3月10日，陜西省發(fā)改委正式發(fā)布2020年省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃，確定實(shí)施600個(gè)省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，其中續(xù)建項(xiàng)目312個(gè)、新開工項(xiàng)目188個(gè)、前期項(xiàng)目100個(gè)，項(xiàng)目總投資3.4萬億元。

根據(jù)陜西省2020年省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃名單，三星12英寸閃存芯片一階段（二期）、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地（一期）、華天集成電路封裝及測試技術(shù)改造等入列續(xù)建項(xiàng)目，三星（西安）12英寸閃存芯片（二期）二階段入列新開工項(xiàng)目，咸陽8-12吋晶圓生產(chǎn)線入列前期項(xiàng)目。

媒體報(bào)道稱，2012年三星落戶西安，一期項(xiàng)目已于2014年建成投產(chǎn)，二期項(xiàng)目分為兩個(gè)階段，其中第一階段于2018年新建，預(yù)計(jì)將在今年3月竣工投產(chǎn)，3月10日消息顯示第一階段項(xiàng)目產(chǎn)品下線上市；第二階段于2019年12月正式啟動(dòng)，預(yù)計(jì)將于2021年下半年竣工。

12月18日，2019西安集成電路產(chǎn)業(yè)峰會(huì)舉行。會(huì)上，國微集團(tuán)(深圳)有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心、西安莫貝克半導(dǎo)體科技有限公司等進(jìn)行簽約，同時(shí)紫光展銳絲路研究所和國微西安研發(fā)中心揭牌。

眾所周知，集成電路產(chǎn)業(yè)是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是現(xiàn)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)。而西安市作為我國集成電路教育科研重鎮(zhèn)，以及重要的半導(dǎo)體人才培養(yǎng)基地和人才輸出基地。已經(jīng)成功引進(jìn)了三星、應(yīng)用材料、美光、中興、華為等一大批知名的企業(yè)入駐西安，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步完善，工藝水平不斷提升，形成了輻射帶動(dòng)效應(yīng)，帶動(dòng)了集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

值得注意的是，就在12月10日，西安三星電子閃存芯片項(xiàng)目再次取得重要突破，二期第二階段80億美元投資正式啟動(dòng)。二期項(xiàng)目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元，解決上千人就業(yè)，并帶動(dòng)一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

西安市副市長強(qiáng)曉安指出，近年來，西安大力發(fā)展集成電路及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)，從2012年至今，西安集成電路產(chǎn)業(yè)復(fù)合增長率超過30%，產(chǎn)業(yè)規(guī)模排名位居全國第5，已成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要增長極。

強(qiáng)曉安還表示，目前西安市擁有集成電路企業(yè)及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)200余家，產(chǎn)品涵蓋通信、物聯(lián)網(wǎng)、衛(wèi)星導(dǎo)航、消費(fèi)類電子等眾多領(lǐng)域，已形成制造業(yè)快速發(fā)展、設(shè)計(jì)業(yè)與封裝測試業(yè)協(xié)調(diào)聯(lián)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。

第三季度全球NAND閃存市場明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲(chǔ)）、美光等主要存儲(chǔ)廠商的出貨量均有較大幅度增長。在此情況下，各大廠商之間加緊了競爭卡位，以期在新一輪市場競爭中占據(jù)有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭推進(jìn)到了新的層級(jí)。

市場回暖，閃存業(yè)現(xiàn)10.2%正增長

受益于年底購物季到來，消費(fèi)電子終端廠商提前備貨，加上高企的庫存被逐漸消化，NAND閃存持續(xù)一年有余的市場寒冬終于在第三季度開始轉(zhuǎn)暖。根據(jù)集邦咨詢的調(diào)查，2019年第三季度NAND閃存出貨量增長，增長率接近15%，營業(yè)收入平均增長10.2%，達(dá)到約119億美元。

