4月20日，常州市委常委、統(tǒng)戰(zhàn)部長、科教城黨工委書記韓九云實地調(diào)研GCS高端化合物半導體制造項目。

據(jù)常州日報報道，GCS高端化合物半導體制造項目預(yù)計今年年底投產(chǎn)，目前項目一期正在對晶品光電（常州）有限公司的現(xiàn)有空置廠房4000平方米場地進行裝修改造，預(yù)計今年底能夠投產(chǎn)。

報道指出，GCS高端化合物半導體制造項目由美國GCS公司、武岳峰資本、臺灣晶元光電股份有限公司、江蘇卓勝微電子股份有限公司等投資，總投資100億元。項目通過建設(shè)化合物半導體及微機電系統(tǒng)生產(chǎn)線，用于高端射頻前端應(yīng)用及光電子應(yīng)用的半導體制造。

韓九云指出，該項目符合國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)政策和行業(yè)發(fā)展規(guī)劃，技術(shù)水平高、市場潛力大，目前工作進展較快，希望能夠繼續(xù)抓緊工作進度，在年內(nèi)啟動投入生產(chǎn)。

近日，廣西桂林高新區(qū)管委會與位于中國臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進會，就第三代半導體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”。

據(jù)桂林日報報道，第三代半導體六英寸氮化鎵項目一期總投資16億元，計劃用地120畝，擬將依托桂林電子科技大學科研與人才優(yōu)勢，在桂林國家高新區(qū)建設(shè)獲利能力較強、國內(nèi)外市場影響力較大的氮化鎵集成電路生產(chǎn)線。

當前，多個半導體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項目落戶桂林，如桂林光芯片半導體工藝平臺產(chǎn)業(yè)化項目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項目等。

如今，桂林或?qū)⒃儆瓉硪粋€第三代半導體產(chǎn)業(yè)項目。屆時，桂林將借項目吸引高端技術(shù)人才引進，帶動更多半導體上、下游及配套產(chǎn)業(yè)集聚，在桂林市乃至廣西打造一個國內(nèi)重要的特色集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

桂林日報指出，欣憶電子股份有限公司為臺商獨資高新技術(shù)企業(yè)，總部設(shè)在中國臺灣新竹，主要從事半導體封裝測試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售,為亞太地區(qū)半導體設(shè)備商三大廠商之一。

半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。常見的半導體材料有硅、鍺等，其中，硅是在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。第三代半導體，主要包括目前即將成熟應(yīng)用的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN），也包括其他氮化物半導體、氧化物半導體和金剛石等寬禁帶及超寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，因此也被業(yè)內(nèi)譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。

2018年3月31日，深圳第三代半導體研究院成立。2018年7月底，研究院正式投入實際的研發(fā)工作，啟動第一批研發(fā)項目。如今，在南方科技大學臺州樓的深圳第三代半導體研究院，已有一個40多人的團隊，均為國內(nèi)、國際一流的人才，其中一半以上從事科學研究工作。

對第三代半導體的開發(fā)和市場應(yīng)用空間，研究院院長趙玉海相當有信心，認為“其發(fā)展空間巨大”。第三代半導體素有半導體“貴族”之稱，趙玉海和他的團隊成員，如今正努力做著一件事——讓第三代半導體這個“貴族”平民化。

市場需求推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展

去年高交會期間，第三代半導體研究院與龍華區(qū)簽訂了合作框架協(xié)議，選擇落戶龍華，以深圳報業(yè)集團舊廠房改造研究實驗室用地。這意味著未來幾年，這個由深圳第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟牽頭，聯(lián)合南方科技大學、復(fù)旦大學、中科院等高校、科研究所、骨干企業(yè)共建的新型民辦非盈利研發(fā)機構(gòu)將在龍華研究新型的第三代半導體材料，并助力龍華在新能源汽車、移動通信、消費電子、光電顯示等領(lǐng)域提升核心競爭力，促進產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展。

在談及第三代半導體之前，趙玉海首先普及了第一代和第二代半導體的發(fā)展情況。趙玉海表示，第一代半導體是以整合硅、鍺元素等為代表的半導體材料，其優(yōu)勢是周期長，發(fā)展成熟，成本低；第二代半導體材料是化合物半導體材料，屬于高頻段半導體；而第三代半導體則是以碳化硅、氮化鎵等為代表，目前處于產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期?！暗谌雽w的出現(xiàn)，并不是一種替代關(guān)系，而是與前兩代半導體共存的關(guān)系?！壁w玉海說。

