6月6日，在長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式上，長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業(yè)務(wù)合作協(xié)議簽約。

Source：視頻截圖

據(jù)新民晚報報道，長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業(yè)務(wù)合作協(xié)議由長鑫存儲技術(shù)有限公司、蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約。

據(jù)官網(wǎng)介紹，長鑫存儲于2016年5月在安徽合肥成立，是一家一體化存儲器制造商，專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、人工智能、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。

此次與長鑫存儲簽約的公司，各自在集成電路領(lǐng)域均有著舉足輕重的地位。

其中，蘇州瑞紅是國內(nèi)知名的電子化學(xué)品公司，成立于1993年，是國內(nèi)著名的專業(yè)生產(chǎn)微電子化學(xué)品的工廠，公司主要生產(chǎn)光刻膠、配套試劑、高純化學(xué)試劑等黃光區(qū)濕化學(xué)品，應(yīng)用于FPD(LCD、TP、OLED、CF)、LED、IC等相關(guān)電子行業(yè)，與國內(nèi)大部分相關(guān)廠商保持業(yè)務(wù)聯(lián)系。

蘇州瑞紅先后承擔(dān)過國家“85公關(guān)”項目、科技部創(chuàng)新基金項目、“863”重大專項，國家級重大專項02項目等，擁有數(shù)項國家發(fā)明專利和高新技術(shù)產(chǎn)品，是江蘇省高新技術(shù)企業(yè)。

寧波江豐電子是國內(nèi)知名的電子靶材公司，成立于2008年，主營業(yè)務(wù)為高純?yōu)R射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品為各種高純?yōu)R射靶材，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等，公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體(主要為超大規(guī)模集成電路領(lǐng)域)、平板顯示器及太陽能電池等領(lǐng)域。

據(jù)悉，該公司產(chǎn)品已經(jīng)成功地在中芯國際、臺積電、英特爾、格芯、京東方、華星光電等世界主流的半導(dǎo)體、平板顯示等電子信息產(chǎn)業(yè)中批量銷售，并在國際領(lǐng)先的半導(dǎo)體FinFET（FF+）7nm技術(shù)得到量產(chǎn)應(yīng)用，打破了國外企業(yè)對靶材產(chǎn)業(yè)的長期壟斷，結(jié)束了我國依賴進口的歷史。

而上海新昇半導(dǎo)體則是重要的硅片供應(yīng)商，成立于2014年，注冊資本7.8億元，新昇半導(dǎo)體的成立翻開了中國大陸300mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)化的新篇章，將徹底打破我國大尺寸硅材料基本依賴進口的局面，使我國基本形成完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。帶動全行業(yè)整體提升產(chǎn)品能級，同時也將帶動國內(nèi)硅材料配套產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

根據(jù)官方介紹，新昇半導(dǎo)體第一期目標(biāo)致力于在我國研究、開發(fā)適用于40-28nm節(jié)點的300mm硅單晶生長、硅片加工、外延片制備、硅片分析檢測等硅片產(chǎn)業(yè)化成套量產(chǎn)工藝；建設(shè)300毫米半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)基地，實現(xiàn)300毫米半導(dǎo)體硅片的國產(chǎn)化，充分滿足我國極大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)對硅襯底基礎(chǔ)材料的迫切要求。

此次集成電路產(chǎn)業(yè)4家企業(yè)簽約，支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設(shè)，可謂是強強聯(lián)手，無疑將進一步提升長三角地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)競爭力。

一直以來，三大存儲巨頭長期壟斷全球內(nèi)存芯片市場，而由于缺乏核心技術(shù)，在國內(nèi)內(nèi)存條市場國外品牌也長時間占據(jù)了主導(dǎo)地位。因此，近年國內(nèi)對于內(nèi)存芯片和內(nèi)存條的國產(chǎn)化呼聲很高。

合肥長鑫存儲擁有12英寸晶圓廠，和動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)能力，是國內(nèi)首屈一指的一體化存儲器制造商，擔(dān)負(fù)著國內(nèi)對內(nèi)存芯片的希望。

在今年2月份，長鑫發(fā)布了首顆國產(chǎn)的1X nm級別的DDR4內(nèi)存芯片。長鑫DDR4內(nèi)存芯片，具有更快的數(shù)據(jù)傳輸速率、更穩(wěn)定的性能和更低的能耗，是匹配現(xiàn)有市場需求，能夠應(yīng)用多個產(chǎn)品領(lǐng)域的國產(chǎn)內(nèi)存芯片。

而在近日，嘉合勁威旗下光威推出了首款純國產(chǎn)內(nèi)存條——光威弈PRO系列內(nèi)存條。該內(nèi)存條正是采用了國產(chǎn)真芯長鑫DDR4內(nèi)存芯片。? ? ? ? ? ? ?