幾家存儲(chǔ)大廠營業(yè)狀況也表現(xiàn)良好。三星第三季度出貨量比第二季度增長10%，由于庫存水位表現(xiàn)平穩(wěn)，因此產(chǎn)品銷售單價(jià)跌幅也收斂到5%，營收達(dá)到39.87億美元，比第二季度增長5.9%。SK海力士由于第二季度出貨大幅增長40%，第三季度出貨量略有放緩，環(huán)比減少了1%，但是因?yàn)殇N售價(jià)格穩(wěn)定，因此整體營收也比較穩(wěn)定，達(dá)11.46億美元，環(huán)比增長3.5%。至于鎧俠雖然此前的四日市工廠斷電事故余波仍在，但在整個(gè)大市轉(zhuǎn)暖的影響下，營收達(dá)到22.27億美元，季增長14.3%。西部數(shù)據(jù)第三季度出貨量環(huán)比增長9%，營收達(dá)16.32億美元，環(huán)比增長8.4%。美光第三季度收入增長4.7%，達(dá)15.3億美元。

總之，在年底銷售旺季的推動(dòng)下，加上對庫存的消化，NAND市場已經(jīng)逐漸回暖，整體市況正在向好的方向發(fā)展。集邦咨詢在對第四季度展望中表示，旺季市場需求回溫將有助于各供應(yīng)商獲利表現(xiàn)的改善。

技術(shù)之爭升級(jí)，3D NAND上看128層

技術(shù)升級(jí)一向是存儲(chǔ)芯片公司間競爭的主要策略。隨著存儲(chǔ)市場由弱轉(zhuǎn)強(qiáng)，處于新舊轉(zhuǎn)換的節(jié)點(diǎn)，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度，以圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替克服危機(jī)，并在新一輪市場競爭中占據(jù)有利地位。目前來看，NAND閃存的技術(shù)工藝之爭已經(jīng)推進(jìn)到了128層。

10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構(gòu)，采用128層工藝，預(yù)計(jì)2020年開始商用。在“Mircon Insight2019”技術(shù)大會(huì)上，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將大大降低產(chǎn)品每比特成本。

SK海力士也在11月宣布開始出樣128層3D NAND閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND產(chǎn)品。

相比而言，三星的動(dòng)作更快。今年8月，三星即宣布推出首個(gè)100+層的新一代3D NAND閃存。 據(jù)三星介紹，該產(chǎn)品采用“通道孔蝕刻”技術(shù)，使前代96層的堆疊架構(gòu)增加了約40%的存儲(chǔ)單元。同時(shí)，三星還優(yōu)化了電路設(shè)計(jì)，使其可實(shí)現(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫入操作的數(shù)據(jù)傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。

從進(jìn)度表來看，128層3D NAND需要到明年才能大量進(jìn)入企業(yè)存儲(chǔ)市場，逐漸成為主流。但是從此亦可看出，存儲(chǔ)廠商間的新一輪技術(shù)升級(jí)之爭亦將變得更加激烈。半導(dǎo)體專家莫大康指出，存儲(chǔ)芯片具有高度標(biāo)準(zhǔn)化的特性，且品種單一，較難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。這導(dǎo)致各廠商需要在工藝技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模上比拼競爭力。因此，每當(dāng)市場格局出現(xiàn)新舊轉(zhuǎn)換時(shí)，廠商往往打出技術(shù)牌，以期通過新舊世代產(chǎn)品的改變，提高產(chǎn)品密度，降低制造成本，取得競爭優(yōu)勢。

追趕國際水平，量產(chǎn)能力是關(guān)鍵

相比國際先進(jìn)水平，中國存儲(chǔ)業(yè)有多大差距呢？今年9月，長江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)64層3D NAND。長江存儲(chǔ)表示，未來將擴(kuò)大產(chǎn)量，但并沒有發(fā)布具體擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。有業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，到明年年底晶圓產(chǎn)量將達(dá)到每月6萬片的規(guī)模，約可占全球產(chǎn)量的5%。

在市場方面，紫光旗下的新華三集團(tuán)表示將引入紫光存儲(chǔ)SSD的產(chǎn)品，應(yīng)用于其企業(yè)級(jí)服務(wù)器產(chǎn)品中。另有消息人士稱，長江存儲(chǔ)的NAND閃存已接到其他部分知名企業(yè)的訂單，如聯(lián)想計(jì)劃在其電腦中使用NAND閃存芯片。

