日前，湖北省兩會(huì)召開。在首場(chǎng)新聞發(fā)布會(huì)上，湖北省總結(jié)了2019年發(fā)展成績(jī)，其中包括“芯屏端網(wǎng)”企業(yè)近400家，規(guī)模突破3000億元；此外，集成電路、新型顯示器件、下一代信息網(wǎng)絡(luò)、生物醫(yī)藥四個(gè)產(chǎn)業(yè)集群入選國(guó)家首批戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群；國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目取得階段性成果等。

發(fā)布會(huì)上，湖北省政協(xié)委員、長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，2019年國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的64層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期的實(shí)施，區(qū)域產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)成效初顯。

楊道虹進(jìn)一步指出，國(guó)家存儲(chǔ)器基地近年來(lái)堅(jiān)持研究布局新型存儲(chǔ)器、特種存儲(chǔ)器、物聯(lián)網(wǎng)芯片（5G芯片）以及智能芯片產(chǎn)品的研發(fā)，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。此外，還聯(lián)合國(guó)內(nèi)70余家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和科研院所，牽頭組建半導(dǎo)體三維集成制造創(chuàng)新中心，成立中國(guó)半導(dǎo)體三維集成制造產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。

值得注意的是，據(jù)楊道虹透露，當(dāng)前及今后一段時(shí)間，他們的核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能，提升國(guó)家存儲(chǔ)器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動(dòng)全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

楊道虹還表示，展望未來(lái)，為國(guó)家存儲(chǔ)器基地落戶武漢打下基礎(chǔ)的武漢新芯集成電路制造有限公司，將面向需求量巨大的物聯(lián)網(wǎng)、人工智能與5G市場(chǎng)，研發(fā)生產(chǎn)獨(dú)具特色的物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)品，建成國(guó)內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)芯片的領(lǐng)導(dǎo)型企業(yè)。

國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）為項(xiàng)目實(shí)施主體。

2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片；2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，這是中國(guó)首款64層3D NAND閃存。

日前有消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在進(jìn)行新一輪設(shè)備采購(gòu)。據(jù)了解，2019年第四季度中微半導(dǎo)體獲得長(zhǎng)江存儲(chǔ)3臺(tái)設(shè)備訂單，2020年1月2日，中微半導(dǎo)體再中標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)9臺(tái)刻蝕設(shè)備訂單。媒體報(bào)道稱，這次訂單主要是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為應(yīng)對(duì)2019年第四季度及2020年第一季度擴(kuò)產(chǎn)訂單周期使用。

根據(jù)湖北省2020年政府工作報(bào)告，湖北將加快培育壯大以“芯屏端網(wǎng)”為重點(diǎn)的世界級(jí)產(chǎn)業(yè)集群，加快國(guó)家存儲(chǔ)器基地二期、天馬G6二期等重大項(xiàng)目建設(shè)。

金橋企業(yè)又傳來(lái)重磅消息：2020年1月2日，中微中標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 9 臺(tái)刻蝕設(shè)備訂單（2019 年中微全年中標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 13 臺(tái)）。中微開年獲長(zhǎng)江存儲(chǔ)大額訂單表明國(guó)產(chǎn)IC設(shè)備行業(yè)迎來(lái)超長(zhǎng)景氣周期，同時(shí)國(guó)內(nèi)IC設(shè)備龍頭企業(yè)將陸續(xù)突破盈利拐點(diǎn)，邁向成長(zhǎng)期新階段。

2018、2019、2020 年長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)中微收入貢獻(xiàn)分別為2臺(tái)、5臺(tái)、10臺(tái)+，保持翻倍以上的快速成長(zhǎng)。從中微訂單中，可以反應(yīng)國(guó)產(chǎn)設(shè)備龍頭企業(yè)伴隨存儲(chǔ)等IC產(chǎn)線產(chǎn)能釋放，正逐步進(jìn)入業(yè)績(jī)快速兌現(xiàn)期。

