關(guān)科創(chuàng)板IPO 天科合達(dá)完成上市輔導(dǎo)

擬闖關(guān)科創(chuàng)板IPO 天科合達(dá)完成上市輔導(dǎo)

7月1日,北京證監(jiān)局披露了國開證券股份有限公司關(guān)于北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“天科合達(dá)”)首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作的總結(jié)報(bào)告。

資料顯示,天科合達(dá)于2019年12月6日與國開證券簽署上市輔導(dǎo)協(xié)議,并于2019年12月12日取得中國證監(jiān)會(huì)北京監(jiān)管局輔導(dǎo)備案受理??偨Y(jié)報(bào)告指出,本次輔導(dǎo)工作已完成,輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)認(rèn)為天科合達(dá)符合中國證監(jiān)會(huì)和上海證券交易所對(duì)科創(chuàng)板擬上市公司的各項(xiàng)要求或規(guī)定,達(dá)到了輔導(dǎo)工作的預(yù)期效果,具備在科創(chuàng)板發(fā)行上市的基本條件。

根據(jù)官網(wǎng)介紹,天科合達(dá)成立于2006年9月,是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè),擁有一個(gè)研發(fā)中心和一個(gè)集晶體生長-晶體加工-晶片加工-清洗檢測(cè)的全套碳化硅晶片生產(chǎn)基地

在此之前,天科合達(dá)曾于2017年4月在新三板掛牌上市,2019年8月12日終止新三板掛牌,數(shù)月后開啟了IPO征程,隨著上市輔導(dǎo)完成,天科合達(dá)的科創(chuàng)板上市之路又邁出一步。

山西大同“半導(dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”加速推進(jìn)

山西大同“半導(dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”加速推進(jìn)

山西大同平城區(qū)聚焦“六新”,推進(jìn)“六新”發(fā)展,不斷增強(qiáng)城市吸引力、創(chuàng)造力、競(jìng)爭(zhēng)力。今年該區(qū)引進(jìn)的新材料項(xiàng)目“半導(dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”正在加快進(jìn)度組裝調(diào)試生產(chǎn)設(shè)備,力求早日投產(chǎn)。

“半導(dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”由大同錫純新材料有限公司生產(chǎn)完成,該公司主要生產(chǎn)電容石英、高純石墨等材料,應(yīng)用于半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體行業(yè)(光伏及LED)用的耗材和第三代半導(dǎo)體材料?!鞍雽?dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”是平城區(qū)2020年新材料產(chǎn)業(yè)集群重點(diǎn)推進(jìn)項(xiàng)目,總投資20億元,年內(nèi)計(jì)劃投資1.5億元。

據(jù)該項(xiàng)目相關(guān)負(fù)責(zé)人李杞秀博士介紹,該項(xiàng)目計(jì)劃分五期施行,一期投產(chǎn)后有望實(shí)現(xiàn)3億元的年銷售規(guī)模,實(shí)現(xiàn)利稅3000萬元以上。項(xiàng)目總體建成投產(chǎn)后,年產(chǎn)值有望實(shí)現(xiàn)32億元規(guī)模,實(shí)現(xiàn)利稅3億元。“‘半導(dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目’具有國際先進(jìn)技術(shù)水平,可實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代,它不僅填補(bǔ)了大同市該類項(xiàng)目的空白,為大同市建立半導(dǎo)體類產(chǎn)業(yè)集群奠定基礎(chǔ),而且將為大同市帶來上億元的直接利稅收入?!崩铊叫悴┦空f道。

該項(xiàng)目目前已經(jīng)完成主要設(shè)備的主體安裝,預(yù)計(jì)一期工程將于9月底結(jié)束并開始批量生產(chǎn)電容石英?!霸擁?xiàng)目在引入過程中就受到了市區(qū)兩級(jí)政府的大力支持,同時(shí)得到了當(dāng)?shù)睾献骰锇榈拇罅χС趾蛶椭覀儗⒗^續(xù)努力,攻克難關(guān),期待項(xiàng)目早日投產(chǎn)?!崩铊叫悴┦空f道。

