美國(guó)商務(wù)部將華為列入禁止出口實(shí)體清單中，美光雖然將不受限制的產(chǎn)品對(duì)華為出貨，但總體來看，華為禁令已對(duì)美光營(yíng)運(yùn)造成負(fù)面影響，加上美光表示未來幾季對(duì)華為的出貨恐持續(xù)下滑，也導(dǎo)致美光對(duì)2020年會(huì)計(jì)年度第一季展望低于預(yù)期。在營(yíng)運(yùn)展望保守下，美光股價(jià)上周五大跌近7%，連帶影響南亞科、華邦電、威剛、群聯(lián)等存儲(chǔ)器族群股價(jià)紛紛走跌。

雖然近期DRAM及NAND Flash價(jià)格止跌，但市場(chǎng)庫(kù)存仍高，美光預(yù)期2020年會(huì)計(jì)年度第一季（9～11月）營(yíng)收可望回升至50億美元，但毛利率將進(jìn)一步下滑，導(dǎo)致獲利預(yù)估低于市場(chǎng)預(yù)期。再者，美光預(yù)期華為若持續(xù)名列實(shí)體清單，美光又無法獲得商務(wù)部許可，會(huì)造成對(duì)華為的出貨逐季下滑，影響營(yíng)運(yùn)。

再者，美光對(duì)明年存儲(chǔ)器市場(chǎng)景氣看法，市場(chǎng)法人及分析師均趨于保守，所以才會(huì)明顯降低資本支出。尤其美光對(duì)NAND Flash市場(chǎng)展望保守，2020年的供給位元年成長(zhǎng)率將明顯低于產(chǎn)業(yè)平均水平，并將以現(xiàn)有庫(kù)存因應(yīng)客戶需求，法人解讀美光恐持續(xù)減產(chǎn)，也暗示市場(chǎng)庫(kù)存水位仍居高不下。

不過，美光無法順利出貨給華為，反而給臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器廠有機(jī)會(huì)爭(zhēng)取華為訂單。法人指出，華為在智能型手機(jī)、5G基地臺(tái)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及、WiFi路由器、筆電及服務(wù)器等市場(chǎng)具領(lǐng)導(dǎo)地位，所以對(duì)存儲(chǔ)器需求量龐大，美光現(xiàn)在只能將部分不受限制的產(chǎn)品出貨給華為。

法人表示，臺(tái)灣存儲(chǔ)器廠如南亞科、華邦電等多數(shù)產(chǎn)品線，基本上都可符合法令規(guī)定持續(xù)出貨給華為，對(duì)下半年?duì)I運(yùn)有明顯加分效果。

美光2020年會(huì)計(jì)年度Q1展望保守最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近期，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)輪值主席、美光科技公司總裁兼CEO桑杰·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，隨著智能手機(jī)、個(gè)人電腦和云計(jì)算應(yīng)用等領(lǐng)域的計(jì)算技術(shù)不斷取得突破，人們?cè)谏a(chǎn)生活中利用信息的方式被深度優(yōu)化。特別是在醫(yī)療保健、交通技術(shù)和數(shù)據(jù)訪問等領(lǐng)域，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)揮著不可替代的作用，且在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)著越來越大的份額，成為世界經(jīng)濟(jì)的領(lǐng)先部門之一。

半導(dǎo)體占據(jù)越來越大份額

在過去的20年中，全球半導(dǎo)體銷售業(yè)務(wù)一直在以接近7%的年復(fù)合增長(zhǎng)率發(fā)展，在2018年達(dá)到4690億美元。如今，中國(guó)成為日益重要的半導(dǎo)體市場(chǎng)，2018年占全球半導(dǎo)體銷量的1/3。在桑杰·梅赫羅特拉看來，全球半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期前景十分光明，產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張勢(shì)頭不減。這種增長(zhǎng)得益于先進(jìn)的計(jì)算性能、更快的連接速度和新應(yīng)用程序所需的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析。

“對(duì)于一個(gè)在半導(dǎo)體行業(yè)工作了40年的行業(yè)一員來說，”桑杰·梅赫羅特拉表示，“我們的愿景是改變世界利用信息的方式，豐富人們的生活。特別是在醫(yī)療保健、交通技術(shù)和數(shù)據(jù)訪問等領(lǐng)域，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)揮著不可替代的作用，且在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)著越來越大的份額。