2020年后續(xù)訂單不斷，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹系、粵芯、積塔半導(dǎo)體、合肥長(zhǎng)鑫以及中芯國(guó)際等多條產(chǎn)線均啟動(dòng)國(guó)產(chǎn)設(shè)備采購(gòu)周期，且每條產(chǎn)線拉動(dòng)效應(yīng)預(yù)計(jì)均不弱于長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2019 年水平，拉動(dòng)效應(yīng)數(shù)倍增大。助力中微半導(dǎo)體業(yè)績(jī)成長(zhǎng)。

中微半導(dǎo)體是金橋企業(yè)當(dāng)中又一顆耀眼的明星，也是我國(guó)集成電路設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。中微半導(dǎo)體一直聚焦用于集成電路、LED芯片等微觀器件領(lǐng)域的等離子體刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。從刻蝕設(shè)備打破國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)在中國(guó)市場(chǎng)的壟斷，到成為全球MOCVD龍頭，再到5nm等離子體刻蝕設(shè)備應(yīng)用到全球最領(lǐng)先的晶圓制造廠，中微半導(dǎo)體在中國(guó)創(chuàng)“芯”的當(dāng)下，一直勇立潮頭，用技術(shù)創(chuàng)新來(lái)為“中國(guó)芯”保駕護(hù)航。

2019年7月22日，科創(chuàng)板正式開閘，首批25家企業(yè)掛牌上市，中微半導(dǎo)體就是其中一員。中微半導(dǎo)體，上市首日開盤暴漲超300%，總市值超過(guò)600億元。

根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)披露的《2017年半導(dǎo)體十大名單》顯示，中微半導(dǎo)體入圍“2017年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”，名列第三。

11月23日，祿億半導(dǎo)體項(xiàng)目在湖北黃石市開發(fā)區(qū)·鐵山區(qū)舉行奠基儀式。

資料顯示，祿億半導(dǎo)體項(xiàng)目（即LVG晶圓再生）于2019年6月簽約落戶黃石市開發(fā)區(qū)·鐵山區(qū)，計(jì)劃總投資23.13億元，其中設(shè)備投資總額為21億元，主要從事半導(dǎo)體級(jí)硅單晶生長(zhǎng)、晶片切割、磨拋、清洗等。

項(xiàng)目共分四期建設(shè)，其中一期投資7.78億元，將建設(shè)一條晶圓再生生產(chǎn)線，建成達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)10萬(wàn)片的產(chǎn)能規(guī)模；二期投資4.86億元，將增設(shè)一條晶圓再生生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)20萬(wàn)片的產(chǎn)能規(guī)模；而三期、四期均投資5.245億元，將分別再增設(shè)一條晶圓再生生產(chǎn)線。

據(jù)湖北日?qǐng)?bào)報(bào)道，四期全部建成達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)40萬(wàn)片的產(chǎn)能規(guī)模，年?duì)I業(yè)收入可達(dá)10.08億元，年稅收1.43億元，將為長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)配套提供測(cè)試片、擋控片等晶圓的再生服務(wù)。

隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展，未來(lái)市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求會(huì)持續(xù)增加。有數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)存儲(chǔ)器的消耗量占全球總消耗量的三成以上（2019年第一季度世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)WSTS 發(fā)布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)），其中大部分存儲(chǔ)器芯片需要進(jìn)口，可以說(shuō)，在中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過(guò)程中，存儲(chǔ)芯片是十分關(guān)鍵的發(fā)展領(lǐng)域。

近日，紫光旗下新華三集團(tuán)正式攜手中國(guó)閃存芯片領(lǐng)軍企業(yè)——長(zhǎng)江存儲(chǔ)，整合中國(guó)頂尖的存儲(chǔ)芯片資源，共同推動(dòng)在中國(guó)市場(chǎng)自主創(chuàng)新存儲(chǔ)芯片的研發(fā)與應(yīng)用，成功地將3D NAND芯片產(chǎn)品融入服務(wù)器產(chǎn)品之中，進(jìn)一步加速了服務(wù)器的自主創(chuàng)新之路。

