7月1日，北京證監(jiān)局披露了國(guó)開(kāi)證券股份有限公司關(guān)于北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“天科合達(dá)”）首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作的總結(jié)報(bào)告。

資料顯示，天科合達(dá)于2019年12月6日與國(guó)開(kāi)證券簽署上市輔導(dǎo)協(xié)議，并于2019年12月12日取得中國(guó)證監(jiān)會(huì)北京監(jiān)管局輔導(dǎo)備案受理?？偨Y(jié)報(bào)告指出，本次輔導(dǎo)工作已完成，輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)認(rèn)為天科合達(dá)符合中國(guó)證監(jiān)會(huì)和上海證券交易所對(duì)科創(chuàng)板擬上市公司的各項(xiàng)要求或規(guī)定，達(dá)到了輔導(dǎo)工作的預(yù)期效果，具備在科創(chuàng)板發(fā)行上市的基本條件。

根據(jù)官網(wǎng)介紹，天科合達(dá)成立于2006年9月，是一家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的企業(yè)，擁有一個(gè)研發(fā)中心和一個(gè)集晶體生長(zhǎng)-晶體加工-晶片加工-清洗檢測(cè)的全套碳化硅晶片生產(chǎn)基地

在此之前，天科合達(dá)曾于2017年4月在新三板掛牌上市，2019年8月12日終止新三板掛牌，數(shù)月后開(kāi)啟了IPO征程，隨著上市輔導(dǎo)完成，天科合達(dá)的科創(chuàng)板上市之路又邁出一步。

擬闖關(guān)科創(chuàng)板IPO 天科合達(dá)完成上市輔導(dǎo)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

山西大同平城區(qū)聚焦“六新”，推進(jìn)“六新”發(fā)展，不斷增強(qiáng)城市吸引力、創(chuàng)造力、競(jìng)爭(zhēng)力。今年該區(qū)引進(jìn)的新材料項(xiàng)目“半導(dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”正在加快進(jìn)度組裝調(diào)試生產(chǎn)設(shè)備，力求早日投產(chǎn)。

“半導(dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”由大同錫純新材料有限公司生產(chǎn)完成，該公司主要生產(chǎn)電容石英、高純石墨等材料，應(yīng)用于半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體行業(yè)(光伏及LED)用的耗材和第三代半導(dǎo)體材料?！鞍雽?dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”是平城區(qū)2020年新材料產(chǎn)業(yè)集群重點(diǎn)推進(jìn)項(xiàng)目，總投資20億元，年內(nèi)計(jì)劃投資1.5億元。

據(jù)該項(xiàng)目相關(guān)負(fù)責(zé)人李杞秀博士介紹，該項(xiàng)目計(jì)劃分五期施行，一期投產(chǎn)后有望實(shí)現(xiàn)3億元的年銷(xiāo)售規(guī)模，實(shí)現(xiàn)利稅3000萬(wàn)元以上。項(xiàng)目總體建成投產(chǎn)后，年產(chǎn)值有望實(shí)現(xiàn)32億元規(guī)模，實(shí)現(xiàn)利稅3億元?！啊雽?dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目’具有國(guó)際先進(jìn)技術(shù)水平，可實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，它不僅填補(bǔ)了大同市該類(lèi)項(xiàng)目的空白，為大同市建立半導(dǎo)體類(lèi)產(chǎn)業(yè)集群奠定基礎(chǔ)，而且將為大同市帶來(lái)上億元的直接利稅收入?！崩铊叫悴┦空f(shuō)道。

該項(xiàng)目目前已經(jīng)完成主要設(shè)備的主體安裝，預(yù)計(jì)一期工程將于9月底結(jié)束并開(kāi)始批量生產(chǎn)電容石英?！霸擁?xiàng)目在引入過(guò)程中就受到了市區(qū)兩級(jí)政府的大力支持，同時(shí)得到了當(dāng)?shù)睾献骰锇榈拇罅χС趾蛶椭?，我們將繼續(xù)努力，攻克難關(guān)，期待項(xiàng)目早日投產(chǎn)?！崩铊叫悴┦空f(shuō)道。

山西大同“半導(dǎo)體芯片用石英石墨材料項(xiàng)目”加速推進(jìn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

6月29日，深圳坪山區(qū)2020年第二批重點(diǎn)項(xiàng)目集中開(kāi)工儀式舉行，包括坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園（多彩）。

