11月19日，業(yè)界有消息傳出，聯(lián)電獲得了三星LSI的28納米5G智能手機(jī)圖像系統(tǒng)處理器（ISP）大單，明年開始進(jìn)入量產(chǎn)。此外，聯(lián)電還將為韓國AnaPass代工28納米OLED面板驅(qū)動IC，為韓國Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動IC及80納米TDDI，這兩家公司均是三星OLED面板主要芯片供應(yīng)商。一系列消息顯示，聯(lián)電自2017年啟動的強(qiáng)化成熟工藝市場、實(shí)現(xiàn)差異化轉(zhuǎn)型策略正在取得進(jìn)展。未來，聯(lián)電的盈利表現(xiàn)將有進(jìn)一步的提升。

市場轉(zhuǎn)型成功，業(yè)績向好

日前，有消息稱，聯(lián)電已爭取到了OLED面板驅(qū)動IC、整合觸控功能面板驅(qū)動IC（TDDI）等新訂單，包括為韓國AnaPass代工28納米OLED面板驅(qū)動IC，為韓國Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動IC及80納米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面板的主要芯片供應(yīng)商。這意味著聯(lián)電打入了三星的供應(yīng)鏈。

近日又有消息傳出，三星LSI設(shè)計(jì)專用ISP已在近期完成設(shè)計(jì)定案，并將在明年第一季度交由聯(lián)電代工，季度投片量約為2萬片。隨著三星及其芯片供應(yīng)鏈對聯(lián)電陸續(xù)釋放出新的28納米或40納米訂單，聯(lián)電8英寸及12英寸產(chǎn)能利用率將持續(xù)提高，明年第一季度有望達(dá)滿載水平。

加上聯(lián)電10月1日完成了對日本三重富士通半導(dǎo)體的12英寸晶圓廠的100%并購，讓聯(lián)電在晶圓代工市場占有率突破10％，重回全球第二大廠寶座。淡季不淡，一系列亮眼的業(yè)績表明，聯(lián)電此前開啟的市場轉(zhuǎn)型策略正在取得成效。

2017年7 月，聯(lián)電開始采用共同總經(jīng)理制，新接任的王石和簡山杰進(jìn)行了重大市場策略調(diào)整，逐漸淡出先進(jìn)制程的較量，轉(zhuǎn)向發(fā)揮在主流邏輯和特殊制程技術(shù)方面的優(yōu)勢，強(qiáng)化對成熟及差異化工藝市場的開發(fā)。上述情況顯示，聯(lián)電專注于成熟及差異化工藝的市場策略正在取得成功。這對下季度及明年的營收獲利將有正面效益。

根據(jù)三季度財(cái)報(bào)，聯(lián)電對第四季度業(yè)績展望樂觀，包括在5G智能手機(jī)中所使用的射頻IC、OLED面板驅(qū)動IC、及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤（SSD）的電源管理IC等需求回升，加上增加日本新廠貢獻(xiàn)，預(yù)估第四季度晶圓出貨較上季增加10％，產(chǎn)能利用率接近90％。預(yù)估聯(lián)電第四季度合并營收將季增10％幅度，可望創(chuàng)下季度營收歷史新高。

聯(lián)電的這一轉(zhuǎn)變也獲得了資本市場的認(rèn)可。摩根斯坦利分析師詹家鴻在7月份的報(bào)告中認(rèn)為，聯(lián)電是“把錢花在正確的地方”，上調(diào)聯(lián)電的投資評等；UBS(瑞銀集團(tuán))也給予買進(jìn)評級。

中國大陸市場，將為有力支撐

在此情況下，聯(lián)電對于中國大陸市場非常重視，持續(xù)投入中國市場發(fā)展。和艦芯片副總經(jīng)理林偉圣此前接受記者采訪時曾表示，聯(lián)電的發(fā)展戰(zhàn)略仍是以提升公司整個獲利與市占為優(yōu)先。在中國大陸，聯(lián)電與廈門政府及福建省電子信息集團(tuán)合資成立了聯(lián)芯集成的12英寸晶圓代工廠。聯(lián)電在中國大陸也有8英寸廠支持成熟特色工藝。聯(lián)電將把相關(guān)產(chǎn)品做得尺寸更小、功耗更低、性能更高，以滿足市場需求。