總投資50億,深圳坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工

總投資50億,深圳坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工

6月29日,深圳坪山區(qū)2020年第二批重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工儀式舉行,包括坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園(多彩)。

據(jù)深圳商報(bào)報(bào)道,深圳市同力實(shí)業(yè)有限公司坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園(多彩)項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資50億元,園區(qū)將集聚第三代半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈,形成集聚發(fā)展態(tài)勢(shì)。

坪山發(fā)布指出,該項(xiàng)目計(jì)劃實(shí)施“工改工”提容,將園區(qū)的企業(yè)集聚在第三代半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈上。產(chǎn)業(yè)園將以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ),以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資為核心,對(duì)標(biāo)荷蘭埃因霍溫半導(dǎo)體科技園,打造國內(nèi)重要的集成電路產(chǎn)業(yè)增長極和國際知名的集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

作為深圳東部產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要基地,近年來,坪山集成電路及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚已經(jīng)漸成規(guī)模,集聚了中芯國際、比亞迪(中央研究院)、昂納科技、金泰克、基本半導(dǎo)體、拉普拉斯等重點(diǎn)企業(yè)。

此外,為支持集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落地發(fā)展,坪山區(qū)還制定出臺(tái)《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。

第三代半導(dǎo)體氮化鎵+“新基建”=?

第三代半導(dǎo)體氮化鎵+“新基建”=?

今年以來,氮化鎵(GaN)快充成為“網(wǎng)紅”產(chǎn)品,受到小米、OPPO、魅族等手機(jī)廠商的“熱捧”。氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域迅速起量的同時(shí),其應(yīng)用范圍也在持續(xù)擴(kuò)展,正向新基建所涉及的5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等領(lǐng)域滲透。新基建將如何賦能氮化鎵,我國企業(yè)該如何抓住氮化鎵的成長契機(jī),利用好市場(chǎng)窗口?

5G可率先打開商用空間

由于氮化鎵具備高頻率、高功率密度、損耗小等優(yōu)勢(shì),射頻器件成為氮化鎵最有前景的應(yīng)用領(lǐng)域之一。5G時(shí)代,氮化鎵將加速滲透基站所需的射頻功率放大器(PA)。

集邦咨詢指出,由于硅材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點(diǎn),RF CMOS已經(jīng)不能滿足要求。GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢(shì),將逐步替代Si LDMOS,大幅運(yùn)用于PA。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)指出,5G商用宏基站以64通道的大規(guī)模陣列天線為主,單基站PA需求達(dá)到192個(gè)。2019年全球GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5.27億美元,預(yù)計(jì)2023年將達(dá)到13.24億美元。

“5G對(duì)氮化鎵的需求增長是非常明顯的,5G基站所需的PA,為氮化鎵帶來了絕佳的市場(chǎng)機(jī)遇。隨著硅的性能開發(fā)逼近極限,氮化鎵替代硅切入更大帶寬、更高頻率的工作場(chǎng)景,使氮化鎵的優(yōu)勢(shì)能充分發(fā)揮出來,這是一個(gè)技術(shù)換代帶來的市場(chǎng)機(jī)會(huì)?!碧K州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事總經(jīng)理任勉向《中國電子報(bào)》記者表示。

今年3月,工業(yè)和信息化部在《關(guān)于推動(dòng)5G加快發(fā)展的通知》中指出,將適時(shí)發(fā)布部分5G毫米波頻段、頻率使用規(guī)劃。任勉表示,毫米波基站對(duì)射頻功率器件的需求,比當(dāng)前的宏基站市場(chǎng)更為可觀,將為氮化鎵帶來更加龐大的市場(chǎng)增量。

當(dāng)前,我國企業(yè)已經(jīng)在5G氮化鎵射頻功率器件有所布局。蘇州能訊高能半導(dǎo)體已建成4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線,產(chǎn)能達(dá)到25000片4英寸氮化鎵晶圓,以迎接5G無線通信對(duì)氮化鎵射頻芯片的市場(chǎng)需求。海特高新在5G宏基站的射頻GaN已實(shí)現(xiàn)突破,在流片工藝上,已可實(shí)現(xiàn)代工制造。英諾賽科、賽微電子等企業(yè)也在積極開展相關(guān)布局。

