美光2020年會計年度Q1展望保守

美光2020年會計年度Q1展望保守

美國商務(wù)部將華為列入禁止出口實體清單中,美光雖然將不受限制的產(chǎn)品對華為出貨,但總體來看,華為禁令已對美光營運(yùn)造成負(fù)面影響,加上美光表示未來幾季對華為的出貨恐持續(xù)下滑,也導(dǎo)致美光對2020年會計年度第一季展望低于預(yù)期。在營運(yùn)展望保守下,美光股價上周五大跌近7%,連帶影響南亞科、華邦電、威剛、群聯(lián)等存儲器族群股價紛紛走跌。

雖然近期DRAM及NAND Flash價格止跌,但市場庫存仍高,美光預(yù)期2020年會計年度第一季(9~11月)營收可望回升至50億美元,但毛利率將進(jìn)一步下滑,導(dǎo)致獲利預(yù)估低于市場預(yù)期。再者,美光預(yù)期華為若持續(xù)名列實體清單,美光又無法獲得商務(wù)部許可,會造成對華為的出貨逐季下滑,影響營運(yùn)。

再者,美光對明年存儲器市場景氣看法,市場法人及分析師均趨于保守,所以才會明顯降低資本支出。尤其美光對NAND Flash市場展望保守,2020年的供給位元年成長率將明顯低于產(chǎn)業(yè)平均水平,并將以現(xiàn)有庫存因應(yīng)客戶需求,法人解讀美光恐持續(xù)減產(chǎn),也暗示市場庫存水位仍居高不下。

不過,美光無法順利出貨給華為,反而給臺灣地區(qū)存儲器廠有機(jī)會爭取華為訂單。法人指出,華為在智能型手機(jī)、5G基地臺、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及、WiFi路由器、筆電及服務(wù)器等市場具領(lǐng)導(dǎo)地位,所以對存儲器需求量龐大,美光現(xiàn)在只能將部分不受限制的產(chǎn)品出貨給華為。

法人表示,臺灣存儲器廠如南亞科、華邦電等多數(shù)產(chǎn)品線,基本上都可符合法令規(guī)定持續(xù)出貨給華為,對下半年營運(yùn)有明顯加分效果。

美光總裁兼CEO: 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張勢頭不會縮減

美光總裁兼CEO: 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張勢頭不會縮減

近期,美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會輪值主席、美光科技公司總裁兼CEO桑杰·梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)表示,隨著智能手機(jī)、個人電腦和云計算應(yīng)用等領(lǐng)域的計算技術(shù)不斷取得突破,人們在生產(chǎn)生活中利用信息的方式被深度優(yōu)化。特別是在醫(yī)療保健、交通技術(shù)和數(shù)據(jù)訪問等領(lǐng)域,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)揮著不可替代的作用,且在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)著越來越大的份額,成為世界經(jīng)濟(jì)的領(lǐng)先部門之一。

半導(dǎo)體占據(jù)越來越大份額

在過去的20年中,全球半導(dǎo)體銷售業(yè)務(wù)一直在以接近7%的年復(fù)合增長率發(fā)展,在2018年達(dá)到4690億美元。如今,中國成為日益重要的半導(dǎo)體市場,2018年占全球半導(dǎo)體銷量的1/3。在桑杰·梅赫羅特拉看來,全球半導(dǎo)體行業(yè)長期前景十分光明,產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張勢頭不減。這種增長得益于先進(jìn)的計算性能、更快的連接速度和新應(yīng)用程序所需的實時數(shù)據(jù)分析。

“對于一個在半導(dǎo)體行業(yè)工作了40年的行業(yè)一員來說,”桑杰·梅赫羅特拉表示,“我們的愿景是改變世界利用信息的方式,豐富人們的生活。特別是在醫(yī)療保健、交通技術(shù)和數(shù)據(jù)訪問等領(lǐng)域,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)揮著不可替代的作用,且在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)著越來越大的份額。

