在摩爾定律邁向5納米之際，人們的目光多被幾家半導(dǎo)體公司間的先進(jìn)工藝之爭(zhēng)所吸引。然而，邏輯芯片的制造工藝極其復(fù)雜多樣，5納米、7納米等標(biāo)準(zhǔn)工藝只是一部分，晶圓代工廠可以發(fā)展的制造工藝平臺(tái)還有很多，如混合信號(hào)、高電壓、射頻、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等。聯(lián)電作為第三大晶圓代工廠，盡管于2018年宣布不再投資12納米以下的先進(jìn)工藝，轉(zhuǎn)向多元化發(fā)展，追求投資回報(bào)率，但是競(jìng)爭(zhēng)力依然強(qiáng)勁，在諸多成熟、特色工藝平臺(tái)上均具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。今年正是聯(lián)電成立40周年。聯(lián)電的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，值得業(yè)內(nèi)借鑒。

持續(xù)加碼成熟工藝平臺(tái)

目前，聯(lián)電在成熟、特色工藝代工市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。在面板驅(qū)動(dòng)IC領(lǐng)域，聯(lián)電的市占率居于全球首位，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)驅(qū)動(dòng)IC領(lǐng)域也居領(lǐng)先地位。隨著5G的部署加快，驅(qū)動(dòng)了智能手機(jī)市場(chǎng)的增長(zhǎng)，加上大尺寸電視面板需求逐步回溫，市場(chǎng)對(duì)面板驅(qū)動(dòng)IC的需求持續(xù)提升。日前有消息稱，聯(lián)電12英寸廠在驅(qū)動(dòng)IC龍頭聯(lián)詠大量投片下，今年1月45/40納米工藝段的出貨量較去年第四季度平均出貨量多出近10%。此外，5G高端機(jī)型已普遍開始采用OLED面板。受此影響，OLED面板驅(qū)動(dòng)IC也成為市場(chǎng)重點(diǎn)。聯(lián)詠等廠商的OLED面板驅(qū)動(dòng)IC多采用聯(lián)電40納米及28納米工藝量產(chǎn)投片。聯(lián)電在面板驅(qū)動(dòng)IC領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)不斷提升。

22nm超低功耗(ULP)工藝也是聯(lián)電推進(jìn)的重點(diǎn)。2019年年底，聯(lián)電宣布推出基于22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)工藝的基礎(chǔ)元件IP解決方案。該方案是聯(lián)電與智原科技共同研發(fā)的。針對(duì)低功耗SoC需求，22ULP/ULL基礎(chǔ)元件IP具備進(jìn)階繞線架構(gòu)，以及優(yōu)化的功率、性能和面積設(shè)計(jì)。相比28納米技術(shù)，22納米元件庫(kù)可以在相同性能下減少10%的芯片面積，或降低超過(guò)30%功耗，可滿足連接、移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和汽車等對(duì)低功耗有著很高需求的應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品。

聯(lián)電的制造工藝平臺(tái)當(dāng)然不僅這兩個(gè)方面。隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)的發(fā)展，與之相關(guān)的電源管理IC、指紋識(shí)別芯片、CIS傳感器、物聯(lián)網(wǎng)MCU、功率半導(dǎo)體等需求不斷涌現(xiàn)。聯(lián)電在務(wù)實(shí)發(fā)展策略指導(dǎo)下，持續(xù)加強(qiáng)對(duì)成熟工藝平臺(tái)的開發(fā)，取得快速發(fā)展，目前55/65納米、40納米和28納米成為聯(lián)電業(yè)績(jī)貢獻(xiàn)的主力。在聯(lián)電日前發(fā)布的2019年財(cái)報(bào)中，凈利潤(rùn)達(dá)81.55億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)6.22%。在2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)入下行周期的背景下，聯(lián)電依然能夠取得這樣不俗的業(yè)績(jī)，顯示出轉(zhuǎn)型策略的成功。

增資并購(gòu)布局5G、物聯(lián)網(wǎng)

在投資收購(gòu)方面，近段時(shí)間聯(lián)電的動(dòng)作也是不斷。4月份，聯(lián)電在廈門市舉行的重大招商項(xiàng)目中，簽約對(duì)聯(lián)芯實(shí)現(xiàn)35億元增資。新增資金主要用于采購(gòu)生產(chǎn)設(shè)備及開展22納米、28納米高壓工藝研發(fā)等。這一舉措將進(jìn)一步加速聯(lián)芯公司的產(chǎn)能擴(kuò)充，提升市場(chǎng)份額，預(yù)計(jì)增資資金采購(gòu)的設(shè)備全部投入生產(chǎn)后，將可新增年產(chǎn)值20億元。