高效率特性賦能數(shù)據(jù)中心

在電力電子領(lǐng)域,氮化鎵充電器的市場(chǎng)熱度不減。除了追求高頻率、小體積的快充市場(chǎng),氮化鎵在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、高端工業(yè)配電系統(tǒng)電源等領(lǐng)域也有著應(yīng)用潛能。

對(duì)于數(shù)據(jù)中心,服務(wù)器運(yùn)行所需的電能往往占據(jù)運(yùn)營成本的“大頭”,如何提升能效比成為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵課題。任勉指出,相對(duì)快充等體積敏感的應(yīng)用領(lǐng)域,服務(wù)器電源將更好地發(fā)揮氮化鎵高效率、低功耗的優(yōu)勢(shì)。

“氮化鎵最大的特點(diǎn)是功率轉(zhuǎn)化效率高。尤其在數(shù)據(jù)中心等高能耗的使用場(chǎng)景下,氮化鎵憑借高效率的優(yōu)勢(shì),將帶來顯著的節(jié)能效果。”任勉說。

根據(jù)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商GaN Systems測(cè)算,GaN器件用于從AC(交流電)到DC(直流電)的電源轉(zhuǎn)換,以及轉(zhuǎn)換負(fù)載的DC電源,可以將整體效率從使用硅器件的77%提高到84%,使數(shù)據(jù)中心的功率密度增加25%以上,并將單個(gè)機(jī)架的電力成本降低2300美元以上。

新能源汽車應(yīng)用進(jìn)入研發(fā)期

在車規(guī)級(jí)市場(chǎng),同為第三代半導(dǎo)體的碳化硅已經(jīng)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用,但氮化鎵還處于研發(fā)階段。

目前,用于新能源汽車的功率器件主要有三個(gè)領(lǐng)域:一是電機(jī)控制器,用于驅(qū)動(dòng)及控制系統(tǒng);二是OBC(車載充電器),將交流電轉(zhuǎn)化為可以被新能源汽車動(dòng)力電池使用的直流電;三是DC-DC直流轉(zhuǎn)換器,將動(dòng)力電池的直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流電,給儀表盤、顯示屏、監(jiān)控系統(tǒng)等車載設(shè)備供電。專家表示,以當(dāng)前的技術(shù)水平來看,氮化鎵用于DC-DC直流轉(zhuǎn)換器這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域有著較為明顯的優(yōu)勢(shì)。

安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳向《中國電子報(bào)》記者表示,電動(dòng)汽車對(duì)高效率、高功率密度有著嚴(yán)苛的要求。通過節(jié)約零組件對(duì)車內(nèi)空間的占用,讓乘坐空間更加舒適。針對(duì)高功率密度、強(qiáng)續(xù)航能力等需求,目前的硅功率半導(dǎo)體材料器件已經(jīng)發(fā)展到瓶頸期。氮化鎵器件的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,在高效率和高功率密度方面更能符合電動(dòng)汽車的需求。

當(dāng)前,頭部廠商對(duì)車規(guī)氮化鎵多處于研發(fā)階段。安世半導(dǎo)體正在研發(fā)用于高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器、OBC等車用氮化鎵產(chǎn)品;意法半導(dǎo)體看好氮化鎵在OBC及48V直流轉(zhuǎn)換器的潛力,并于今年宣布與臺(tái)積電合作,共同推進(jìn)氮化鎵在汽車電氣化領(lǐng)域的應(yīng)用;納微半導(dǎo)體在去年路演中表示,其GaN FET相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)可用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力車的OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器,可以降低能量損耗并提升開關(guān)速度,使車輛實(shí)現(xiàn)更快的速度和更長的里程。

“車規(guī)功率器件的認(rèn)證,從A Sample到B Sample到C Sample,不管是可靠性還是方案的成熟度,都需要一定的驗(yàn)證時(shí)間。目前氮化鎵在車規(guī)領(lǐng)域的應(yīng)用還處于初級(jí)階段,但未來幾年預(yù)計(jì)會(huì)呈現(xiàn)遞進(jìn)式的增長?!崩顤|岳說。

