2月20日，JEDEC（固態(tài)存儲協(xié)會）正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標準。

相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標準，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。

如果匹配高端智能機常見的64bit bus，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)；要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。

固態(tài)協(xié)會認為，LPDDR5有望對下一代便攜電子設備（手機、平板）的性能產(chǎn)生巨大提升，為了實現(xiàn)這一改進，標準對LPDDR5體系結(jié)構(gòu)進行了重新設計，轉(zhuǎn)向最高16 Bank可編程和多時鐘體系結(jié)構(gòu)。

同時，還引入了數(shù)據(jù)復制（Data-Copy）和寫X（Write-X）兩個減少數(shù)據(jù)傳輸操作的命令來降低整體系統(tǒng)功耗，前者可以將單個陣腳的數(shù)據(jù)直接復制到其它針腳，后者則減少了SoC和RAM傳遞數(shù)據(jù)時的耗電。

另外，LPDDR5還引入了鏈路ECC糾錯，信號電壓250mV，Vddq/Vdd2電壓還是1.1V。

事實上，去年7月，三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級工藝，單顆容量8Gb（1GB），去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上，三星人士透露，LPDDR5內(nèi)存計劃2020年商用。

據(jù)美國科技媒體CNET報道，韓國三星周二宣布，它們將開始對一款容量高達1TB的通用閃存(eUFS)進行量產(chǎn)。這個閃存芯片將該公司此前eUFS的最大容量提升了一倍，讀取速度高達1000MB/s，寫入速度也高達260MB/s。

三星宣稱，它們是行業(yè)中第一個實現(xiàn)此創(chuàng)新的企業(yè)。三星透露，這個內(nèi)存芯片的誕生，將會為下一代智能手機的用戶帶來“筆記本電腦一般”的使用體驗。該公司表示，容量達到1TB的存儲空間將能夠儲存最多 260 條 10 分鐘長的4K視頻。三星還表示，當前許多高端智能手機的存儲空間只有64GB，這樣的容量只能儲存 13 段同樣長度的4K視頻。除了儲存空間提升之外，三星還承諾新的芯片將會帶來更快的傳輸速度，其最高數(shù)據(jù)傳輸速度將會達到傳統(tǒng)microSD的 10 倍。

當前所有的智能手機生產(chǎn)商都在一個擁擠程度相當高的市場上尋求生存空間，它們都在努力地尋找自己的優(yōu)勢，例如提升手機攝像頭的性能，以及提高電池的續(xù)航能力等等。但是，隨著攝像頭像素以及內(nèi)容拍攝技術的提升，用戶對設備儲存空間的需求也在不斷提升，只有更大的空間才能讓用戶保留那些超高清的照片和4K視頻。

三星方面透露，它們計劃在 2019 年上半年中對其生產(chǎn)線進行擴充，從而“滿足來自全球的移動設備生產(chǎn)商對1TB eUFS的高需求”。

此前有傳言稱，三星下一代Galaxy S10 智能手機或?qū)碛?TB的數(shù)據(jù)儲存空間，并且還將會使用后置 4 攝和前置雙攝方案。