在醫(yī)療保健領(lǐng)域，通過更先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，我們將獲得重大機(jī)遇加快改善護(hù)理質(zhì)量的進(jìn)程。多項(xiàng)研究表明，人工智能可對(duì)常見的掃描結(jié)果做出分析，至少能做到與人類醫(yī)生一樣準(zhǔn)確，在許多情況下，甚至比我們最優(yōu)秀的專家做得更好、更快。隨著技術(shù)不斷的發(fā)展，人工智能科技將為更多的人帶來先進(jìn)的、挽救生命的醫(yī)療保健服務(wù)，使農(nóng)村和缺醫(yī)少藥地區(qū)也能夠更便捷地獲取最好的醫(yī)療知識(shí)和診斷。

在交通技術(shù)領(lǐng)域，汽車制造商正在快速應(yīng)用輔助駕駛功能，如避碰、自適應(yīng)巡航控制和車道偏離警告技術(shù)。未來，道路安全性將得到大幅提升。

在數(shù)據(jù)訪問領(lǐng)域，5G網(wǎng)絡(luò)將徹底改變數(shù)據(jù)訪問速度，并能獲得海量設(shè)備的連接。5G的大帶寬和低時(shí)延將使當(dāng)下網(wǎng)絡(luò)上無法存在的應(yīng)用程序和業(yè)務(wù)模型成為可能，包括4K流媒體視頻和基于虛擬現(xiàn)實(shí)的新型應(yīng)用程序。5G網(wǎng)絡(luò)將為數(shù)十億相互連接的設(shè)備，即物聯(lián)網(wǎng)提供架構(gòu)，并將計(jì)算的觸角延伸到人類生活的方方面面。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展三要素

桑杰·梅赫羅特拉指出，半導(dǎo)體行業(yè)需要繼續(xù)投資于技術(shù)創(chuàng)新、制造能力和產(chǎn)品解決方案，這就對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)提出了三個(gè)重要要求。

一是要吸引源源不斷的優(yōu)秀人才加入半導(dǎo)體行業(yè)，為未來的挑戰(zhàn)性問題創(chuàng)造解決方案。

二是要重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)。半導(dǎo)體的研發(fā)投資要求很高，創(chuàng)新的步伐需要持續(xù)、高水平運(yùn)營(yíng)資本的支出，半導(dǎo)體行業(yè)和世界各國(guó)政府必須共同努力，確保在尊重和保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基礎(chǔ)上建立一個(gè)全球框架，使企業(yè)能夠收回這些重大支出，并繼續(xù)投資于造福社會(huì)的未來發(fā)展。

三是要維持政府主導(dǎo)的半導(dǎo)體投資供需平衡。對(duì)下一代、未來技術(shù)的研究投資而言，可以從政府資助中受益，但關(guān)鍵是要確保此類資助不會(huì)擴(kuò)大影響半導(dǎo)體行業(yè)供需微妙平衡的制造規(guī)模。半導(dǎo)體市場(chǎng)，對(duì)這些供需動(dòng)態(tài)非常敏感，世界貿(mào)易組織已經(jīng)做出了相應(yīng)的規(guī)定，以確保工業(yè)結(jié)構(gòu)有序。

美光總裁兼CEO： 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張勢(shì)頭不會(huì)縮減最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）對(duì)于臺(tái)灣地區(qū)臺(tái)中廠擴(kuò)建一案提出正式回應(yīng)說明。美光表示，如同美光于公布2019會(huì)計(jì)年度第三季度財(cái)報(bào)時(shí)所言，今年4月美光于臺(tái)中的無塵室擴(kuò)建工程正式動(dòng)土。

美光表示，由于未來開發(fā)DRAM節(jié)點(diǎn)所需處理步驟可能更繁雜，需要更多無塵室空間以因應(yīng)。無塵室的擴(kuò)建將有助于推進(jìn)臺(tái)灣美光現(xiàn)有晶圓產(chǎn)能DRAM制程轉(zhuǎn)換，美光并不會(huì)因該擴(kuò)建而增加任何新的晶圓產(chǎn)能。臺(tái)灣美光將不就任何有關(guān)進(jìn)一步擴(kuò)建或投資臺(tái)灣的猜測(cè)及謠言發(fā)表評(píng)論。

綜觀全球，美光確認(rèn)將2019會(huì)計(jì)年度的資本支出從年初105億美元加減5%，調(diào)降至大約90億美元。相較于2019會(huì)計(jì)年度，美光也計(jì)劃有意義地降低2020會(huì)計(jì)年度資本支出投資水平。

美光回應(yīng)臺(tái)中廠擴(kuò)建案：不會(huì)增加新的晶圓產(chǎn)能最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。