GaN應(yīng)用多項(xiàng)挑戰(zhàn)待解

雖然氮化鎵在多個(gè)新基建領(lǐng)域具備應(yīng)用前景,但其仍處于發(fā)展初期,在技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品驗(yàn)證、市場(chǎng)滲透等方面,還有待進(jìn)一步催熟和突破。

任勉指出,在5G射頻領(lǐng)域,射頻的技術(shù)壁壘比電力電子高得多。電力電子工藝主要涉及材料、器件設(shè)計(jì)、前道工藝和后道封測(cè)。但射頻器件多了一個(gè)電磁波的技術(shù)維度,涉及射頻電路、射頻功放以及微波電子等,技術(shù)門檻更高。

在車用領(lǐng)域,李東岳表示,主要存在四方面的挑戰(zhàn):一是車用領(lǐng)域的功率要求波動(dòng)較大,需要在所有工況下,保持器件參數(shù)的長期穩(wěn)定;二是車規(guī)功率器件長期處于高振動(dòng)、高濕度、高溫度的工作環(huán)境,要求器件在應(yīng)對(duì)熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力的過程中有著極高的可靠性;三是車在裝備的過程中,在體積重量和制造成本上都有嚴(yán)格的要求,功率器件必須契合汽車裝備本身的需要;四是車規(guī)器件需要做到15年到20年的使用壽命,技術(shù)門檻很高。

對(duì)于我國企業(yè)該如何利用好5G等新基建領(lǐng)域?yàn)榈墡硎袌?chǎng)機(jī)遇,集邦咨詢分析師王尊民表示,在5G基站及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等使用場(chǎng)景,相關(guān)技術(shù)仍受國際大廠控制,因此我國廠商在其中參與的機(jī)會(huì)比較少。

“目前,我國廠商若要緊隨新基建的發(fā)展趨勢(shì),首先要強(qiáng)化自身的制造與技術(shù)研發(fā)能力,例如RF通訊、電力傳輸?shù)闹圃鞂?shí)力,才會(huì)逐步在相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟?!蓖踝鹈裾f。

任勉指出,面向5G等領(lǐng)域的需求,我國氮化鎵相關(guān)企業(yè)要提前三到五年布局,進(jìn)行五年左右的技術(shù)積累和三年左右的產(chǎn)能建設(shè)。

“市場(chǎng)窗口往往稍縱即逝,一旦市場(chǎng)格局成形,企業(yè)再想進(jìn)入并獲得市場(chǎng)主動(dòng)權(quán),就會(huì)比較困難。要提前準(zhǔn)備技術(shù)、產(chǎn)能、人才,提升布局效率,抓緊時(shí)間切入。”任勉說。

三安光電:70億定增新股申請(qǐng)獲證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)批復(fù)

三安光電:70億定增新股申請(qǐng)獲證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)批復(fù)

6月4日,三安光電股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“三安光電”)發(fā)布公告稱,6月3日,公司收到中國證券監(jiān)督管理委員會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“中國證監(jiān)會(huì)”)出具的《關(guān)于核準(zhǔn)三安光電股份有限公司非公開發(fā)行股票的批復(fù)》(證監(jiān)許可[2020]989號(hào))文件,核準(zhǔn)公司非公開發(fā)行不超過400,916,380股新股,發(fā)生轉(zhuǎn)增股本等情形導(dǎo)致總股本發(fā)生變化的,可相應(yīng)調(diào)整本次發(fā)行數(shù)量。

根據(jù)此前的公告,三安光電本次非公開發(fā)行募集資金總額不超過70億元,因此,公司本次非公開發(fā)行股票的發(fā)行數(shù)量由不超過398,633,257股(含398,633,257股)調(diào)整為不超過400,916,380股(含400,916,380股)。

其中,長沙先導(dǎo)高芯投資合伙企業(yè)(有限合伙)擬認(rèn)購金額為50億元,擬認(rèn)購股份數(shù)量由284,738,041股調(diào)整為286,368,843股;珠海格力電器股份有限公司擬認(rèn)購金額為20億元,擬認(rèn)購股份數(shù)量由113,895,216股調(diào)整為114,547,537股。

