據(jù)中新網(wǎng)8月3日報道， 國家存儲器基地項目(一期)二階段工程項目中低壓配電系統(tǒng)已經(jīng)受電成功，終端機(jī)臺的電力供給得到保證，芯片的目標(biāo)量產(chǎn)指日可待。

據(jù)了解，長江存儲科技有限責(zé)任公司是國家存儲器基地項目的實施主體。根據(jù)武漢市此前公布的2019年第一季度政府工作報告執(zhí)行情況顯示，武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)在存儲器基地方面取得了重大進(jìn)展，長江存儲器基地一期已實現(xiàn)量產(chǎn)，一季度產(chǎn)能達(dá)到5000片/月，辦公人數(shù)已達(dá)3000人。同時國家先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心也已完成法人主體注冊。

2019年7月3日，湖北省委副書記、省長王曉東在調(diào)研國家存儲器基地時指出，要優(yōu)化環(huán)境、全力支持，更大力度爭取國家支持并落實支持政策，完善服務(wù)機(jī)制，當(dāng)好項目“秘書”，解決實際難題，全力保障國家存儲器基地建設(shè)，為加快“一芯兩帶三區(qū)”區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局提供重要支撐。

據(jù)了解，國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其它若干配套建筑。

根據(jù)此前的資料顯示，長江存儲今年底前將正式量產(chǎn)64層3D NAND產(chǎn)品，明年將直攻128層以縮減與其他供應(yīng)商的差距。

國家存儲器基地的建立，以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，標(biāo)志著芯片自主創(chuàng)新之路邁出可靠而重要的一步。

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目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中。國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限。今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會積極擴(kuò)張。

來自集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心 (DRAMeXchange) 的消息稱，預(yù)計長江存儲到年底擴(kuò)張達(dá)至少60K/m的投片量，與其他競爭者動輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大，但預(yù)估NAND Flash市場價格仍會受到一定沖擊，進(jìn)而導(dǎo)致跌價趨勢持續(xù)。

在技術(shù)方面，為了盡快縮短與國外廠商的差距，長江存儲在閃存技術(shù)上采取了跳躍式發(fā)展，32層堆棧的只是小量生產(chǎn)，64層堆棧是今明兩年生產(chǎn)的主力，再下一代則會直接進(jìn)入128層堆棧，跳過了三星、美光、東芝、Intel等公司現(xiàn)在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預(yù)計在2020年才會推出128層堆棧的閃存。

在這個問題上，去年長江存儲推出了Xtacking結(jié)構(gòu)的3D NAND閃存技術(shù)，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。

此外，當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

性能上，長江存儲表示“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的?！?/p>

日前，在GSA Memory+高峰會議上，長江存儲聯(lián)席CTO湯強(qiáng)發(fā)表了《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》演講，表示為了應(yīng)對數(shù)據(jù)量增長對存儲器的挑戰(zhàn)，長江存儲將于今年8月正式推出Xtacking 2.0閃存技術(shù)，Xtacking依然會不斷進(jìn)化中。

4月29日，武漢市人民政府官網(wǎng)公布2019年第一季度政府工作報告執(zhí)行情況。

其中，武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)在存儲器基地、芯片產(chǎn)業(yè)集群等方面取得了一定進(jìn)展。

武漢市政府督查室透露，3月20日，武漢市長周先旺專題調(diào)研長江存儲器基地，3月22日周先旺市長帶隊赴京爭取工信部、國家集成電路基金、紫光集團(tuán)各方支持。

目前，長江存儲器基地一期已實現(xiàn)量產(chǎn)，一季度產(chǎn)能達(dá)到5000片/月，辦公人數(shù)已達(dá)3000人。倒班宿舍區(qū)也在推進(jìn)各項驗收工作，盡快投入使用。國家先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心已完成法人主體注冊。

培育芯產(chǎn)業(yè)集群方面：為存儲器基地配套的企業(yè)科磊半導(dǎo)體于3月份在未來科技城正式開業(yè)運(yùn)營；新思科技研發(fā)產(chǎn)業(yè)園已進(jìn)入內(nèi)部裝修階段。一季度已引進(jìn)總投資30億元的鼎龍控股半導(dǎo)體和顯示核心材料研發(fā)制造基地項目；海思光電子二期項目準(zhǔn)備開工；聯(lián)發(fā)科二期項目正在辦理開工手續(xù)。

4月26日，武漢市第二批科技成果轉(zhuǎn)化·中科院集成電路光谷專場活動在東湖高新區(qū)成功舉辦，中科院相關(guān)院所的14個集成電路成果項目簽約，其中包括與長江存儲合作的新型存儲器研發(fā)項目。

活動現(xiàn)場，來自中科院微電子研究所、計算機(jī)所、電子學(xué)所、深圳先進(jìn)技術(shù)研究院等12家科研院所的30余位集成電路領(lǐng)域?qū)＜椰F(xiàn)場發(fā)布100余項技術(shù)成果，包括新型存儲器件及集成、人臉識別、精密加工、紅外探測等。