在內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片公司對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。

根據(jù)美光之前公布的路線圖，實(shí)際上1Znm之后還會(huì)有1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來10nm級(jí)別就有六種制造工藝了，現(xiàn)在正好演進(jìn)到到了第三代。

美光表示，與上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不過美光并沒有給出具體的數(shù)據(jù)，性能提升多少、成本降低多少尚無確切數(shù)據(jù)，唯一比較確切的就是說1Znm 16Gb DDR4內(nèi)存相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗，但這個(gè)比較也太過寬泛。

此外，美光還宣布批量出貨基于UFS多芯片封裝uMCP的、業(yè)界容量最高的16Gb LPDDR4X內(nèi)存，滿足了業(yè)界對(duì)低功耗及更小封裝的的要求。

美光量產(chǎn)第三代10nm級(jí)內(nèi)存：首發(fā)1Znm工藝 16Gb DDR4最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)將在中國(guó)臺(tái)灣興建A3和A5兩座晶圓廠，不過，臺(tái)灣美光昨(26)日表示，目前在臺(tái)投資計(jì)劃僅有在中科廠旁擴(kuò)建A3無塵室，而沒有A5廠的規(guī)劃；且現(xiàn)階段美光的全球產(chǎn)能布局原則為提升制程技術(shù)與增加產(chǎn)品容量，而非增加晶圓投片量。

臺(tái)灣美光表示，正在臺(tái)中后里廠區(qū)動(dòng)工擴(kuò)建A3廠，主要是為了擴(kuò)大增加無塵室設(shè)備空間和技術(shù)升級(jí)，預(yù)計(jì)明(2020)年第四季完工，但目前沒有A5廠的規(guī)劃。而擴(kuò)建無塵室空間是為了因應(yīng)先進(jìn)制程之新設(shè)備需求，且目前美光的全球產(chǎn)能布局原則是提升制程技術(shù)、與增加存儲(chǔ)器儲(chǔ)存容量，而并非增加晶圓投片量或月產(chǎn)能。

分析師則指出，美光在臺(tái)大舉投資，可望發(fā)揮一定程度拉抬臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)，以及帶動(dòng)就業(yè)的效果；不過，由于整體產(chǎn)能規(guī)劃未變，推測(cè)對(duì)后段封測(cè)廠，例如力成、南茂、日月光等助益也有限，而后續(xù)更值得留意的是，臺(tái)灣美光將跨足先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域，是否會(huì)影響相關(guān)臺(tái)廠在高端封測(cè)的訂單。

臺(tái)灣美光：為因應(yīng)制程技術(shù)升級(jí)擴(kuò)建A3 但沒有A5廠規(guī)劃最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

全球第三大DRAM廠美商美光（Micron）加碼投資中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，要在現(xiàn)有中科廠區(qū)旁興建兩座晶圓廠，總投資額達(dá)新臺(tái)幣4,000億元（約合人民幣903億元），以生產(chǎn)下世代最新制程生產(chǎn)DRAM。時(shí)值DRAM仍供過于求，美光大手筆投資，震撼業(yè)界。

這是美光繼在臺(tái)中投資先進(jìn)存儲(chǔ)器后段封測(cè)廠后，又一次大手筆投資臺(tái)灣。中科管理局透露，美光此次投資案，名列臺(tái)灣第二大半導(dǎo)體投資案（僅次于臺(tái)積電中科與南科擴(kuò)建案），若以外商來看，則是最大投資案。

據(jù)了解，美光此次903億元擴(kuò)建案，規(guī)劃在目前中科廠旁，興建A3及A5兩座晶圓廠。其中，A3廠預(yù)定明年8月完工，并陸續(xù)裝機(jī)，明年第4季導(dǎo)入最新的1z制程試產(chǎn)，藉此縮小與龍頭三星的差距；第二期A5廠將視市場(chǎng)需求，逐步擴(kuò)增產(chǎn)能，規(guī)劃設(shè)計(jì)月產(chǎn)能6萬片。

美光臺(tái)灣分公司證實(shí)在臺(tái)中擴(kuò)建A3廠，且已進(jìn)入興建工程。美光臺(tái)灣強(qiáng)調(diào)，A3廠房是以擴(kuò)建無塵室為主，將加入既有的桃園前段晶圓廠，以及臺(tái)中后里前段晶圓廠的前段晶圓制造生產(chǎn)線， 進(jìn)一步擴(kuò)充美光在臺(tái)設(shè)立的DRAM卓越中心的設(shè)備更新、技術(shù)升級(jí)。至于A3廠投資金額和A5廠相關(guān)產(chǎn)能規(guī)劃等細(xì)節(jié)，則不便透露。