業(yè)界對第三代半導體有一個形象的比喻，稱第三代半導體材料為“半導體中的貴族”，因為其成本高昂。其實，早在20多年前，國際上已經(jīng)掀起了研究第三代半導體之風，但由于成本高，市場發(fā)展不夠成熟，所以一直未形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。如今，科技創(chuàng)新打開了市場需求，第三代半導體研發(fā)正當時。

“以現(xiàn)在發(fā)展的5G技術(shù)為例，第一代半導體的整合硅材料已經(jīng)難以適應(yīng)5G技術(shù)的發(fā)展需求，如果采用了氮化鎵，優(yōu)勢立刻就凸顯出來了。以氮化鎵作為主要材料生產(chǎn)光伏變壓器可比硅材料的變壓器提高2%-3%的轉(zhuǎn)化率，這對大型企業(yè)而言，非常有利。”趙玉海舉例說明。

力爭實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈全覆蓋

“既然說第三代半導體是‘貴族’，那么我們現(xiàn)在的主要任務(wù)就是讓其平民化?！壁w玉海說。

深圳是個創(chuàng)新發(fā)展的活力之城，既有包容性，又呈現(xiàn)開放性，能夠給新興產(chǎn)業(yè)以及配套產(chǎn)業(yè)提供給一個巨大的發(fā)展空間。按照原計劃，第三代半導體研究院的選址就落在南方科技大學，但因為種種原因，研究院不得不考慮遷址。

趙玉海說：“首先，我們需要的場地面積大，要20000平方米；其次，對層高要求也比較嚴苛，至少要6米以上，便于上下安裝實驗管道和空調(diào)?！睓C緣巧合，第三代半導體研究院與龍華“相遇”?！褒埲A區(qū)政府非常有誠意，相關(guān)部門積極主動與我們對接，并且給了很大的支持力度，配套產(chǎn)業(yè)鏈條也相當成熟，因此我們決定把研究院放在龍華?！?/p>

有別于一心埋首做研究的團隊，對第三代半導體研究院的發(fā)展，趙玉海有明晰的計劃和發(fā)展目標?！皬囊r底到外延再到芯片、模組，最后走向市場化應(yīng)用，我們希望打通產(chǎn)業(yè)鏈上的所有關(guān)卡，實現(xiàn)全覆蓋?！壁w玉海說，無論是何種材料研發(fā)，都會面臨一個技術(shù)難題，即需要穩(wěn)定的產(chǎn)業(yè)技術(shù)來支撐。因為實驗室研究出來的成果，并不代表可以立即投入到生產(chǎn)中。要實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈全覆蓋，而且不允許任何一個節(jié)點出現(xiàn)短板，這其中的難度可想而知。

目前，趙玉海帶領(lǐng)的這個40多人的團隊已經(jīng)形成了三支隊伍，分別從氮化鎵光電、半導體芯片封裝以及襯底材料三個節(jié)點進行研究，預(yù)期到年底，第三代半導體研究院就會推出一批科研成果，并推動其產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化?！捌鋵?，我們做好了規(guī)劃，每年都會出一批成果，而且，我們有專業(yè)的孵化器，能起到帶動效應(yīng)，讓這些項目成果盡快孵化?！?/p>

升級打造產(chǎn)業(yè)新引擎

如果說，很多人不太了解何謂光電子，那么利用光電子發(fā)展領(lǐng)域中的發(fā)光優(yōu)勢所研發(fā)的照明技術(shù)，相信很多人都不陌生了?！拔覀兯熘腖ED照明就是早年利用第三代半導體材料光電子發(fā)光優(yōu)勢而開發(fā)出來的，目前應(yīng)用十分普遍，技術(shù)也趨于成熟?！壁w玉海說，未來第三代半導體的研究方向，將集中在三個方面：光電子、電力電子以及微波射頻。

光電子方向，第三代半導體材料可凸顯發(fā)光優(yōu)勢中的亮度優(yōu)勢，未來會朝Micro-Led與其他新興顯示技術(shù)方向發(fā)展。電路電子領(lǐng)域的發(fā)展空間非常巨大，跟城市發(fā)展中的電力傳輸、消費均有關(guān)系，亦可開發(fā)新材料應(yīng)用，運用在環(huán)保和工業(yè)上?！斑€有一個重要的發(fā)展方向是能源互聯(lián)網(wǎng)，像驅(qū)動輪船、電動汽車、空調(diào)等，都可以利用能源互聯(lián)網(wǎng)進行升級，達到產(chǎn)品輕量化和降低能源消耗的目的?！?/p>