據(jù)了解,三安光電本次非公開發(fā)行募集資金總額扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額擬投入半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目(一期),本次募集資金投資項(xiàng)目計(jì)劃總投資金額約138億元,擬使用募集資金投入金額為70億元。

項(xiàng)目將建設(shè)主要包括三大業(yè)務(wù)板塊及公共配套建設(shè),三大業(yè)務(wù)板塊分別為:氮化鎵業(yè)務(wù)板塊、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊、特種封裝業(yè)務(wù)板塊。本次募投項(xiàng)目實(shí)施后,將建成包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片;高端砷化鎵LED外延、芯片;大功率氮化鎵激光器;特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用四個(gè)產(chǎn)品方向的研發(fā)、生產(chǎn)基地。

其中,各業(yè)務(wù)板塊具體的產(chǎn)能規(guī)劃如下:

1、氮化鎵業(yè)務(wù)板塊:(1)年產(chǎn)氮化鎵芯片769.20萬片,其中:第五代顯示芯片(Mini 背光/Micro LED)161.60萬片/年、超高效節(jié)能芯片530.80萬片/年、紫外(UV)芯片30.80萬片/年、大功率芯片46.00萬片/年;(2)PSS襯底年產(chǎn)923.40萬片;(3)大功率激光器年產(chǎn)141.80萬顆。

2、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊:(1)年產(chǎn)GaAs LED芯片123.20萬片,其中:第五代顯示芯片(Mini/Micro LED)17.60萬片/年、ITO紅光芯片34.90萬片/年、RS紅光芯片19.10萬片/年、高功率紅外產(chǎn)品14.20萬片/年、植物生長燈芯片14.40萬片/年、大功率戶外亮化芯片7.20萬片/年、車用級(jí)芯片7.00萬片/年、醫(yī)療健康芯片8.80萬片/年;(2)年產(chǎn)太陽電池芯片40.50萬片,其中:商用衛(wèi)星電池13.50萬片/年、臨近空間裝置27.00萬片/年。

3、特種封裝業(yè)務(wù)板塊:(1)UV LED封裝81.40kk/年;(2)Mini LED芯片級(jí)封裝8,483.00 kk/年;(3)車用級(jí)LED封裝57.80kk/年;(4)大功率LED封裝63.20kk/年;(5)IR LED封裝39.00kk/年。

市場(chǎng)需求熱!化合物半導(dǎo)體嶄露頭角

市場(chǎng)需求熱!化合物半導(dǎo)體嶄露頭角

憑借成熟制程及成本較低的優(yōu)勢(shì),第一代硅質(zhì)半導(dǎo)體芯片已成為人們生活中不可或缺的重要器件。然而,硅質(zhì)半導(dǎo)體受制于無法在高溫、高頻以及高電壓等環(huán)境中使用的材料限制,讓化合物半導(dǎo)體逐漸嶄露頭角。

襯底與外延質(zhì)量成決定化合物半導(dǎo)體器件特性關(guān)鍵

化合物半導(dǎo)體主要指砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 等第二、第三代半導(dǎo)體,相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體,在高頻性能、高溫性能方面較優(yōu)。

全球知名研究咨詢公司集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出,現(xiàn)行化合物半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈關(guān)系,主要透過襯底廠商提供適當(dāng)?shù)木A,并由外延廠進(jìn)行所需之反應(yīng)層材料成長,隨后再透過IDM廠或各自獨(dú)立的代工廠進(jìn)行加工,最終再由終端產(chǎn)品商加工統(tǒng)整后販賣至消費(fèi)者手中。

考慮到化合物半導(dǎo)體襯底在生長過程中產(chǎn)生部分缺陷,所以制作器件前需透過如MOCVD、MBE等外延程序,再次成長所需的反應(yīng)層,借此降低并滿足器件性能表現(xiàn);在襯底方面,目前化合物半導(dǎo)體主要以6吋襯底為主,并試圖滿足GaAs、 SiC、GaN on Si / SiC等各類器件生產(chǎn)之需求。

