9月10日，聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”在青島市即墨區(qū)公司廠區(qū)舉行。據(jù)天眼查顯示，耐威科技持有公司40%股份，耐威科技董事長(zhǎng)楊云春也是聚能晶源董事長(zhǎng)。

耐威科技業(yè)務(wù)板塊有三，分別是MEMS、導(dǎo)航、航空電子，另外，公司也在布局第三代半導(dǎo)體、無(wú)人系統(tǒng)等潛力業(yè)務(wù)。而此次投產(chǎn)的聚能晶源，就是公司布局的第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

楊云春現(xiàn)場(chǎng)表示，耐威科技自上市以來(lái)，積極在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域進(jìn)行布局，重點(diǎn)發(fā)展MEMS和GaN業(yè)務(wù)；其中在GaN領(lǐng)域，耐威科技在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長(zhǎng)；在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司，專注GaN器件的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)。從入駐到項(xiàng)目建成投產(chǎn)，聚能晶源僅僅用了一年多的時(shí)間。

楊云春稱，耐威科技希望能以此為契機(jī)，積極把握第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇，在青島繼續(xù)建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地及器件設(shè)計(jì)中心，繼續(xù)為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)自己的力量。

盛世投資管理合伙人劉新玉介紹，第三代半導(dǎo)體材料具備獨(dú)特性能，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中具有重要的戰(zhàn)略意義，作為股東與戰(zhàn)略合作伙伴，很高興見(jiàn)到耐威科技在青島即墨投資落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料項(xiàng)目能夠迅速建成投產(chǎn)，希望該項(xiàng)目今后能夠?yàn)楫a(chǎn)業(yè)發(fā)展、為地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

聚能晶源總經(jīng)理袁理博士正式發(fā)布了多系列6-8英寸GaN外延晶圓產(chǎn)品，并對(duì)項(xiàng)目及產(chǎn)品做了相關(guān)介紹。

聚能晶源此次發(fā)布的相關(guān)產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵外延晶圓與6英寸碳化硅基外延晶圓，可滿足下一代功率與微波電子器件對(duì)于大尺寸、高質(zhì)量、高一致性、高可靠性氮化鎵外延材料的需求，為5G通訊、云計(jì)算、新型消費(fèi)電子、智能白電、新能源汽車等領(lǐng)域提供核心元器件的材料保障。

聚能晶源項(xiàng)目掌握全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵外延與6英寸碳化硅基外延生長(zhǎng)技術(shù)。在功率器件應(yīng)用領(lǐng)域，產(chǎn)品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓與8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓。同時(shí)，聚能晶源將自有先進(jìn)8英寸GaN外延技術(shù)創(chuàng)新性地應(yīng)用在微波領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)出了兼具高性能與大尺寸、低成本、可兼容標(biāo)準(zhǔn)8英寸器件加工工藝的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圓。在硅基氮化鎵之外，聚能晶源也擁有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圓產(chǎn)品線，滿足客戶在碳化硅基氮化鎵外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓產(chǎn)品為例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質(zhì)量、低表面粗糙度、高一致性的材料特點(diǎn)。同時(shí)具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓、低漏電、耐高溫的電學(xué)特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圓具有優(yōu)秀的材料可靠性，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)TDDB測(cè)試方法，其在標(biāo)稱耐壓值下的長(zhǎng)時(shí)有效壽命達(dá)到了10的9次方小時(shí)，處于國(guó)際業(yè)界領(lǐng)先水平。

興業(yè)證券一名通信行業(yè)分析師告訴證券時(shí)報(bào).e公司，作為第三代半導(dǎo)體材料，與前兩代相比，氮化鎵具有諸多優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用前景較廣。

聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司成立于2018年6月，是由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同投資成立的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)與制造企業(yè)。項(xiàng)目一期建成產(chǎn)能為年產(chǎn)1萬(wàn)片6-8英寸GaN外延晶圓。

正值年底之際，近日耐威科技、北京君正等多家集成電路企業(yè)公告稱獲得政府補(bǔ)助。

耐威科技：控股子公司獲政府補(bǔ)助1000萬(wàn)元

12月27日，耐威科技發(fā)布公告，控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司于近日收到政府補(bǔ)助金1000 萬(wàn)元。

公告稱，根據(jù)公司與青島市即墨區(qū)人民政府、青島城市建設(shè)投資（集團(tuán)）有限責(zé)任公司簽署的《合作框架協(xié)議書(shū)》以及聚能晶源與青島服裝工業(yè)園管理委員會(huì)簽訂的《合作協(xié)議》，青島服工委對(duì)聚能晶源新購(gòu)設(shè)備款的50%給予補(bǔ)助并分二期兌現(xiàn)（累計(jì)金額不超過(guò)2000萬(wàn)元）。聚能晶源于近日收到青島服工委給予的第一期補(bǔ)助1000萬(wàn)元。