據(jù)深圳商報(bào)報(bào)道，深圳市同力實(shí)業(yè)有限公司坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園（多彩）項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資50億元，園區(qū)將集聚第三代半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈，形成集聚發(fā)展態(tài)勢(shì)。

坪山發(fā)布指出，該項(xiàng)目計(jì)劃實(shí)施“工改工”提容，將園區(qū)的企業(yè)集聚在第三代半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈上。產(chǎn)業(yè)園將以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資為核心，對(duì)標(biāo)荷蘭埃因霍溫半導(dǎo)體科技園，打造國(guó)內(nèi)重要的集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)極和國(guó)際知名的集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

作為深圳東部產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要基地，近年來(lái)，坪山集成電路及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚已經(jīng)漸成規(guī)模，集聚了中芯國(guó)際、比亞迪（中央研究院）、昂納科技、金泰克、基本半導(dǎo)體、拉普拉斯等重點(diǎn)企業(yè)。

此外，為支持集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落地發(fā)展，坪山區(qū)還制定出臺(tái)《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。

總投資50億，深圳坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開(kāi)工最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

今年以來(lái)，氮化鎵(GaN)快充成為“網(wǎng)紅”產(chǎn)品，受到小米、OPPO、魅族等手機(jī)廠商的“熱捧”。氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域迅速起量的同時(shí)，其應(yīng)用范圍也在持續(xù)擴(kuò)展，正向新基建所涉及的5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域滲透。新基建將如何賦能氮化鎵，我國(guó)企業(yè)該如何抓住氮化鎵的成長(zhǎng)契機(jī)，利用好市場(chǎng)窗口?

5G可率先打開(kāi)商用空間

由于氮化鎵具備高頻率、高功率密度、損耗小等優(yōu)勢(shì)，射頻器件成為氮化鎵最有前景的應(yīng)用領(lǐng)域之一。5G時(shí)代，氮化鎵將加速滲透基站所需的射頻功率放大器(PA)。

集邦咨詢指出，由于硅材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點(diǎn)，RF CMOS已經(jīng)不能滿足要求。GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢(shì)，將逐步替代Si LDMOS，大幅運(yùn)用于PA。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)指出，5G商用宏基站以64通道的大規(guī)模陣列天線為主，單基站PA需求達(dá)到192個(gè)。2019年全球GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5.27億美元，預(yù)計(jì)2023年將達(dá)到13.24億美元。

“5G對(duì)氮化鎵的需求增長(zhǎng)是非常明顯的，5G基站所需的PA，為氮化鎵帶來(lái)了絕佳的市場(chǎng)機(jī)遇。隨著硅的性能開(kāi)發(fā)逼近極限，氮化鎵替代硅切入更大帶寬、更高頻率的工作場(chǎng)景，使氮化鎵的優(yōu)勢(shì)能充分發(fā)揮出來(lái)，這是一個(gè)技術(shù)換代帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)會(huì)?！碧K州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事總經(jīng)理任勉向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示。

今年3月，工業(yè)和信息化部在《關(guān)于推動(dòng)5G加快發(fā)展的通知》中指出，將適時(shí)發(fā)布部分5G毫米波頻段、頻率使用規(guī)劃。任勉表示，毫米波基站對(duì)射頻功率器件的需求，比當(dāng)前的宏基站市場(chǎng)更為可觀，將為氮化鎵帶來(lái)更加龐大的市場(chǎng)增量。

當(dāng)前，我國(guó)企業(yè)已經(jīng)在5G氮化鎵射頻功率器件有所布局。蘇州能訊高能半導(dǎo)體已建成4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線，產(chǎn)能達(dá)到25000片4英寸氮化鎵晶圓，以迎接5G無(wú)線通信對(duì)氮化鎵射頻芯片的市場(chǎng)需求。海特高新在5G宏基站的射頻GaN已實(shí)現(xiàn)突破，在流片工藝上，已可實(shí)現(xiàn)代工制造。英諾賽科、賽微電子等企業(yè)也在積極開(kāi)展相關(guān)布局。

高效率特性賦能數(shù)據(jù)中心

在電力電子領(lǐng)域，氮化鎵充電器的市場(chǎng)熱度不減。除了追求高頻率、小體積的快充市場(chǎng)，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、高端工業(yè)配電系統(tǒng)電源等領(lǐng)域也有著應(yīng)用潛能。