其中，三維新型存儲器、自主可控SSD控制器芯片設(shè)計等7個項目上臺路演，新型存儲器研發(fā)、非制冷紅外探測器晶圓級封裝技術(shù)研發(fā)、高硬度高熔點第三代半導(dǎo)體典型材料碳化硅晶圓超快激光多焦點隱切技術(shù)及裝備產(chǎn)業(yè)等14個項目現(xiàn)場簽約，簽約金額超過10億元。

據(jù)了解，武漢市科技成果轉(zhuǎn)化局與中科院武漢分院于3月8日簽訂《關(guān)于推動中科院科技成果在漢轉(zhuǎn)化合作協(xié)議》，深入推動中科院科技創(chuàng)新資源與武漢高質(zhì)量發(fā)展的全面對接，此次集成電路專場正是落實協(xié)議的首場活動。

此次簽約金額最大的項目是由中科院院士劉明團(tuán)隊所主導(dǎo)的新型存儲器研發(fā)項目，簽約金額為2400萬元。資料顯示，劉明院士從事存儲研究多年，今年1月其領(lǐng)導(dǎo)的“新型存儲器件及集成研究集體”獲得了2018年度中國科學(xué)院杰出科技成就獎。

據(jù)介紹，這次劉明院士團(tuán)隊帶來的三維新型阻變存儲器項目，可在更小半導(dǎo)體器件尺寸條件下，探索多層堆疊的高密度存儲，把信息“堆”起來存?！叭绻f傳統(tǒng)存儲是大型室外停車場，那么3D存儲相當(dāng)于多高層停車城，把車疊起來停，可停車量級大幅躍升”。劉明院士團(tuán)隊成員現(xiàn)場解釋時打比方。

值得一提的是，該項目的簽約方分別為中科院微電子研究所和長江存儲科技有限公司。

眾所周知，長江存儲是我國三大存儲器基地之一，專注于3D NAND 閃存的設(shè)計與制造。2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

2018年8月，長江存儲宣布推出其突破性技術(shù)——XtackingTM，并成功將Xtacking TM技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。目前，長江存儲已量產(chǎn)32層3D NAND，按照規(guī)劃將于今年量產(chǎn)64層3D NAND。

長江日報等媒體報道稱，劉明院士的三維新型阻變存儲器項目，將助力國家存儲器基地對128層256Gb存儲器的研發(fā)。

據(jù)韓媒BusinessKorea最新報道，長江存儲 (YMTC) 首席技術(shù)官程衛(wèi)華，近日在接受媒體采訪時表示，公司將可能在今年年底前實現(xiàn)64層3D NAND閃存的大規(guī)模生產(chǎn)。

“我們有一個大規(guī)模生產(chǎn)計劃，”程衛(wèi)華在接受《日經(jīng)亞洲評論》采訪時表示。目前，在中國政府的支持下，長江存儲正在武漢建設(shè)一座價值240億美元的半導(dǎo)體工廠，用于大規(guī)模生產(chǎn)64層NAND閃存。

程衛(wèi)華在采訪中僅提到：“長江存儲的大規(guī)模生產(chǎn)NAND閃存的計劃進(jìn)展順利，沒有任何問題?！彼⑽凑叫紝⒃诮衲觊_始量產(chǎn)64層NAND閃存。不過，行業(yè)觀察人士表示，程衛(wèi)華已表示了當(dāng)公司實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)計劃后，今年將能夠生產(chǎn)64層NAND閃存。

目前來看，三星電子和SK海力士正在將90層工藝應(yīng)用于3D NAND閃存的生產(chǎn)。其實，SK海力士在去年完成研發(fā)后，已開始大規(guī)模生產(chǎn)96層NAND閃存。三星則計劃在今年下半年推出100層NAND閃存。如果長江存儲在年底前成功實現(xiàn)64層NAND量產(chǎn)，那么其與三星電子的技術(shù)差距將縮短至兩年左右。

此外，人們擔(dān)憂長江存儲進(jìn)入NAND閃存行業(yè)后的影響，因為NAND跌價的幅度通常來說會比DRAM更大。另一方面，部分專家仍對長江存儲的64層NAND量產(chǎn)保持懷疑態(tài)度，因為其未目前并未量產(chǎn)32層的產(chǎn)品。

不過總的來說，與DRAM領(lǐng)域不同，長江存儲似乎在NAND領(lǐng)域里正一切進(jìn)展順利。如果長江存儲今年下半年向市場供應(yīng)64層閃存，不排除中國政府可能會建議國產(chǎn)智能手機(jī)和PC制造商使用國產(chǎn)的NAND閃存。