根據(jù)玩家測評顯示，光威弈PRO 8G DDR4，不僅兼容性好，而且可玩性高。目前已有一些玩家超頻4000MHZ以上且正在嘗試更高頻率，也有一些玩家嘗試在1.2V電壓的情況下超較高的頻率，等等玩法。這些都充分的表明長鑫顆粒的體質(zhì)非常好，已經(jīng)媲美三大廠的中高等級的內(nèi)存顆粒。? ? ? ? ? ?

國產(chǎn)真芯長鑫內(nèi)存顆粒性能到底如何?光威弈PRO系列純國產(chǎn)內(nèi)存條到底是怎樣的國貨?產(chǎn)品的好與壞，交給市場去評判。5月14日，光威弈PRO內(nèi)存條正式登陸京東，一見分曉。

最后，國外三大巨頭在DRAM生產(chǎn)制程上已經(jīng)實現(xiàn)1Y，1Z工藝了，國外大廠商都在研究DDR5了。相對于它們來說，長鑫的1X工藝DDR4 DRAM，光威純國產(chǎn)DDR4，只是后浪。但是對于我們國內(nèi)來說，國產(chǎn)內(nèi)存如此巨大的技術(shù)進步，是值得肯定的，振奮人心的。長鑫內(nèi)存芯片的出現(xiàn)，打破了三大巨頭壟斷內(nèi)存芯片的局面，是國產(chǎn)內(nèi)存芯片從無到有的階段性勝利，開創(chuàng)了國產(chǎn)內(nèi)存的新局面。我們相信在不久的將來，中國也將擁有1Znm DRAM技術(shù)，在國產(chǎn)內(nèi)存芯片的推動下中國也將擁有一些像金士頓、海盜船那樣的全球一線品牌，中國也能趕上國際大廠的研發(fā)進度造出自己的DDR5。

近日，長鑫存儲技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)制造商奇夢達(dá)開發(fā)的DRAM專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。

依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲從Polaris獲得大量DRAM技術(shù)專利的實施許可。這些專利來自Polaris于2015年6月從奇夢達(dá)母公司英飛凌購得的專利組合。

依據(jù)獨立的專利采購協(xié)議，長鑫存儲從Polaris購得相當(dāng)數(shù)量的DRAM專利。

此專利許可和專利采購協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款在此不予披露。

“長鑫存儲將繼續(xù)通過自主研發(fā)以及與WiLAN等國際伙伴的合作，不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價值知識產(chǎn)權(quán)方面的積累?！遍L鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示?！皟煞輩f(xié)議標(biāo)志著，在完善知識產(chǎn)權(quán)組合、進一步強化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運營方面，長鑫存儲采取了新舉措?！?/p>

“長鑫存儲是中國DRAM產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)者。很高興看到長鑫存儲認(rèn)可Polaris所持DRAM專利的價值。這兩份協(xié)議表明，長鑫存儲高度重視知識產(chǎn)權(quán)，致力于持續(xù)投入研發(fā)。我們相信，由此獲得的權(quán)益將使長鑫存儲在業(yè)內(nèi)擁有競爭優(yōu)勢，助力長鑫存儲持續(xù)開發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)。”WiLAN總裁兼首席執(zhí)行官Michael Vladescu表示?！芭c長鑫存儲的協(xié)議將推動WiLAN在中國等主要新興市場進一步開發(fā)業(yè)務(wù)機會，從而繼續(xù)為母公司Quarterhill和投資者創(chuàng)造更多價值。”

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，八月DRAM合約價與前月持平，DDR4 8GB均價來到25.5美元，而九月合約價格雖然仍在議定當(dāng)中，但繼續(xù)持平的可能性高。

從市場面來觀察，隨著日本政府批準(zhǔn)關(guān)鍵半導(dǎo)體原料出口，七月開始的日韓貿(mào)易問題已正式落幕。但期間OEM客戶受不確定因素與預(yù)期心理影響，已紛紛拉高備貨庫存，使得DRAM原廠的高庫存水位逐步下降，并往正常水位邁進。