去年10月，聯(lián)電還完成了對(duì)三重富士通半導(dǎo)體股份有限公司(MIFS)全部股權(quán)的收購(gòu)，收購(gòu)金額544億日元。2014年聯(lián)電與富士通半導(dǎo)體達(dá)成合作協(xié)議，分階段收購(gòu)MIFS 15.9%的股權(quán)，2019年聯(lián)電再次收購(gòu)剩余的84.1%股份。通過(guò)該次并購(gòu)，聯(lián)電不僅增加3萬(wàn)片12英寸晶圓的月產(chǎn)能，還進(jìn)一步擴(kuò)大了在日本半導(dǎo)體市場(chǎng)的版圖。

通過(guò)這兩場(chǎng)增資并購(gòu)行動(dòng)可以看出，聯(lián)電在5G、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線通信及電腦周邊等應(yīng)用領(lǐng)域有著良好發(fā)展態(tài)勢(shì)，特別是在中國(guó)大陸，這些領(lǐng)域的市場(chǎng)需求空間廣闊。并購(gòu)增資行動(dòng)將進(jìn)一步加強(qiáng)聯(lián)電在這些領(lǐng)域的布局。隨著5G商用進(jìn)程的加速、物聯(lián)網(wǎng)等創(chuàng)新技術(shù)的快速發(fā)展，包括日前啟動(dòng)的“新基建”風(fēng)口都會(huì)帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇，也將給聯(lián)電晶圓代工業(yè)務(wù)帶來(lái)更多市場(chǎng)商機(jī)。

聯(lián)電總經(jīng)理王石指出，來(lái)自無(wú)線通信和電腦周邊市場(chǎng)對(duì)芯片的需求穩(wěn)定，整體業(yè)務(wù)前景維持穩(wěn)健。隨著客戶未來(lái)新產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案即將進(jìn)入量產(chǎn)，預(yù)期聯(lián)電有望從5G、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線設(shè)備以及電源管理應(yīng)用增加的半導(dǎo)體需求中獲益。

聯(lián)電差異化路線值得借鑒

近年來(lái)，中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展，晶圓代工企業(yè)同樣面臨一個(gè)重要問(wèn)題，就是先進(jìn)工藝研發(fā)投資越來(lái)越多，成本也越來(lái)越高，但是未來(lái)能夠用得起、用得上先進(jìn)工藝的客戶群在減少，大量營(yíng)收依然來(lái)自成熟工藝。

這種情況下，聯(lián)電的經(jīng)驗(yàn)便非常值得借鑒。首先是不要急于追求先進(jìn)工藝的開發(fā)，對(duì)于眼下已掌握的技術(shù)要做到穩(wěn)扎穩(wěn)打，精益求精。其次是擁抱成熟、特色工藝市場(chǎng)，在需求更廣闊的成熟、特色工藝市場(chǎng)取得突破。第三是結(jié)合自身狀況，借鑒先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)。畢竟，只有少數(shù)企業(yè)才有可能參與先進(jìn)工藝的競(jìng)逐，更多的晶圓制造工企業(yè)還是要面向更加廣闊的成熟與特色工藝市場(chǎng)。

相較于先進(jìn)工藝本質(zhì)上是標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的線寬之爭(zhēng)，成熟工藝市場(chǎng)可說(shuō)是百花齊放，混合信號(hào)、高電壓、射頻、MEMS等，都可以歸類在成熟工藝的范疇之中，應(yīng)用產(chǎn)品則涉及各種傳感器、微控制器、電源管理IC、信號(hào)收發(fā)器等，市場(chǎng)廣闊、需求多樣，利潤(rùn)同樣不菲。新進(jìn)入這一領(lǐng)域的晶圓制造企業(yè)也應(yīng)結(jié)合自身的特點(diǎn)，發(fā)展出自己的核心技術(shù)，逐步站穩(wěn)腳跟，并在此基礎(chǔ)上取得更大的發(fā)展。

特色工藝市場(chǎng)獲優(yōu)勢(shì)，聯(lián)電差異化轉(zhuǎn)型取得新進(jìn)展最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

