3月10日，陜西省發(fā)改委正式發(fā)布2020年省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃，確定實(shí)施600個(gè)省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，其中續(xù)建項(xiàng)目312個(gè)、新開(kāi)工項(xiàng)目188個(gè)、前期項(xiàng)目100個(gè)，項(xiàng)目總投資3.4萬(wàn)億元。

根據(jù)陜西省2020年省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃名單，三星12英寸閃存芯片一階段（二期）、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地（一期）、華天集成電路封裝及測(cè)試技術(shù)改造等入列續(xù)建項(xiàng)目，三星（西安）12英寸閃存芯片（二期）二階段入列新開(kāi)工項(xiàng)目，咸陽(yáng)8-12吋晶圓生產(chǎn)線入列前期項(xiàng)目。

媒體報(bào)道稱(chēng)，2012年三星落戶(hù)西安，一期項(xiàng)目已于2014年建成投產(chǎn)，二期項(xiàng)目分為兩個(gè)階段，其中第一階段于2018年新建，預(yù)計(jì)將在今年3月竣工投產(chǎn)，3月10日消息顯示第一階段項(xiàng)目產(chǎn)品下線上市；第二階段于2019年12月正式啟動(dòng)，預(yù)計(jì)將于2021年下半年竣工。

陜西發(fā)布省重點(diǎn)項(xiàng)目 三星、華天、奕斯偉等企業(yè)項(xiàng)目入列最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

12月18日，2019西安集成電路產(chǎn)業(yè)峰會(huì)舉行。會(huì)上，國(guó)微集團(tuán)(深圳)有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心、西安莫貝克半導(dǎo)體科技有限公司等進(jìn)行簽約，同時(shí)紫光展銳絲路研究所和國(guó)微西安研發(fā)中心揭牌。

眾所周知，集成電路產(chǎn)業(yè)是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是現(xiàn)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)。而西安市作為我國(guó)集成電路教育科研重鎮(zhèn)，以及重要的半導(dǎo)體人才培養(yǎng)基地和人才輸出基地。已經(jīng)成功引進(jìn)了三星、應(yīng)用材料、美光、中興、華為等一大批知名的企業(yè)入駐西安，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步完善，工藝水平不斷提升，形成了輻射帶動(dòng)效應(yīng)，帶動(dòng)了集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

值得注意的是，就在12月10日，西安三星電子閃存芯片項(xiàng)目再次取得重要突破，二期第二階段80億美元投資正式啟動(dòng)。二期項(xiàng)目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬(wàn)片，新增產(chǎn)值300億元，解決上千人就業(yè)，并帶動(dòng)一批配套電子信息企業(yè)落戶(hù)，使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

西安市副市長(zhǎng)強(qiáng)曉安指出，近年來(lái)，西安大力發(fā)展集成電路及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)，從2012年至今，西安集成電路產(chǎn)業(yè)復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)30%，產(chǎn)業(yè)規(guī)模排名位居全國(guó)第5，已成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要增長(zhǎng)極。

強(qiáng)曉安還表示，目前西安市擁有集成電路企業(yè)及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)200余家，產(chǎn)品涵蓋通信、物聯(lián)網(wǎng)、衛(wèi)星導(dǎo)航、消費(fèi)類(lèi)電子等眾多領(lǐng)域，已形成制造業(yè)快速發(fā)展、設(shè)計(jì)業(yè)與封裝測(cè)試業(yè)協(xié)調(diào)聯(lián)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。

產(chǎn)業(yè)復(fù)合增長(zhǎng)率超30% 中微等多個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目落地西安最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲(chǔ)）、美光等主要存儲(chǔ)廠商的出貨量均有較大幅度增長(zhǎng)。在此情況下，各大廠商之間加緊了競(jìng)爭(zhēng)卡位，以期在新一輪市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭(zhēng)推進(jìn)到了新的層級(jí)。

市場(chǎng)回暖，閃存業(yè)現(xiàn)10.2%正增長(zhǎng)

受益于年底購(gòu)物季到來(lái)，消費(fèi)電子終端廠商提前備貨，加上高企的庫(kù)存被逐漸消化，NAND閃存持續(xù)一年有余的市場(chǎng)寒冬終于在第三季度開(kāi)始轉(zhuǎn)暖。根據(jù)集邦咨詢(xún)的調(diào)查，2019年第三季度NAND閃存出貨量增長(zhǎng)，增長(zhǎng)率接近15%，營(yíng)業(yè)收入平均增長(zhǎng)10.2%，達(dá)到約119億美元。