盡管有所進(jìn)展，但中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然弱小。莫大康認(rèn)為，表面來看，國內(nèi)企業(yè)64層3D NAND與國際大廠128層僅相差兩代。實(shí)際的差距卻并不止此?？剂恳蛩夭粌H包括技術(shù)的開發(fā)、量產(chǎn)工藝的精進(jìn)、成品率的提升，也包括市場占有率的擴(kuò)大等。2020年年底產(chǎn)能能否達(dá)到量產(chǎn)6萬片/月十分關(guān)鍵，是否能在產(chǎn)能提升的同時(shí)提高成品率，產(chǎn)能爬坡速度對企業(yè)來說是一個(gè)痛點(diǎn)。

技術(shù)上從2D到3D的改變，對中國存儲(chǔ)業(yè)來說是一個(gè)難得的發(fā)展機(jī)遇，但是如何抓住這個(gè)機(jī)遇仍具挑戰(zhàn)。國外資深半導(dǎo)體分析師Mark Li表示：“未來12個(gè)月將是關(guān)鍵時(shí)期。”

第三季度全球NAND閃存市場明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲(chǔ)）、美光等主要存儲(chǔ)廠商的出貨量均有較大幅度增長。在此情況下，各大廠商之間加緊了競爭卡位，以期在新一輪市場競爭中占據(jù)有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭推進(jìn)到了新的層級(jí)。

市場回暖，閃存業(yè)現(xiàn)10.2%正增長

受益于年底購物季到來，消費(fèi)電子終端廠商提前備貨，加上高企的庫存被逐漸消化，NAND閃存持續(xù)一年有余的市場寒冬終于在第三季度開始轉(zhuǎn)暖。根據(jù)集邦咨詢的調(diào)查，2019年第三季度NAND閃存出貨量增長，增長率接近15%，營業(yè)收入平均增長10.2%，達(dá)到約119億美元。

幾家存儲(chǔ)大廠營業(yè)狀況也表現(xiàn)良好。三星第三季度出貨量比第二季度增長10%，由于庫存水位表現(xiàn)平穩(wěn)，因此產(chǎn)品銷售單價(jià)跌幅也收斂到5%，營收達(dá)到39.87億美元，比第二季度增長5.9%。SK海力士由于第二季度出貨大幅增長40%，第三季度出貨量略有放緩，環(huán)比減少了1%，但是因?yàn)殇N售價(jià)格穩(wěn)定，因此整體營收也比較穩(wěn)定，達(dá)11.46億美元，環(huán)比增長3.5%。至于鎧俠雖然此前的四日市工廠斷電事故余波仍在，但在整個(gè)大市轉(zhuǎn)暖的影響下，營收達(dá)到22.27億美元，季增長14.3%。西部數(shù)據(jù)第三季度出貨量環(huán)比增長9%，營收達(dá)16.32億美元，環(huán)比增長8.4%。美光第三季度收入增長4.7%，達(dá)15.3億美元。

總之，在年底銷售旺季的推動(dòng)下，加上對庫存的消化，NAND市場已經(jīng)逐漸回暖，整體市況正在向好的方向發(fā)展。集邦咨詢在對第四季度展望中表示，旺季市場需求回溫將有助于各供應(yīng)商獲利表現(xiàn)的改善。

技術(shù)之爭升級(jí)，3D NAND上看128層

技術(shù)升級(jí)一向是存儲(chǔ)芯片公司間競爭的主要策略。隨著存儲(chǔ)市場由弱轉(zhuǎn)強(qiáng)，處于新舊轉(zhuǎn)換的節(jié)點(diǎn)，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度，以圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替克服危機(jī)，并在新一輪市場競爭中占據(jù)有利地位。目前來看，NAND閃存的技術(shù)工藝之爭已經(jīng)推進(jìn)到了128層。