在醫(yī)療保健領(lǐng)域,通過更先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),我們將獲得重大機(jī)遇加快改善護(hù)理質(zhì)量的進(jìn)程。多項研究表明,人工智能可對常見的掃描結(jié)果做出分析,至少能做到與人類醫(yī)生一樣準(zhǔn)確,在許多情況下,甚至比我們最優(yōu)秀的專家做得更好、更快。隨著技術(shù)不斷的發(fā)展,人工智能科技將為更多的人帶來先進(jìn)的、挽救生命的醫(yī)療保健服務(wù),使農(nóng)村和缺醫(yī)少藥地區(qū)也能夠更便捷地獲取最好的醫(yī)療知識和診斷。

在交通技術(shù)領(lǐng)域,汽車制造商正在快速應(yīng)用輔助駕駛功能,如避碰、自適應(yīng)巡航控制和車道偏離警告技術(shù)。未來,道路安全性將得到大幅提升。

在數(shù)據(jù)訪問領(lǐng)域,5G網(wǎng)絡(luò)將徹底改變數(shù)據(jù)訪問速度,并能獲得海量設(shè)備的連接。5G的大帶寬和低時延將使當(dāng)下網(wǎng)絡(luò)上無法存在的應(yīng)用程序和業(yè)務(wù)模型成為可能,包括4K流媒體視頻和基于虛擬現(xiàn)實的新型應(yīng)用程序。5G網(wǎng)絡(luò)將為數(shù)十億相互連接的設(shè)備,即物聯(lián)網(wǎng)提供架構(gòu),并將計算的觸角延伸到人類生活的方方面面。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展三要素

桑杰·梅赫羅特拉指出,半導(dǎo)體行業(yè)需要繼續(xù)投資于技術(shù)創(chuàng)新、制造能力和產(chǎn)品解決方案,這就對半導(dǎo)體行業(yè)提出了三個重要要求。

一是要吸引源源不斷的優(yōu)秀人才加入半導(dǎo)體行業(yè),為未來的挑戰(zhàn)性問題創(chuàng)造解決方案。

二是要重視知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)。半導(dǎo)體的研發(fā)投資要求很高,創(chuàng)新的步伐需要持續(xù)、高水平運(yùn)營資本的支出,半導(dǎo)體行業(yè)和世界各國政府必須共同努力,確保在尊重和保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)的基礎(chǔ)上建立一個全球框架,使企業(yè)能夠收回這些重大支出,并繼續(xù)投資于造福社會的未來發(fā)展。

三是要維持政府主導(dǎo)的半導(dǎo)體投資供需平衡。對下一代、未來技術(shù)的研究投資而言,可以從政府資助中受益,但關(guān)鍵是要確保此類資助不會擴(kuò)大影響半導(dǎo)體行業(yè)供需微妙平衡的制造規(guī)模。半導(dǎo)體市場,對這些供需動態(tài)非常敏感,世界貿(mào)易組織已經(jīng)做出了相應(yīng)的規(guī)定,以確保工業(yè)結(jié)構(gòu)有序。

美光回應(yīng)臺中廠擴(kuò)建案:不會增加新的晶圓產(chǎn)能

美光回應(yīng)臺中廠擴(kuò)建案:不會增加新的晶圓產(chǎn)能

美國存儲器大廠美光(Micron)對于臺灣地區(qū)臺中廠擴(kuò)建一案提出正式回應(yīng)說明。美光表示,如同美光于公布2019會計年度第三季度財報時所言,今年4月美光于臺中的無塵室擴(kuò)建工程正式動土。

美光表示,由于未來開發(fā)DRAM節(jié)點(diǎn)所需處理步驟可能更繁雜,需要更多無塵室空間以因應(yīng)。無塵室的擴(kuò)建將有助于推進(jìn)臺灣美光現(xiàn)有晶圓產(chǎn)能DRAM制程轉(zhuǎn)換,美光并不會因該擴(kuò)建而增加任何新的晶圓產(chǎn)能。臺灣美光將不就任何有關(guān)進(jìn)一步擴(kuò)建或投資臺灣的猜測及謠言發(fā)表評論。

綜觀全球,美光確認(rèn)將2019會計年度的資本支出從年初105億美元加減5%,調(diào)降至大約90億美元。相較于2019會計年度,美光也計劃有意義地降低2020會計年度資本支出投資水平。

美光量產(chǎn)第三代10nm級內(nèi)存:首發(fā)1Znm工藝 16Gb DDR4

美光量產(chǎn)第三代10nm級內(nèi)存:首發(fā)1Znm工藝 16Gb DDR4

日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第第三代10nm級內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。

