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美光：服務(wù)器異質(zhì)運(yùn)算比重增加預(yù)估存儲(chǔ)器需求上看6倍

2019年5月30日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

各種新的應(yīng)用造就資料儲(chǔ)存和運(yùn)算的需求，而過往大家注目焦點(diǎn)的零組件如儲(chǔ)存和存儲(chǔ)器廠商，因應(yīng)AI時(shí)代來臨，而提出他們相對(duì)應(yīng)的策略。美光5月29日在COMPUTEX展覽期間舉行媒體活動(dòng)，美光運(yùn)算與網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門資深副總裁暨總經(jīng)理Thomas T.Eby指出，資料中心因異質(zhì)運(yùn)算比重增加，存儲(chǔ)器需求也將增加6倍。

Eby解釋存儲(chǔ)器增加6倍的依據(jù)，說過往資料中心以CPU構(gòu)成運(yùn)算主力，如今因?yàn)楦黜?xiàng)應(yīng)用，有更多異質(zhì)性運(yùn)算元件的需求，如TPU、GPU、FPGA、ASIC、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算芯片。比起單純用CPU構(gòu)成的運(yùn)算能力，Eby指未來在資料中心中增加新的異質(zhì)性元件，增加6倍的存儲(chǔ)器是有依據(jù)的。

至于要怎么滿足資料中心，AI架構(gòu)所需要的運(yùn)算需求，美光會(huì)與制造商加強(qiáng)彼此合作，解決人工智能等應(yīng)用之下，減少資料傳輸?shù)木嚯x，要求存儲(chǔ)器必須鄰近運(yùn)算的工作負(fù)載，亦被稱為“存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算”。在新興應(yīng)用之下，資料得更靠近存儲(chǔ)器，甚至在存儲(chǔ)器直接運(yùn)算，但仍還要研究出具體做法。

美光認(rèn)為數(shù)據(jù)是今日的全球貨幣，預(yù)估全球需傳輸、儲(chǔ)存、分析的數(shù)據(jù)量將于9年內(nèi)成長10倍，至2023年時(shí)達(dá)103ZB。面對(duì)如此龐大的數(shù)據(jù)量，如何將其轉(zhuǎn)化為資訊并從中挖掘有用的洞見將是一項(xiàng)難題，而人工智能在數(shù)據(jù)分析的過程扮演要角。若以比喻說明，人工智能以運(yùn)算為腦，存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存則為其心。

根據(jù)美光委托Forrester訪問建構(gòu)人工智能平臺(tái)的工程師和IT專家的結(jié)果顯示，開發(fā)人工智能系統(tǒng)時(shí)，首要考量并非運(yùn)算，而是如何打造存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存架構(gòu)以滿足龐大運(yùn)算需求。報(bào)告中有超過9成的受訪者表示，存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存架構(gòu)攸關(guān)開發(fā)人工智能系統(tǒng)的成敗，儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器吞吐量的重要性更勝于運(yùn)算，且運(yùn)算與存儲(chǔ)器間的距離越來越近。

在自駕車的存儲(chǔ)器需求方面，Eby也表示，未來每輛L5級(jí)自駕車，將會(huì)配置8-12個(gè)解析度高達(dá)4K-8K的顯示屏幕，而為了支援V2X連結(jié)，存儲(chǔ)器每秒需處理0.5-1 TB的數(shù)據(jù)量，在車內(nèi)娛樂系統(tǒng)方面，存儲(chǔ)器頻寬需求每秒也將達(dá)150-300 GB。未來自駕車將會(huì)像飛機(jī)一樣有黑盒子，以每30秒持續(xù)錄制片段，紀(jì)錄車內(nèi)外狀況，因此存儲(chǔ)器頻寬需求每秒也達(dá)到1 GB。此外，在車輛生命周期中，會(huì)重復(fù)寫入的數(shù)據(jù)加起來將有150 PB（Petabyte），所以對(duì)存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存的效能與耐用性要求會(huì)特別高。