眾所周知，芯片是信息時(shí)代的糧食，其中存儲(chǔ)器芯片應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛。作為中國(guó)存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)頭羊，長(zhǎng)江存儲(chǔ)從成立至今，在短短3年時(shí)間內(nèi)先后研發(fā)成功并量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首款32層3D NAND閃存和64層3D NAND閃存，同時(shí)憑借著國(guó)內(nèi)龐大的內(nèi)需市場(chǎng)、優(yōu)秀的自主研發(fā)能力，以及國(guó)際水準(zhǔn)的產(chǎn)能，擔(dān)負(fù)起推動(dòng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器自主創(chuàng)新、加速發(fā)展的重要使命。此次新華三集團(tuán)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)攜手，正是將這些國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)技術(shù)和存儲(chǔ)芯片引入到服務(wù)器產(chǎn)品中，推動(dòng)優(yōu)秀自主創(chuàng)新方案的落地生根，更好的滿足企業(yè)對(duì)高速、大容量存儲(chǔ)解決方案的需求。

2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)了中國(guó)首顆擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層MLC 3D NAND閃存芯片，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)三維閃存產(chǎn)業(yè)“零”的突破。該芯片的存儲(chǔ)容量為8GB至32GB，目前已通過(guò)企業(yè)級(jí)驗(yàn)證并進(jìn)行小規(guī)模的批量生產(chǎn)，主要應(yīng)用在U盤，SD卡，機(jī)頂盒及固態(tài)硬盤等領(lǐng)域。

此后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于不斷的自主研發(fā)和創(chuàng)新，推出了第二代具備完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，它擁有全球同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度，將廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)，個(gè)人電腦，服務(wù)器等領(lǐng)域。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，也是中國(guó)企業(yè)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。

提到Xtacking? 技術(shù)，不得不說(shuō)，這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND閃存架構(gòu)上的一次重大創(chuàng)新，在世界閃存發(fā)展史上具有舉足輕重的意義。通過(guò)芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)上的變化，Xtacking?能夠使3D NAND閃存擁有更快的I/O傳輸速度，使3D NAND閃存能擁有更高的存儲(chǔ)密度，相比傳統(tǒng)架構(gòu)，芯片面積可減少約25%。同時(shí)，Xtacking?技術(shù)還實(shí)現(xiàn)了模塊化的設(shè)計(jì)工藝，能夠有效提升了研發(fā)效率并縮短了生產(chǎn)周期，為NAND閃存的定制化提供了更多可能。目前，Xtacking?技術(shù)被主要應(yīng)用在長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層及更高規(guī)格的三維閃存上。

為了給行業(yè)用戶帶來(lái)更多的價(jià)值，長(zhǎng)江存儲(chǔ)未來(lái)還將推出Xtacking? 2.0創(chuàng)新架構(gòu)。作為升級(jí)換代技術(shù)，Xtacking?2.0將夠進(jìn)一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)的綜合性能、開拓定制化NAND全新商業(yè)模式等。未來(lái)，Xtacking?2.0技術(shù)將應(yīng)用在長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND閃存產(chǎn)品中，會(huì)廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域，這將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

新華三集團(tuán)將領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存引入服務(wù)器產(chǎn)品線，將在應(yīng)用實(shí)踐中加速中國(guó)存儲(chǔ)芯片與服務(wù)器的融合發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)計(jì)算產(chǎn)品和架構(gòu)的迭代。新華三也將在10月24日以“至極之道，智造未來(lái)”為主題的計(jì)算節(jié)期間，重點(diǎn)展示長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品自主創(chuàng)新的領(lǐng)先技術(shù)，以及更加安全、可靠、可信的計(jì)算產(chǎn)品。這些產(chǎn)品將在新華三“至簡(jiǎn)，至信，至慧”的智慧計(jì)算理念下，更好的滿足企業(yè)用戶的不同需求，為企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型賦能。