10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構(gòu)，采用128層工藝，預(yù)計(jì)2020年開始商用。在“Mircon Insight2019”技術(shù)大會(huì)上，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將大大降低產(chǎn)品每比特成本。

SK海力士也在11月宣布開始出樣128層3D NAND閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND產(chǎn)品。

相比而言，三星的動(dòng)作更快。今年8月，三星即宣布推出首個(gè)100+層的新一代3D NAND閃存。 據(jù)三星介紹，該產(chǎn)品采用“通道孔蝕刻”技術(shù)，使前代96層的堆疊架構(gòu)增加了約40%的存儲(chǔ)單元。同時(shí)，三星還優(yōu)化了電路設(shè)計(jì)，使其可實(shí)現(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫入操作的數(shù)據(jù)傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。

從進(jìn)度表來看，128層3D NAND需要到明年才能大量進(jìn)入企業(yè)存儲(chǔ)市場，逐漸成為主流。但是從此亦可看出，存儲(chǔ)廠商間的新一輪技術(shù)升級(jí)之爭亦將變得更加激烈。半導(dǎo)體專家莫大康指出，存儲(chǔ)芯片具有高度標(biāo)準(zhǔn)化的特性，且品種單一，較難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。這導(dǎo)致各廠商需要在工藝技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模上比拼競爭力。因此，每當(dāng)市場格局出現(xiàn)新舊轉(zhuǎn)換時(shí)，廠商往往打出技術(shù)牌，以期通過新舊世代產(chǎn)品的改變，提高產(chǎn)品密度，降低制造成本，取得競爭優(yōu)勢。

追趕國際水平，量產(chǎn)能力是關(guān)鍵

相比國際先進(jìn)水平，中國存儲(chǔ)業(yè)有多大差距呢？今年9月，長江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)64層3D NAND。長江存儲(chǔ)表示，未來將擴(kuò)大產(chǎn)量，但并沒有發(fā)布具體擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。有業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，到明年年底晶圓產(chǎn)量將達(dá)到每月6萬片的規(guī)模，約可占全球產(chǎn)量的5%。

在市場方面，紫光旗下的新華三集團(tuán)表示將引入紫光存儲(chǔ)SSD的產(chǎn)品，應(yīng)用于其企業(yè)級(jí)服務(wù)器產(chǎn)品中。另有消息人士稱，長江存儲(chǔ)的NAND閃存已接到其他部分知名企業(yè)的訂單，如聯(lián)想計(jì)劃在其電腦中使用NAND閃存芯片。

盡管有所進(jìn)展，但中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然弱小。莫大康認(rèn)為，表面來看，國內(nèi)企業(yè)64層3D NAND與國際大廠128層僅相差兩代。實(shí)際的差距卻并不止此。考量因素不僅包括技術(shù)的開發(fā)、量產(chǎn)工藝的精進(jìn)、成品率的提升，也包括市場占有率的擴(kuò)大等。2020年年底產(chǎn)能能否達(dá)到量產(chǎn)6萬片/月十分關(guān)鍵，是否能在產(chǎn)能提升的同時(shí)提高成品率，產(chǎn)能爬坡速度對企業(yè)來說是一個(gè)痛點(diǎn)。

技術(shù)上從2D到3D的改變，對中國存儲(chǔ)業(yè)來說是一個(gè)難得的發(fā)展機(jī)遇，但是如何抓住這個(gè)機(jī)遇仍具挑戰(zhàn)。國外資深半導(dǎo)體分析師Mark Li表示：“未來12個(gè)月將是關(guān)鍵時(shí)期?！?/p>

8月26日，紫光集團(tuán)在第二屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上展出了最新的技術(shù)和產(chǎn)品，涵蓋存儲(chǔ)芯片、移動(dòng)芯片、安全芯片等集成電路新產(chǎn)品。

其中在芯片領(lǐng)域，紫光集團(tuán)展示了紫光展銳排名全球AI芯片榜單AI Benchmark榜首的虎賁T710。

在5G技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，紫光集團(tuán)展出了紫光展銳首款5G基帶芯片春藤510、以及春藤8908A和春藤5882S等物聯(lián)網(wǎng)明星芯片。