由于化合物半導(dǎo)體屬二元以上結(jié)構(gòu),在襯底及外延的制備上,相較于傳統(tǒng)硅材料困難,因此,如何有效控制襯底與外延質(zhì)量,是決定化合物半導(dǎo)體器件的特性關(guān)鍵。

新冠疫情席卷全球,化合物半導(dǎo)體應(yīng)用受波擊

化合物半導(dǎo)體并不是近年的產(chǎn)物,不過,直到近期化合物半導(dǎo)體才真正開始普及和興起,尤其近年中國開始大規(guī)模投資,亦使得產(chǎn)業(yè)漸趨繁榮。然而,受到中美貿(mào)易摩擦及突如其來的新冠肺炎疫情影響,化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用也受到波及。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出,基于砷化鎵或氮化鎵的射頻器件受到不小震蕩。其中,砷化鎵技術(shù)相較成熟,但由于市場(chǎng)仍以手機(jī)射頻為主,以致受到影響較大,預(yù)估2020年?duì)I收將小幅下跌。而氮化鎵器件仍處于開發(fā)階段,目前主要應(yīng)用于基站射頻技術(shù),預(yù)計(jì)2020年?duì)I收則呈現(xiàn)小幅增長。

功率器件方面,雖然受大環(huán)境影響,但其已是化合物半導(dǎo)體的發(fā)展重點(diǎn),成長動(dòng)能依舊顯著。碳化硅材料因襯底生產(chǎn)難度大,功率器件成長幅度受限,后續(xù)有待襯底技術(shù)持續(xù)精進(jìn);氮化鎵功率器件技術(shù)發(fā)展則相對(duì)成熟,雖大環(huán)境不佳導(dǎo)致成長放緩,但向上幅度仍明顯。

中國廠商與國際大廠技術(shù)差距將逐漸縮小

雖然受到中美貿(mào)易摩擦和疫情影響拖累全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,但化合物半導(dǎo)體憑借自身材料特性和新興應(yīng)用需求,各家IDM廠相繼推出相關(guān)措施應(yīng)對(duì)??莆郑≦orvo)、意法半導(dǎo)體、安森美以及中國三安光電和英諾賽科等廠商都紛紛通過新品、并購或新建生產(chǎn)線等方式積極參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng),以擴(kuò)大影響力。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析,目前來看,在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,中國廠商雖然和國際廠商相比仍有技術(shù)差距,但隨著中國國家大基金的支持以及廠商的不斷布局,技術(shù)差距將不斷縮小。當(dāng)前唯有真實(shí)掌握市場(chǎng)需求,廠商才有機(jī)會(huì)在競(jìng)爭(zhēng)中當(dāng)中成長及獲利。

芯源微前道涂膠顯影機(jī)到位中芯北方進(jìn)行驗(yàn)證

芯源微前道涂膠顯影機(jī)到位中芯北方進(jìn)行驗(yàn)證

近日,由沈陽芯源微電子設(shè)備股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“芯源微”)生產(chǎn)的前道涂膠顯影機(jī)到位中芯北方進(jìn)行驗(yàn)證。據(jù)沈陽日?qǐng)?bào)報(bào)道,這意味著國產(chǎn)涂膠顯影設(shè)備開始大批量走向市場(chǎng)。

資料顯示,芯源微成立于2002年,是由中科院沈陽自動(dòng)化研究所發(fā)起創(chuàng)建的國家高新技術(shù)企業(yè),目前主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備(涂膠/顯影機(jī)、噴膠機(jī))和單片式濕法設(shè)備(清洗機(jī)、去膠機(jī)、濕法刻蝕機(jī)),產(chǎn)品可用于6英寸及以下單晶圓處理(如LED芯片制造環(huán)節(jié))及8/12英寸單晶圓處理(如集成電路制造前道晶圓加工及后道先進(jìn)封裝環(huán)節(jié))。

2019年12月16日,芯源微在上海證券交易所科創(chuàng)板上市,成為了遼寧省科創(chuàng)板“第一股”和中科院第一家科創(chuàng)板上市企業(yè)。根據(jù)此前的招股書披露,芯源微擬向社會(huì)公開發(fā)行不超過2,100萬股,計(jì)劃募集資金3.78億元投入高端晶圓處理設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高端晶圓處理設(shè)備研發(fā)中心項(xiàng)目兩大項(xiàng)目。