此外，第三季適逢傳統(tǒng)旺季，再加上美國將在12月初開始對部分中國出口的電子產(chǎn)品課征關(guān)稅，也產(chǎn)生提前出貨的效應(yīng)，需求力道超過預(yù)期，這讓DRAM原廠在價格議定時態(tài)度更為堅定，亦讓整體第三季價格扭轉(zhuǎn)原先的跌勢，轉(zhuǎn)為持平。

原廠調(diào)整資本支出以穩(wěn)固獲利，明年DRAM產(chǎn)出增幅創(chuàng)十年新低

展望2020年，由于三大DRAM原廠仍以獲利為導(dǎo)向，資本支出預(yù)估將較今年減少至少10%，明年的產(chǎn)出年成長亦是近十年來新低，僅12.5%，為價格反彈奠定一定的基礎(chǔ)。

集邦咨詢調(diào)查顯示，DRAM原廠的擴廠計劃轉(zhuǎn)趨保守，如三星的平澤二廠已經(jīng)接近完工，但最快要到2020年第二季才會進入商轉(zhuǎn)，且新增的設(shè)備僅是支持未來1Znm制程的轉(zhuǎn)進，整體投片量將與今年大致相同。

SK海力士最新M16工廠最快明年下半年完工，產(chǎn)出增加最快要等到2021年，加上舊工廠M10逐步轉(zhuǎn)做代工，預(yù)估明年整體DRAM投片量將不增反減。

美光今年在廣島廠旁增設(shè)的F棟工廠，也是為了支援1Znm制程轉(zhuǎn)進，整體廣島廠產(chǎn)能并無增加。而臺灣美光內(nèi)存目前正在興建的A3新廠，初期也是支援1Znm制程轉(zhuǎn)進，短期增產(chǎn)機會并不大。但A3廠基地面積不小，未來還是有新增產(chǎn)能的可能。

明年中國DRAM投片占全球不到3%，對產(chǎn)業(yè)長期影響仍待觀察

中國目前有兩個DRAM生產(chǎn)基地，規(guī)模較大的合肥長鑫存儲(CXMT)已經(jīng)初步投產(chǎn)，初期產(chǎn)品以DDR4 8Gb為主，明年上半年將會有LPDDR4 8Gb的產(chǎn)品，持續(xù)往量產(chǎn)邁進，但預(yù)計要到2021年，產(chǎn)能才有機會達(dá)到滿載的100K甚至以上。

福建晉華(JHICC)雖然受到美國禁令影響，美系設(shè)備無法有工程人員駐廠維護，但內(nèi)部仍嘗試自行將參數(shù)調(diào)整至最佳化，預(yù)計明年投片有10K之內(nèi)的水平。

因此集邦咨詢預(yù)估，2020年中國DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%，自主生產(chǎn)成果仍有限。展望未來，中國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍需克服良率、機臺建置以及IP相關(guān)限制等挑戰(zhàn)，對整體DRAM供給產(chǎn)生明顯沖擊的確切時間點，仍需持續(xù)觀察。

展望2020年，全球存儲市場產(chǎn)能、價格又將出現(xiàn)哪些變化？存儲產(chǎn)業(yè)又將迎來哪些新的機遇與挑戰(zhàn)？

為了更快更好地推動存儲市場發(fā)展，增強業(yè)界對2020年存儲產(chǎn)業(yè)的深入了解，促進產(chǎn)業(yè)上下游交流與互動，由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”將于2019年11月27日在深圳舉辦。

9月21日，在2019世界制造業(yè)大會上，合肥市政府與長鑫存儲技術(shù)有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司等舉行了合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約儀式，該項目主要圍繞長鑫存儲項目布局上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套，提供生活服務(wù)設(shè)施，致力于打造產(chǎn)城融合國家存儲產(chǎn)業(yè)基地、世界一流的存儲產(chǎn)業(yè)集群。

據(jù)了解，合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)，占地面積月15.2平方公里，由長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園和合肥空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。

其中長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資1500億元，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目；空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園總投資超過200億元，位于長鑫存儲項目以西；合肥空港國際小鎮(zhèn)總投資約500億元，規(guī)劃面積9.2平方公里，總建筑面積420萬平方米，位于長鑫存儲項目以北。

值得注意的是，據(jù)新華網(wǎng)報道，就在簽約的前一天（9月20日），長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目正式宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。而長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明也表示，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

合肥長鑫集成電路制造基地全部建成后，預(yù)計可形成產(chǎn)值規(guī)模超2000億元，集聚上下游龍頭企業(yè)超200家，吸引各類人才超20萬人。