如果真出現(xiàn)這種情況，那么將嚴(yán)重削弱NAND行業(yè)的利潤。這正是三星、東芝、美光、SK海力士等閃存制造商所擔(dān)憂的。

20日，湖北武漢市召開集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組第一次會議，市委副書記、市長周先旺出席會議強(qiáng)調(diào)，要提高政治站位，落實“一芯兩帶三區(qū)”戰(zhàn)略布局，全力提速國家存儲器基地建設(shè)，打造世界級光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。

長江存儲科技有限公司負(fù)責(zé)人介紹了技術(shù)研發(fā)和項目建設(shè)情況，東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)匯報了國家存儲器基地建設(shè)工作情況。周先旺指出，自國家存儲器基地落戶武漢以來，基地建設(shè)各項工作進(jìn)展順利，企業(yè)雷厲風(fēng)行的作風(fēng)令人敬佩，科技創(chuàng)新的成果令人敬佩，勇攀高峰的志氣令人敬佩。希望大家再接再厲，勇攀存儲科技高峰，打造“一芯驅(qū)動”的策源地。

對企業(yè)提出項目建設(shè)中的問題，周先旺現(xiàn)場逐一進(jìn)行分析研究，要求按照市場規(guī)律，發(fā)揮各方面主動能動性，抓住關(guān)鍵點和薄弱點，抓緊明確問題解決路徑，切實為企業(yè)發(fā)展和項目建設(shè)排憂解難，推動國家存儲器基地建設(shè)取得實質(zhì)性進(jìn)展。

為貫徹落實湖北省“一芯兩帶三區(qū)”戰(zhàn)略布局，加快推進(jìn)該省芯片產(chǎn)業(yè)跨越發(fā)展，1月9日湖北省經(jīng)信廳在武漢組織召開集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會。

該座談會由省經(jīng)信廳黨組成員陶紅兵，武漢市、襄陽市、宜昌市經(jīng)信委和東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會分管領(lǐng)導(dǎo)，華中科技大學(xué)武漢國際微電子學(xué)院、省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會以及芯片設(shè)計、制造、封裝等骨干企業(yè)負(fù)責(zé)人出席。

會議上，與會成員深入地分析了湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展所處的國際國內(nèi)環(huán)境以及面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，結(jié)合湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展實際情況，就如何更好地推動該省集成電路產(chǎn)業(yè)特色化定位、錯位化布局、差異化發(fā)展提出了相關(guān)意見和建議。

陶紅兵在會上強(qiáng)調(diào)，集成電路是國之重器，發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)已成為國家重大戰(zhàn)略。湖北省委、省政府審時度勢、科學(xué)謀劃、重點部署了以“一芯驅(qū)動、兩帶支撐、三區(qū)協(xié)同”為主要內(nèi)容的高質(zhì)量發(fā)展區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略布局，為湖北省高質(zhì)量發(fā)展指明了方向，經(jīng)信系統(tǒng)和廣大企業(yè)一定要緊緊抓住這個重要?dú)v史性機(jī)遇，找準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突破點和發(fā)力點，以建設(shè)武漢國家存儲器基地為契機(jī)，匯聚資源全力推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)。

據(jù)了解，湖北省“一芯驅(qū)動”，即打造產(chǎn)業(yè)之“芯”，推動制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展；“兩帶支撐”，就要以長江綠色經(jīng)濟(jì)和創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展帶、漢隨襄十制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展帶為紐帶，打造高質(zhì)量發(fā)展的產(chǎn)業(yè)走廊；“三區(qū)協(xié)同”，即推動鄂西綠色發(fā)展示范區(qū)、江漢平原振興發(fā)展示范區(qū)、鄂東轉(zhuǎn)型發(fā)展示范區(qū)競相發(fā)展，形成全省東、中、西三大片區(qū)高質(zhì)量發(fā)展的戰(zhàn)略縱深。

陶紅兵表示，會后省經(jīng)信廳將立即研究吸收大家提出的意見和建議，歸納整理報送省委省政府領(lǐng)導(dǎo)參閱。同時，圍繞集中產(chǎn)業(yè)、金融、土地、科技、人才等資源要素，研究出臺支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)政策，并組織匯編全省集成電路企業(yè)產(chǎn)品名錄，以利于各地開展招商引資，加強(qiáng)企業(yè)間的合作，形成完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，通過行業(yè)上下的共同努力，把湖北集成電路產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。

此前，湖北省市已相繼出臺了《武漢市人民政府關(guān)于進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》、《湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動方案》等政策。目前，湖北省以存儲器制造為核心，同時發(fā)展設(shè)計、封裝測試、材料、設(shè)備等集成電路產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，擁有長江存儲、臺基股份、烽火通信、光迅科技、臺基股份、興福電子、鼎龍股份等企業(yè)。

近日，湖北省將加快國家存儲器基地建設(shè)寫入新政，提出加快國家存儲器基地項目建設(shè)，重點推動芯片設(shè)計、封裝測試、材料加工等方面研發(fā)應(yīng)用。