面向未來的5G移動通信，海量的設(shè)備連接和新的應(yīng)用場景等，對超高的流量密度、連接數(shù)密度和移動性都提出了新的要求。第三代半導體技術(shù)研發(fā)的微波射頻技術(shù)，可超越前兩代半導體技術(shù)的承載能力，體現(xiàn)出更高頻、高效、低功耗和高功率密度的優(yōu)點。除了民用的5G通信技術(shù)，微波射頻同樣可用于軍用領(lǐng)域?！熬湍美走_來說，用第三代半導體材料，可實現(xiàn)在目前探測距離的基礎(chǔ)上翻一番，讓探測更精確。”

研究院啟動之初，提出了五年內(nèi)要實現(xiàn)國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流；十年內(nèi)國際領(lǐng)先，立足深圳、覆蓋粵港澳大灣區(qū)、面向全國，輻射全球的計劃。同樣以五年為期，趙玉海說，屆時他的團隊要發(fā)展至450人。集各方智慧，打造開放研究的平臺，為產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供技術(shù)支撐，這也是設(shè)立第三代半導體研究院最重要的意義。

4月8日，山東濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)重點招商引資項目簽約儀式舉行。此次簽約項目總投資額達到127.38億元，包括中鴻新晶第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群等10個項目。

據(jù)山東發(fā)布指出，中鴻新晶第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群項目總投資約111億元，總建設(shè)周期5年，分三期進行。

其中項目一期產(chǎn)業(yè)投資8億元，計劃3年內(nèi)完成第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群初步建設(shè)，完成深紫外LED生產(chǎn)線20條，6-8英寸碳化硅單晶生產(chǎn)、加工、碳化硅外延生產(chǎn)線各2條，氮化鎵中試線1條。一期完成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)值20億元，利稅24.2億元。

項目二期投資51億元，完成第三代半導體產(chǎn)業(yè)基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強) 公司，打造全球領(lǐng)先的“國家級戰(zhàn)略新興半導體研究院”視一期進展及市場需求情況適時啟動，計劃2年內(nèi)完成6-8英寸碳化硅單晶擴產(chǎn)、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產(chǎn)線各1條。二期完成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)值120億元，利稅將超過20億元。

項目三期投資52億元，將ASCATRON公司后續(xù)芯片生產(chǎn)全部轉(zhuǎn)移至中國，項目建成后預(yù)期將帶動上下游產(chǎn)業(yè)近千億元產(chǎn)值。

該項目依托中科院半導體所、微電子所等源頭創(chuàng)新力量，中電化合物公司及航天國際有限公司等產(chǎn)業(yè)龍頭、中南資本、中科院控股等金融資本，由中鴻新晶公司提供先進技術(shù)與團隊，整合韓國浦項半導體、LG半導體，瑞典Epiluvac(艾彼盧米肯)等國際知名半導體企業(yè)優(yōu)勢資源，采用產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合模式，打造覆蓋以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體研發(fā)、設(shè)計、制造、封裝、測試等全產(chǎn)業(yè)鏈，涵蓋單晶生長、外延、器件、模塊等全產(chǎn)品線。

資料顯示，中鴻新晶科技有限公司成立于2017年，是為第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業(yè)、專業(yè)從事第三代半導體高純碳化硅微粉生產(chǎn)、碳化硅單晶爐的研發(fā)制造，碳化硅和氮化鎵芯片設(shè)計和制造的企業(yè)。中鴻新晶的愿景是要做第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)跑者，承擔起中國在電子信息產(chǎn)業(yè)換道超車、重塑世界半導體產(chǎn)業(yè)格局的時代使命。

4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下簡稱“丹邦科技”）發(fā)布2020年非公開發(fā)行股票預(yù)案公告，擬非公開發(fā)行募資17.8億元。

公告顯示，丹邦科技本次非公開發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次非公開發(fā)行前公司總股本的30%，即發(fā)行數(shù)量合計不超過164,376,000 股（含本數(shù)）。

募資17.8億

公告顯示，丹邦科技本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過17.8億元，主要用于量子碳化合物厚膜產(chǎn)業(yè)化項目、新型透明PI膜中試項目、量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目、以及補充流動資金，三個項目建設(shè)周期均為2.5年，建設(shè)地點位于廣東省東莞市松山湖科技產(chǎn)業(yè)園工業(yè)西三路廣東丹邦工業(yè)園。