因應(yīng)這項(xiàng)擴(kuò)建案，美光近期整并位于臺(tái)中的原瑞晶廠與并購(gòu)華亞科的桃園廠組織架構(gòu)，分別列為美光的A1廠及A2廠，兩座晶圓廠全數(shù)劃歸美光臺(tái)灣董事長(zhǎng)兼臺(tái)中廠營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)徐國(guó)晉管轄，數(shù)十位中間主管因組織重疊而優(yōu)退，桃園廠營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)葉仁杰也訂9月1日離職。

美光是全球第三大DRAM廠，名列韓國(guó)三星、SK海力士之后。目前DRAM市場(chǎng)仍供過于求，價(jià)格跌勢(shì)延續(xù)，三星、SK海力士為均暫緩擴(kuò)產(chǎn)，避免打亂市場(chǎng)，加上先前日韓貿(mào)易戰(zhàn)一度使得南韓DRAM生產(chǎn)恐受影響，市場(chǎng)原看好DRAM市況可望反轉(zhuǎn)向上，如今美光大手筆投資，引發(fā)高度關(guān)注。

據(jù)了解，美光此次大手筆投資，主要看好進(jìn)入第五代移動(dòng)通訊（5G）時(shí)代之后，快速驅(qū)動(dòng)人工智能（AI）、物聯(lián)網(wǎng)和智慧車等應(yīng)用發(fā)展，帶動(dòng)DRAM需求強(qiáng)勁，提早卡位相關(guān)商機(jī)，并優(yōu)先擴(kuò)建需導(dǎo)入更先進(jìn)設(shè)備的無塵室，以利讓臺(tái)灣廠區(qū)制程正式推進(jìn)到最先進(jìn)的1z世代。

業(yè)界分析，以一座晶圓運(yùn)作人數(shù)約需1,000人計(jì)算，美光此次大投資，勢(shì)必要大舉招募相關(guān)制程和技術(shù)人才，美光同步在新加坡和臺(tái)灣進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM制程推進(jìn)和產(chǎn)能擴(kuò)張，擴(kuò)大全球市占的企圖心顯著。

美光在臺(tái)擴(kuò)廠 加碼903億元建兩座晶圓廠最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此，市場(chǎng)預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前，在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。

報(bào)導(dǎo)指出，美光指出，與第2代10納米級(jí)（1ynm）制程相比，美光的第3代10納米級(jí)制程(1Znm)DRAM制造技術(shù)將使該公司能夠提高其DRAM的位元密度，從而增強(qiáng)性能，并且降低功耗。此外，以第3代10納米級(jí)制程所生產(chǎn)新一代DRAM，與同樣為16GB DDR4的產(chǎn)品來比較，功耗較第2代10納米級(jí)制程產(chǎn)品低40%。

另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面，1Znm制程技術(shù)將較1Ynm制程技術(shù)的產(chǎn)品節(jié)省高達(dá)10%的功率。而且，由于1Znm制程技術(shù)提供的位元密度更高，這使得美光可以降低生產(chǎn)成本，未來使得存儲(chǔ)器更加便宜。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，美光本次并沒有透露其16Gb DDR4 DRAM的傳輸速度為何，但根據(jù)市場(chǎng)預(yù)計(jì)，美光的新一代1Znm制程DRAM存儲(chǔ)器將會(huì)符合JEDEC制定的官方標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存儲(chǔ)器的設(shè)備將會(huì)是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量存儲(chǔ)器模組為主。

至于，在行動(dòng)存儲(chǔ)器方面，根據(jù)美光公布的資料顯示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存儲(chǔ)器的傳輸速率最高可達(dá)4266 MT/s。此外，除了為高端智能手機(jī)提供高達(dá)16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模組外，美光還將提供基于UFS規(guī)格的多存儲(chǔ)器模組（uMCP4），其中內(nèi)含NAND Flash和DRAM。而美光針對(duì)主流手機(jī)的uMCP4系列產(chǎn)品將包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等規(guī)格。