未來將有越來越多邊緣裝置，甚至是車子也可以視為特殊樣貌的邊緣裝置，Eby說美光看到存儲(chǔ)器元件的機(jī)會(huì)。另外傳統(tǒng)資料中心演變成分散式的伺服器配置，類似未來5G的基地臺(tái)設(shè)置模式，美光也會(huì)過程中要滿足伙伴的存儲(chǔ)器需求。

Eby表示：“美光本身就是人工智能應(yīng)用的最佳案例。透過導(dǎo)入人工智能至生產(chǎn)廠區(qū)，美光得以增加生產(chǎn)良率、促進(jìn)工作環(huán)境安全與提升整體效能。”Thomas T.Eby進(jìn)一步指出：“美光引入人工智能打造智慧制造，所得到的成果包括達(dá)到成熟良率的時(shí)間縮短25%、提升晶圓產(chǎn)出10%以及產(chǎn)品品質(zhì)事件減少35%，效果顯著?！?/p>

美光DRAM和NAND Flash最新技術(shù)路線圖公布

2019年5月24日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會(huì)，在大會(huì)中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。

據(jù)悉，美光的技術(shù)研發(fā)和Fab制造工廠遍布全球，其中核心技術(shù)研發(fā)主要集中在美國的愛達(dá)荷州（Idaho）基地。Fab工廠分布上，日本主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM，新加坡主要生產(chǎn)NAND Flash，3D Xpoint工廠則設(shè)在美國的猶他州（Utah），中國臺(tái)灣則負(fù)責(zé)封裝。

此外，為了滿足汽車市場需求，美光還在美國弗吉尼亞州（Virginia）設(shè)立了工廠。

最值得關(guān)注的是，美光在此次投資者大會(huì)上公布了DRAM和NAND Flash的最新技術(shù)線路圖。

DRAM方面，美光將持續(xù)推進(jìn)1Znm DRAM技術(shù)，并且還將基于該先進(jìn)技術(shù)推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技術(shù)之后，美光還將發(fā)展1α、1β、1γ。

未來美光DRAM產(chǎn)品研發(fā)計(jì)劃采用EUV技術(shù)。美光表示，其擁有從1Znm至1ynm的成熟的技術(shù)和成本效益，而多重曝光微影技術(shù)是它的戰(zhàn)略性優(yōu)勢。目前，DRAM的EUV光刻技術(shù)正在進(jìn)行評(píng)估中，準(zhǔn)備在合適的時(shí)候?qū)崿F(xiàn)對(duì)EUV技術(shù)的應(yīng)用。

NAND Flash方面，繼96層3D NAND之后，美光計(jì)劃下一代研發(fā)128層3D NAND，采用64+64層的結(jié)構(gòu)。

另外，為了在芯片尺寸、連續(xù)寫入性能、寫入功耗方面領(lǐng)先，美光研發(fā)128層3D NAND時(shí)，將實(shí)現(xiàn)從Floating Gate技術(shù)向Replacement Gate技術(shù)過渡的重大進(jìn)展，以及對(duì)CuA（CMOS under Array）技術(shù)的持續(xù)利用。

IM Flash分手案最新進(jìn)展，美光將支付至少13億美元

2019年5月8日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

美光 (Micron) 和英特爾 (Intel) 的“分手”很快將迎來正式官宣。

根據(jù)科技媒體Tom’s Hardware最新消息，在5月3日提交給美國證券交易委員會(huì)(SEC)的監(jiān)管文件中，美光公司表示，合資企業(yè)Intel-Micron Flash Technology (IM Flash) 中英特爾所持有的非控股股權(quán)出售事宜將預(yù)于10月31日完成。

IM Flash成立于2006年，旨在聯(lián)手美光和英特爾，共同合作研發(fā)NAND Flash和3D XPoint技術(shù)。這是一種非易失性內(nèi)存技術(shù)，將會(huì)使用在英特爾Optane產(chǎn)品中。