2019年度報(bào)告顯示,芯源微生產(chǎn)的前道涂膠顯影設(shè)備于2018年下半年分別發(fā)往上海華力、長江存儲(chǔ)進(jìn)行工藝驗(yàn)證,其中上海華力機(jī)臺(tái)為前道Barc(抗反射層)涂覆設(shè)備,已于2019年9月通過工藝驗(yàn)證并確認(rèn)收入;長江存儲(chǔ)機(jī)臺(tái)為前道涂膠顯影設(shè)備,目前仍在驗(yàn)證中。通過在上海華力、長江存儲(chǔ)的驗(yàn)證與改進(jìn),公司光刻工序前道涂膠顯影設(shè)備在多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)方面取得突破,技術(shù)成果已應(yīng)用到新產(chǎn)品、新客戶,截至目前,已陸續(xù)獲得了株洲中車、青島芯恩、上海積塔、寧波中芯、昆明京東方、廈門士蘭等多個(gè)前道大客戶的訂單。

而集成電路前道晶圓加工領(lǐng)域用清洗機(jī)Spin Scrubber設(shè)備的各項(xiàng)指標(biāo)均得到明顯改善或提升,已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。該類設(shè)備已在中芯國際、上海華力等多個(gè)客戶處通過工藝驗(yàn)證,截至目前已獲得國內(nèi)多家晶圓廠商的重復(fù)訂單。

此外,芯源微生產(chǎn)的光刻工序涂膠顯影設(shè)備與單片式濕法設(shè)備,已經(jīng)從傳統(tǒng)的先進(jìn)封裝領(lǐng)域、LED領(lǐng)域拓展到MEMS、化合物、功率器件、特種工藝等領(lǐng)域,截至目前已累計(jì)銷售800余臺(tái)套,已作為主流機(jī)型應(yīng)用于臺(tái)積電、長電科技、華天科技、通富微電、晶方科技、華燦光電、乾照光電、澳洋順昌等國內(nèi)一線大廠。

第三代半導(dǎo)體材料廠商天科合達(dá)開啟科創(chuàng)板上市征程

第三代半導(dǎo)體材料廠商天科合達(dá)開啟科創(chuàng)板上市征程

5月7日,5月7日,北京監(jiān)管局披露了國開證券股份有限公司關(guān)于北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“天科合達(dá)”)首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作報(bào)告(第二期)。

國開證券和天科合達(dá)于2019年12月6日簽署《北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司與國開證券股份有限公司關(guān)于首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議》,并于2019年12月12日取得中國證監(jiān)會(huì)北京監(jiān)管局輔導(dǎo)備案受理。

官網(wǎng)資料顯示,天科合達(dá)于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立,目前注冊(cè)資本為10364.2866萬元,是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。2017年4月10日,天科合達(dá)在新三板掛牌上市,2019年8月12日終止新三板掛牌。

天科合達(dá)為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一,目前其在碳化硅單晶行業(yè)世界排名位于第四位,國內(nèi)排名居前列,晶片產(chǎn)品大量出口至歐、美和日本等20多個(gè)國家和地區(qū),是我國少數(shù)進(jìn)入國外知名大企業(yè)的高技術(shù)產(chǎn)品。

第三代半導(dǎo)體材料廠商天科合達(dá)開啟科創(chuàng)板上市征程

第三代半導(dǎo)體材料廠商天科合達(dá)開啟科創(chuàng)板上市征程

5月7日,5月7日,北京監(jiān)管局披露了國開證券股份有限公司關(guān)于北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“天科合達(dá)”)首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作報(bào)告(第二期)。

國開證券和天科合達(dá)于2019年12月6日簽署《北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司與國開證券股份有限公司關(guān)于首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議》,并于2019年12月12日取得中國證監(jiān)會(huì)北京監(jiān)管局輔導(dǎo)備案受理。

官網(wǎng)資料顯示,天科合達(dá)于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立,目前注冊(cè)資本為10364.2866萬元,是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。2017年4月10日,天科合達(dá)在新三板掛牌上市,2019年8月12日終止新三板掛牌。