據(jù)了解，因市場需求旺盛，聯(lián)電蘇州和艦8英寸廠和廈門聯(lián)芯12英寸廠都產(chǎn)能爆滿，供不應(yīng)求。業(yè)界看好中國大陸市場物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、通信、消費(fèi)電子等需求，預(yù)計(jì)未來這部分需求將會進(jìn)一步增加，將為聯(lián)電的轉(zhuǎn)型發(fā)展提供有力支撐。

晶圓代工大廠聯(lián)電與臺灣地區(qū)知識產(chǎn)權(quán)大廠智原科技于18日宣布，推出基于聯(lián)電22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)制程的基礎(chǔ)元件IP解決方案。該22ULP/ULL基礎(chǔ)元件IP已成功通過硅驗(yàn)證，包含多重電壓標(biāo)準(zhǔn)元件庫、ECO元件庫、IO元件庫、PowerSlash低功耗控制套件以及存儲器編譯器，可大幅降低芯片功耗，以滿足新一代的SoC設(shè)計(jì)需求。

根據(jù)兩家廠商表示，針對低功耗SoC需求，智原的22ULP/ULL基礎(chǔ)元件IP具備進(jìn)階的繞線架構(gòu)，以及優(yōu)化的功率、性能和面積設(shè)計(jì)。相較28納米技術(shù)，22納米元件庫可以在相同性能下減少10%芯片面積，或降低超過30%功耗。此外，該標(biāo)準(zhǔn)元件庫可于0.6V至1.0V廣域電壓下運(yùn)作，亦支援SoC內(nèi)的Always-on電路維持超低漏電，多樣的IO元件庫包括通用IO、多重電壓IO、RTC IO、OSC IO和類比ESD IO，存儲器編譯器具有雙電源軌功能、多重省電模式、和讀寫輔助功能等特色。

智原科技研發(fā)協(xié)理簡丞星表示，智原透過與聯(lián)電的長期合作以及豐富的ASIC經(jīng)驗(yàn)，為客戶提供專業(yè)的聯(lián)電制程IP選用服務(wù)。透過藉由聯(lián)電22納米技術(shù)推出全新的邏輯元件庫和存儲器編譯器IP，能夠協(xié)助客戶在成本優(yōu)勢下開發(fā)低功耗SoC以布局物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、通訊及多媒體等新興應(yīng)用攫取商機(jī)。

聯(lián)電知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)暨設(shè)計(jì)支援處林子惠處長表示，在許多應(yīng)用中，SoC設(shè)計(jì)師都需要針對各種應(yīng)用的節(jié)能解決方案。隨著智原在聯(lián)電22納米可量產(chǎn)的特殊制程上推出的基礎(chǔ)元件IP解決方案，讓客戶可在我們具有競爭力的22納米平臺上，獲得包括超低漏電（22ULL）和超低功耗（22ULP）的全面設(shè)計(jì)支援，享有適用于物聯(lián)網(wǎng)及其他低功耗產(chǎn)品的完整平臺。

市場人士指出，事實(shí)上在聯(lián)電與格芯兩家晶圓代工大廠放棄先進(jìn)制程的研發(fā)之后，成熟制程的發(fā)展就成為這兩家廠商的競爭重點(diǎn)。其中，格芯曾經(jīng)表示，22FDX制程技術(shù)是格芯最重要的技術(shù)平臺之一，它提供了一個集合了性能、低功耗、低成本物聯(lián)網(wǎng)與主流移動設(shè)備、無線通訊互聯(lián)以及網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)秀搭配。使得22FDX制程技術(shù)具備的功能，可滿足連接、行動、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、網(wǎng)路和汽車等應(yīng)用領(lǐng)域下一代產(chǎn)品的需求。

格芯還在2018年7月表示，其22FDX技術(shù)在全球獲利了超過20億美元的營收，并在超過50項(xiàng)客戶設(shè)計(jì)中得到采用。因此，22FDX技術(shù)可說是在格芯擱置7納米及其以下先進(jìn)制程研發(fā)后最重要的制程平臺。