在內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm之后,由于制造難度越來越高,內(nèi)存芯片公司對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬,而是分成了1X、1Y、1Z,大體來說1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm,1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級別。

根據(jù)美光之前公布的路線圖,實際上1Znm之后還會有1αnm、1βnm、1γnm,這樣一來10nm級別就有六種制造工藝了,現(xiàn)在正好演進(jìn)到到了第三代。

美光表示,與上一代1Ynm制程相比,1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本,不過美光并沒有給出具體的數(shù)據(jù),性能提升多少、成本降低多少尚無確切數(shù)據(jù),唯一比較確切的就是說1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗,但這個比較也太過寬泛。

此外,美光還宣布批量出貨基于UFS多芯片封裝uMCP的、業(yè)界容量最高的16Gb LPDDR4X內(nèi)存,滿足了業(yè)界對低功耗及更小封裝的的要求。

臺灣美光:為因應(yīng)制程技術(shù)升級擴(kuò)建A3 但沒有A5廠規(guī)劃

臺灣美光:為因應(yīng)制程技術(shù)升級擴(kuò)建A3 但沒有A5廠規(guī)劃

市場傳出存儲器大廠美光(Micron)將在中國臺灣興建A3和A5兩座晶圓廠,不過,臺灣美光昨(26)日表示,目前在臺投資計劃僅有在中科廠旁擴(kuò)建A3無塵室,而沒有A5廠的規(guī)劃;且現(xiàn)階段美光的全球產(chǎn)能布局原則為提升制程技術(shù)與增加產(chǎn)品容量,而非增加晶圓投片量。

臺灣美光表示,正在臺中后里廠區(qū)動工擴(kuò)建A3廠,主要是為了擴(kuò)大增加無塵室設(shè)備空間和技術(shù)升級,預(yù)計明(2020)年第四季完工,但目前沒有A5廠的規(guī)劃。而擴(kuò)建無塵室空間是為了因應(yīng)先進(jìn)制程之新設(shè)備需求,且目前美光的全球產(chǎn)能布局原則是提升制程技術(shù)、與增加存儲器儲存容量,而并非增加晶圓投片量或月產(chǎn)能。

分析師則指出,美光在臺大舉投資,可望發(fā)揮一定程度拉抬臺灣經(jīng)濟(jì),以及帶動就業(yè)的效果;不過,由于整體產(chǎn)能規(guī)劃未變,推測對后段封測廠,例如力成、南茂、日月光等助益也有限,而后續(xù)更值得留意的是,臺灣美光將跨足先進(jìn)封測領(lǐng)域,是否會影響相關(guān)臺廠在高端封測的訂單。

美光在臺擴(kuò)廠 加碼903億元建兩座晶圓廠

美光在臺擴(kuò)廠 加碼903億元建兩座晶圓廠

全球第三大DRAM廠美商美光(Micron)加碼投資中國臺灣地區(qū),要在現(xiàn)有中科廠區(qū)旁興建兩座晶圓廠,總投資額達(dá)新臺幣4,000億元(約合人民幣903億元),以生產(chǎn)下世代最新制程生產(chǎn)DRAM。時值DRAM仍供過于求,美光大手筆投資,震撼業(yè)界。

這是美光繼在臺中投資先進(jìn)存儲器后段封測廠后,又一次大手筆投資臺灣。中科管理局透露,美光此次投資案,名列臺灣第二大半導(dǎo)體投資案(僅次于臺積電中科與南科擴(kuò)建案),若以外商來看,則是最大投資案。

據(jù)了解,美光此次903億元擴(kuò)建案,規(guī)劃在目前中科廠旁,興建A3及A5兩座晶圓廠。其中,A3廠預(yù)定明年8月完工,并陸續(xù)裝機(jī),明年第4季導(dǎo)入最新的1z制程試產(chǎn),藉此縮小與龍頭三星的差距;第二期A5廠將視市場需求,逐步擴(kuò)增產(chǎn)能,規(guī)劃設(shè)計月產(chǎn)能6萬片。