4月29日，福建省廈門市舉行重大招商項(xiàng)目集中”云簽約”活動(dòng)。在此次活動(dòng)上，聯(lián)電對(duì)聯(lián)芯的增資項(xiàng)目也完成簽約。

據(jù)新華絲路報(bào)道，簽約完成后，聯(lián)芯（廈門）母公司臺(tái)灣聯(lián)電將向聯(lián)芯（廈門）公司增資35億元，主要用于采購(gòu)生產(chǎn)設(shè)備及開展22納米、28納米高壓制程工藝研發(fā)等，進(jìn)一步加速聯(lián)芯公司擴(kuò)充產(chǎn)能，提升市場(chǎng)份額。預(yù)計(jì)增資資金采購(gòu)的設(shè)備全部投入生產(chǎn)后，將可新增年產(chǎn)值20億元。

資料顯示，聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司由福建省、廈門市及聯(lián)電公司合資建設(shè)，是海峽兩岸合作建設(shè)的第一個(gè)12英寸晶圓制造企業(yè)，其28納米工藝制程產(chǎn)品良率及技術(shù)水平位居國(guó)內(nèi)前列。

據(jù)了解，自聯(lián)芯公司落戶廈門以來(lái)，充分發(fā)揮其龍頭效應(yīng)，已協(xié)助引進(jìn)了美日光罩、星宸科技、鑫天虹、凌陽(yáng)、瀾至、銓芯等一批集成電路企業(yè)落地廈門。

增資35億元擴(kuò)產(chǎn)能 聯(lián)電與廈門聯(lián)芯完成簽約！最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

2月26日，聯(lián)電公布了第十四屆第十三次董事會(huì)通過(guò)的重要議案，公告指出，2019年度，聯(lián)電實(shí)現(xiàn)合并營(yíng)業(yè)收入新臺(tái)幣148,2.02億元，歸屬母公司凈利新臺(tái)幣97.08億元，并且通過(guò)了資本預(yù)算執(zhí)行案新臺(tái)幣208.36億元以供產(chǎn)能建置需求。

值得注意的是，在此次董事會(huì)上，聯(lián)電也宣布通過(guò)由聯(lián)電新加坡分公司資金貸與聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司2億美元。

據(jù)悉，這也是自今年2月以來(lái)，聯(lián)電第二次宣布增資聯(lián)芯。2月11日，聯(lián)電發(fā)布公告稱，將透過(guò)子公司蘇州和艦，參與12英寸晶圓廠廈門聯(lián)芯增資，總金額人民幣35億元，協(xié)助聯(lián)芯擴(kuò)產(chǎn)。

資料顯示，聯(lián)電是全球知名的晶圓代工企業(yè)，據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院此前公布的數(shù)據(jù)顯示，2019年第四季度，聯(lián)電在全球十大晶圓代工廠中排名第四。

廈門聯(lián)芯則是聯(lián)電與廈門市人民政府、福建省電子信息集團(tuán)合資成立的晶圓代工企業(yè)。于2014年底開始籌建，2015年3月奠基動(dòng)工，2016年第4季起進(jìn)入量產(chǎn)，初期以40/55納米制程為主，目前已導(dǎo)入28納米制程技術(shù)。

據(jù)聯(lián)芯2月10日發(fā)布的公告，公司已于2月10日正式復(fù)工。

2月5日，聯(lián)電發(fā)布其2019年第四季度業(yè)績(jī)報(bào)告，并宣布其2020年的資本支出預(yù)算為10億美元，以因應(yīng)中長(zhǎng)期客戶和市場(chǎng)的需求。

聯(lián)電此前在法說(shuō)會(huì)中表示，今年規(guī)劃的10億美元資本支出支付，主要用于聯(lián)芯第二階段擴(kuò)產(chǎn)，今年資本支出包含用于投入聯(lián)芯的28納米制程，目標(biāo)為2021年中前將聯(lián)芯月產(chǎn)能提升至2.5萬(wàn)片。

2億美元 聯(lián)芯再獲聯(lián)電增資最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

晶圓代工大廠聯(lián)電20日宣布，IC設(shè)計(jì)公司力旺一次可編程（OTP）存儲(chǔ)器矽智財(cái)NeoFuse已成功導(dǎo)入聯(lián)電28納米高壓（HV）制程，強(qiáng)攻有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）市場(chǎng)，關(guān)鍵客戶已經(jīng)完成設(shè)計(jì)定案（Tape Out），并且準(zhǔn)備量產(chǎn)。