早在2018年7月，兩家公司宣布，在今年上半年待第二代3D XPoint的研發(fā)工作完成后，將停止在3D XPoint技術(shù)上的合作。采用3D XPoint技術(shù)的產(chǎn)品的銷售將不受影響，但在后續(xù)對(duì)該技術(shù)的研發(fā)上，英特爾和美光則將各自保持獨(dú)立，不會(huì)通過合資企業(yè)IM Flash來進(jìn)行。

2018年10月，美光表示將收購英特爾持有的IM Flash股份。但這筆分割操作并沒有很果斷——英特爾表示，美光必須至少等到2019年1月1日才會(huì)購買其在IM Flash中的股份。不過，這似乎只是時(shí)間的問題，因?yàn)槊拦庠?月15日已宣布，它仍將推進(jìn)收購英特爾所持有IM Flash的49%股份的計(jì)劃。

根據(jù)提交給監(jiān)管機(jī)構(gòu)的文件，英特爾明確在5月3日告訴美光科技，這筆交易將于10月31日完成。文件中還提到，美光預(yù)計(jì)將向英特爾支付約13 至 15億美元現(xiàn)金，以購買英特爾持有的IM Flash和IM Flash成員所欠英特爾債務(wù)的非控股權(quán)益，并確認(rèn)獲得約1億美元的GAAP財(cái)務(wù)收益。”

若交易按計(jì)劃進(jìn)行，美光和英特爾將距離“自由”越來越近。但仍有一些懸而未決的問題，比如說英特爾聲稱，美光雇傭了一名Intel前工程師經(jīng)理，這有可能會(huì)泄露出3D XPoint的相關(guān)信息。

具體情況如何，也只有等到那個(gè)時(shí)候，我們才知道這筆交易對(duì)3D XPoint和英特爾Optane產(chǎn)品的發(fā)展意味著什么。

金士頓、美光產(chǎn)能移臺(tái) 華泰、品安營運(yùn)翻身

2019年4月4日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

中美貿(mào)易摩擦觸動(dòng)存儲(chǔ)器模組大廠金士頓、美光紛將中國大陸產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到臺(tái)灣地區(qū)，在臺(tái)灣委外代工生產(chǎn)比重提高，使得供應(yīng)鏈?zhǔn)芑?，封測廠華泰電子、存儲(chǔ)器模組廠品安受惠較大，營運(yùn)翻身。

業(yè)界指出，美光全球DRAM產(chǎn)能多在西安封測，受到貿(mào)易摩擦的沖擊，從去年以來，產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到臺(tái)灣已從零提高到35%，還將持續(xù)增加，委外主要合作廠商包括日月光投控、力成，南茂與華東也有分食到訂單，盡管目前DRAM市況不好，美光轉(zhuǎn)移產(chǎn)能與釋單仍有助封測廠維持稼動(dòng)率。

金士頓從去年第四季也陸續(xù)移轉(zhuǎn)部分產(chǎn)能回臺(tái)灣，受惠的供應(yīng)伙伴包括力成、華泰與品安等。華泰因金士頓等客戶的NAND Flash晶圓貨源增多，記憶卡、固態(tài)硬盤（SSD）等封測訂單增加，加上多家客戶也從大陸移轉(zhuǎn)電子制造（EMS）訂單加持，去年第四季轉(zhuǎn)虧為盈，終止連8季虧損，今年預(yù)估可一季比一季好，全年轉(zhuǎn)獲利可期；品安去年也獲利成長。

美光Q2營收超乎預(yù)期，預(yù)計(jì)今年Q4存儲(chǔ)器將再回溫

2019年3月22日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

存儲(chǔ)器大廠美光在 21 日上午公布了截至 2019 年 2 月 28 日為止的該年度第 2 季營收數(shù)字。根據(jù)數(shù)字顯示，其營收達(dá)到 58.35 億美元，相較 2018 年同期為 73.51 億美元，以及第 1 季的為 79.13 億美元都有減少。而且在稅后凈利部分，達(dá)到 16.19 億美元，與 2018 年同期的 33.09 億美元相比，下降 51%，與第 1 季的 32.93 億美元相比也是下滑。不過，因?yàn)榈?2 季的營收表現(xiàn)超乎華爾街分析師的預(yù)期，也拉抬了美光在 21 日美股盤后股價(jià)大幅上漲逾 5%。