安徽日報指出，長鑫晶圓項目由合肥市產(chǎn)業(yè)投資(控股)集團有限公司和北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司合作投資，長鑫存儲負(fù)責(zé)管理和運營，是中國大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運營團隊的DRAM項目。該項目建設(shè)3座12英寸DRAM存儲器晶圓工廠，打造研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的存儲器芯片國產(chǎn)化生產(chǎn)基地，預(yù)計三期滿產(chǎn)后，產(chǎn)能達(dá)每月36萬片。

20日在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。

該項目以打造設(shè)計和制造一體化的內(nèi)存芯片國產(chǎn)化制造基地為目標(biāo)，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產(chǎn)投與細(xì)分存儲器國產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目。目前，項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。

國家重大專項01專項專家組組長、清華大學(xué)微電子所所長魏少軍，國家重大專項01專項專家組專家、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)特聘教授陳軍寧等業(yè)內(nèi)權(quán)威專家表示，這標(biāo)志我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產(chǎn)能。

DRAM即動態(tài)隨機存取存儲器，是芯片產(chǎn)業(yè)中產(chǎn)值占比最大的單一品類。2018年，中國芯片進口額超過3000億美元，這個單一品類就占到了其中的兩成以上。其作為最常見的內(nèi)存芯片，被喻為連接中央處理器的“數(shù)據(jù)高速公路”，廣泛應(yīng)用于高性能計算、工業(yè)設(shè)備、消費電子等電子產(chǎn)品之中。

據(jù)魏少軍等專家介紹，我國雖是該芯片的最大應(yīng)用市場，此前卻始終未能出現(xiàn)實現(xiàn)量產(chǎn)的國產(chǎn)項目，沒有掌握自主產(chǎn)能。

長鑫存儲投產(chǎn)的產(chǎn)品是現(xiàn)在全球市場上的主流產(chǎn)品。“投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)?！贝髸F(xiàn)場，長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明手持一顆指甲蓋大小的芯片說。

昨日，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實現(xiàn)DRAM零的突破。

DRAM技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀
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平爾萱博士表示，我們現(xiàn)在所處的數(shù)據(jù)社會是在IC的支撐下建立起來的，其中馮諾依曼架構(gòu)則是這些數(shù)據(jù)計算的基礎(chǔ)。這個架構(gòu)的一個特點是數(shù)據(jù)存儲在存儲器DRAM中，CPU以一定的規(guī)則獲取存儲器中的數(shù)據(jù)，并進行運算，然后將結(jié)果通過外圍設(shè)備，比如顯示器呈現(xiàn)出來。

“隨著數(shù)據(jù)量的增加，處理數(shù)據(jù)的能力要加強，因此需要強大的CPU，同時存儲器的數(shù)據(jù)容量也要增強，并且讀寫速度也要增加。因此近來對DRAM的要求也必須持續(xù)提高。DRAM的前景是十分看好”，平爾萱博士強調(diào)。IBS首席執(zhí)行官 Handel Jones日前在上海出席一場技術(shù)論壇時也表示，DRAM將于2020年迎來復(fù)蘇，增長9.87%，這也從側(cè)面印證了平博士的觀點。

平博士介紹，所謂DRAM，是基于電容存儲電荷為原理的緊密鋪排的陣列。這個陣列通過一系列外圍電路管理從而讀寫里面存儲的數(shù)據(jù)。自上世紀(jì)60年代發(fā)明以來，DRAM容量和尺寸獲得了飛速的發(fā)展。與過往相比，今天，一個面積小于指甲蓋的DRAM里可容納80億存儲單元，按照8個存儲單元存儲一個字母，那就意味著一個芯片可能存8億個字母。并且這些數(shù)據(jù)可以以6Gb/sec 的速度，在幾秒內(nèi)完成讀寫。而在這些改變背后，是DRAM技術(shù)多次“進化”的結(jié)果。

從平博士的介紹我們得知，DRAM技術(shù)在發(fā)明之后的幾十年里，經(jīng)歷了從早期簡單的平面結(jié)構(gòu)，變化成為了向空間爭取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構(gòu)。這主要與容量的提升需求和制造方法的局限性有關(guān)。

平博士解釋道，早期的DRAM芯片，由于線寬比較大，因此有足夠的平面面積可制造出足夠的電容值。然而隨著線寬的減少，表面積逐漸減少，過往的技術(shù)不能滿足所需電容值，因此DRAM開始走向空間結(jié)構(gòu)，爭取更多的表面積，演變出向上和向下兩種技術(shù)發(fā)展路線，并且共存了接近三十年。而最終以堆疊式架構(gòu)勝出。

