在摩爾定律邁向5納米之際，人們的目光多被幾家半導體公司間的先進工藝之爭所吸引。然而，邏輯芯片的制造工藝極其復雜多樣，5納米、7納米等標準工藝只是一部分，晶圓代工廠可以發(fā)展的制造工藝平臺還有很多，如混合信號、高電壓、射頻、微機電系統(tǒng)(MEMS)等。聯(lián)電作為第三大晶圓代工廠，盡管于2018年宣布不再投資12納米以下的先進工藝，轉(zhuǎn)向多元化發(fā)展，追求投資回報率，但是競爭力依然強勁，在諸多成熟、特色工藝平臺上均具備領先優(yōu)勢。今年正是聯(lián)電成立40周年。聯(lián)電的發(fā)展經(jīng)驗，值得業(yè)內(nèi)借鑒。

持續(xù)加碼成熟工藝平臺

目前，聯(lián)電在成熟、特色工藝代工市場占據(jù)領先優(yōu)勢。在面板驅(qū)動IC領域，聯(lián)電的市占率居于全球首位，在有機發(fā)光二極管(OLED)驅(qū)動IC領域也居領先地位。隨著5G的部署加快，驅(qū)動了智能手機市場的增長，加上大尺寸電視面板需求逐步回溫，市場對面板驅(qū)動IC的需求持續(xù)提升。日前有消息稱，聯(lián)電12英寸廠在驅(qū)動IC龍頭聯(lián)詠大量投片下，今年1月45/40納米工藝段的出貨量較去年第四季度平均出貨量多出近10%。此外，5G高端機型已普遍開始采用OLED面板。受此影響，OLED面板驅(qū)動IC也成為市場重點。聯(lián)詠等廠商的OLED面板驅(qū)動IC多采用聯(lián)電40納米及28納米工藝量產(chǎn)投片。聯(lián)電在面板驅(qū)動IC領域的領先優(yōu)勢不斷提升。

22nm超低功耗(ULP)工藝也是聯(lián)電推進的重點。2019年年底，聯(lián)電宣布推出基于22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)工藝的基礎元件IP解決方案。該方案是聯(lián)電與智原科技共同研發(fā)的。針對低功耗SoC需求，22ULP/ULL基礎元件IP具備進階繞線架構(gòu)，以及優(yōu)化的功率、性能和面積設計。相比28納米技術，22納米元件庫可以在相同性能下減少10%的芯片面積，或降低超過30%功耗，可滿足連接、移動、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、網(wǎng)絡和汽車等對低功耗有著很高需求的應用領域產(chǎn)品。

聯(lián)電的制造工藝平臺當然不僅這兩個方面。隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等市場的發(fā)展，與之相關的電源管理IC、指紋識別芯片、CIS傳感器、物聯(lián)網(wǎng)MCU、功率半導體等需求不斷涌現(xiàn)。聯(lián)電在務實發(fā)展策略指導下，持續(xù)加強對成熟工藝平臺的開發(fā)，取得快速發(fā)展，目前55/65納米、40納米和28納米成為聯(lián)電業(yè)績貢獻的主力。在聯(lián)電日前發(fā)布的2019年財報中，凈利潤達81.55億元新臺幣，同比增長6.22%。在2019年全球半導體市場進入下行周期的背景下，聯(lián)電依然能夠取得這樣不俗的業(yè)績，顯示出轉(zhuǎn)型策略的成功。

增資并購布局5G、物聯(lián)網(wǎng)

在投資收購方面，近段時間聯(lián)電的動作也是不斷。4月份，聯(lián)電在廈門市舉行的重大招商項目中，簽約對聯(lián)芯實現(xiàn)35億元增資。新增資金主要用于采購生產(chǎn)設備及開展22納米、28納米高壓工藝研發(fā)等。這一舉措將進一步加速聯(lián)芯公司的產(chǎn)能擴充，提升市場份額，預計增資資金采購的設備全部投入生產(chǎn)后，將可新增年產(chǎn)值20億元。

去年10月，聯(lián)電還完成了對三重富士通半導體股份有限公司(MIFS)全部股權的收購，收購金額544億日元。2014年聯(lián)電與富士通半導體達成合作協(xié)議，分階段收購MIFS 15.9%的股權，2019年聯(lián)電再次收購剩余的84.1%股份。通過該次并購，聯(lián)電不僅增加3萬片12英寸晶圓的月產(chǎn)能，還進一步擴大了在日本半導體市場的版圖。