其中，量子碳化合物厚膜產(chǎn)業(yè)化項目投資總額為12.31億元，擬使用募集資金10.3億元；新型透明PI膜中試項目投資總額為4.65億元；量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目投資總額為1.21億元。

資料顯示，丹邦科技經(jīng)營范圍包括開發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)營柔性覆合銅板、液晶聚合導體材料，高頻柔性電路、柔性電路封裝基板、高精密集成電路、新型電子元器件、二維半導體材料、聚酰亞胺薄膜、量子碳基膜、多層石墨烯膜、屏蔽隱身膜等。

公司主要產(chǎn)品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封裝COF基板、芯片及器件封裝產(chǎn)品及柔性封裝相關(guān)功能熱固化膠、微粘性膠膜等，主要應(yīng)用于空間狹小，可移動折疊的高精尖智能終端產(chǎn)品，在消費電子、醫(yī)療器械、特種計算機、智能顯示、高端裝備產(chǎn)業(yè)等所有微電子領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用。

丹邦科技表示，本次募集資金投資項目的總體目標即：大批量生產(chǎn)量子碳化合物厚膜、中試新型透明PI膜、研發(fā)量子碳化合物半導體膜，為實現(xiàn)公司成為國際領(lǐng)先的新型半導體材料企業(yè)的發(fā)展愿景打下堅實基礎(chǔ)。

研發(fā)量子碳化合物半導體膜

當前，半導體新材料的突破將成為半導體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的關(guān)鍵。傳統(tǒng)硅基半導體性能已接近極限，而量子碳化合物半導體膜有望成為綜合性能更好的新型化合物半導體材料。

量子碳化合物半導體膜作為一種新型的化合物半導體材料，與GaAs、GaN以及SiC等其他化合物半導體材料相比，具有高頻、高效率、抗輻射、耐高低溫、耐高壓、低功耗、高熱導等化合物半導體材料的特性。

公告顯示，丹邦科技此次投資項目之一量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目投資總額為1.21億元，擬使用募集資金1.2億元，主要建設(shè)內(nèi)容為利用公司現(xiàn)有廠房進行改造并引進設(shè)備開展新型化合物半導體材料——量子碳化合物半導體膜的研發(fā)。

從金額上看，在四個擬募投項目中，盡管“量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目”的投資額最少，但該項目對于丹邦科技在新材料領(lǐng)域由高分子材料拓展至化合物半導體材料，具有重大戰(zhàn)略意義。

丹邦科技在PI膜分子結(jié)構(gòu)設(shè)計、成膜及燒結(jié)工藝的研發(fā)過程中，通過納米金屬材料的摻雜、雜化，并進行離子交換和離子注入，使薄膜表面形成分布均勻的納米量子點，實現(xiàn)了薄膜帶隙的開啟與調(diào)控，使其具備二維半導體性能。

丹邦科技將以此為基礎(chǔ)，切入化合物半導體材料領(lǐng)域，開展量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目，擬研制耐高低溫、高壓、高頻性能、大寬幅、超柔韌、超薄層微結(jié)構(gòu)的化合物半導體材料。

丹邦科技表示，本次量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目得以實施后，公司有望在化合物半導體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破，提升公司的技術(shù)領(lǐng)先地位，亦有助于提升我國在化合物半導體材料領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力與競爭力。

4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下簡稱“丹邦科技”）發(fā)布2020年非公開發(fā)行股票預(yù)案公告，擬非公開發(fā)行募資17.8億元。

公告顯示，丹邦科技本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過17.8億元，主要用于量子碳化合物厚膜產(chǎn)業(yè)化項目、新型透明 PI 膜中試項目、量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目、以及補充流動資金，三個項目建設(shè)周期均為2.5年，建設(shè)地點位于廣東省東莞市松山湖科技產(chǎn)業(yè)園工業(yè)西三路廣東丹邦工業(yè)園。

其中，量子碳化合物厚膜產(chǎn)業(yè)化項目投資總額為12.31億元，擬使用募集資金10.3億元，主要建設(shè)內(nèi)容為利用公司現(xiàn)有廠房改建凈化車間，引進國內(nèi)外先進設(shè)備建設(shè)一條量子碳化合物厚膜生產(chǎn)線，包括化學法漸進噴涂式生產(chǎn)高性能聚酰亞胺超厚膜生產(chǎn)線、碳化和黑鉛化生產(chǎn)線、環(huán)保設(shè)備等。項目達產(chǎn)后，公司將形成年產(chǎn)100 萬平方米量子碳化合物厚膜的生產(chǎn)能力。