對(duì)于數(shù)據(jù)中心，服務(wù)器運(yùn)行所需的電能往往占據(jù)運(yùn)營(yíng)成本的“大頭”,如何提升能效比成為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵課題。任勉指出，相對(duì)快充等體積敏感的應(yīng)用領(lǐng)域，服務(wù)器電源將更好地發(fā)揮氮化鎵高效率、低功耗的優(yōu)勢(shì)。

“氮化鎵最大的特點(diǎn)是功率轉(zhuǎn)化效率高。尤其在數(shù)據(jù)中心等高能耗的使用場(chǎng)景下，氮化鎵憑借高效率的優(yōu)勢(shì)，將帶來(lái)顯著的節(jié)能效果?！比蚊阏f(shuō)。

根據(jù)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商GaN Systems測(cè)算，GaN器件用于從AC(交流電)到DC(直流電)的電源轉(zhuǎn)換，以及轉(zhuǎn)換負(fù)載的DC電源，可以將整體效率從使用硅器件的77%提高到84%，使數(shù)據(jù)中心的功率密度增加25%以上，并將單個(gè)機(jī)架的電力成本降低2300美元以上。

新能源汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)入研發(fā)期

在車(chē)規(guī)級(jí)市場(chǎng)，同為第三代半導(dǎo)體的碳化硅已經(jīng)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，但氮化鎵還處于研發(fā)階段。

目前，用于新能源汽車(chē)的功率器件主要有三個(gè)領(lǐng)域：一是電機(jī)控制器，用于驅(qū)動(dòng)及控制系統(tǒng);二是OBC(車(chē)載充電器)，將交流電轉(zhuǎn)化為可以被新能源汽車(chē)動(dòng)力電池使用的直流電;三是DC-DC直流轉(zhuǎn)換器，將動(dòng)力電池的直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流電，給儀表盤(pán)、顯示屏、監(jiān)控系統(tǒng)等車(chē)載設(shè)備供電。專(zhuān)家表示，以當(dāng)前的技術(shù)水平來(lái)看，氮化鎵用于DC-DC直流轉(zhuǎn)換器這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域有著較為明顯的優(yōu)勢(shì)。

安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示，電動(dòng)汽車(chē)對(duì)高效率、高功率密度有著嚴(yán)苛的要求。通過(guò)節(jié)約零組件對(duì)車(chē)內(nèi)空間的占用，讓乘坐空間更加舒適。針對(duì)高功率密度、強(qiáng)續(xù)航能力等需求，目前的硅功率半導(dǎo)體材料器件已經(jīng)發(fā)展到瓶頸期。氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，在高效率和高功率密度方面更能符合電動(dòng)汽車(chē)的需求。

當(dāng)前，頭部廠商對(duì)車(chē)規(guī)氮化鎵多處于研發(fā)階段。安世半導(dǎo)體正在研發(fā)用于高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器、OBC等車(chē)用氮化鎵產(chǎn)品;意法半導(dǎo)體看好氮化鎵在OBC及48V直流轉(zhuǎn)換器的潛力，并于今年宣布與臺(tái)積電合作，共同推進(jìn)氮化鎵在汽車(chē)電氣化領(lǐng)域的應(yīng)用;納微半導(dǎo)體在去年路演中表示，其GaN FET相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)可用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)的OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，可以降低能量損耗并提升開(kāi)關(guān)速度，使車(chē)輛實(shí)現(xiàn)更快的速度和更長(zhǎng)的里程。

“車(chē)規(guī)功率器件的認(rèn)證，從A Sample到B Sample到C Sample，不管是可靠性還是方案的成熟度，都需要一定的驗(yàn)證時(shí)間。目前氮化鎵在車(chē)規(guī)領(lǐng)域的應(yīng)用還處于初級(jí)階段，但未來(lái)幾年預(yù)計(jì)會(huì)呈現(xiàn)遞進(jìn)式的增長(zhǎng)?！崩顤|岳說(shuō)。

GaN應(yīng)用多項(xiàng)挑戰(zhàn)待解

雖然氮化鎵在多個(gè)新基建領(lǐng)域具備應(yīng)用前景，但其仍處于發(fā)展初期，在技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品驗(yàn)證、市場(chǎng)滲透等方面，還有待進(jìn)一步催熟和突破。