通過這兩場增資并購行動可以看出，聯(lián)電在5G、物聯(lián)網(wǎng)、無線通信及電腦周邊等應用領域有著良好發(fā)展態(tài)勢，特別是在中國大陸，這些領域的市場需求空間廣闊。并購增資行動將進一步加強聯(lián)電在這些領域的布局。隨著5G商用進程的加速、物聯(lián)網(wǎng)等創(chuàng)新技術的快速發(fā)展，包括日前啟動的“新基建”風口都會帶來巨大的市場機遇，也將給聯(lián)電晶圓代工業(yè)務帶來更多市場商機。

聯(lián)電總經(jīng)理王石指出，來自無線通信和電腦周邊市場對芯片的需求穩(wěn)定，整體業(yè)務前景維持穩(wěn)健。隨著客戶未來新產(chǎn)品設計定案即將進入量產(chǎn)，預期聯(lián)電有望從5G、物聯(lián)網(wǎng)、無線設備以及電源管理應用增加的半導體需求中獲益。

聯(lián)電差異化路線值得借鑒

近年來，中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展，晶圓代工企業(yè)同樣面臨一個重要問題，就是先進工藝研發(fā)投資越來越多，成本也越來越高，但是未來能夠用得起、用得上先進工藝的客戶群在減少，大量營收依然來自成熟工藝。

這種情況下，聯(lián)電的經(jīng)驗便非常值得借鑒。首先是不要急于追求先進工藝的開發(fā)，對于眼下已掌握的技術要做到穩(wěn)扎穩(wěn)打，精益求精。其次是擁抱成熟、特色工藝市場，在需求更廣闊的成熟、特色工藝市場取得突破。第三是結(jié)合自身狀況，借鑒先進的管理經(jīng)驗。畢竟，只有少數(shù)企業(yè)才有可能參與先進工藝的競逐，更多的晶圓制造工企業(yè)還是要面向更加廣闊的成熟與特色工藝市場。

相較于先進工藝本質(zhì)上是標準CMOS工藝的線寬之爭，成熟工藝市場可說是百花齊放，混合信號、高電壓、射頻、MEMS等，都可以歸類在成熟工藝的范疇之中，應用產(chǎn)品則涉及各種傳感器、微控制器、電源管理IC、信號收發(fā)器等，市場廣闊、需求多樣，利潤同樣不菲。新進入這一領域的晶圓制造企業(yè)也應結(jié)合自身的特點，發(fā)展出自己的核心技術，逐步站穩(wěn)腳跟，并在此基礎上取得更大的發(fā)展。

4月29日，福建省廈門市舉行重大招商項目集中”云簽約”活動。在此次活動上，聯(lián)電對聯(lián)芯的增資項目也完成簽約。

據(jù)新華絲路報道，簽約完成后，聯(lián)芯（廈門）母公司臺灣聯(lián)電將向聯(lián)芯（廈門）公司增資35億元，主要用于采購生產(chǎn)設備及開展22納米、28納米高壓制程工藝研發(fā)等，進一步加速聯(lián)芯公司擴充產(chǎn)能，提升市場份額。預計增資資金采購的設備全部投入生產(chǎn)后，將可新增年產(chǎn)值20億元。

資料顯示，聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司由福建省、廈門市及聯(lián)電公司合資建設，是海峽兩岸合作建設的第一個12英寸晶圓制造企業(yè)，其28納米工藝制程產(chǎn)品良率及技術水平位居國內(nèi)前列。

據(jù)了解，自聯(lián)芯公司落戶廈門以來，充分發(fā)揮其龍頭效應，已協(xié)助引進了美日光罩、星宸科技、鑫天虹、凌陽、瀾至、銓芯等一批集成電路企業(yè)落地廈門。

2月26日，聯(lián)電公布了第十四屆第十三次董事會通過的重要議案，公告指出，2019年度，聯(lián)電實現(xiàn)合并營業(yè)收入新臺幣148,2.02億元，歸屬母公司凈利新臺幣97.08億元，并且通過了資本預算執(zhí)行案新臺幣208.36億元以供產(chǎn)能建置需求。

值得注意的是，在此次董事會上，聯(lián)電也宣布通過由聯(lián)電新加坡分公司資金貸與聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司2億美元。

據(jù)悉，這也是自今年2月以來，聯(lián)電第二次宣布增資聯(lián)芯。2月11日，聯(lián)電發(fā)布公告稱，將透過子公司蘇州和艦，參與12英寸晶圓廠廈門聯(lián)芯增資，總金額人民幣35億元，協(xié)助聯(lián)芯擴產(chǎn)。