前不久，隨著量產(chǎn)64層3D NAND閃存消息發(fā)布，長(zhǎng)江存儲(chǔ)再次成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)，紫光集團(tuán)對(duì)其產(chǎn)業(yè)整合的問(wèn)題再次被提及。

在投資者關(guān)系互動(dòng)平臺(tái)上，有投資者向紫光國(guó)微發(fā)起提問(wèn)，紫光集團(tuán)曾經(jīng)承諾在適當(dāng)時(shí)機(jī)將長(zhǎng)江存儲(chǔ)并入紫光國(guó)微的計(jì)劃是否有變。

對(duì)此，紫光國(guó)微近日回復(fù)稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)設(shè)立時(shí)，為避免潛在的同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，紫光集團(tuán)承諾，在本公司未來(lái)規(guī)劃發(fā)展存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)務(wù)時(shí)，有權(quán)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合。不過(guò)，鑒于紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，公司目前沒(méi)有計(jì)劃涉足存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)務(wù)，也沒(méi)有整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的計(jì)劃。

資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年12月，由紫光集團(tuán)的控股子公司湖北紫光國(guó)器聯(lián)合國(guó)家大基金、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)基金和湖北省科技投資集團(tuán)共同出資設(shè)立，湖北紫光國(guó)器持有其51.04%的股權(quán)，為其控股股東。

2017年2月，紫光國(guó)微宣布籌劃收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)全部或部分股權(quán)，同年7月，紫光國(guó)微宣布停止收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)股權(quán)。紫光國(guó)微當(dāng)時(shí)表示，與交易對(duì)方經(jīng)友好協(xié)商達(dá)成一致意見，認(rèn)為收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)股權(quán)的條件尚不夠成熟，同意終止本次股權(quán)收購(gòu)，繼續(xù)由紫光集團(tuán)來(lái)推進(jìn)實(shí)施國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目的建設(shè)工作。

當(dāng)時(shí)紫光國(guó)微指出，為避免潛在同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，紫光集團(tuán)已承諾，紫光國(guó)微未來(lái)規(guī)劃發(fā)展存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)務(wù)時(shí)，在滿足條件的情況下，紫光國(guó)微有權(quán)通過(guò)非公開發(fā)行、重大資產(chǎn)重組等方式對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合。

如今兩年過(guò)去，紫光國(guó)微再次表態(tài)，目前沒(méi)有整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的計(jì)劃。值得一提的是，今年紫光國(guó)微將其旗下負(fù)責(zé)DRAM存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)的西安紫光國(guó)芯76%股權(quán)轉(zhuǎn)讓給了北京紫光存儲(chǔ)。

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近日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。

大幅縮短與國(guó)際先進(jìn)水平差距

紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)入到這個(gè)領(lǐng)域之前，國(guó)內(nèi)一直沒(méi)有大規(guī)模存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)，未來(lái)，隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)的發(fā)展，人類對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求是越來(lái)越高，3D NAND是高端芯片一個(gè)重要領(lǐng)域，它的量產(chǎn)標(biāo)志著中國(guó)離國(guó)際先進(jìn)水平又大大跨進(jìn)一步。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)由紫光集團(tuán)和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司在2016年7月共同出資成立。按照規(guī)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的主要產(chǎn)品為3D NAND以及DRAM等存儲(chǔ)器芯片。2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了32層3D NAND的小批量量產(chǎn)。而此次64層3D NAND則是中國(guó)企業(yè)首次在存儲(chǔ)器主流產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。

在NAND閃存從平面向三維演進(jìn)的過(guò)程中，64層被普遍認(rèn)為是首個(gè)在性價(jià)比上超過(guò)2D NAND的產(chǎn)品，因此曾是國(guó)際一線廠商生產(chǎn)的主力產(chǎn)品之一。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND的量產(chǎn)，將中國(guó)企業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距拉近到了一代至兩代。

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將推出集成64層3D NAND的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，用于數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備之中，為用戶提供完整的存儲(chǔ)解決方案及服務(wù)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示：“隨著5G、人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來(lái)，NAND閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力?！?/p>