任勉指出，在5G射頻領(lǐng)域，射頻的技術(shù)壁壘比電力電子高得多。電力電子工藝主要涉及材料、器件設(shè)計(jì)、前道工藝和后道封測(cè)。但射頻器件多了一個(gè)電磁波的技術(shù)維度，涉及射頻電路、射頻功放以及微波電子等，技術(shù)門(mén)檻更高。

在車(chē)用領(lǐng)域，李東岳表示，主要存在四方面的挑戰(zhàn)：一是車(chē)用領(lǐng)域的功率要求波動(dòng)較大，需要在所有工況下，保持器件參數(shù)的長(zhǎng)期穩(wěn)定;二是車(chē)規(guī)功率器件長(zhǎng)期處于高振動(dòng)、高濕度、高溫度的工作環(huán)境，要求器件在應(yīng)對(duì)熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力的過(guò)程中有著極高的可靠性;三是車(chē)在裝備的過(guò)程中，在體積重量和制造成本上都有嚴(yán)格的要求，功率器件必須契合汽車(chē)裝備本身的需要;四是車(chē)規(guī)器件需要做到15年到20年的使用壽命，技術(shù)門(mén)檻很高。

對(duì)于我國(guó)企業(yè)該如何利用好5G等新基建領(lǐng)域?yàn)榈墡?lái)市場(chǎng)機(jī)遇，集邦咨詢分析師王尊民表示，在5G基站及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等使用場(chǎng)景，相關(guān)技術(shù)仍受?chē)?guó)際大廠控制，因此我國(guó)廠商在其中參與的機(jī)會(huì)比較少。

“目前，我國(guó)廠商若要緊隨新基建的發(fā)展趨勢(shì)，首先要強(qiáng)化自身的制造與技術(shù)研發(fā)能力，例如RF通訊、電力傳輸?shù)闹圃鞂?shí)力，才會(huì)逐步在相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟?！蓖踝鹈裾f(shuō)。

任勉指出，面向5G等領(lǐng)域的需求，我國(guó)氮化鎵相關(guān)企業(yè)要提前三到五年布局，進(jìn)行五年左右的技術(shù)積累和三年左右的產(chǎn)能建設(shè)。

“市場(chǎng)窗口往往稍縱即逝，一旦市場(chǎng)格局成形，企業(yè)再想進(jìn)入并獲得市場(chǎng)主動(dòng)權(quán)，就會(huì)比較困難。要提前準(zhǔn)備技術(shù)、產(chǎn)能、人才，提升布局效率，抓緊時(shí)間切入?！比蚊阏f(shuō)。

第三代半導(dǎo)體氮化鎵+“新基建”=？最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

6月4日，三安光電股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“三安光電”）發(fā)布公告稱(chēng)，6月3日，公司收到中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中國(guó)證監(jiān)會(huì)”）出具的《關(guān)于核準(zhǔn)三安光電股份有限公司非公開(kāi)發(fā)行股票的批復(fù)》（證監(jiān)許可[2020]989號(hào)）文件，核準(zhǔn)公司非公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)400,916,380股新股，發(fā)生轉(zhuǎn)增股本等情形導(dǎo)致總股本發(fā)生變化的，可相應(yīng)調(diào)整本次發(fā)行數(shù)量。

根據(jù)此前的公告，三安光電本次非公開(kāi)發(fā)行募集資金總額不超過(guò)70億元，因此，公司本次非公開(kāi)發(fā)行股票的發(fā)行數(shù)量由不超過(guò)398,633,257股（含398,633,257股）調(diào)整為不超過(guò)400,916,380股（含400,916,380股）。

其中，長(zhǎng)沙先導(dǎo)高芯投資合伙企業(yè)（有限合伙）擬認(rèn)購(gòu)金額為50億元，擬認(rèn)購(gòu)股份數(shù)量由284,738,041股調(diào)整為286,368,843股；珠海格力電器股份有限公司擬認(rèn)購(gòu)金額為20億元，擬認(rèn)購(gòu)股份數(shù)量由113,895,216股調(diào)整為114,547,537股。