資料顯示，聯(lián)電是全球知名的晶圓代工企業(yè)，據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院此前公布的數(shù)據(jù)顯示，2019年第四季度，聯(lián)電在全球十大晶圓代工廠中排名第四。

廈門聯(lián)芯則是聯(lián)電與廈門市人民政府、福建省電子信息集團合資成立的晶圓代工企業(yè)。于2014年底開始籌建，2015年3月奠基動工，2016年第4季起進入量產(chǎn)，初期以40/55納米制程為主，目前已導入28納米制程技術。

據(jù)聯(lián)芯2月10日發(fā)布的公告，公司已于2月10日正式復工。

2月5日，聯(lián)電發(fā)布其2019年第四季度業(yè)績報告，并宣布其2020年的資本支出預算為10億美元，以因應中長期客戶和市場的需求。

聯(lián)電此前在法說會中表示，今年規(guī)劃的10億美元資本支出支付，主要用于聯(lián)芯第二階段擴產(chǎn)，今年資本支出包含用于投入聯(lián)芯的28納米制程，目標為2021年中前將聯(lián)芯月產(chǎn)能提升至2.5萬片。

晶圓代工大廠聯(lián)電20日宣布，IC設計公司力旺一次可編程（OTP）存儲器矽智財NeoFuse已成功導入聯(lián)電28納米高壓（HV）制程，強攻有機發(fā)光二極管（OLED）市場，關鍵客戶已經(jīng)完成設計定案（Tape Out），并且準備量產(chǎn)。

聯(lián)電表示，高端手機配備OLED顯示器已然成為趨勢，對小尺寸顯示器驅(qū)動芯片（SDDI）效能要求亦更高，這樣的需求也顯示在制程平臺的選擇上，OLED關鍵客戶逐漸從55納米或40納米往更先進的28納米高壓制程靠攏。

而28納米高壓制程可使高效能顯示器引擎的復雜運算能力發(fā)揮最大功能，提供OLED顯示器驅(qū)動芯片更快的資料存取速度，更高容量的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM＿及更好功耗，同時達到高畫質(zhì)與省電的目的。

目前聯(lián)電在2019年的小尺寸顯示器驅(qū)動芯片（SDDI）量產(chǎn)晶圓出貨量為全球之冠，其28納米后閘式（Gate-Last）HKMG制程具備優(yōu)越管理漏電功耗與動態(tài)功率表現(xiàn)，可以提升移動設備的電池壽命，以此為基礎，其28納米高壓制程提供業(yè)界最小的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）記憶單位（Bit-cell）以減少芯片整體面積。

至于，力旺是世界領導之邏輯非揮發(fā)性存儲器矽智財廠商，NeoFuse矽智財為各種類型之應用提供低功耗、高可靠度、高安全性的解決方案，已經(jīng)廣泛布建于世界各大晶圓廠，從0.15um制程至先進制程節(jié)點均已布建，未來也將繼續(xù)與晶圓廠緊密合作，為客戶創(chuàng)造最大利潤與價值。

事實上，近來聯(lián)電受惠于購并日本12寸新廠加入營運，加上通訊與電腦市場領域新品布建及庫存回補需求，使得在5G手機射頻芯片、OLED驅(qū)動芯片，及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤的電源管理芯片的推升下，帶動出貨量成長。2019年第4季，聯(lián)電合并營收418.49億元，較第3季成長10.89%，較2018年同期增加17.17%，創(chuàng)新高紀錄。累計，2019年全年合并營收新臺幣1,482.02億元，較2018年減2.02%。

晶圓代工大廠聯(lián)電9日公布2019年12月及第4季營收狀況，12月營收金額來到133.7億元（新臺幣，下同），較11月的138.92億元下滑3.75%，較2018年同期的113.85億元，則是成長17.43%。整體第4季營收來到418.49億元，創(chuàng)單季歷年新高，較第3季成長10.89%。

事實上，持續(xù)受惠于面板驅(qū)動IC及電源管理IC代工訂單提升，聯(lián)電旗下包括8寸及12寸廠的產(chǎn)能利用率維持在9成以上，如此以進一步推升2019年第4季的業(yè)績。因此累計，2019年全年營收達到1,482.01億元，較2018年小減2.02%。