天科合達(dá)為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一,目前其在碳化硅單晶行業(yè)世界排名位于第四位,國內(nèi)排名居前列,晶片產(chǎn)品大量出口至歐、美和日本等20多個(gè)國家和地區(qū),是我國少數(shù)進(jìn)入國外知名大企業(yè)的高技術(shù)產(chǎn)品。

福州高新區(qū)加速建設(shè)第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園

福州高新區(qū)加速建設(shè)第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園

隨著新冠肺炎疫情防控形勢(shì)持續(xù)向好,生產(chǎn)生活秩序加快恢復(fù),福州高新區(qū)推動(dòng)省市重點(diǎn)項(xiàng)目滿負(fù)荷施工,爭(zhēng)取把受疫情影響的建設(shè)進(jìn)度“搶”回來。

樁基施工擬6月底完成

據(jù)介紹,位于高新區(qū)生物醫(yī)藥園和機(jī)電產(chǎn)業(yè)園(簡(jiǎn)稱兩園)的第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園于2019年三季度開工建設(shè),預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)。

該產(chǎn)業(yè)園占地65513平方米,總建筑面積87550平方米,計(jì)容建筑面積104170平方米,總投資50995萬元。建設(shè)內(nèi)容包括4棟4層標(biāo)準(zhǔn)廠房、2間門房、263個(gè)機(jī)動(dòng)車停車位、876個(gè)非機(jī)動(dòng)車停車位,以及供水、供電、排水、道路、污水處理等配套設(shè)施。

項(xiàng)目完工后,將與高新區(qū)海西園的數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園相呼應(yīng),形成大園區(qū)加特色產(chǎn)業(yè)園相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)格局,并通過打造一批高品質(zhì)精細(xì)化民生設(shè)施,提升高新區(qū)的城市品質(zhì)。

一直以來,在市委、市政府大力指導(dǎo)和幫助下,高新區(qū)準(zhǔn)確把握當(dāng)前電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向,高效率推進(jìn)、高品質(zhì)服務(wù)、高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè),全力推進(jìn)第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園落地動(dòng)建。該工程樁基共計(jì)1358根,截至4月22日共施工完成280根,預(yù)計(jì)6月底完成樁基施工。

全面賦能平臺(tái)招大引強(qiáng)

與此同時(shí),高新區(qū)全面賦能平臺(tái)招大引強(qiáng),依托已落地“兩園”的福建省電子信息集團(tuán),引進(jìn)一線龍頭企業(yè)項(xiàng)目——海峽星云國產(chǎn)整機(jī)先進(jìn)智能制造基地。項(xiàng)目將基于國產(chǎn)芯片,創(chuàng)建、培育和發(fā)展福建本地高端計(jì)算整機(jī)品牌,推動(dòng)高端通用國產(chǎn)整機(jī)研制,開展高端整機(jī)全國產(chǎn)化替代與應(yīng)用示范,形成具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和特色的區(qū)域整機(jī)品牌。

該項(xiàng)目分三期建設(shè),首期計(jì)劃投資10億元,目標(biāo)到2020年底實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬臺(tái)高端整機(jī);二期規(guī)劃于2021年開工,計(jì)劃總投資20億元,目標(biāo)到2022年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)30萬臺(tái);遠(yuǎn)期規(guī)劃2024年開工,計(jì)劃總投資50億元,目標(biāo)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)50萬臺(tái)。目前已完成廠房場(chǎng)地裝修90%的工作任務(wù),主要生產(chǎn)設(shè)備也已完成出廠測(cè)試工作,分批次運(yùn)送到福州工廠。

高新區(qū)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)介紹,第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園的建設(shè),將為落地高新區(qū)的機(jī)電數(shù)字產(chǎn)業(yè)企業(yè)提供低成本、高回報(bào)的平臺(tái)。同時(shí)結(jié)合“8+7”創(chuàng)新發(fā)展政策,與福建省電子信息集團(tuán)形成互動(dòng)、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),能快速吸引投資,打造電子信息產(chǎn)業(yè)集群,推動(dòng)高新區(qū)發(fā)展再上新臺(tái)階。