美光臺灣分公司證實在臺中擴(kuò)建A3廠,且已進(jìn)入興建工程。美光臺灣強(qiáng)調(diào),A3廠房是以擴(kuò)建無塵室為主,將加入既有的桃園前段晶圓廠,以及臺中后里前段晶圓廠的前段晶圓制造生產(chǎn)線, 進(jìn)一步擴(kuò)充美光在臺設(shè)立的DRAM卓越中心的設(shè)備更新、技術(shù)升級。至于A3廠投資金額和A5廠相關(guān)產(chǎn)能規(guī)劃等細(xì)節(jié),則不便透露。

因應(yīng)這項擴(kuò)建案,美光近期整并位于臺中的原瑞晶廠與并購華亞科的桃園廠組織架構(gòu),分別列為美光的A1廠及A2廠,兩座晶圓廠全數(shù)劃歸美光臺灣董事長兼臺中廠營運(yùn)長徐國晉管轄,數(shù)十位中間主管因組織重疊而優(yōu)退,桃園廠營運(yùn)長葉仁杰也訂9月1日離職。

美光是全球第三大DRAM廠,名列韓國三星、SK海力士之后。目前DRAM市場仍供過于求,價格跌勢延續(xù),三星、SK海力士為均暫緩擴(kuò)產(chǎn),避免打亂市場,加上先前日韓貿(mào)易戰(zhàn)一度使得南韓DRAM生產(chǎn)恐受影響,市場原看好DRAM市況可望反轉(zhuǎn)向上,如今美光大手筆投資,引發(fā)高度關(guān)注。

據(jù)了解,美光此次大手筆投資,主要看好進(jìn)入第五代移動通訊(5G)時代之后,快速驅(qū)動人工智能(AI)、物聯(lián)網(wǎng)和智慧車等應(yīng)用發(fā)展,帶動DRAM需求強(qiáng)勁,提早卡位相關(guān)商機(jī),并優(yōu)先擴(kuò)建需導(dǎo)入更先進(jìn)設(shè)備的無塵室,以利讓臺灣廠區(qū)制程正式推進(jìn)到最先進(jìn)的1z世代。

業(yè)界分析,以一座晶圓運(yùn)作人數(shù)約需1,000人計算,美光此次大投資,勢必要大舉招募相關(guān)制程和技術(shù)人才,美光同步在新加坡和臺灣進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM制程推進(jìn)和產(chǎn)能擴(kuò)張,擴(kuò)大全球市占的企圖心顯著。

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM

根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導(dǎo)指出,日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此,市場預(yù)估,美光的該項新產(chǎn)品還會在2019年底前,在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。

報導(dǎo)指出,美光指出,與第2代10納米級(1ynm)制程相比,美光的第3代10納米級制程(1Znm)DRAM制造技術(shù)將使該公司能夠提高其DRAM的位元密度,從而增強(qiáng)性能,并且降低功耗。此外,以第3代10納米級制程所生產(chǎn)新一代DRAM,與同樣為16GB DDR4的產(chǎn)品來比較,功耗較第2代10納米級制程產(chǎn)品低40%。

另外,在16GB LPDDR4X DRAM方面,1Znm制程技術(shù)將較1Ynm制程技術(shù)的產(chǎn)品節(jié)省高達(dá)10%的功率。而且,由于1Znm制程技術(shù)提供的位元密度更高,這使得美光可以降低生產(chǎn)成本,未來使得存儲器更加便宜。

報導(dǎo)進(jìn)一步指出,美光本次并沒有透露其16Gb DDR4 DRAM的傳輸速度為何,但根據(jù)市場預(yù)計,美光的新一代1Znm制程DRAM存儲器將會符合JEDEC制定的官方標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存儲器的設(shè)備將會是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量存儲器模組為主。

至于,在行動存儲器方面,根據(jù)美光公布的資料顯示,1Znm制程的16GB LPDDR4X存儲器的傳輸速率最高可達(dá)4266 MT/s。此外,除了為高端智能手機(jī)提供高達(dá)16GB(8×16Gb)LPDDR4X的DRAM模組外,美光還將提供基于UFS規(guī)格的多存儲器模組(uMCP4),其中內(nèi)含NAND Flash和DRAM。而美光針對主流手機(jī)的uMCP4系列產(chǎn)品將包括64GB+3GB至256GB+8GB(NAND+DRAM)等規(guī)格。