據(jù)了解，三安光電本次非公開(kāi)發(fā)行募集資金總額扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額擬投入半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（一期），本次募集資金投資項(xiàng)目計(jì)劃總投資金額約138億元，擬使用募集資金投入金額為70億元。

項(xiàng)目將建設(shè)主要包括三大業(yè)務(wù)板塊及公共配套建設(shè)，三大業(yè)務(wù)板塊分別為：氮化鎵業(yè)務(wù)板塊、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊、特種封裝業(yè)務(wù)板塊。本次募投項(xiàng)目實(shí)施后，將建成包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片；高端砷化鎵LED外延、芯片；大功率氮化鎵激光器；特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用四個(gè)產(chǎn)品方向的研發(fā)、生產(chǎn)基地。

其中，各業(yè)務(wù)板塊具體的產(chǎn)能規(guī)劃如下：

1、氮化鎵業(yè)務(wù)板塊：（1）年產(chǎn)氮化鎵芯片769.20萬(wàn)片，其中：第五代顯示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60萬(wàn)片/年、超高效節(jié)能芯片530.80萬(wàn)片/年、紫外（UV）芯片30.80萬(wàn)片/年、大功率芯片46.00萬(wàn)片/年；（2）PSS襯底年產(chǎn)923.40萬(wàn)片；（3）大功率激光器年產(chǎn)141.80萬(wàn)顆。

2、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊：（1）年產(chǎn)GaAs LED芯片123.20萬(wàn)片，其中：第五代顯示芯片（Mini/Micro LED）17.60萬(wàn)片/年、ITO紅光芯片34.90萬(wàn)片/年、RS紅光芯片19.10萬(wàn)片/年、高功率紅外產(chǎn)品14.20萬(wàn)片/年、植物生長(zhǎng)燈芯片14.40萬(wàn)片/年、大功率戶外亮化芯片7.20萬(wàn)片/年、車(chē)用級(jí)芯片7.00萬(wàn)片/年、醫(yī)療健康芯片8.80萬(wàn)片/年；（2）年產(chǎn)太陽(yáng)電池芯片40.50萬(wàn)片，其中：商用衛(wèi)星電池13.50萬(wàn)片/年、臨近空間裝置27.00萬(wàn)片/年。

3、特種封裝業(yè)務(wù)板塊：（1）UV LED封裝81.40kk/年；（2）Mini LED芯片級(jí)封裝8,483.00 kk/年；（3）車(chē)用級(jí)LED封裝57.80kk/年；（4）大功率LED封裝63.20kk/年；（5）IR LED封裝39.00kk/年。

三安光電：70億定增新股申請(qǐng)獲證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)批復(fù)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

憑借成熟制程及成本較低的優(yōu)勢(shì)，第一代硅質(zhì)半導(dǎo)體芯片已成為人們生活中不可或缺的重要器件。然而，硅質(zhì)半導(dǎo)體受制于無(wú)法在高溫、高頻以及高電壓等環(huán)境中使用的材料限制，讓化合物半導(dǎo)體逐漸嶄露頭角。

襯底與外延質(zhì)量成決定化合物半導(dǎo)體器件特性關(guān)鍵

化合物半導(dǎo)體主要指砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 等第二、第三代半導(dǎo)體，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面較優(yōu)。

全球知名研究咨詢公司集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，現(xiàn)行化合物半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈關(guān)系，主要透過(guò)襯底廠商提供適當(dāng)?shù)木A，并由外延廠進(jìn)行所需之反應(yīng)層材料成長(zhǎng)，隨后再透過(guò)IDM廠或各自獨(dú)立的代工廠進(jìn)行加工，最終再由終端產(chǎn)品商加工統(tǒng)整后販賣(mài)至消費(fèi)者手中。

考慮到化合物半導(dǎo)體襯底在生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生部分缺陷，所以制作器件前需透過(guò)如MOCVD、MBE等外延程序，再次成長(zhǎng)所需的反應(yīng)層，借此降低并滿足器件性能表現(xiàn)；在襯底方面，目前化合物半導(dǎo)體主要以6吋襯底為主，并試圖滿足GaAs、 SiC、GaN on Si / SiC等各類(lèi)器件生產(chǎn)之需求。

由于化合物半導(dǎo)體屬二元以上結(jié)構(gòu)，在襯底及外延的制備上，相較于傳統(tǒng)硅材料困難，因此，如何有效控制襯底與外延質(zhì)量，是決定化合物半導(dǎo)體器件的特性關(guān)鍵。