聯(lián)電日前法說會曾表示，包括在通訊和電腦市場領域新產(chǎn)品的持續(xù)開出，再加上相關存貨的回補，導致市場對芯片的持續(xù)需求。整體來說，預估2019年第4季晶圓出貨量將較第3季增加10%，平均售價也將維持與第3季持平，而產(chǎn)能利用率拉高接近90%。另外，聯(lián)電因正式完成收購日本三重富士通半導體之后，使得整體產(chǎn)能提升了10%，在因應市場不斷提高的需求下，也使得聯(lián)電在第4季的營收持續(xù)維持在高檔。

對未來營運展望，市場人士表示，聯(lián)電2020年上半年12英寸廠持續(xù)維持滿載狀態(tài)，未來將進行調(diào)配以求最佳化，其中，包括28納米、40納米甚至是到90納米都會進一步調(diào)整，使市場看好2020年聯(lián)電的營運表現(xiàn)。

晶圓代工大廠聯(lián)電總經(jīng)理簡山杰日前表示，聯(lián)電將聚焦中國臺灣、韓國、美國市場，因此恢復成長，對2020年營運保持樂觀。此外，聯(lián)電對更多并購也保持開放態(tài)度，藉此強化本身的競爭力。

繼2019上半年需求急劇放緩之后，聯(lián)電截至2019年11月底的2019年前11個月，營收較2018年同期下滑3.6%，到新臺幣1,348億元（約45億美元）。簡山杰表示，聯(lián)電現(xiàn)在希望聚焦拓展韓國與中國臺灣市場，即營收僅次美國的兩個最大市場，以恢復成長。

簡山杰預計2020下半年半導體需求將回升，成長動能來自許多產(chǎn)品，包括應用在5G智能手機的無線射頻芯片、高端OLED面板驅(qū)動芯片等。展望未來，聯(lián)電將繼續(xù)專注于擅長的市場，不冒險投資不確定的事物。另外，公司2020年資本支出將以2019年7億美元預算為基礎，但會依市場需求隨時調(diào)整。

從獲得的資料顯示，聯(lián)電近期已取得韓國兩大高端OLED顯示驅(qū)動芯片設計公司Magnachip和AnaPass、面板驅(qū)動芯片商聯(lián)詠的訂單。目前還有高通、Sony、英飛凌與聯(lián)發(fā)科等客戶，并為蓬勃發(fā)展的真藍牙無線耳機芯片供應商提供服務等。

此外，簡山杰表示，聯(lián)電為了擴大規(guī)模，如果有任何待出售的半導體工廠，聯(lián)電也一定會評估購買可能，因目前購買比建造新工廠有效得多，且符合聯(lián)電的成長戰(zhàn)略，即建立具成本效益的生產(chǎn)能力，以提高競爭力。

聯(lián)電完成5億美元收購日本富士通半導體先進半導體工廠后，產(chǎn)能也增加10%，以應付先進顯示器、5G應用和其他設備（如無線藍牙耳機）芯片的更多需求，這也有助于提升2020年整體銷量。

晶圓代工廠聯(lián)電第4季受惠客戶需求回溫，產(chǎn)能利用率逾9成，法人估營收將季增1成，明年首季雖然適逢淡季，但受惠產(chǎn)能利用率持續(xù)提升，營收可望持平第4季，并看好明年RF SOI的8英寸營收占比將達雙位數(shù)，整體8英寸晶圓代工產(chǎn)能利用率將持續(xù)拉升。

聯(lián)電第4季營收成長主要動能，除本季完成收購的日本三重富士通半導體12英寸晶圓廠外，通訊與電腦市場領域新品布建及庫存回補需求，也是動能之一，在5G手機射頻芯片、OLED驅(qū)動芯片，及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤的電源管理芯片需求推升下，帶動出貨量成長。

聯(lián)電估，第4季晶圓出貨量成長10%，ASP則將持平，預估毛利率約14-16%，法人估第4季營收將季增約1成。而明年第1季受惠產(chǎn)能利用率持續(xù)拉升，加上28納米及高毛利率的40納米制程需求提升，預估第1季營收將持平第4季，毛利率可望回升至16.9%。

5G時代來臨，而sub-6GHz 5G將與LTE共存，使RF零組件復雜度增加，法人看好，由于RF SOI(絕緣層上覆硅)特殊制程，在開關與調(diào)諧器整合上具備優(yōu)勢，可望帶動RF SOI需求持續(xù)加溫。