事實(shí)上，在美光公布 2019 年第 2 季財(cái)報(bào)之前，因?yàn)槿虬雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供過于求，加上智能型手機(jī)需求的減緩，以及云端運(yùn)算供應(yīng)商的采購模式參差不齊，市場原本估計(jì)，此市場不景氣的狀況也將對(duì)美光帶來嚴(yán)重的沖擊。因?yàn)槊拦庵饕怨?yīng)手機(jī)及筆記型計(jì)算機(jī)所需要的 NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器，以及服務(wù)器所使用的 DRAM 為主要營收項(xiàng)目。不過，其公布財(cái)報(bào)的結(jié)果卻超乎市場預(yù)期。

在從產(chǎn)品面來分析，在 DRAM 業(yè)務(wù)方面，營收較 2018 年同期下降 28%，較第 1 季則是成長 30%，占總營收比重的 64%。至于 NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的營收，則是較 2018 年同期下滑 2%，較第 1 季下滑 18%，占總營收的 30%。另外，儲(chǔ)存業(yè)務(wù)部分的營收則為 10 億美元，較 2018 年同期下降 19%，較第 1 季下降 11%。這是因?yàn)閬碜?SSD 銷售金額下降，導(dǎo)致了成長下滑。

由于美光股價(jià)自 2018 年 12 月觸底以來，到目前反彈了近 40%，主要是受惠于市場預(yù)期存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的高庫存情況，有望在 2019 年下半年恢復(fù)到正常水平所帶動(dòng)。盡管美光對(duì)第 3 季的預(yù)測低于華爾街預(yù)期，但美光表示，2019 年第 4 季市場需求可能會(huì)再次回溫。

自 2018 年第 4 季 DRAM 價(jià)格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢以來，目前 DRAM 的每季跌幅從之前的 25%，已經(jīng)擴(kuò)大到 30% 上下，創(chuàng)下 2011 年最大的單季價(jià)格降幅，而且 DRAM 的庫存水平一直在攀升。為了因應(yīng)這樣的市場變化，美光已開始執(zhí)行支出削減計(jì)劃，并表示成本控制將有助于抵銷芯片價(jià)格下降造成的影響，目前美光稱已暫停部分工廠產(chǎn)線，以協(xié)助保持利潤的回穩(wěn)。

至于，針對(duì)預(yù)計(jì) 2019 年第 3 季營運(yùn)表現(xiàn)，美光預(yù)估營收將收介于 46 億到 50 億美元之間，低于分析師預(yù)估的 53 億美元。另外，在資本支出上，預(yù)計(jì)將把 2019 年的資本支出削減至 90 億美元，低于之前預(yù)估的 90 億美元至 95 億美元之間。

美光中科廠驚傳誤觸消防系統(tǒng)，生產(chǎn)不受影響

2019年3月21日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

存儲(chǔ)器大廠美光科技（Micron）驚傳位于中科的 2 廠區(qū)發(fā)生誤觸消防系統(tǒng)事件，導(dǎo)致二氧化碳外泄。據(jù)稱有 6 名員工中毒送醫(yī)搶救，其中 1 人昏迷意識(shí)不清。稍早，美光科技證實(shí)了該項(xiàng)消息。

根據(jù)美光科技聲明稿，證實(shí) 20 日稍早于后里臺(tái)中封測廠發(fā)生消防系統(tǒng)二氧化碳觸發(fā)事件，廠區(qū)啟動(dòng)安全防護(hù)機(jī)制，情況當(dāng)下已立即獲得掌控，僅有少數(shù)人員送醫(yī)觀察，人員目前均已獲得妥善照護(hù)，廠區(qū)目前正常運(yùn)轉(zhuǎn)。

而根據(jù)目前《科技新報(bào)》掌握到的消息，誤觸消防系統(tǒng)，造成二氧化碳外泄，是發(fā)生于制程后端，對(duì)整個(gè)生產(chǎn)并沒有影響。這方面相關(guān)供應(yīng)商也表示如此。