而在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，紫光旗下長江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片也首次公開展出。

紫光旗下長江存儲(chǔ)64層三維閃存晶圓（Source：紫光集團(tuán)）

此前有消息顯示，長江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底可望將產(chǎn)能提升到月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。此外，長江存儲(chǔ)也將在2020年生產(chǎn)128層堆棧3D閃存。

按照國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目規(guī)劃，長江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。

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日前，深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡稱“江波龍”）與閃存控制芯片廠商深圳市得一微電子有限責(zé)任公司（以下簡稱“得一微”）正式達(dá)成全面戰(zhàn)略合作。雙方將以全產(chǎn)品線主控合作為契機(jī)強(qiáng)化協(xié)作，通過資源共享和優(yōu)勢互補(bǔ)，深入控制芯片定制、提升產(chǎn)品品質(zhì)，積極參與推動(dòng)中國存儲(chǔ)生態(tài)發(fā)展。

資源共享、優(yōu)勢互補(bǔ)，打造行業(yè)標(biāo)桿產(chǎn)品

自2007年起，江波龍就與得一微（前身為硅格半導(dǎo)體）在U盤、存儲(chǔ)卡領(lǐng)域展開合作，并陸續(xù)擴(kuò)展到嵌入式存儲(chǔ)、SATA接口的SSD固態(tài)存儲(chǔ)等，不斷深入到各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。雙方合作十二年，DM主控已在江波龍的客戶群享有一定的品牌美譽(yù)度，在此期間，江波龍生產(chǎn)出了第一顆國產(chǎn)嵌入式模組，得一微也研發(fā)出第一顆可量產(chǎn)的國產(chǎn)eMMC主控。

多年的合作讓雙方建立起堅(jiān)實(shí)的信任，也對彼此有了深厚的了解。本次全面戰(zhàn)略合作達(dá)成，將進(jìn)一步發(fā)揮雙方優(yōu)勢，激發(fā)更大的合作潛力。

開放合作、聯(lián)合共贏，發(fā)展中國存儲(chǔ)生態(tài)

對于此次全面戰(zhàn)略合作的達(dá)成和未來的期許，江波龍電子發(fā)言人表示，江波龍電子有幸經(jīng)歷了NAND flash存儲(chǔ)高速發(fā)展的二十年，“死磕”存儲(chǔ)，堅(jiān)持發(fā)展存儲(chǔ)技術(shù)，順應(yīng)市場變化，為品牌化運(yùn)營及國際化競爭打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

得一微電子在閃存控制芯片的研發(fā)實(shí)力及一站式服務(wù)模式很好地配合了江波龍存儲(chǔ)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求，雙方已有十二年合作關(guān)系。現(xiàn)江波龍與得一微正式達(dá)成全面戰(zhàn)略合作，不僅將雙方協(xié)作深入拓展到各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，還將把得一微的底層能力開放給合作伙伴，同企業(yè)級(jí)客戶共同構(gòu)建開放的生態(tài)系統(tǒng)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈間密切協(xié)作，推動(dòng)存儲(chǔ)系統(tǒng)升級(jí)和存儲(chǔ)生態(tài)發(fā)展。

4月12日，為期三天的Japan IT Week 2019春季第1期在東京Big Sight落下帷幕。Japan IT Week是日本最大的IT技術(shù)綜合展，本期展會(huì)匯集了全球620家參展企業(yè)。作為參展企業(yè)之一，佰維攜全系列工控存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案隆重亮相該盛會(huì)，展示產(chǎn)品涉及工控級(jí)SSD，嵌入式芯片，存儲(chǔ)卡、內(nèi)存以及客制化存儲(chǔ)服務(wù)，吸引了眾多觀展人士的關(guān)注。