新型透明 PI 膜中試項目投資總額為4.65億元，擬使用募集資金4.3元，主要建設(shè)內(nèi)容為利用公司現(xiàn)有廠房改建凈化車間，引進國內(nèi)外設(shè)備建設(shè)一條新型透明 PI 膜中試生產(chǎn)線，開展產(chǎn)品研發(fā)及小規(guī)模試驗生產(chǎn)，預(yù)計投產(chǎn)后每年可生產(chǎn) 30 萬平方米新型透明PI 膜。

量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目投資總額為1.21億元，擬使用募集資金1.2億元，主要建設(shè)內(nèi)容為利用公司現(xiàn)有廠房進行改造并引進設(shè)備開展新型化合物半導體材料——量子碳化合物半導體膜的研發(fā)。

資料顯示，丹邦科技股份公司成立于2009年6月，注冊資本5.48億元，經(jīng)營范圍包括開發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)營柔性覆合銅板、液晶聚合導體材料，高頻柔性電路、柔性電路封裝基板、高精密集成電路、新型電子元器件、二維半導體材料、聚酰亞胺薄膜、量子碳基膜、多層石墨烯膜、屏蔽隱身膜等。

公司主要產(chǎn)品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封裝COF基板、芯片及器件封裝產(chǎn)品及柔性封裝相關(guān)功能熱固化膠、微粘性膠膜等，主要應(yīng)用于空間狹小，可移動折疊的高精尖智能終端產(chǎn)品，在消費電子、醫(yī)療器械、特種計算機、智能顯示、高端裝備產(chǎn)業(yè)等所有微電子領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用。

2019年半年報顯示，其COF柔性封裝板、COF產(chǎn)品、FPC（柔性印制電路板）和PI膜占營業(yè)收入比重分別為46.44%、28.87%、22.44%和0.80%。

據(jù)北京日報報道，日前，順義區(qū)第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項目復(fù)工，預(yù)計今年六月底竣工，目前正在進行的是小市政施工作業(yè)。

順義區(qū)第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項目施工總包單位在完成編報《施工現(xiàn)場疫情防控工作方案》《五方自查表》《建設(shè)工程復(fù)工疫情防控檢查表》后，2月18日，經(jīng)順義區(qū)住建委、中關(guān)村順義園管委會、張喜莊衛(wèi)生院三方的聯(lián)合檢查后順義區(qū)第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項目有序開工。

第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項目復(fù)工的初期時間至3月15日，計劃用工約80人，其中包括小市政施工、室內(nèi)裝修、機電安裝，其施工人員主要分布為河北、河南、四川等省份。目前小市政20人的隊伍有12人到場，裝修隊5人到場，正在進行醫(yī)學觀察，其他人員將分批分期進入工地。記者通過視頻連續(xù)看到，基地現(xiàn)場一輛挖掘機正在進行雨污水處理的作業(yè)，兩名監(jiān)工人員相距兩米以上站立。為落實好現(xiàn)場疫情防控各項工作，項目總包方按照相關(guān)要求成立了疫情防控指揮部，并明確了責任分工，制定了《第三代半導體項目新冠狀病毒疫情防控應(yīng)急預(yù)案》《新型冠狀病毒感染的肺炎疫情防控工作管理規(guī)定》等方案，并健全了新型冠狀病毒疫情防控宿舍及后勤管理制度、監(jiān)督性醫(yī)學觀察管理制度、防疫測溫制度等各項管理制度。

“我們在現(xiàn)場按要求設(shè)置了醫(yī)學觀察區(qū)與隔離區(qū)。其中，設(shè)立了醫(yī)學觀察室共10間，用于返京工人進場后的14天醫(yī)學觀察，14天后無問題后就會轉(zhuǎn)到普通宿舍辦理住宿?！表椖靠偘较嚓P(guān)負責人表示，“我們還臨時設(shè)置了2間隔離室，用于健康出現(xiàn)問題人員臨時隔離使用。”項目前期該施工方還充分準備，儲備了防護服、護目鏡、測溫槍等疫情防控物資。隨著工人數(shù)量的陸續(xù)增加，現(xiàn)場物資將繼續(xù)補充。

第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項目總建筑面積71570平方米。其中，其中地上55370平方米，地下16200平方米。一期工程為2號生產(chǎn)實驗車間及其地下，總建筑面積為32597平方米。二期工程為1號、3號生產(chǎn)實驗車間、地下車庫及氣瓶儲存間。