美光：庫存金額季增逾一成，DRAM 晶圓投片量擬減 5%

2019年3月21日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

美國存儲(chǔ)器大廠美光科技（Micron Technology Inc.）20 日美國股市盤后公布 2019 會(huì)計(jì)年度第 2 季（截至 2019 年 2 月 28 日）財(cái)報(bào)：營收年減 20.6%、季減 26.3% 至 58.35 億美元；非一般公認(rèn)會(huì)計(jì)原則（Non-GAAP）每股稀釋盈余年減 39.4% 至 1.71美元。

美光財(cái)務(wù)長 Dave Zinsner 在財(cái)報(bào)電話會(huì)議表示，美光第 3 季營收、Non-GAAP 每股稀釋盈余預(yù)估區(qū)間分別為 46.0 億至 50.0 億美元，中間值為 48.0 億美元；0.75~0.95 美元，中間值為 0.85 美元。

根據(jù) FactSet 統(tǒng)計(jì)，分析師預(yù)期美光第 3 季營收、Non-GAAP 每股稀釋盈余各為 52.9 億美元、1.18 美元。

美光執(zhí)行長 Sanjay Mehrotra 在財(cái)報(bào)電話會(huì)議表示，基于客戶下修 DRAM 需求展望，美光 DRAM 晶圓投片量將縮減約 5%。

他說，此舉將使美光的生產(chǎn)水平接近 2019 年 DRAM 產(chǎn)業(yè)位元需求成長。美光將繼續(xù)監(jiān)控市場并采取適當(dāng)行動(dòng)、以確保公司 2019 年的位元供應(yīng)成長貼近需求。

Zinsner 20 日宣布將 2019 會(huì)計(jì)年度資本支出目標(biāo)自 90 億至 95 億美元修正為約 90 億美元。他指出，美光第 2 季資本支出排除第三方貢獻(xiàn)不計(jì)約 24 億美元，與前一季相當(dāng)。

截至 2019 會(huì)計(jì)年度第 2 季底，美光庫存金額為 44 億美元，較第 1 季底的 39 億美元增加 13%，庫存天數(shù)從第 1 季的 107 天升至 134天。Zinsner 表示，最新宣布的減產(chǎn)計(jì)劃及客戶需求好轉(zhuǎn)，將可開始解決庫存較高的問題。

截至 2019 會(huì)計(jì)年度上半年，美光動(dòng)用 25 億美元買回 6,300 萬股自家公司股票，動(dòng)用上半年度 76% 的自由現(xiàn)金流量，第 2 季的股票回購金額為 7.02 億美元。

Zinsner 表示，美光持續(xù)將股票回購視為一種具吸引力的資本使用方式，在當(dāng)前 100 億美元授權(quán)額度下，公司仍計(jì)劃每年至少動(dòng)用 50% 自由現(xiàn)金流在股票回購。

美光 2019 會(huì)計(jì)年度第 2 季 Non-GAAP 毛利率報(bào) 50.2%，低于第 1 季的 59.0% 及一年前的 58.4%，Zinsner 預(yù)估本季將介于 37%~40%。

美光 20 日發(fā)表的投影片資料顯示，2019 會(huì)計(jì)年度第 2 季旗下運(yùn)算與網(wǎng)絡(luò)事業(yè)單位（NBU）營收年減 35%、季減 34% 至 23.8 億美元，行動(dòng)事業(yè)單位（MBU）營收年增 3%、季減 27% 至 16.1 億美元，儲(chǔ)存事業(yè)單位（SBU）營收年減 19%、季減 11% 至 10.2 億美元，嵌入式產(chǎn)品事業(yè)單位(EBU）營收年減 4%、季減 14% 至 7.99 億美元。

美光推出全新客戶端SSD 提升行動(dòng)運(yùn)算體驗(yàn)