此次展會(huì)上，佰維重點(diǎn)針對工控存儲(chǔ)高性能、穩(wěn)定性、安全性、強(qiáng)固型和耐用性五個(gè)維度的需求，分別展示了與之相應(yīng)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)方案。佰維可根據(jù)工控客戶需求，“菜單式”搭配產(chǎn)品組合及技術(shù)，為游戲娛樂、交通運(yùn)輸、視頻監(jiān)控、自動(dòng)化系統(tǒng)、手機(jī)平板、網(wǎng)通產(chǎn)品等不同領(lǐng)域的應(yīng)用定制理想存儲(chǔ)解決方案。

采用存儲(chǔ)新技術(shù)升級(jí)性能

佰維嚴(yán)選3D NAND閃存芯片、第四代DDR4-2666高頻內(nèi)存，采用NVMe高速接口標(biāo)準(zhǔn)。在最初的技術(shù)選型階段，便做到優(yōu)中選優(yōu)，確保存儲(chǔ)方案的高性能。

高密度讀寫下保證運(yùn)行穩(wěn)定

佰維通過V-REC調(diào)校固件確保高密度讀寫不掉速，端到端的數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的完整性，斷電保護(hù)避免固件故障，動(dòng)態(tài)溫度調(diào)節(jié)在支持性能的同時(shí)降低SSD的發(fā)熱……實(shí)時(shí)監(jiān)控、調(diào)整存儲(chǔ)產(chǎn)品的運(yùn)行狀態(tài)，確保數(shù)據(jù)讀寫的穩(wěn)定性。

優(yōu)化存儲(chǔ)機(jī)制提高耐用性

佰維通過Wear Levelling實(shí)現(xiàn)區(qū)塊均衡抹寫，垃圾數(shù)據(jù)回收與TRIM避免無用數(shù)據(jù)的重復(fù)讀寫，pSLC模擬工業(yè)級(jí)SLC閃存性能……基于閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)制，進(jìn)行針對性的優(yōu)化，以提升產(chǎn)品的耐用性。

為工控存儲(chǔ)設(shè)立安全“防線”

佰維通過AES硬件加密保護(hù)硬盤數(shù)據(jù)，寫保護(hù)技術(shù)防止未經(jīng)授權(quán)數(shù)據(jù)寫入，固件備份以防數(shù)據(jù)丟失，物理銷毀清除機(jī)密數(shù)據(jù)……同樣基于閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)制，為存儲(chǔ)產(chǎn)品預(yù)設(shè)保護(hù)、干預(yù)手段，以保證存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全性。

由內(nèi)而外練就“金鐘罩”

佰維采用底部填充使PCB和芯片之間牢固粘連，采用高強(qiáng)度金屬外殼保護(hù)內(nèi)部元件，定制耐插拔接口穩(wěn)固物理連接，并通過三防涂漆、抗硫化、寬溫設(shè)計(jì)等技術(shù)保證產(chǎn)品不受外部環(huán)境化學(xué)或物理形式的損害，以滿足方案的強(qiáng)固型需求。

5G通信、無人駕駛和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)的發(fā)展，引發(fā)傳統(tǒng)應(yīng)用的革新以及大量新興應(yīng)用的崛起，龐大的云計(jì)算、邊緣計(jì)算對存儲(chǔ)設(shè)備提出了更高的標(biāo)準(zhǔn)和需求。佰維從存儲(chǔ)設(shè)備的五個(gè)維度切入，可以迅速為客戶匹配最適合的工控存儲(chǔ)方案。此外，佰維借助先進(jìn)的封裝工藝，以及貫穿生產(chǎn)各個(gè)環(huán)節(jié)的嚴(yán)苛測試，充分確保產(chǎn)品的品質(zhì)。佰維以技術(shù)為動(dòng)力，以品質(zhì)為核心，持續(xù)擴(kuò)大工控存儲(chǔ)市場布局。

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三星電子兩年來首次季度盈利下滑某種程度上正式宣告了為期兩年的芯片超級(jí)周期的結(jié)束。

全球最大的芯片和智能型手機(jī)制造商三星電子周二稱，公司 2018 年最后三個(gè)月的營業(yè)利潤為 10.8 兆韓元 (合 96.5 億美元)，年增率下降 28.7%，較第第三季 17.5 兆韓元的創(chuàng)紀(jì)錄高點(diǎn)下降 38.5%。第第四季銷售額估計(jì)為 59 兆韓元，年增率下降 10.6%。這是公司 2 年來首次季度盈利下滑。