“造成這個結(jié)局的一個重要原因是溝槽式架構(gòu)面臨幾個技術(shù)難點：其一是溝槽式只限于單面表面積，堆疊式可用雙面表面積，溝槽式架構(gòu)很快就達(dá)到了刻蝕深寬比極限；其二是高介質(zhì)材料的應(yīng)用受到溝槽式中高溫制程的限制。傳統(tǒng)材料SiO ，Al2O3可以在高溫下有低漏電的特性，因此比較適合溝槽式架構(gòu)，但像HfO，ZrO這些高介解常數(shù)材料漏電在高于600℃的溫度下增加許多，不能用于溝槽式架構(gòu)中需高溫處理的三極管制造中?！?/p>

平博士還提到，在DRAM技術(shù)的演進過程中，曾經(jīng)的DRAM巨頭奇夢達(dá)提出的埋入式電柵三極管概念也給整個產(chǎn)業(yè)帶來巨大的貢獻(xiàn)。他表示，這個技術(shù)同樣是利用空間，將三極管的性能提升，這種提升隨著線寬的減少越來越被需要。而近代DRAM產(chǎn)品都沿用這個概念。

“回看堆疊式架構(gòu)的發(fā)展歷史以及展望將來的發(fā)展趨勢就可以發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在DRAM沿用密集排布電容及埋入式字線三極管，乃至今后3-5代DRAM”，平博士說。

DRAM未來的發(fā)展探索

在談到DRAM技術(shù)未來的發(fā)展時，平博士首先強調(diào)，DRAM是有它的極限的。我們通過改進，可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能，就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個選擇，這在未來幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展，滿足大數(shù)據(jù)時代的需求。

首先在EUV方面，平博士指出，EUV是繼193納米 Immersion Scanner后又一個光刻機革命。它可滿足工藝精準(zhǔn)度在持續(xù)微縮中不斷增加的要求。而DRAM又是一個十分密集堆疊的設(shè)計，且對信號要求十分嚴(yán)格，任何小的偏離都會對信號造成損失。那就意味著EUV技術(shù)的出現(xiàn)對DRAM技術(shù)的延展有很大的作用：如將線寬進一步減少以增加存儲密度。

“EUV主要是針對陣列。但外圍線路的增強及微縮也是近來DRAM技術(shù)發(fā)展的另一個機會”，平博士補充說。

他表示，在DRAM幾乎一半的外圍線路中，有一半是邏輯線路用的。在過往，這部分的CMOS一直都是用傳統(tǒng)的SiON/Poly Si Gate堆棧的。但這個堆棧在32/28納米階段碰到了瓶頸：一方面是SiON厚度已到極限，不能再薄了；另一方面，Poly Si作為半導(dǎo)體材料，導(dǎo)電率也不足了，出現(xiàn)了嚴(yán)重的元器件性能不足。如在高端的圖顯DDR中，芯片性能速度明顯不足，這就需要引進更先進的HKMG CMOS提供更好性能。隨著DDR5的到來，HKMG CMOS的使用會越來越現(xiàn)實。

“由于DRAM制程中有電容這一段，因此HGMG制程的選擇需與電容制程匹配。所謂的Gate First制程就可被選擇為DRAM邏輯線路CMOS制程”，平博士說。他進一步表示，通過引入HKMG，不但可以推動存儲密度進一步提高，接口速度也同步獲得了提升。

“為了繼續(xù)發(fā)展DRAM技術(shù)，我們還需要在新材料、新架構(gòu)上進行更多探索，并與相關(guān)企業(yè)進行合作”，平博士說。他最后指出，回顧過去幾十年的DRAM發(fā)展，證明IDM是發(fā)展DRAM的必然選擇，而這正是長鑫存儲從一開始建立就堅持的。

從平博士的介紹中我們可以看到，基于授權(quán)所得的奇夢達(dá)相關(guān)技術(shù)和從全球招攬的極具豐富經(jīng)驗的人才，長鑫存儲借助先進的機臺已經(jīng)把原本奇夢達(dá)的46納米 DRAM平穩(wěn)推進到了10納米級別。公司目前也已然開始了在EUV、HKMG和GAA等目前還沒有在DRAM上實現(xiàn)的新技術(shù)探索。

正如前面所述，這些技術(shù)將會給DRAM帶來一個巨大的提升。這也會讓長鑫存儲有機會從一個技術(shù)追隨者轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€技術(shù)并駕齊驅(qū)、甚至全球領(lǐng)先的中國DRAM玩家