明年有望量產(chǎn)128層

在國(guó)際范圍內(nèi)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)一向十分激烈。盡管當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)遇冷，價(jià)格下跌，在一定程度上抑制了廠商們的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，但是在新技術(shù)的推進(jìn)上，國(guó)際一線廠商卻毫不縮手。

今年以來(lái)，三星電子已宣布量產(chǎn)96層3D NAND 閃存，并將陸續(xù)投資70億美元在西安設(shè)立第二座NAND閃存制造工廠。項(xiàng)目建成后，可以生產(chǎn)NAND閃存芯片6.5萬(wàn)片/月。預(yù)計(jì)2019年年底廠房建設(shè)完工，設(shè)備搬入并開始量產(chǎn)。

SK海力士也宣布將投資大約1.22萬(wàn)億韓元用于加強(qiáng)與合作伙伴公司和半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的雙贏關(guān)系。此前，SK海力士已宣布將韓國(guó)的龍仁、利川和清州作為半導(dǎo)體3軸。龍仁將作為DRAM/下一代存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地和半導(dǎo)體雙贏生態(tài)系統(tǒng)基地，利川將作為總部、研發(fā)中心主廠區(qū)和DRAM生產(chǎn)基地，清洲則將作為NAND Flash生產(chǎn)基地，以追求公司的中長(zhǎng)期增長(zhǎng)。

對(duì)此，有專家分析指出，之所以幾家國(guó)際大廠如此重視NAND閃存，是因?yàn)镈RAM產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了汰弱留強(qiáng)后全球僅剩下三星、美光與SK海力士等三大巨擘，三星更是占據(jù)全球DRAM近5成市場(chǎng)，相比而言NAND產(chǎn)業(yè)仍處于戰(zhàn)國(guó)群雄各自割據(jù)的階段，全球廠商大致可以劃分為三星、SK海力士、東芝與西部數(shù)據(jù)、美光與英特爾等四大陣營(yíng)，并沒(méi)有出現(xiàn)一家大廠一騎絕塵之勢(shì)。這也給了中國(guó)企業(yè)發(fā)展的機(jī)會(huì)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND的量產(chǎn)有望使中國(guó)存儲(chǔ)芯片打破在美日韓大廠壟斷。業(yè)界預(yù)測(cè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快明年將跳過(guò)96層直接進(jìn)入128層3D NAND閃存的生產(chǎn)，這將有望接近甚至追趕上國(guó)際先進(jìn)水平。

量產(chǎn)時(shí)點(diǎn)或是良機(jī)

隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，業(yè)界的關(guān)注焦點(diǎn)開始轉(zhuǎn)向企業(yè)能夠盈利，或者說(shuō)是能否應(yīng)對(duì)國(guó)際廠商的競(jìng)爭(zhēng)壓力，畢竟目前處于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的淡季，存儲(chǔ)芯片價(jià)格位于低位。但是具體分析可以發(fā)現(xiàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)選擇目前這個(gè)時(shí)機(jī)實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)也并非完全不利。

根據(jù)集邦咨詢發(fā)布數(shù)據(jù)，第二季度NAND閃存合約價(jià)跌幅仍相當(dāng)顯著，第三季度仍將維持跌勢(shì)。但是，從中長(zhǎng)期來(lái)看，多數(shù)業(yè)者卻看好未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景。美光科技高級(jí)副總裁兼移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理拉杰·塔魯里在接受記者采訪看好5G對(duì)智能手機(jī)的拉動(dòng)以及自動(dòng)駕駛、VR/AR對(duì)存儲(chǔ)器的長(zhǎng)期需求，預(yù)測(cè)未來(lái)幾年無(wú)論DRAM還是NAND在手機(jī)中的容量都將進(jìn)一步增長(zhǎng)，其中DRAM平均增長(zhǎng)率將達(dá)到15%-17%，NAND將達(dá)到25%-30%。