聯(lián)電表示，高端手機(jī)配備OLED顯示器已然成為趨勢(shì)，對(duì)小尺寸顯示器驅(qū)動(dòng)芯片（SDDI）效能要求亦更高，這樣的需求也顯示在制程平臺(tái)的選擇上，OLED關(guān)鍵客戶逐漸從55納米或40納米往更先進(jìn)的28納米高壓制程靠攏。

而28納米高壓制程可使高效能顯示器引擎的復(fù)雜運(yùn)算能力發(fā)揮最大功能，提供OLED顯示器驅(qū)動(dòng)芯片更快的資料存取速度，更高容量的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM＿及更好功耗，同時(shí)達(dá)到高畫質(zhì)與省電的目的。

目前聯(lián)電在2019年的小尺寸顯示器驅(qū)動(dòng)芯片（SDDI）量產(chǎn)晶圓出貨量為全球之冠，其28納米后閘式（Gate-Last）HKMG制程具備優(yōu)越管理漏電功耗與動(dòng)態(tài)功率表現(xiàn)，可以提升移動(dòng)設(shè)備的電池壽命，以此為基礎(chǔ)，其28納米高壓制程提供業(yè)界最小的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）記憶單位（Bit-cell）以減少芯片整體面積。

至于，力旺是世界領(lǐng)導(dǎo)之邏輯非揮發(fā)性存儲(chǔ)器矽智財(cái)廠商，NeoFuse矽智財(cái)為各種類型之應(yīng)用提供低功耗、高可靠度、高安全性的解決方案，已經(jīng)廣泛布建于世界各大晶圓廠，從0.15um制程至先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)均已布建，未來(lái)也將繼續(xù)與晶圓廠緊密合作，為客戶創(chuàng)造最大利潤(rùn)與價(jià)值。

事實(shí)上，近來(lái)聯(lián)電受惠于購(gòu)并日本12寸新廠加入營(yíng)運(yùn)，加上通訊與電腦市場(chǎng)領(lǐng)域新品布建及庫(kù)存回補(bǔ)需求，使得在5G手機(jī)射頻芯片、OLED驅(qū)動(dòng)芯片，及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤的電源管理芯片的推升下，帶動(dòng)出貨量成長(zhǎng)。2019年第4季，聯(lián)電合并營(yíng)收418.49億元，較第3季成長(zhǎng)10.89%，較2018年同期增加17.17%，創(chuàng)新高紀(jì)錄。累計(jì)，2019年全年合并營(yíng)收新臺(tái)幣1,482.02億元，較2018年減2.02%。

聯(lián)電協(xié)助力旺導(dǎo)入28納米高壓制程，未來(lái)預(yù)計(jì)強(qiáng)攻OLED市場(chǎng)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

晶圓代工大廠聯(lián)電9日公布2019年12月及第4季營(yíng)收狀況，12月營(yíng)收金額來(lái)到133.7億元（新臺(tái)幣，下同），較11月的138.92億元下滑3.75%，較2018年同期的113.85億元，則是成長(zhǎng)17.43%。整體第4季營(yíng)收來(lái)到418.49億元，創(chuàng)單季歷年新高，較第3季成長(zhǎng)10.89%。

事實(shí)上，持續(xù)受惠于面板驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC代工訂單提升，聯(lián)電旗下包括8寸及12寸廠的產(chǎn)能利用率維持在9成以上，如此以進(jìn)一步推升2019年第4季的業(yè)績(jī)。因此累計(jì)，2019年全年?duì)I收達(dá)到1,482.01億元，較2018年小減2.02%。

聯(lián)電日前法說(shuō)會(huì)曾表示，包括在通訊和電腦市場(chǎng)領(lǐng)域新產(chǎn)品的持續(xù)開出，再加上相關(guān)存貨的回補(bǔ)，導(dǎo)致市場(chǎng)對(duì)芯片的持續(xù)需求。整體來(lái)說(shuō)，預(yù)估2019年第4季晶圓出貨量將較第3季增加10%，平均售價(jià)也將維持與第3季持平，而產(chǎn)能利用率拉高接近90%。另外，聯(lián)電因正式完成收購(gòu)日本三重富士通半導(dǎo)體之后，使得整體產(chǎn)能提升了10%，在因應(yīng)市場(chǎng)不斷提高的需求下，也使得聯(lián)電在第4季的營(yíng)收持續(xù)維持在高檔。