雖然美光沒有透露其采用1Znm技術(shù)的16GB DDR4和LPDDR4X存儲器將會在哪里生產(chǎn),不過市場分析師推測,美光其在日本廣島的工廠將會采用最新的制造技術(shù)開始批量生產(chǎn),而在此同時,也期待2019年底前在臺灣臺中附近的美光臺灣晶圓廠將開始營運(yùn)1Znm制程技術(shù)的生產(chǎn)線。

美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成擴(kuò)建

美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成擴(kuò)建

存儲器大廠美光科技(Micron)14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴(kuò)建!美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示,新廠區(qū)將視市場需求調(diào)整資本支出及產(chǎn)能規(guī)劃,并應(yīng)用先進(jìn)3D NAND制程技術(shù),進(jìn)一步推動5G、人工智能(AI)、自動駕駛等關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)型。此外,美光亦將加碼在中國臺灣DRAM廠投資,臺中廠擴(kuò)建生產(chǎn)線可望在年底前落成。

美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴(kuò)建完成啟用典禮,共有超過500名客戶及供應(yīng)商、經(jīng)銷商、美光團(tuán)隊成員、當(dāng)?shù)卣賳T等共襄盛舉,而包括系統(tǒng)廠華碩、存儲器模組廠威剛、IC基板廠景碩、存儲器封測廠力成、IC渠道商文曄等美光在臺合作伙伴高層主管亦親自出席典禮。

美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心,包括新加坡Fab 10晶圓廠區(qū),以及位于新加坡及馬來西亞的封測廠,此次擴(kuò)建的Fab 10A廠區(qū)將根據(jù)市場需求的趨勢調(diào)整資本支出,預(yù)計下半年可開始生產(chǎn),但在技術(shù)及產(chǎn)能轉(zhuǎn)換調(diào)整情況下,F(xiàn)ab 10廠區(qū)總產(chǎn)能不變。

美光表示,NAND卓越中心利用在新加坡的基礎(chǔ)設(shè)施和技術(shù)專長上的長期投資,擴(kuò)建的Fab 10A為晶圓廠區(qū)無塵室空間帶來運(yùn)作上的彈性,可促進(jìn)3D NAND技術(shù)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)轉(zhuǎn)型。美光第三代96層3D NAND已進(jìn)入量產(chǎn),第四代128層3D NAND將由浮動閘極(floating gate)轉(zhuǎn)向替換閘極(replacement gate)過渡,Sanjay Mehrotra強(qiáng)調(diào),美光3D NAND技術(shù)和儲存方案是支援長期成長的關(guān)鍵,同時進(jìn)一步推動5G、AI、自動駕駛等關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)型。

美光的DRAM布局上,以日本廣島廠為先進(jìn)制程研發(fā)重心,2017年在臺灣成立DRAM卓越中心,臺灣成為美光最大DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn)。美光近幾年來在臺投資規(guī)模不斷擴(kuò)大,臺中廠區(qū)除了現(xiàn)有12英寸廠,也將加快投資進(jìn)行新廠區(qū)擴(kuò)建,計劃在年底前完成,而臺中廠區(qū)后段封測廠亦持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。

隨著韓國存儲器廠三星及SK海力士開始評估在先進(jìn)DRAM制程上采用極紫外光(EUV)微影技術(shù),美光也開始評估將EUV技術(shù)應(yīng)用在DRAM生產(chǎn)的成本效益,隨著DRAM制程由1z納米向1α、1β、1γ納米技術(shù)推進(jìn)過程,會選擇在合適制程節(jié)點(diǎn)采用EUV技術(shù)方案。

美光恢復(fù)向華為出貨部分芯片

美光恢復(fù)向華為出貨部分芯片

6月25日,據(jù)路透社消息,美國存儲器芯片制造商美光表示,已恢復(fù)向華為出貨部分芯片。

美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra稱,在評估美國對華為的禁售令之后,過去兩周已經(jīng)恢復(fù)部分芯片出貨。

Mehrotra指出,美光確定,可以合法恢復(fù)一部分現(xiàn)有產(chǎn)品出貨,因為這些產(chǎn)品不受出口管理條例(EAR)和實體清單的限制。美光已經(jīng)在過去兩周就這些產(chǎn)品中部分訂單開始出貨給華為。