2019年3月7日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

美光科技（Micron）在其客戶端運(yùn)算產(chǎn)品組合里，新增一款具成本效益的全新固態(tài)硬盤（SSD）。美光1300 SSD讓更多用戶能使用快閃儲(chǔ)存裝置，使其更廣泛地被運(yùn)用于個(gè)人運(yùn)算裝置上，以提升使用者的行動(dòng)運(yùn)算體驗(yàn)。

無論在使用桌上型、行動(dòng)式和工作站個(gè)人計(jì)算機(jī)（PC）時(shí)，消費(fèi)者都極為重視快速效能、高速啟動(dòng)和高度可靠性。固態(tài)硬盤較高耗電的傳統(tǒng)硬盤（HDD）更能滿足上述需求，然而其高昂的價(jià)格卻讓渴望從轉(zhuǎn)動(dòng)型磁碟轉(zhuǎn)用固態(tài)硬盤的使用者卻步，美光因而重新設(shè)計(jì)1300 SSD系列以縮減價(jià)差。

Forward Insights總裁Gregory Wong表示，3D NAND技術(shù)的部署，拓展客戶端SSD市場進(jìn)入價(jià)值和效能更高的儲(chǔ)存裝置領(lǐng)域。美光全新的客戶端SSD解決方案使人能流暢地從HDD轉(zhuǎn)用價(jià)值導(dǎo)向的SSD。

新款的Micron 1300 SATA SSD為業(yè)界首款96層TLC（三層儲(chǔ)存單元）3D NAND SSD之一，容量高達(dá)1TB（M.2）和2TB（2.5英寸）。該產(chǎn)品的推出，擴(kuò)大了美光在設(shè)計(jì)高密度SSD和使用高效能3D NAND大量生產(chǎn)快閃硬盤的領(lǐng)導(dǎo)地位。美光的3D NAND領(lǐng)導(dǎo)技術(shù)，能制造出如一片口香糖大小般的 M.2 SSD。

美光儲(chǔ)存裝置業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品規(guī)劃與策略單位副總裁 Roger Peene 表示，我們持續(xù)推動(dòng)創(chuàng)新，以滿足用戶對(duì)個(gè)人運(yùn)算裝置更輕薄、更少耗電量的需求。高密度96層 NAND 儲(chǔ)存裝置擴(kuò)大了我們的SSD產(chǎn)品組合，該產(chǎn)品以更低的成本提供更高的性能、更小巧的尺寸和更高的效率，以滿足當(dāng)今行動(dòng)工作者的嚴(yán)苛需求。

美光1300 SSD的讀取處理能力較HDD高出2.7倍，提升行動(dòng)式、桌上型及工作站個(gè)人計(jì)算機(jī)的儲(chǔ)存裝置效能，每秒循序讀/寫速度達(dá)530MB/520MB，每秒隨機(jī)讀/寫速度達(dá)90,000/87,000 IOPS（輸入/輸出操作數(shù)）。

此外，美光1300 SSD極為省電，為行動(dòng)工作者延長電池續(xù)航能力。其耗電功率為75毫瓦（mW），為傳統(tǒng)硬盤有效（讀/寫）功率的4.5％。1300 SSD還支援 Microsoft Windows 10 新式待機(jī)模式（Modern Standby）的要求，包括適應(yīng)性熱管理及近乎實(shí)時(shí)切換至低功耗模式，以提高生產(chǎn)率。SSD另提供保護(hù)珍貴數(shù)據(jù)的重要功能，象是斷電保護(hù)和選擇性O(shè)pal 2.0自加密功能。

SD協(xié)會(huì)提microSD Express新規(guī)范容量達(dá)1TB

2019年3月1日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

去年在上海MWC 2018確定采用SD Express名稱，讓SDHC、SDXC與SDUC規(guī)格記憶卡均可藉由PCI Express NVMe連接埠對(duì)應(yīng)高達(dá)每秒985MB傳輸速度，SD協(xié)會(huì) (SD Association)在此次MWC 2019期間則是進(jìn)一步提出microSD Express規(guī)范，同樣對(duì)應(yīng)最高每秒985MB傳輸速度表現(xiàn)。