對(duì)未來(lái)營(yíng)運(yùn)展望，市場(chǎng)人士表示，聯(lián)電2020年上半年12英寸廠持續(xù)維持滿載狀態(tài)，未來(lái)將進(jìn)行調(diào)配以求最佳化，其中，包括28納米、40納米甚至是到90納米都會(huì)進(jìn)一步調(diào)整，使市場(chǎng)看好2020年聯(lián)電的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)。

聯(lián)電2019年第4季產(chǎn)能維持高檔 全年?duì)I收小幅年減2.02%最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

晶圓代工大廠聯(lián)電總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰日前表示，聯(lián)電將聚焦中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、美國(guó)市場(chǎng)，因此恢復(fù)成長(zhǎng)，對(duì)2020年?duì)I運(yùn)保持樂(lè)觀。此外，聯(lián)電對(duì)更多并購(gòu)也保持開放態(tài)度，藉此強(qiáng)化本身的競(jìng)爭(zhēng)力。

繼2019上半年需求急劇放緩之后，聯(lián)電截至2019年11月底的2019年前11個(gè)月，營(yíng)收較2018年同期下滑3.6%，到新臺(tái)幣1,348億元（約45億美元）。簡(jiǎn)山杰表示，聯(lián)電現(xiàn)在希望聚焦拓展韓國(guó)與中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)，即營(yíng)收僅次美國(guó)的兩個(gè)最大市場(chǎng)，以恢復(fù)成長(zhǎng)。

簡(jiǎn)山杰預(yù)計(jì)2020下半年半導(dǎo)體需求將回升，成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)自許多產(chǎn)品，包括應(yīng)用在5G智能手機(jī)的無(wú)線射頻芯片、高端OLED面板驅(qū)動(dòng)芯片等。展望未來(lái)，聯(lián)電將繼續(xù)專注于擅長(zhǎng)的市場(chǎng)，不冒險(xiǎn)投資不確定的事物。另外，公司2020年資本支出將以2019年7億美元預(yù)算為基礎(chǔ)，但會(huì)依市場(chǎng)需求隨時(shí)調(diào)整。

從獲得的資料顯示，聯(lián)電近期已取得韓國(guó)兩大高端OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)公司Magnachip和AnaPass、面板驅(qū)動(dòng)芯片商聯(lián)詠的訂單。目前還有高通、Sony、英飛凌與聯(lián)發(fā)科等客戶，并為蓬勃發(fā)展的真藍(lán)牙無(wú)線耳機(jī)芯片供應(yīng)商提供服務(wù)等。

此外，簡(jiǎn)山杰表示，聯(lián)電為了擴(kuò)大規(guī)模，如果有任何待出售的半導(dǎo)體工廠，聯(lián)電也一定會(huì)評(píng)估購(gòu)買可能，因目前購(gòu)買比建造新工廠有效得多，且符合聯(lián)電的成長(zhǎng)戰(zhàn)略，即建立具成本效益的生產(chǎn)能力，以提高競(jìng)爭(zhēng)力。

聯(lián)電完成5億美元收購(gòu)日本富士通半導(dǎo)體先進(jìn)半導(dǎo)體工廠后，產(chǎn)能也增加10%，以應(yīng)付先進(jìn)顯示器、5G應(yīng)用和其他設(shè)備（如無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)）芯片的更多需求，這也有助于提升2020年整體銷量。

簡(jiǎn)山杰：聯(lián)電將聚焦韓國(guó)與中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng) 不排除擴(kuò)大并購(gòu)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

晶圓代工廠聯(lián)電第4季受惠客戶需求回溫，產(chǎn)能利用率逾9成，法人估營(yíng)收將季增1成，明年首季雖然適逢淡季，但受惠產(chǎn)能利用率持續(xù)提升，營(yíng)收可望持平第4季，并看好明年RF SOI的8英寸營(yíng)收占比將達(dá)雙位數(shù)，整體8英寸晶圓代工產(chǎn)能利用率將持續(xù)拉升。

聯(lián)電第4季營(yíng)收成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽?，除本季完成收?gòu)的日本三重富士通半導(dǎo)體12英寸晶圓廠外，通訊與電腦市場(chǎng)領(lǐng)域新品布建及庫(kù)存回補(bǔ)需求，也是動(dòng)能之一，在5G手機(jī)射頻芯片、OLED驅(qū)動(dòng)芯片，及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤的電源管理芯片需求推升下，帶動(dòng)出貨量成長(zhǎng)。