聯(lián)電目前RF SOI在8英寸晶圓的營收占比約7-9%，法人預期，明年將進一步提升至10-15%，加上PMIC業(yè)務動能增溫，看好明年聯(lián)電8英寸業(yè)務將穩(wěn)健成長，產(chǎn)能利用率也將持續(xù)拉升。

聯(lián)電共同總經(jīng)理簡山杰日前也表示，目前8英寸產(chǎn)能利用率大多在9成以上至滿載狀態(tài)，5G需求今年下半年起加溫，看好明年將有爆發(fā)性動能。

近半年來圖像傳感器（CIS）市場持續(xù)火熱，但如今供應鏈產(chǎn)能緊張問題仍未得到緩解，近日Sony因產(chǎn)能不足首次釋單給臺積電，聯(lián)電與力積電等也都拿下CIS大單。

據(jù)市場消息指出，Sony近日首次將高端CIS訂單交給臺積電代工，并將由臺積電南科14a廠導入40納米制程生產(chǎn)，且還將為此添購新設備，計劃于明年8月試產(chǎn)。規(guī)劃初期月產(chǎn)能2萬片，2021年第一季量產(chǎn)交貨。

且臺積電未來還計劃繼續(xù)擴大相關產(chǎn)能，與Sony的合作可能延伸至28納米以下先進制程?？梢奀IS需求相當強勁，為面對三星的競爭，Sony也只好放出代工單。臺積電原本就有在幫北京豪威代工，已有相關量產(chǎn)經(jīng)驗，將成為Sony搶占市場的合作伙伴。

Sony目前自身也在日本國內(nèi)積極擴產(chǎn)，3年內(nèi)將有近6,000億日元規(guī)模的投資，今年更討論再追加1,000億日元建設新廠房。在此情境之下，已購并富士通半導體12寸晶圓廠的聯(lián)電，也因此占據(jù)著地利，直接打進Sony供應鏈。甚至連力晶旗下的力積電也傳出拿下了Omnivision的大單，包下每月破萬片晶圓產(chǎn)能。

目前CIS需求主要還是來自手機，智能手機朝向多鏡頭高畫質(zhì)發(fā)展已成趨勢，不過也有意見質(zhì)疑，是否過猶不及。未來就算是中低端機種，可能也是3鏡頭起跳，甚至1億像素產(chǎn)品也在非旗艦機型中窺見。小米CC9 Pro新品就有5個鏡頭并高達1億的像素，而售價僅2,799人民幣，但這樣的設計是否合理，仍待市場去驗證。

不過CIS在其他領域的確也有很廣泛的需求，如車用、AI等都確實有動能，明年價格無論如何也很難拉下。半導體從上游晶圓廠至下游封測廠接都可望受惠，整個CIS市場呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。

聯(lián)華電子2日表示，在使用USB 2.0測試載具并成功通過硅驗證之后，正式宣布更先進的22納米制程技術就緒。

聯(lián)電表示，相較于一般的USB 2.0 PHY IP，使用聯(lián)電制程的測試載具所使用面積是全球最小，已展現(xiàn)聯(lián)電技術的成熟，且新的芯片設計若要采用22納米制程，并無需更改現(xiàn)有的28納米設計架構(gòu)，客戶將可放心地的直接從28納米制程轉(zhuǎn)移到22納米。

聯(lián)電強調(diào)，將致力于提供世界領先的晶圓專工特殊技術，并持續(xù)推出特殊制程，以應用于快速成長的5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等芯片市場。與原本的28納米高介電系數(shù)/金屬柵極制程相比，22納米能再縮減10%的晶粒面積、擁有更好的功率效能比，以及強化射頻性能等特點。

另外還提供了與28納米制程相同光罩數(shù)的22納米超低功耗版本（22ULP），以及22納米超低泄漏版本（22ULL），將支援0.6~1.0伏特電壓，協(xié)助客戶在系統(tǒng)單芯片設計中同時享有兩種技術優(yōu)勢。

日前聯(lián)電已與ASIC設計服務商智原在22納米制程平臺上合作推出基礎元件IP支援，是市場上需防漏電或長期續(xù)行的產(chǎn)品，如機頂盒、數(shù)字電視、監(jiān)視器、穿戴式裝置等物聯(lián)網(wǎng)芯片的理想選擇。

目前應用22ULP/ULL制程的基礎元件IP已具備進階的繞線架構(gòu)，多樣的IO元件庫包括通用IO、多重電壓IO、RTC IO、OSC IO和類比ESD IO，且存儲器編譯器還具有雙電源軌功能、多重省電模式、和讀寫輔助功能等特色。