不過,因為華為的情況依然存在不確定性,因此美光無法預(yù)測對華為出貨的產(chǎn)品數(shù)量或持續(xù)時間。

此外,Mehrotra還表示,就數(shù)據(jù)中心市場而言,云端客戶庫存問題出現(xiàn)改善跡象,多數(shù)的庫存水準(zhǔn)已接近正常水位。美光第3季的云端DRAM位元出貨量呈現(xiàn)季增,超越公司內(nèi)部的預(yù)期,初步趨勢跡象顯示本季可望出現(xiàn)強(qiáng)勁的季增表現(xiàn)。

美光預(yù)測,今年晚些時候其芯片需求量將回升。

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美光科技第三財季營收48億美元 凈利同比降78%

美光科技第三財季營收48億美元 凈利同比降78%

北京時間6月26日凌晨消息,美光科技今日發(fā)布了該公司的2019財年第三財季財報。報告顯示,美光科技第三財季營收為47.88億美元,相比之下去年同期的營收為77.97億美元;凈利潤為8.40億美元,與去年同期的38.23億美元相比下降78%。美光科技第三財季營收和調(diào)整后每股收益均超出華爾街分析師預(yù)期,從而推動其盤后股價大漲近9%。

在截至5月30日的這一財季,美光科技的凈利潤為8.40億美元,每股攤薄收益為0.74美元,這一業(yè)績遠(yuǎn)不及去年同期。2018財年第三財季,美光科技的凈利潤為38.23億美元,每股攤薄收益為3.10美元。

不計入某些一次性項目(不按照美國通用會計準(zhǔn)則),美光科技第三季度調(diào)整后凈利潤為11.98億美元,調(diào)整后每股收益為1.05美元,這一業(yè)績超出分析師預(yù)期,相比之下去年同期的調(diào)整后凈利潤為38.98億美元,調(diào)整后每股收益為3.15美元。財經(jīng)信息供應(yīng)商FactSet調(diào)查顯示,分析師此前平均預(yù)期美光科技第三財季每股收益將達(dá)0.79美元。

美光科技第三財季營收為47.88億美元,相比之下去年同期的營收為77.97億美元,也超出分析師預(yù)期。FactSet調(diào)查顯示,分析師此前平均預(yù)期美光科技第三財季營收將達(dá)46.7億美元。

美光科技第三財季毛利潤為18.28億美元,在營收中所占比例為38.2%,相比之下去年同期的毛利潤為47.23億美元,在營收中所占比例為60.6%。不按照美國通用會計準(zhǔn)則,美光科技第三財季毛利潤為18.84億美元,在營收中所占比例為39.3%,相比之下去年同期的毛利潤為47.50億美元,在營收中所占比例為60.9%。

美光科技第三財季運(yùn)營利潤為10.10億美元,在營收中所占比例為21.1%,相比之下去年同期的運(yùn)營利潤為39.53億美元,在營收中所占比例為50.7%。不按照美國通用會計準(zhǔn)則,美光科技第三財季運(yùn)營利潤為11.10億美元,在營收中所占比例為23.2%,相比之下去年同期的運(yùn)營利潤為40.17億美元,在營收中所占比例為51.5%。

美光科技第三財季用于資本支出的投資(其中不包含由合作伙伴提供融資的金額)為22.1億美元,調(diào)整后自由現(xiàn)金流為5.04億美元。根據(jù)已經(jīng)獲批的100億美元股票回購計劃,美光科技在2019財年的前9個月中總共回購了6700萬股普通股,回購總對價為26.6億美元。截至第三財季末,美光科技持有的現(xiàn)金、有價證券投資和限制性現(xiàn)金總額為79.3億美元,現(xiàn)金凈額為30.2億美元。

當(dāng)日,美光科技股價在納斯達(dá)克常規(guī)交易中下跌0.51美元,報收于32.68美元,跌幅為1.54%。在隨后截至美國東部時間周二下午5點(diǎn)33分(北京時間周三凌晨5點(diǎn)33分)的盤后交易中,美光科技股價大幅上漲2.88美元,至35.56美元,漲幅為8.81%。過去52周,美光科技的最高價為58.15美元,最低價為28.39美元。