雖然美光沒有透露其采用1Znm技術(shù)的16GB DDR4和LPDDR4X存儲(chǔ)器將會(huì)在哪里生產(chǎn)，不過市場(chǎng)分析師推測(cè)，美光其在日本廣島的工廠將會(huì)采用最新的制造技術(shù)開始批量生產(chǎn)，而在此同時(shí)，也期待2019年底前在臺(tái)灣臺(tái)中附近的美光臺(tái)灣晶圓廠將開始營(yíng)運(yùn)1Znm制程技術(shù)的生產(chǎn)線。

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

存儲(chǔ)器大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴(kuò)建！美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra表示，新廠區(qū)將視市場(chǎng)需求調(diào)整資本支出及產(chǎn)能規(guī)劃，并應(yīng)用先進(jìn)3D NAND制程技術(shù)，進(jìn)一步推動(dòng)5G、人工智能（AI）、自動(dòng)駕駛等關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)型。此外，美光亦將加碼在中國(guó)臺(tái)灣DRAM廠投資，臺(tái)中廠擴(kuò)建生產(chǎn)線可望在年底前落成。

美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴(kuò)建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應(yīng)商、經(jīng)銷商、美光團(tuán)隊(duì)成員、當(dāng)?shù)卣賳T等共襄盛舉，而包括系統(tǒng)廠華碩、存儲(chǔ)器模組廠威剛、IC基板廠景碩、存儲(chǔ)器封測(cè)廠力成、IC渠道商文曄等美光在臺(tái)合作伙伴高層主管亦親自出席典禮。

美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區(qū)，以及位于新加坡及馬來西亞的封測(cè)廠，此次擴(kuò)建的Fab 10A廠區(qū)將根據(jù)市場(chǎng)需求的趨勢(shì)調(diào)整資本支出，預(yù)計(jì)下半年可開始生產(chǎn)，但在技術(shù)及產(chǎn)能轉(zhuǎn)換調(diào)整情況下，F(xiàn)ab 10廠區(qū)總產(chǎn)能不變。

美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎(chǔ)設(shè)施和技術(shù)專長(zhǎng)上的長(zhǎng)期投資，擴(kuò)建的Fab 10A為晶圓廠區(qū)無塵室空間帶來運(yùn)作上的彈性，可促進(jìn)3D NAND技術(shù)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)轉(zhuǎn)型。美光第三代96層3D NAND已進(jìn)入量產(chǎn)，第四代128層3D NAND將由浮動(dòng)閘極（floating gate）轉(zhuǎn)向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強(qiáng)調(diào)，美光3D NAND技術(shù)和儲(chǔ)存方案是支援長(zhǎng)期成長(zhǎng)的關(guān)鍵，同時(shí)進(jìn)一步推動(dòng)5G、AI、自動(dòng)駕駛等關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)型。

美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進(jìn)制程研發(fā)重心，2017年在臺(tái)灣成立DRAM卓越中心，臺(tái)灣成為美光最大DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn)。美光近幾年來在臺(tái)投資規(guī)模不斷擴(kuò)大，臺(tái)中廠區(qū)除了現(xiàn)有12英寸廠，也將加快投資進(jìn)行新廠區(qū)擴(kuò)建，計(jì)劃在年底前完成，而臺(tái)中廠區(qū)后段封測(cè)廠亦持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。

隨著韓國(guó)存儲(chǔ)器廠三星及SK海力士開始評(píng)估在先進(jìn)DRAM制程上采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)，美光也開始評(píng)估將EUV技術(shù)應(yīng)用在DRAM生產(chǎn)的成本效益，隨著DRAM制程由1z納米向1α、1β、1γ納米技術(shù)推進(jìn)過程，會(huì)選擇在合適制程節(jié)點(diǎn)采用EUV技術(shù)方案。

美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成擴(kuò)建最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

6月25日，據(jù)路透社消息，美國(guó)存儲(chǔ)器芯片制造商美光表示，已恢復(fù)向華為出貨部分芯片。

美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra稱，在評(píng)估美國(guó)對(duì)華為的禁售令之后，過去兩周已經(jīng)恢復(fù)部分芯片出貨。

Mehrotra指出，美光確定，可以合法恢復(fù)一部分現(xiàn)有產(chǎn)品出貨，因?yàn)檫@些產(chǎn)品不受出口管理?xiàng)l例（EAR）和實(shí)體清單的限制。美光已經(jīng)在過去兩周就這些產(chǎn)品中部分訂單開始出貨給華為。

不過，因?yàn)槿A為的情況依然存在不確定性，因此美光無法預(yù)測(cè)對(duì)華為出貨的產(chǎn)品數(shù)量或持續(xù)時(shí)間。