聯(lián)電估，第4季晶圓出貨量成長(zhǎng)10%，ASP則將持平，預(yù)估毛利率約14-16%，法人估第4季營(yíng)收將季增約1成。而明年第1季受惠產(chǎn)能利用率持續(xù)拉升，加上28納米及高毛利率的40納米制程需求提升，預(yù)估第1季營(yíng)收將持平第4季，毛利率可望回升至16.9%。

5G時(shí)代來(lái)臨，而sub-6GHz 5G將與LTE共存，使RF零組件復(fù)雜度增加，法人看好，由于RF SOI(絕緣層上覆硅)特殊制程，在開關(guān)與調(diào)諧器整合上具備優(yōu)勢(shì)，可望帶動(dòng)RF SOI需求持續(xù)加溫。

聯(lián)電目前RF SOI在8英寸晶圓的營(yíng)收占比約7-9%，法人預(yù)期，明年將進(jìn)一步提升至10-15%，加上PMIC業(yè)務(wù)動(dòng)能增溫，看好明年聯(lián)電8英寸業(yè)務(wù)將穩(wěn)健成長(zhǎng)，產(chǎn)能利用率也將持續(xù)拉升。

聯(lián)電共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰日前也表示，目前8英寸產(chǎn)能利用率大多在9成以上至滿載狀態(tài)，5G需求今年下半年起加溫，看好明年將有爆發(fā)性動(dòng)能。

聯(lián)電明年Q1淡季不淡 法人看好全年8英寸需求續(xù)旺最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近半年來(lái)圖像傳感器（CIS）市場(chǎng)持續(xù)火熱，但如今供應(yīng)鏈產(chǎn)能緊張問(wèn)題仍未得到緩解，近日Sony因產(chǎn)能不足首次釋單給臺(tái)積電，聯(lián)電與力積電等也都拿下CIS大單。

據(jù)市場(chǎng)消息指出，Sony近日首次將高端CIS訂單交給臺(tái)積電代工，并將由臺(tái)積電南科14a廠導(dǎo)入40納米制程生產(chǎn)，且還將為此添購(gòu)新設(shè)備，計(jì)劃于明年8月試產(chǎn)。規(guī)劃初期月產(chǎn)能2萬(wàn)片，2021年第一季量產(chǎn)交貨。

且臺(tái)積電未來(lái)還計(jì)劃繼續(xù)擴(kuò)大相關(guān)產(chǎn)能，與Sony的合作可能延伸至28納米以下先進(jìn)制程。可見(jiàn)CIS需求相當(dāng)強(qiáng)勁，為面對(duì)三星的競(jìng)爭(zhēng)，Sony也只好放出代工單。臺(tái)積電原本就有在幫北京豪威代工，已有相關(guān)量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，將成為Sony搶占市場(chǎng)的合作伙伴。

Sony目前自身也在日本國(guó)內(nèi)積極擴(kuò)產(chǎn)，3年內(nèi)將有近6,000億日元規(guī)模的投資，今年更討論再追加1,000億日元建設(shè)新廠房。在此情境之下，已購(gòu)并富士通半導(dǎo)體12寸晶圓廠的聯(lián)電，也因此占據(jù)著地利，直接打進(jìn)Sony供應(yīng)鏈。甚至連力晶旗下的力積電也傳出拿下了Omnivision的大單，包下每月破萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能。

目前CIS需求主要還是來(lái)自手機(jī)，智能手機(jī)朝向多鏡頭高畫質(zhì)發(fā)展已成趨勢(shì)，不過(guò)也有意見(jiàn)質(zhì)疑，是否過(guò)猶不及。未來(lái)就算是中低端機(jī)種，可能也是3鏡頭起跳，甚至1億像素產(chǎn)品也在非旗艦機(jī)型中窺見(jiàn)。小米CC9 Pro新品就有5個(gè)鏡頭并高達(dá)1億的像素，而售價(jià)僅2,799人民幣，但這樣的設(shè)計(jì)是否合理，仍待市場(chǎng)去驗(yàn)證。

不過(guò)CIS在其他領(lǐng)域的確也有很廣泛的需求，如車用、AI等都確實(shí)有動(dòng)能，明年價(jià)格無(wú)論如何也很難拉下。半導(dǎo)體從上游晶圓廠至下游封測(cè)廠接都可望受惠，整個(gè)CIS市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。