目前，工程主體及二次結(jié)構(gòu)砌筑完成，配電室結(jié)構(gòu)改造、地下設(shè)備基礎(chǔ)及回填土、地下室地面墊層、屋面工程、室外雨水收集池及化糞池安裝均已完成。本工程計劃3月中旬開始機電安裝及室內(nèi)裝修，5月底完成安裝調(diào)試，6月中旬完成聯(lián)動調(diào)試，2020年6月30日竣工。

近日，產(chǎn)投資本管理的語音基金與北京世紀金光半導體有限公司（簡稱“世紀金光”）簽署投資協(xié)議并完成首期出資，標志著合肥首個第三代半導體產(chǎn)業(yè)項目正式落地。

隨著碳化硅產(chǎn)業(yè)化日趨成熟，產(chǎn)投資本緊抓第三代半導體發(fā)展機會，搶先布局。本次，產(chǎn)投資本作為領(lǐng)投方參與世紀金光C輪融資，對合肥市半導體產(chǎn)業(yè)升級和技術(shù)創(chuàng)新有重要意義。

世紀金光是國內(nèi)第三代半導體領(lǐng)軍企業(yè)，成立于2010年，總部位于北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，是國家大基金在第三代半導體領(lǐng)域投資的重點企業(yè)之一。

近幾年來，世紀金光創(chuàng)新性地解決了高純碳化硅粉料提純技術(shù)、6英寸碳化硅單晶制備技術(shù)、碳化硅SBD、MOSFET材料、結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計技術(shù)等，已完成從碳化硅材料生產(chǎn)、功率元器件和模塊制備到行業(yè)應(yīng)用開發(fā)與解決方案提供等關(guān)鍵領(lǐng)域的全面布局，是國內(nèi)第一家擁有SiC全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的半導體公司。

以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導體材料越來越受到市場重視，半導體企業(yè)正在競相加速布局。日前，意法半導體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。

據(jù)意法半導體介紹，Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進電力電子行業(yè)從硅基技術(shù)向GaN-on-silicon技術(shù)轉(zhuǎn)變，研發(fā)體積更小、能效更高的功率轉(zhuǎn)換器。Exagan的GaN功率開關(guān)是為標準200毫米晶圓設(shè)計。

雙方的交易條款沒有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規(guī)批準后即可完成交易。據(jù)披露，現(xiàn)已簽署的并購協(xié)議還規(guī)定，在多數(shù)股權(quán)收購交易完成24個月后，意法半導體有權(quán)收購剩余的Exagan少數(shù)股權(quán)。本交易將采用可用現(xiàn)金支付。

意法半導體表示，Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業(yè)和消費用功率GaN的開發(fā)規(guī)劃和業(yè)務(wù)。Exagan將繼續(xù)執(zhí)行現(xiàn)有產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃，意法半導體將為其部署產(chǎn)品提供支持。

意法半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery稱，收購Exagan的多數(shù)股權(quán)是對意法半導體目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發(fā)項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。

據(jù)了解，2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術(shù)。前不久，意法半導體宣布與臺積電攜手合作加速氮化鎵（GaN）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。

意法半導體汽車產(chǎn)品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出，意法半導體在氮化鎵制程技術(shù)的加速開發(fā)與交付看到了龐大的商機，將功率氮化鎵及氮化鎵集成電路產(chǎn)品導入市場。

嘉興南湖區(qū)政府網(wǎng)信息顯示，3月3日南湖區(qū)舉行一季度重大項目集中開竣工活動，參加本次集中開竣工活動的項目共54個，總投資達219.96億元。活動主會場開工儀式設(shè)在嘉興科技城的浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目現(xiàn)場。

活動現(xiàn)場，博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目舉行開工儀式，該項目是中國第三代半導體材料示范項目，也是嘉興南湖微電子產(chǎn)業(yè)平臺2020年引進的標志性項目。項目總投資25億元，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司將引進6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線設(shè)備，項目全部達產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收6600萬元以上。

據(jù)報道，該項目將分兩期實施，其中一期建筑面積5萬平方米，建設(shè)6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線，設(shè)計月產(chǎn)能為1000片氮化鎵射頻晶圓；二期建筑面積3.9萬平方米，建設(shè)6英寸晶圓生產(chǎn)線兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線和外延片生產(chǎn)線，設(shè)計月產(chǎn)能為3000片氮化鎵射頻晶圓、月產(chǎn)能20000片氮化鎵功率晶圓。

浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司董事長張博表示，該項目預(yù)期在明年二季度就能達成試產(chǎn)，明年可以批量生產(chǎn)。