新冠疫情席卷全球，化合物半導(dǎo)體應(yīng)用受波擊

化合物半導(dǎo)體并不是近年的產(chǎn)物，不過(guò)，直到近期化合物半導(dǎo)體才真正開(kāi)始普及和興起，尤其近年中國(guó)開(kāi)始大規(guī)模投資，亦使得產(chǎn)業(yè)漸趨繁榮。然而，受到中美貿(mào)易摩擦及突如其來(lái)的新冠肺炎疫情影響，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用也受到波及。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，基于砷化鎵或氮化鎵的射頻器件受到不小震蕩。其中，砷化鎵技術(shù)相較成熟，但由于市場(chǎng)仍以手機(jī)射頻為主，以致受到影響較大，預(yù)估2020年?duì)I收將小幅下跌。而氮化鎵器件仍處于開(kāi)發(fā)階段，目前主要應(yīng)用于基站射頻技術(shù)，預(yù)計(jì)2020年?duì)I收則呈現(xiàn)小幅增長(zhǎng)。

功率器件方面，雖然受大環(huán)境影響，但其已是化合物半導(dǎo)體的發(fā)展重點(diǎn)，成長(zhǎng)動(dòng)能依舊顯著。碳化硅材料因襯底生產(chǎn)難度大，功率器件成長(zhǎng)幅度受限，后續(xù)有待襯底技術(shù)持續(xù)精進(jìn)；氮化鎵功率器件技術(shù)發(fā)展則相對(duì)成熟，雖大環(huán)境不佳導(dǎo)致成長(zhǎng)放緩，但向上幅度仍明顯。

中國(guó)廠商與國(guó)際大廠技術(shù)差距將逐漸縮小

雖然受到中美貿(mào)易摩擦和疫情影響拖累全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但化合物半導(dǎo)體憑借自身材料特性和新興應(yīng)用需求，各家IDM廠相繼推出相關(guān)措施應(yīng)對(duì)?？莆郑≦orvo）、意法半導(dǎo)體、安森美以及中國(guó)三安光電和英諾賽科等廠商都紛紛通過(guò)新品、并購(gòu)或新建生產(chǎn)線等方式積極參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，以擴(kuò)大影響力。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析，目前來(lái)看，在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國(guó)廠商雖然和國(guó)際廠商相比仍有技術(shù)差距，但隨著中國(guó)國(guó)家大基金的支持以及廠商的不斷布局，技術(shù)差距將不斷縮小。當(dāng)前唯有真實(shí)掌握市場(chǎng)需求，廠商才有機(jī)會(huì)在競(jìng)爭(zhēng)中當(dāng)中成長(zhǎng)及獲利。

市場(chǎng)需求熱！化合物半導(dǎo)體嶄露頭角最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，由沈陽(yáng)芯源微電子設(shè)備股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯源微”）生產(chǎn)的前道涂膠顯影機(jī)到位中芯北方進(jìn)行驗(yàn)證。據(jù)沈陽(yáng)日?qǐng)?bào)報(bào)道，這意味著國(guó)產(chǎn)涂膠顯影設(shè)備開(kāi)始大批量走向市場(chǎng)。

資料顯示，芯源微成立于2002年，是由中科院沈陽(yáng)自動(dòng)化研究所發(fā)起創(chuàng)建的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，目前主要從事半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，產(chǎn)品包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備（涂膠/顯影機(jī)、噴膠機(jī)）和單片式濕法設(shè)備（清洗機(jī)、去膠機(jī)、濕法刻蝕機(jī)），產(chǎn)品可用于6英寸及以下單晶圓處理（如LED芯片制造環(huán)節(jié)）及8/12英寸單晶圓處理（如集成電路制造前道晶圓加工及后道先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)）。

2019年12月16日，芯源微在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，成為了遼寧省科創(chuàng)板“第一股”和中科院第一家科創(chuàng)板上市企業(yè)。根據(jù)此前的招股書(shū)披露，芯源微擬向社會(huì)公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)2,100萬(wàn)股，計(jì)劃募集資金3.78億元投入高端晶圓處理設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高端晶圓處理設(shè)備研發(fā)中心項(xiàng)目?jī)纱箜?xiàng)目。