CIS缺貨嚴(yán)重，臺(tái)積電、聯(lián)電、力積電拿下大單最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，業(yè)界有消息傳出，聯(lián)電獲得三星LSI的28納米5G智能手機(jī)圖像系統(tǒng)處理器（ISP）大單，明年開始進(jìn)入量產(chǎn)。此外，聯(lián)電還將為韓國(guó)AnaPass代工28納米OLED面板驅(qū)動(dòng)IC、為韓國(guó)Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動(dòng)IC及80納米TDDI，這兩家公司均是三星OLED面板主要芯片供應(yīng)商。一系列消息顯示，聯(lián)電自2017年啟動(dòng)的強(qiáng)化成熟工藝市場(chǎng)、實(shí)現(xiàn)差異化轉(zhuǎn)型策略正在取得進(jìn)展。未來(lái)，聯(lián)電的盈利表現(xiàn)將有進(jìn)一步的提升。

市場(chǎng)轉(zhuǎn)型成功業(yè)績(jī)向好

日前，有消息稱，聯(lián)電已爭(zhēng)取到了OLED面板驅(qū)動(dòng)IC、整合觸控功能面板驅(qū)動(dòng)IC（TDDI）等新訂單，包括為韓國(guó)AnaPass代工28納米OLED面板驅(qū)動(dòng)IC、為韓國(guó)Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動(dòng)IC及80納米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面板的主要芯片供應(yīng)商，這意味著聯(lián)電打入了三星的供應(yīng)鏈。

近日，又有消息傳出，三星LSI設(shè)計(jì)專用ISP已在近期完成設(shè)計(jì)定案，并將在明年第一季度交由聯(lián)電代工，季度投片量約為2萬(wàn)片。隨著三星及其芯片供應(yīng)鏈對(duì)聯(lián)電陸續(xù)釋放出新的28納米或40納米訂單，聯(lián)電8英寸及12英寸產(chǎn)能利用率將持續(xù)提高，明年第一季度有望達(dá)滿載水平。

加上聯(lián)電10月1日完成了對(duì)日本三重富士通半導(dǎo)體12英寸晶圓廠的100%并購(gòu)，讓聯(lián)電在晶圓代工市場(chǎng)占有率突破10％，重回全球第二大廠寶座。淡季不淡，一系列亮眼的業(yè)績(jī)表明，聯(lián)電此前開啟的市場(chǎng)轉(zhuǎn)型策略正在取得成效。

2017年7月，聯(lián)電開始采用共同總經(jīng)理制，新接任的王石和簡(jiǎn)山杰進(jìn)行了重大市場(chǎng)策略調(diào)整，逐漸淡出先進(jìn)制程的較量，轉(zhuǎn)向發(fā)揮在主流邏輯和特殊制程技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)化對(duì)成熟及差異化工藝市場(chǎng)的開發(fā)。上述情況顯示，聯(lián)電專注于成熟及差異化工藝的市場(chǎng)策略正在取得成功。

根據(jù)第三季度財(cái)報(bào)，聯(lián)電對(duì)第四季度業(yè)績(jī)展望樂(lè)觀，包括在5G智能手機(jī)中所使用的射頻IC、OLED面板驅(qū)動(dòng)IC，及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤（SSD）的電源管理IC等需求回升，加上增加日本新廠的貢獻(xiàn)，預(yù)估第四季度晶圓出貨較上季度增加10％，產(chǎn)能利用率接近90％。預(yù)估聯(lián)電第四季度合并營(yíng)收將季增10％，可望創(chuàng)下季度營(yíng)收歷史新高。

聯(lián)電的這一轉(zhuǎn)變也獲得了資本市場(chǎng)的認(rèn)可。摩根斯坦利分析師詹家鴻在7月份的報(bào)告中認(rèn)為，聯(lián)電“把錢花在了正確的地方”，并上調(diào)聯(lián)電的投資評(píng)級(jí)等；UBS（瑞銀集團(tuán)）也給予買進(jìn)評(píng)級(jí)。