此外，Mehrotra還表示，就數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)而言，云端客戶庫(kù)存問題出現(xiàn)改善跡象，多數(shù)的庫(kù)存水準(zhǔn)已接近正常水位。美光第3季的云端DRAM位元出貨量呈現(xiàn)季增，超越公司內(nèi)部的預(yù)期，初步趨勢(shì)跡象顯示本季可望出現(xiàn)強(qiáng)勁的季增表現(xiàn)。

美光預(yù)測(cè)，今年晚些時(shí)候其芯片需求量將回升。

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美光恢復(fù)向華為出貨部分芯片最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

北京時(shí)間6月26日凌晨消息，美光科技今日發(fā)布了該公司的2019財(cái)年第三財(cái)季財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示，美光科技第三財(cái)季營(yíng)收為47.88億美元，相比之下去年同期的營(yíng)收為77.97億美元；凈利潤(rùn)為8.40億美元，與去年同期的38.23億美元相比下降78%。美光科技第三財(cái)季營(yíng)收和調(diào)整后每股收益均超出華爾街分析師預(yù)期，從而推動(dòng)其盤后股價(jià)大漲近9%。

在截至5月30日的這一財(cái)季，美光科技的凈利潤(rùn)為8.40億美元，每股攤薄收益為0.74美元，這一業(yè)績(jī)遠(yuǎn)不及去年同期。2018財(cái)年第三財(cái)季，美光科技的凈利潤(rùn)為38.23億美元，每股攤薄收益為3.10美元。

不計(jì)入某些一次性項(xiàng)目（不按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則），美光科技第三季度調(diào)整后凈利潤(rùn)為11.98億美元，調(diào)整后每股收益為1.05美元，這一業(yè)績(jī)超出分析師預(yù)期，相比之下去年同期的調(diào)整后凈利潤(rùn)為38.98億美元，調(diào)整后每股收益為3.15美元。財(cái)經(jīng)信息供應(yīng)商FactSet調(diào)查顯示，分析師此前平均預(yù)期美光科技第三財(cái)季每股收益將達(dá)0.79美元。

美光科技第三財(cái)季營(yíng)收為47.88億美元，相比之下去年同期的營(yíng)收為77.97億美元，也超出分析師預(yù)期。FactSet調(diào)查顯示，分析師此前平均預(yù)期美光科技第三財(cái)季營(yíng)收將達(dá)46.7億美元。

美光科技第三財(cái)季毛利潤(rùn)為18.28億美元，在營(yíng)收中所占比例為38.2%，相比之下去年同期的毛利潤(rùn)為47.23億美元，在營(yíng)收中所占比例為60.6%。不按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則，美光科技第三財(cái)季毛利潤(rùn)為18.84億美元，在營(yíng)收中所占比例為39.3%，相比之下去年同期的毛利潤(rùn)為47.50億美元，在營(yíng)收中所占比例為60.9%。

美光科技第三財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為10.10億美元，在營(yíng)收中所占比例為21.1%，相比之下去年同期的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為39.53億美元，在營(yíng)收中所占比例為50.7%。不按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則，美光科技第三財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為11.10億美元，在營(yíng)收中所占比例為23.2%，相比之下去年同期的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為40.17億美元，在營(yíng)收中所占比例為51.5%。

美光科技第三財(cái)季用于資本支出的投資（其中不包含由合作伙伴提供融資的金額）為22.1億美元，調(diào)整后自由現(xiàn)金流為5.04億美元。根據(jù)已經(jīng)獲批的100億美元股票回購(gòu)計(jì)劃，美光科技在2019財(cái)年的前9個(gè)月中總共回購(gòu)了6700萬股普通股，回購(gòu)總對(duì)價(jià)為26.6億美元。截至第三財(cái)季末，美光科技持有的現(xiàn)金、有價(jià)證券投資和限制性現(xiàn)金總額為79.3億美元，現(xiàn)金凈額為30.2億美元。

當(dāng)日，美光科技股價(jià)在納斯達(dá)克常規(guī)交易中下跌0.51美元，報(bào)收于32.68美元，跌幅為1.54%。在隨后截至美國(guó)東部時(shí)間周二下午5點(diǎn)33分（北京時(shí)間周三凌晨5點(diǎn)33分）的盤后交易中，美光科技股價(jià)大幅上漲2.88美元，至35.56美元，漲幅為8.81%。過去52周，美光科技的最高價(jià)為58.15美元，最低價(jià)為28.39美元。

美光科技第三財(cái)季營(yíng)收48億美元 凈利同比降78%最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。