2019年度報(bào)告顯示，芯源微生產(chǎn)的前道涂膠顯影設(shè)備于2018年下半年分別發(fā)往上海華力、長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行工藝驗(yàn)證，其中上海華力機(jī)臺(tái)為前道Barc（抗反射層）涂覆設(shè)備，已于2019年9月通過(guò)工藝驗(yàn)證并確認(rèn)收入；長(zhǎng)江存儲(chǔ)機(jī)臺(tái)為前道涂膠顯影設(shè)備，目前仍在驗(yàn)證中。通過(guò)在上海華力、長(zhǎng)江存儲(chǔ)的驗(yàn)證與改進(jìn)，公司光刻工序前道涂膠顯影設(shè)備在多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)方面取得突破，技術(shù)成果已應(yīng)用到新產(chǎn)品、新客戶，截至目前，已陸續(xù)獲得了株洲中車(chē)、青島芯恩、上海積塔、寧波中芯、昆明京東方、廈門(mén)士蘭等多個(gè)前道大客戶的訂單。

而集成電路前道晶圓加工領(lǐng)域用清洗機(jī)Spin Scrubber設(shè)備的各項(xiàng)指標(biāo)均得到明顯改善或提升，已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。該類(lèi)設(shè)備已在中芯國(guó)際、上海華力等多個(gè)客戶處通過(guò)工藝驗(yàn)證，截至目前已獲得國(guó)內(nèi)多家晶圓廠商的重復(fù)訂單。

此外，芯源微生產(chǎn)的光刻工序涂膠顯影設(shè)備與單片式濕法設(shè)備，已經(jīng)從傳統(tǒng)的先進(jìn)封裝領(lǐng)域、LED領(lǐng)域拓展到MEMS、化合物、功率器件、特種工藝等領(lǐng)域，截至目前已累計(jì)銷(xiāo)售800余臺(tái)套，已作為主流機(jī)型應(yīng)用于臺(tái)積電、長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電、晶方科技、華燦光電、乾照光電、澳洋順昌等國(guó)內(nèi)一線大廠。

芯源微前道涂膠顯影機(jī)到位中芯北方進(jìn)行驗(yàn)證最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

5月7日，5月7日，北京監(jiān)管局披露了國(guó)開(kāi)證券股份有限公司關(guān)于北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“天科合達(dá)”）首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作報(bào)告（第二期）。

國(guó)開(kāi)證券和天科合達(dá)于2019年12月6日簽署《北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司與國(guó)開(kāi)證券股份有限公司關(guān)于首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議》，并于2019年12月12日取得中國(guó)證監(jiān)會(huì)北京監(jiān)管局輔導(dǎo)備案受理。

官網(wǎng)資料顯示，天科合達(dá)于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國(guó)科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，目前注冊(cè)資本為10364.2866萬(wàn)元，是一家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。2017年4月10日，天科合達(dá)在新三板掛牌上市，2019年8月12日終止新三板掛牌。

天科合達(dá)為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一，目前其在碳化硅單晶行業(yè)世界排名位于第四位，國(guó)內(nèi)排名居前列，晶片產(chǎn)品大量出口至歐、美和日本等20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，是我國(guó)少數(shù)進(jìn)入國(guó)外知名大企業(yè)的高技術(shù)產(chǎn)品。

第三代半導(dǎo)體材料廠商天科合達(dá)開(kāi)啟科創(chuàng)板上市征程最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

5月7日，5月7日，北京監(jiān)管局披露了國(guó)開(kāi)證券股份有限公司關(guān)于北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“天科合達(dá)”）首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作報(bào)告（第二期）。

國(guó)開(kāi)證券和天科合達(dá)于2019年12月6日簽署《北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司與國(guó)開(kāi)證券股份有限公司關(guān)于首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議》，并于2019年12月12日取得中國(guó)證監(jiān)會(huì)北京監(jiān)管局輔導(dǎo)備案受理。

官網(wǎng)資料顯示，天科合達(dá)于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國(guó)科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，目前注冊(cè)資本為10364.2866萬(wàn)元，是一家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。2017年4月10日，天科合達(dá)在新三板掛牌上市，2019年8月12日終止新三板掛牌。