中國(guó)大陸市場(chǎng)將成為有力支撐

中國(guó)大陸市場(chǎng)對(duì)于聯(lián)電的轉(zhuǎn)型發(fā)展也十分重要。根據(jù)調(diào)研公司Gartner的數(shù)據(jù)，2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值為4290億美元。中國(guó)大陸一直是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，約占全球市場(chǎng)需求的1/3。同時(shí)，中國(guó)大陸存在晶圓制造產(chǎn)能的巨大缺口。集邦咨詢報(bào)告稱，2016—2022年，中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)代工需求本土滿足比一直低于40%，并在2018年達(dá)到30%的最低點(diǎn)。據(jù)集邦咨詢測(cè)算，若中國(guó)市場(chǎng)使用的集成電路中五成在本土制造（含IDM和Foundry，不含存儲(chǔ)），到2022年，90nm以上制程制造能力缺口為20萬(wàn)片（合12英寸），28nm~90nm（含90nm，不含28nm）制造能力缺口為15萬(wàn)片，28nm及以下缺口為30萬(wàn)片。

在此情況下，聯(lián)電對(duì)于中國(guó)大陸市場(chǎng)非常重視，持續(xù)投入中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展。和艦芯片副總經(jīng)理林偉圣此前接受記者采訪時(shí)曾表示，聯(lián)電的發(fā)展戰(zhàn)略仍是以提升公司整個(gè)獲利與市占為優(yōu)先。在中國(guó)大陸，聯(lián)電與廈門市政府及福建省電子信息集團(tuán)合資成立了聯(lián)芯集成的12英寸晶圓代工廠。聯(lián)電在中國(guó)大陸也有8英寸廠支持成熟特色工藝。聯(lián)電將把相關(guān)產(chǎn)品做得尺寸更小、功耗更低、性能更高，以滿足市場(chǎng)需求。

據(jù)了解，因市場(chǎng)需求旺盛，聯(lián)電蘇州和艦8英寸廠、廈門聯(lián)芯12英寸廠產(chǎn)能都已爆滿，供不應(yīng)求。業(yè)界看好中國(guó)大陸市場(chǎng)物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、通信、消費(fèi)電子等需求，預(yù)計(jì)未來(lái)這部分需求將進(jìn)一步增加，為聯(lián)電的轉(zhuǎn)型發(fā)展提供有力支撐。

聯(lián)電工藝路線差異化轉(zhuǎn)型持續(xù)取得進(jìn)展最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

聯(lián)華電子2日表示，在使用USB 2.0測(cè)試載具并成功通過(guò)硅驗(yàn)證之后，正式宣布更先進(jìn)的22納米制程技術(shù)就緒。

聯(lián)電表示，相較于一般的USB 2.0 PHY IP，使用聯(lián)電制程的測(cè)試載具所使用面積是全球最小，已展現(xiàn)聯(lián)電技術(shù)的成熟，且新的芯片設(shè)計(jì)若要采用22納米制程，并無(wú)需更改現(xiàn)有的28納米設(shè)計(jì)架構(gòu)，客戶將可放心地的直接從28納米制程轉(zhuǎn)移到22納米。

聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，將致力于提供世界領(lǐng)先的晶圓專工特殊技術(shù)，并持續(xù)推出特殊制程，以應(yīng)用于快速成長(zhǎng)的5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等芯片市場(chǎng)。與原本的28納米高介電系數(shù)/金屬柵極制程相比，22納米能再縮減10%的晶粒面積、擁有更好的功率效能比，以及強(qiáng)化射頻性能等特點(diǎn)。

另外還提供了與28納米制程相同光罩?jǐn)?shù)的22納米超低功耗版本（22ULP），以及22納米超低泄漏版本（22ULL），將支援0.6~1.0伏特電壓，協(xié)助客戶在系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)中同時(shí)享有兩種技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

日前聯(lián)電已與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)商智原在22納米制程平臺(tái)上合作推出基礎(chǔ)元件IP支援，是市場(chǎng)上需防漏電或長(zhǎng)期續(xù)行的產(chǎn)品，如機(jī)頂盒、數(shù)字電視、監(jiān)視器、穿戴式裝置等物聯(lián)網(wǎng)芯片的理想選擇。

目前應(yīng)用22ULP/ULL制程的基礎(chǔ)元件IP已具備進(jìn)階的繞線架構(gòu)，多樣的IO元件庫(kù)包括通用IO、多重電壓IO、RTC IO、OSC IO和類比ESD IO，且存儲(chǔ)器編譯器還具有雙電源軌功能、多重省電模式、和讀寫輔助功能等特色。

聯(lián)電宣布22納米特殊技術(shù)成熟 28納米設(shè)計(jì)可無(wú)痛轉(zhuǎn)移最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。