相較于格芯在22納米制程上的積極布局，聯(lián)電方面也不甘示弱，當(dāng)前與合作伙伴智原科技推出基于聯(lián)電22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)制程的基礎(chǔ)元件IP解決方案。隨著智原在聯(lián)電22納米可量產(chǎn)的特殊制程上推出的基礎(chǔ)元件IP解決方案，可以讓客戶在具有競爭力的22納米平臺上，獲得包括超低漏電（22ULL）和超低功耗（22ULP）的全面設(shè)計(jì)支援，亦可享有適用于物聯(lián)網(wǎng)及其他低功耗產(chǎn)品的完整平臺。

晶圓專工大廠聯(lián)電專注于成熟制程的特殊和邏輯技術(shù)的業(yè)務(wù)擴(kuò)展，近期傳出接下大單好消息。業(yè)界傳出，聯(lián)電已獲得三星LSI的28納米5G智能手機(jī)影像訊號處理器（ISP）大單，明年開始進(jìn)入量產(chǎn)，加上三星手機(jī)OLED面板采用的28納米或40納米OLED面板驅(qū)動IC訂單到位，第一季產(chǎn)能利用率可望達(dá)到滿載水準(zhǔn)。

聯(lián)電10月1日完成100%并購日本三重富士通半導(dǎo)體的12英寸晶圓廠，讓聯(lián)電在晶圓代工市場占有率突破10%，并重回全球第二大廠寶座，而在認(rèn)列新廠營收及9月遞延晶圓在10月順利出貨等情況下，聯(lián)電10月合并營收月增34.7%達(dá)145.87億元（新臺幣，下同），創(chuàng)下單月營收歷史新高，較去年同期成長16.0%，累計(jì)前10個月合并營收1,209.40億元，年減率已降至5.8%。

■本季晶圓出貨估季增10%

聯(lián)電對第四季展望樂觀，包括在5G智能手機(jī)中所使用的射頻IC、OLED面板驅(qū)動IC、及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤（SSD）的電源管理IC等需求回升，加上增加日本新廠貢獻(xiàn)，預(yù)估第四季晶圓出貨較上季增加10%，平均美元價(jià)格與上季持平，產(chǎn)能利用率接近90%。法人預(yù)估聯(lián)電第四季合并營收將季增10%幅度，可望創(chuàng)下季度營收歷史新高。

雖然下半年仍面臨28納米及40納米晶圓代工市場產(chǎn)能過剩壓力，但聯(lián)電已突破困境，明年上半年可望獲得三星LSI、三星5G手機(jī)芯片供應(yīng)商的晶圓代工訂單，第一季產(chǎn)能利用率可望達(dá)到滿載水準(zhǔn)。

■28及40納米皆獲三星下單

據(jù)業(yè)界消息，聯(lián)電已爭取到OLED面板驅(qū)動IC、整合觸控功能面板驅(qū)動IC（TDDI）等新訂單，包括為韓國AnaPass代工28納米OLED面板驅(qū)動IC，為韓國Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動IC及80納米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面板主要芯片供應(yīng)商，聯(lián)電等于打進(jìn)三星供應(yīng)鏈。

另外，三星明年將力推5G智能手機(jī)，其中多鏡頭及飛時測距（ToF）功能，備受市場矚目。業(yè)界亦傳出，三星透過旗下三星LSI設(shè)計(jì)專用ISP，已在近期完成設(shè)計(jì)定案，明年第一季將委由聯(lián)電以28納米制程生產(chǎn)，季度投片量約達(dá)2萬片。

法人表示，三星及其芯片供應(yīng)鏈對聯(lián)電釋出新的28納米或40納米訂單，聯(lián)電第一季8英寸及12英寸產(chǎn)能利用率將達(dá)滿載水準(zhǔn)，顯示其專注成熟及差異化制程市場策略成功，對明年?duì)I收及獲利都有正面效益。

聯(lián)電近兩年不再追逐12納米以下先進(jìn)制程，此舉也宣告聯(lián)電營運(yùn)策略大轉(zhuǎn)型，主攻以車用5G、IoT為主，在今年10月1日聯(lián)電取得日本三重富士通半導(dǎo)體（MIFS）所有股權(quán)，將能提升聯(lián)電市占率，并擴(kuò)大特殊及邏輯技術(shù)。

聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾表示，在先進(jìn)制程戰(zhàn)爭中，聯(lián)電的客戶群縮小，但先進(jìn)制程每個世代，產(chǎn)能投資成本愈來愈高，所以很容易發(fā)生聯(lián)電趕上最新制程時，這項(xiàng)新制程已過了價(jià)格最高的黃金時期，因此大膽將重點(diǎn)放在成熟制程；聯(lián)電今年獲準(zhǔn)并購與富士通半導(dǎo)體（FSL）合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權(quán)，在10月1日完成并購，未來將為聯(lián)電年?duì)I收增加10%～12%，提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠，為客戶提供90納米、65納米及40納米制程產(chǎn)品，月產(chǎn)能3.6萬片，主要應(yīng)用在車用、物聯(lián)網(wǎng)等，順利并購后讓聯(lián)電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯(lián)電轉(zhuǎn)型計(jì)劃也影響毛利率，隨無線通訊市場回溫，第3季毛利率重返回17%以上。

聯(lián)電近兩年不再追逐12納米以下先進(jìn)制程，此舉也宣告聯(lián)電營運(yùn)策略大轉(zhuǎn)型，主攻以車用5G、IoT為主，在今年10月1日聯(lián)電取得日本三重富士通半導(dǎo)體（MIFS）所有股權(quán)，將能提升聯(lián)電市占率，并擴(kuò)大特殊及邏輯技術(shù)。

聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾表示，在先進(jìn)制程戰(zhàn)爭中，聯(lián)電的客戶群縮小，但先進(jìn)制程每個世代，產(chǎn)能投資成本愈來愈高，所以很容易發(fā)生聯(lián)電趕上最新制程時，這項(xiàng)新制程已過了價(jià)格最高的黃金時期，因此大膽將重點(diǎn)放在成熟制程；聯(lián)電今年獲準(zhǔn)并購與富士通半導(dǎo)體（FSL）合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權(quán)，在10月1日完成并購，未來將為聯(lián)電年?duì)I收增加10%～12%，提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠，為客戶提供90納米、65納米及40納米制程產(chǎn)品，月產(chǎn)能3.6萬片，主要應(yīng)用在車用、物聯(lián)網(wǎng)等，順利并購后讓聯(lián)電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯(lián)電轉(zhuǎn)型計(jì)劃也影響毛利率，隨無線通訊市場回溫，第3季毛利率重返回17%以上。

聯(lián)電近兩年不再追逐12納米以下先進(jìn)制程，此舉也宣告聯(lián)電營運(yùn)策略大轉(zhuǎn)型，主攻以車用5G、IoT為主，在今年10月1日聯(lián)電取得日本三重富士通半導(dǎo)體（MIFS）所有股權(quán)，將能提升聯(lián)電市占率，并擴(kuò)大特殊及邏輯技術(shù)。

聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾表示，在先進(jìn)制程戰(zhàn)爭中，聯(lián)電的客戶群縮小，但先進(jìn)制程每個世代，產(chǎn)能投資成本愈來愈高，所以很容易發(fā)生聯(lián)電趕上最新制程時，這項(xiàng)新制程已過了價(jià)格最高的黃金時期，因此大膽將重點(diǎn)放在成熟制程；聯(lián)電今年獲準(zhǔn)并購與富士通半導(dǎo)體（FSL）合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權(quán)，在10月1日完成并購，未來將為聯(lián)電年?duì)I收增加10%～12%，提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠，為客戶提供90納米、65納米及40納米制程產(chǎn)品，月產(chǎn)能3.6萬片，主要應(yīng)用在車用、物聯(lián)網(wǎng)等，順利并購后讓聯(lián)電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯(lián)電轉(zhuǎn)型計(jì)劃也影響毛利率，隨無線通訊市場回溫，第3季毛利率重返回17%以上。

聯(lián)電近兩年不再追逐12納米以下先進(jìn)制程，此舉也宣告聯(lián)電營運(yùn)策略大轉(zhuǎn)型，主攻以車用5G、IoT為主，在今年10月1日聯(lián)電取得日本三重富士通半導(dǎo)體（MIFS）所有股權(quán)，將能提升聯(lián)電市占率，并擴(kuò)大特殊及邏輯技術(shù)。

聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾表示，在先進(jìn)制程戰(zhàn)爭中，聯(lián)電的客戶群縮小，但先進(jìn)制程每個世代，產(chǎn)能投資成本愈來愈高，所以很容易發(fā)生聯(lián)電趕上最新制程時，這項(xiàng)新制程已過了價(jià)格最高的黃金時期，因此大膽將重點(diǎn)放在成熟制程；聯(lián)電今年獲準(zhǔn)并購與富士通半導(dǎo)體（FSL）合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權(quán)，在10月1日完成并購，未來將為聯(lián)電年?duì)I收增加10%～12%，提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠，為客戶提供90納米、65納米及40納米制程產(chǎn)品，月產(chǎn)能3.6萬片，主要應(yīng)用在車用、物聯(lián)網(wǎng)等，順利并購后讓聯(lián)電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯(lián)電轉(zhuǎn)型計(jì)劃也影響毛利率，隨無線通訊市場回溫，第3季毛利率重返回17%以上。

全球半導(dǎo)體晶圓代工廠排名或?qū)l(fā)生變化。9月25日，聯(lián)華電子宣布收購三重富士通半導(dǎo)體股份有限公司（MIFS）全部的股權(quán)。據(jù)集邦拓墣研究院最新數(shù)據(jù)，聯(lián)電在2019年世界集成電路晶圓代工廠位列第四，僅次于第三名格芯。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，聯(lián)電2019年第二季度營收1160百萬美元，略低于格芯1336百萬美元。如今，聯(lián)電出手收購MIFS，全球晶圓代工廠或?qū)⒅匦孪磁啤?/p>

36.1億元收購MIFS剩余股權(quán)

聯(lián)華電子于25日宣布，該公司已獲批購買與富士通半導(dǎo)體（FSL）所合資的12英寸晶圓廠——三重富士通半導(dǎo)體股份有限公司的全部的股權(quán)，完成并購的日期訂定于2019年10月1日。早在2014年，富士通半導(dǎo)體和聯(lián)華電子兩家公司已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，聯(lián)電可以分階段逐步購買三重富士通半導(dǎo)體15.9%的股權(quán)。今日，聯(lián)電獲準(zhǔn)以544億日元（約36.1億元）的價(jià)格購買三重富士通半導(dǎo)體剩余84.1%的股權(quán)。據(jù)官方信息，三重富士通半導(dǎo)體在成為聯(lián)華電子完全獨(dú)資的子公司后，將更名為United Semiconductor Japan Co.，Ltd。（USJC）。

富士通半導(dǎo)體和聯(lián)電除了三重富士通半導(dǎo)體股權(quán)投資之外，在40nm技術(shù)上也有授權(quán)合作。目前MIFS已建設(shè)40nm邏輯生產(chǎn)線，此次三重富士通半導(dǎo)體整合至聯(lián)華電子旗下，將推動聯(lián)電在日本半導(dǎo)體業(yè)的整體實(shí)力，深挖潛質(zhì)，鞏固聯(lián)電業(yè)務(wù)根基，拓寬聯(lián)電業(yè)務(wù)覆蓋面積。聯(lián)華電子共同總經(jīng)理王石認(rèn)為，此次并購將在聯(lián)華電子員工數(shù)十年的豐富制造經(jīng)驗(yàn)的基礎(chǔ)之上，結(jié)合聯(lián)電的經(jīng)濟(jì)規(guī)模及晶圓專工的專業(yè)技術(shù)，達(dá)到雙贏的效果。未來聯(lián)電對于新老客戶，將提供更強(qiáng)更有力的支持服務(wù)?！奥?lián)華電子全球客戶將充分利用此次收購的日本12英寸晶圓廠”王石說。

此外，王石表示，此次收購符合聯(lián)電布局亞太12英寸晶圓廠生產(chǎn)基地產(chǎn)能多元化的策略?！罢雇磥?，我們將持續(xù)專注于聯(lián)電在特殊制程技術(shù)上的優(yōu)勢，通過內(nèi)部和外部對擴(kuò)張機(jī)會的評價(jià)，尋求與此策略相符的成長機(jī)會?！蓖跏f。

全球晶圓廠排名或?qū)⒅匦孪磁?/strong>