耐威科技表示，本次收到政府補(bǔ)助有利于公司第三代半導(dǎo)體，尤其是氮化鎵（GaN）材料與器件項(xiàng)目的順利實(shí)施。

北京君正：全資子公司獲政府補(bǔ)助750萬(wàn)元

12月27日，北京君正發(fā)布公告，根據(jù)《關(guān)于組織開(kāi)展 2018 年度省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展基地資金支持項(xiàng)目申報(bào)的通知》，北京君正全資子公司合肥君正科技有限公司申報(bào)的“基于 28 納米工藝的視頻監(jiān)控芯片研發(fā)項(xiàng)目”獲得立項(xiàng)批復(fù)。近日，合肥君正收到合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè) 開(kāi)發(fā)區(qū)財(cái)政國(guó)庫(kù)支付中心撥付的政府補(bǔ)貼資金現(xiàn)金 750 萬(wàn)元。

北京君正表示，根據(jù)合肥君正項(xiàng)目申請(qǐng)報(bào)告，該項(xiàng)目執(zhí)行期為自2018年1月至 2019年12月，合肥君正將自收到項(xiàng)目補(bǔ)助資金當(dāng)月起至項(xiàng)目結(jié)束日分期結(jié)轉(zhuǎn)入其他收益，預(yù)計(jì)將會(huì)增加公司2018年度利潤(rùn)約57.69萬(wàn)元

士蘭微：控股子公司獲政府補(bǔ)助2729.92萬(wàn)元

12月27日，士蘭微發(fā)布公告，杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展局和杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)財(cái)政局聯(lián)合下發(fā)了《關(guān)于下達(dá)杭州士蘭集成電路有限公司8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目廠 房土建部分資助資金的通知》（杭經(jīng)開(kāi)經(jīng)[2018]219 號(hào)），公司控股子公司杭州士蘭集成電路有限公司獲得8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目廠房土建部分資助資金2729.92萬(wàn)元。?

公告稱，士蘭集成已于2018年12月25日收到杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)財(cái)政局撥付的上述補(bǔ)助資金2729.92萬(wàn)元。

國(guó)科微：公司及子公司獲政府補(bǔ)助4664.72萬(wàn)元

12月26日，國(guó)科微發(fā)布公告，公司及子公司自2018年1月1日至2018年12月26 日獲得各項(xiàng)退稅及政府補(bǔ)助項(xiàng)目資金共計(jì)人民幣4664.72萬(wàn)元。

國(guó)科微表示，上述政府補(bǔ)助的取得預(yù)計(jì)增加公司2018年度稅前利潤(rùn)4664.72萬(wàn)元，補(bǔ)助資金將對(duì)公司2018年度業(yè)績(jī)產(chǎn)生一定影響。

近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚能晶源也因此成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的8英寸GaN外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，但當(dāng)期尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵有何優(yōu)勢(shì)？

據(jù)悉，與第二代半導(dǎo)體硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等材料相比，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）具有更大的禁帶寬度（>3 eV），一般也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。得益于禁帶寬度的優(yōu)勢(shì)，GaN材料在擊穿電場(chǎng)、本征載流子濃度、抗輻照能力方面都明顯優(yōu)于Si、GaAs等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。

此外，GaN材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面也較Si更為優(yōu)異，因此特別適用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件，在5G通訊、云計(jì)算、快充電源、無(wú)線充電等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

與此同時(shí)，將GaN外延生長(zhǎng)在硅襯底之上，可以有效地結(jié)合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圓的大尺寸、低成本優(yōu)勢(shì)。基于先進(jìn)的GaN-on-Si技術(shù)，可以在實(shí)現(xiàn)高性能GaN器件的同時(shí)將器件制造成本控制在與傳統(tǒng)Si基器件相當(dāng)?shù)某潭取?/p>

因此，GaN-on-Si技術(shù)也被業(yè)界認(rèn)為是新型功率與微波電子器件的主流技術(shù)。

設(shè)立子公司布局有成效

2018年，公司先后投資設(shè)立了聚能晶源、青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司，依托專業(yè)團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)，聯(lián)合產(chǎn)業(yè)資源，積極布局并把握下一代功率與微波電子領(lǐng)域的市場(chǎng)機(jī)遇。

自成立以來(lái)，聚能晶源積極投入研發(fā)，充分發(fā)揮核心團(tuán)隊(duì)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應(yīng)力控制、高耐壓GaN外延生長(zhǎng)等技術(shù)難關(guān)，成功研制了達(dá)到全球業(yè)界領(lǐng)先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。

該型外延晶圓在實(shí)現(xiàn)了650V/700V高耐壓能力的同時(shí)，保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求。

耐威科技表示，在采用國(guó)際業(yè)界嚴(yán)苛判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機(jī)械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢(shì)，能夠保障相關(guān)材料與技術(shù)在5G通訊、云計(jì)算、快充電源、無(wú)線充電等領(lǐng)域得到安全可靠的應(yīng)用。

公告稱，本次“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，短期內(nèi)不會(huì)對(duì)公司的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)產(chǎn)生重大影響，但有利于公司加快在第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的技術(shù)儲(chǔ)備，有利于增強(qiáng)公司核心競(jìng)爭(zhēng)力并把握市場(chǎng)機(jī)遇。