天科合達(dá)為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一，目前其在碳化硅單晶行業(yè)世界排名位于第四位，國(guó)內(nèi)排名居前列，晶片產(chǎn)品大量出口至歐、美和日本等20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，是我國(guó)少數(shù)進(jìn)入國(guó)外知名大企業(yè)的高技術(shù)產(chǎn)品。

第三代半導(dǎo)體材料廠商天科合達(dá)開(kāi)啟科創(chuàng)板上市征程最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

隨著新冠肺炎疫情防控形勢(shì)持續(xù)向好，生產(chǎn)生活秩序加快恢復(fù)，福州高新區(qū)推動(dòng)省市重點(diǎn)項(xiàng)目滿負(fù)荷施工，爭(zhēng)取把受疫情影響的建設(shè)進(jìn)度“搶”回來(lái)。

樁基施工擬6月底完成

據(jù)介紹，位于高新區(qū)生物醫(yī)藥園和機(jī)電產(chǎn)業(yè)園（簡(jiǎn)稱(chēng)兩園）的第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園于2019年三季度開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)。

該產(chǎn)業(yè)園占地65513平方米，總建筑面積87550平方米，計(jì)容建筑面積104170平方米，總投資50995萬(wàn)元。建設(shè)內(nèi)容包括4棟4層標(biāo)準(zhǔn)廠房、2間門(mén)房、263個(gè)機(jī)動(dòng)車(chē)停車(chē)位、876個(gè)非機(jī)動(dòng)車(chē)停車(chē)位，以及供水、供電、排水、道路、污水處理等配套設(shè)施。

項(xiàng)目完工后，將與高新區(qū)海西園的數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園相呼應(yīng)，形成大園區(qū)加特色產(chǎn)業(yè)園相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)格局，并通過(guò)打造一批高品質(zhì)精細(xì)化民生設(shè)施，提升高新區(qū)的城市品質(zhì)。

一直以來(lái)，在市委、市政府大力指導(dǎo)和幫助下，高新區(qū)準(zhǔn)確把握當(dāng)前電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，高效率推進(jìn)、高品質(zhì)服務(wù)、高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)，全力推進(jìn)第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園落地動(dòng)建。該工程樁基共計(jì)1358根，截至4月22日共施工完成280根，預(yù)計(jì)6月底完成樁基施工。

全面賦能平臺(tái)招大引強(qiáng)

與此同時(shí)，高新區(qū)全面賦能平臺(tái)招大引強(qiáng)，依托已落地“兩園”的福建省電子信息集團(tuán)，引進(jìn)一線龍頭企業(yè)項(xiàng)目——海峽星云國(guó)產(chǎn)整機(jī)先進(jìn)智能制造基地。項(xiàng)目將基于國(guó)產(chǎn)芯片，創(chuàng)建、培育和發(fā)展福建本地高端計(jì)算整機(jī)品牌，推動(dòng)高端通用國(guó)產(chǎn)整機(jī)研制，開(kāi)展高端整機(jī)全國(guó)產(chǎn)化替代與應(yīng)用示范，形成具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和特色的區(qū)域整機(jī)品牌。

該項(xiàng)目分三期建設(shè)，首期計(jì)劃投資10億元，目標(biāo)到2020年底實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬(wàn)臺(tái)高端整機(jī)；二期規(guī)劃于2021年開(kāi)工，計(jì)劃總投資20億元，目標(biāo)到2022年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)30萬(wàn)臺(tái)；遠(yuǎn)期規(guī)劃2024年開(kāi)工，計(jì)劃總投資50億元，目標(biāo)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)50萬(wàn)臺(tái)。目前已完成廠房場(chǎng)地裝修90%的工作任務(wù)，主要生產(chǎn)設(shè)備也已完成出廠測(cè)試工作，分批次運(yùn)送到福州工廠。

高新區(qū)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)介紹，第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園的建設(shè)，將為落地高新區(qū)的機(jī)電數(shù)字產(chǎn)業(yè)企業(yè)提供低成本、高回報(bào)的平臺(tái)。同時(shí)結(jié)合“8+7”創(chuàng)新發(fā)展政策，與福建省電子信息集團(tuán)形成互動(dòng)、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，能快速吸引投資，打造電子信息產(chǎn)業(yè)集群，推動(dòng)高新區(qū)發(fā)展再上新臺(tái)階。

福州高新區(qū)加速建設(shè)第三代半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)園最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。