集邦咨詢則預(yù)測(cè)，隨著超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的成長(zhǎng)，將帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求增加，DRAM與NAND的價(jià)格有望在2020年止跌反彈。甚至有樂(lè)觀者估計(jì)，第四季度NAND 閃存價(jià)格就將止跌回升。

國(guó)際存儲(chǔ)器大廠如三星往往選擇在下行周期時(shí)加大投資，業(yè)界稱之為逆周期投資。長(zhǎng)江存儲(chǔ)選擇在這個(gè)時(shí)機(jī)量產(chǎn)，量產(chǎn)爬升需要一段時(shí)間，當(dāng)產(chǎn)量達(dá)到一定規(guī)模時(shí)，市場(chǎng)有可能正好轉(zhuǎn)曖，選擇這個(gè)時(shí)間規(guī)模量產(chǎn)，并非不利。中國(guó)是全球最主要NAND閃存市場(chǎng)之一，中國(guó)也不應(yīng)有所退縮，真正存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)決勝的時(shí)間往往在下一個(gè)周期展開。

Xtacking 2.0將被開發(fā)

技術(shù)創(chuàng)新才是決定企業(yè)成敗的關(guān)鍵因素。長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D NAND采用了自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)。Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS(閃存技術(shù)峰會(huì))首次公開的3D NAND架構(gòu)，榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路，這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示：“通過(guò)將Xtacking架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展?！?/p>

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還宣布正在開發(fā)下一代Xtacking2.0技術(shù)，Xtacking 2.0將進(jìn)一步提升NAND的吞吐速率、提升系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等。未來(lái)搭載Xtacking 2.0技術(shù)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。

港媒稱，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3D NAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求，這也是中國(guó)首款64層三維閃存芯片，將使中國(guó)與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)，被視為中國(guó)打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)。

據(jù)香港《大公報(bào)》近日?qǐng)?bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)消息，上海中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)舉行前夕，公司宣布已開始量產(chǎn)基于XtackingR架構(gòu)的64層“三階儲(chǔ)存單元”3D NAND閃存。作為中國(guó)首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相博覽會(huì)紫光集團(tuán)展臺(tái)。

所謂3D NAND是通過(guò)將原本平鋪的儲(chǔ)存單元堆疊起來(lái)，形成多層結(jié)構(gòu)提供容量，使原本只有1層的儲(chǔ)存單元堆疊成64層或更多層。

縮短產(chǎn)品上市周期

報(bào)道指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高存儲(chǔ)密度。創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統(tǒng)三維閃存架構(gòu)可帶來(lái)更快的傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)相關(guān)負(fù)責(zé)人向《大公報(bào)》表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，將使中國(guó)與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)。

紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)入到這個(gè)領(lǐng)域之前，國(guó)內(nèi)一直沒(méi)有大規(guī)模存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)，未來(lái)，隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)的發(fā)展，人類對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求是越來(lái)越高，三維閃存存儲(chǔ)芯片是高端芯片一個(gè)重要領(lǐng)域，它的量產(chǎn)也標(biāo)志著中國(guó)離國(guó)際先進(jìn)水平又大大跨近一步，把中國(guó)產(chǎn)品水平跟海外的先進(jìn)水平縮短到了一代。

明年底月產(chǎn)六萬(wàn)片晶圓

報(bào)道稱，存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈，三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入。2018年，64層、72層的3D NAND閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品，2019年開始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品，到2020年，大廠們即將進(jìn)入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。

業(yè)界有關(guān)人士分析，長(zhǎng)江儲(chǔ)存發(fā)展迅速，但目前表態(tài)保守，其雖然未公布量產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計(jì)2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的水平。

據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國(guó)存儲(chǔ)芯片自產(chǎn)率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存量產(chǎn)消息別具意義。

業(yè)界預(yù)測(cè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快明年跳過(guò)96層直接進(jìn)入128層三維閃存，實(shí)現(xiàn)彎道超車。據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已推出Xtacking2.0規(guī)劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等，相關(guān)產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。