此次將Express稱號(hào)應(yīng)用在micro SD記憶卡上，意味未來也能讓體積更小的micro SD能應(yīng)用在更小儲(chǔ)存設(shè)備，并且可作為高速儲(chǔ)存裝置使用，未來可能應(yīng)用在各類監(jiān)控?cái)z影機(jī)，支援高速寫入4K以上分辨率畫質(zhì)內(nèi)容等用途。

與去年提出的SD Express一樣，microSD Express規(guī)范也采用NVMe 1.3與PCIe 3.1連接界面，搭配micro SD后排針腳連設(shè)計(jì)而成，但可應(yīng)用在體型更小的裝置內(nèi)。如果沒意外的話，或許未來就會(huì)有廠商將此類設(shè)計(jì)應(yīng)用在智能型手機(jī)，藉此對(duì)應(yīng)更快的資料儲(chǔ)存需求。

不過，采用此項(xiàng)規(guī)范設(shè)計(jì)的儲(chǔ)存方式自然會(huì)有更高花費(fèi)，因此初期普及應(yīng)用的可能性并不高，因此有可能僅先出現(xiàn)在特定影像產(chǎn)品使用。

另一方面，SD協(xié)會(huì)也宣布包含SanDisk、美光均推出儲(chǔ)存容量高達(dá)1TB的micro SD記憶卡，繼年初先由Lexar宣布推出儲(chǔ)存容量達(dá)1TB規(guī)格之后，目前micro SD記憶卡也將儲(chǔ)存容量往上推展到1TB規(guī)模，同時(shí)對(duì)應(yīng)更快的資料傳輸速率表現(xiàn)。

新儲(chǔ)存利器！美光發(fā)表 1TB MicroSDXC UHS-I 閃存卡

2019年2月26日由中代科技評(píng)論關(guān)閉

存儲(chǔ)器大廠美光 (Micron) 26 日宣布，在世界通訊行動(dòng)大會(huì) (MWC) 上發(fā)布全球容量最大的 microSD 記憶卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 閃存卡。

美光表示，該產(chǎn)品為高性能的可抽取式儲(chǔ)存解決方案，提供高達(dá) 1TB 的儲(chǔ)存容量，為業(yè)界首款采用美光的 96 層堆棧 QLC (四階儲(chǔ)存單元) 3D NAND 技術(shù)的 microSD 閃存卡，而且符合 A2 應(yīng)用程序性能等級(jí)規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，能縮短安裝在該卡上的應(yīng)用程序及游戲載入時(shí)間，有效提升 Android 合并儲(chǔ)存空間 (Android Adoptable Storage) 功能的使用者體驗(yàn)。

另外，美光 c200系列 1TB microSD 閃存卡每秒讀取速度可達(dá)到 100 MB，每秒寫入速度可達(dá) 95 MB，符合 UHS-I 速度等級(jí) (U3) 與影片速度等級(jí)30 (V30) 的標(biāo)準(zhǔn)。c200 1TB microSD 閃存卡將在 2019 年第 2 季起廣泛于市面上供應(yīng)。

美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部 NAND 解決方案資深總監(jiān) Aravind Ramamoorthy 表示，美光透過研發(fā) CuA (CMOS under the Array) 架構(gòu)和 96 層 QLC 技術(shù)，站穩(wěn) 3D NAND 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并成功開發(fā)出全球首款 1TB microSD 閃存卡。這款全新的 c200 系列 1TB microSD 閃存卡將滿足消費(fèi)者對(duì)行動(dòng)裝置黏著度高的生活方式，輔助用戶自由擷取、分享、儲(chǔ)存和享受更多內(nèi)容。

Forward Insights 總裁 Gregory Wong 則表示，預(yù)期 3D QLC NAND 技術(shù)時(shí)代來臨，將帶動(dòng)市場對(duì)高容量消費(fèi)性儲(chǔ)存裝置的需求增長。美光推出的 1TB microSD 閃存卡為可抽取式儲(chǔ)存裝置市場劃下重要的里程碑，將有助于加速行動(dòng)裝置和游戲裝置轉(zhuǎn)換成高容量儲(chǔ)存裝置。