三星不是唯一一家因芯片超級(jí)周期結(jié)束而盈利受損的公司。此前，儲(chǔ)存芯片巨頭鎂光季度銷售及利潤皆大幅低于市場預(yù)期，公司稱整個(gè)儲(chǔ)存芯片行業(yè)產(chǎn)出（包括三星 SK 海力士）大大超出市場需求，其將采取果斷行動(dòng)，減產(chǎn)穩(wěn)價(jià)格。 而三星更是發(fā)出警告，稱持續(xù)兩年的行業(yè)景氣周期已經(jīng)到頭。

儲(chǔ)存芯片此前經(jīng)歷了 2 年的景氣行業(yè)。從 2016 年下半年開始，全球儲(chǔ)存芯片進(jìn)入了新一輪的旺季，DRAM、NAND 價(jià)格從那時(shí)候起大幅上漲，一直持續(xù)到 2018 年。

這其中，智能型手機(jī)儲(chǔ)存容量增大（內(nèi)存軍備競賽）、AI 人工智能、無人車、機(jī)器學(xué)習(xí)、深度學(xué)習(xí)等新興技術(shù)對于儲(chǔ)存芯片的額外需求預(yù)期（AI 訓(xùn)練對內(nèi)存、閃存的需求量都會(huì)大幅增加）是本輪上行周期背后的重要推手。

從芯片周期角度而言，上次行業(yè)經(jīng)歷如此程度的暴跌還要追溯到 2015 年。但本輪下跌與 2015 年又有所不同。

在 2015 年，對于需求端疲弱的擔(dān)憂主導(dǎo)了上輪儲(chǔ)存芯片的大幅回調(diào)。2015 年是智能型手機(jī)高增長期的分水嶺——自 2010 年開啟的智能型手機(jī)高增長期基本結(jié)束。而當(dāng)年蘋果 iPhone 也處于周期的低點(diǎn)，銷量放緩加劇市場的恐慌情緒。

而本輪下跌則是需求不振疊加產(chǎn)量過剩。貿(mào)易沖突則加劇了市場的恐慌情緒。

在需求端方面，新的智能型手機(jī)硬件規(guī)格難以吸引換機(jī)需求（以蘋果為代表）、消費(fèi)級(jí)的 PC 市場由于 Intel CPU 的供貨不足出貨不振。而諸如 AI、無人車等新興技術(shù)則由于技術(shù)限制，大規(guī)模場景應(yīng)用還需時(shí)日，市場期望需求放緩。

而在供應(yīng)端方面，新技術(shù)的良品率提高及產(chǎn)能的擴(kuò)充使得市場供大于求：64/72 層 3D NAND 的良品率和產(chǎn)能增長使得供應(yīng)大幅攀升，野村證券預(yù)測閃存芯片供應(yīng)將增長 40% 到 50%；DRAM 1X/1Y 制程的比重持續(xù)增加和良品率的穩(wěn)定提升使得 DRAM 整體供應(yīng)有望增長 22%。

摩根士丹利研究認(rèn)為，從半導(dǎo)體周期歷史角度，市場通常經(jīng)歷 4-8 個(gè)季度下行周期，然后再經(jīng)歷 4-9 個(gè)的上行周期。

鑒于 DRAM 合約價(jià)格已經(jīng)在 2017 年 9 月見頂，摩根士丹利認(rèn)為本輪下行周期已經(jīng)進(jìn)行了一半。整體下行趨勢在未來的 2-3 個(gè)季度里還將繼續(xù)持續(xù)。這將導(dǎo)致相關(guān)公司的營收繼續(xù)下滑。

這意味著至少要到 2019 年年中才能有望看到復(fù)甦的跡象。而隨著未來經(jīng)濟(jì)增長的放緩，去兩年推動(dòng)該行業(yè)發(fā)展的超常增長因素在下一個(gè)上升周期可能不會(huì)那么強(qiáng)勁。