近日， 2019世界人工智能大會(huì)“生態(tài)引領(lǐng)、智鏈浦東”峰會(huì)在世博中心召開。峰會(huì)上，上海市超高清視頻產(chǎn)業(yè)金橋示范基地、金橋5G產(chǎn)業(yè)生態(tài)園正式揭牌。全球首個(gè)華為5G創(chuàng)新中心、阿里云計(jì)算、中國(guó)移動(dòng)5G聯(lián)合創(chuàng)新基地等50個(gè)項(xiàng)目落地浦東。其中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)上海研發(fā)中心、匯頂科技上海研發(fā)中心落子上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園。

在2019WAIC世界人工智能大會(huì)閉幕式上，張江高科參與上海市人工智能重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目與合作簽約儀式。

紫光長(zhǎng)存（上海）集成電路有限公司與張江高科簽約的長(zhǎng)江存儲(chǔ)上海研發(fā)中心為自主研發(fā)存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目，屬芯片領(lǐng)域卡脖子關(guān)鍵產(chǎn)品，預(yù)計(jì)研發(fā)投入每年不低于1億元。

集成電路產(chǎn)業(yè)是未來(lái)人工智能產(chǎn)業(yè)的基石。具備集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試完整產(chǎn)業(yè)鏈的張江正在向全球產(chǎn)業(yè)鏈高端延伸。自2018年11月，上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園揭牌以來(lái)，已吸引一批產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目計(jì)劃或確認(rèn)落戶。上海肇觀電子科技有限公司就是其中之一，該公司致力于計(jì)算機(jī)視覺(jué)處理器芯片和人工智能應(yīng)用產(chǎn)品的創(chuàng)新和研發(fā)，并為機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、無(wú)人車、安防監(jiān)控等專業(yè)領(lǐng)域提供專業(yè)的解決方案。

上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園目前正在實(shí)施“千億百萬(wàn)”工程，目標(biāo)于2025年集聚千家企業(yè)、形成千億規(guī)模、匯聚十萬(wàn)人才、打造百萬(wàn)空間。張江高科負(fù)責(zé)人透露，今年上半年設(shè)計(jì)園落地項(xiàng)目12個(gè)，包括集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)的龍頭企業(yè)1家，細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè)3家，行業(yè)新興企業(yè)8家。目前正積極推進(jìn)國(guó)際知名企業(yè)的戰(zhàn)略落地。

2019年9月2日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”） 在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。作為中國(guó)首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

作為集成器件制造商(IDM – Integrated Device Manufacturer)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)致力于為全球客戶提供完整的存儲(chǔ)解決方案及服務(wù)，并計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一貫重視核心技術(shù)的自主研發(fā)和創(chuàng)新，Xtacking?技術(shù)的研發(fā)成功和64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。

今后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍將持續(xù)投入研發(fā)資源，以通過(guò)技術(shù)和產(chǎn)品的迭代，使每一代產(chǎn)品都具備強(qiáng)勁的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，更好地滿足全球客戶的需求。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示：“通過(guò)將Xtacking?架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展?！背绦l(wèi)華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來(lái)，閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力?！?/p>

8月26日，紫光集團(tuán)在第二屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上展出了最新的技術(shù)和產(chǎn)品，涵蓋存儲(chǔ)芯片、移動(dòng)芯片、安全芯片等集成電路新產(chǎn)品。

其中在芯片領(lǐng)域，紫光集團(tuán)展示了紫光展銳排名全球AI芯片榜單AI Benchmark榜首的虎賁T710。

在5G技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，紫光集團(tuán)展出了紫光展銳首款5G基帶芯片春藤510、以及春藤8908A和春藤5882S等物聯(lián)網(wǎng)明星芯片。

而在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片也首次公開展出。

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存晶圓（Source：紫光集團(tuán)）

此前有消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底可望將產(chǎn)能提升到月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也將在2020年生產(chǎn)128層堆棧3D閃存。

按照國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目規(guī)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。

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