幾家存儲(chǔ)大廠營(yíng)業(yè)狀況也表現(xiàn)良好。三星第三季度出貨量比第二季度增長(zhǎng)10%，由于庫(kù)存水位表現(xiàn)平穩(wěn)，因此產(chǎn)品銷(xiāo)售單價(jià)跌幅也收斂到5%，營(yíng)收達(dá)到39.87億美元，比第二季度增長(zhǎng)5.9%。SK海力士由于第二季度出貨大幅增長(zhǎng)40%，第三季度出貨量略有放緩，環(huán)比減少了1%，但是因?yàn)殇N(xiāo)售價(jià)格穩(wěn)定，因此整體營(yíng)收也比較穩(wěn)定，達(dá)11.46億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3.5%。至于鎧俠雖然此前的四日市工廠斷電事故余波仍在，但在整個(gè)大市轉(zhuǎn)暖的影響下，營(yíng)收達(dá)到22.27億美元，季增長(zhǎng)14.3%。西部數(shù)據(jù)第三季度出貨量環(huán)比增長(zhǎng)9%，營(yíng)收達(dá)16.32億美元，環(huán)比增長(zhǎng)8.4%。美光第三季度收入增長(zhǎng)4.7%，達(dá)15.3億美元。

總之，在年底銷(xiāo)售旺季的推動(dòng)下，加上對(duì)庫(kù)存的消化，NAND市場(chǎng)已經(jīng)逐漸回暖，整體市況正在向好的方向發(fā)展。集邦咨詢(xún)?cè)趯?duì)第四季度展望中表示，旺季市場(chǎng)需求回溫將有助于各供應(yīng)商獲利表現(xiàn)的改善。

技術(shù)之爭(zhēng)升級(jí)，3D NAND上看128層

技術(shù)升級(jí)一向是存儲(chǔ)芯片公司間競(jìng)爭(zhēng)的主要策略。隨著存儲(chǔ)市場(chǎng)由弱轉(zhuǎn)強(qiáng)，處于新舊轉(zhuǎn)換的節(jié)點(diǎn)，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度，以圖通過(guò)新舊世代的產(chǎn)品交替克服危機(jī)，并在新一輪市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位。目前來(lái)看，NAND閃存的技術(shù)工藝之爭(zhēng)已經(jīng)推進(jìn)到了128層。

10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構(gòu)，采用128層工藝，預(yù)計(jì)2020年開(kāi)始商用。在“Mircon Insight2019”技術(shù)大會(huì)上，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將大大降低產(chǎn)品每比特成本。

SK海力士也在11月宣布開(kāi)始出樣128層3D NAND閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶(hù)設(shè)備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND產(chǎn)品。

相比而言，三星的動(dòng)作更快。今年8月，三星即宣布推出首個(gè)100+層的新一代3D NAND閃存。 據(jù)三星介紹，該產(chǎn)品采用“通道孔蝕刻”技術(shù)，使前代96層的堆疊架構(gòu)增加了約40%的存儲(chǔ)單元。同時(shí)，三星還優(yōu)化了電路設(shè)計(jì)，使其可實(shí)現(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫(xiě)入操作的數(shù)據(jù)傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。

從進(jìn)度表來(lái)看，128層3D NAND需要到明年才能大量進(jìn)入企業(yè)存儲(chǔ)市場(chǎng)，逐漸成為主流。但是從此亦可看出，存儲(chǔ)廠商間的新一輪技術(shù)升級(jí)之爭(zhēng)亦將變得更加激烈。半導(dǎo)體專(zhuān)家莫大康指出，存儲(chǔ)芯片具有高度標(biāo)準(zhǔn)化的特性，且品種單一，較難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。這導(dǎo)致各廠商需要在工藝技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模上比拼競(jìng)爭(zhēng)力。因此，每當(dāng)市場(chǎng)格局出現(xiàn)新舊轉(zhuǎn)換時(shí)，廠商往往打出技術(shù)牌，以期通過(guò)新舊世代產(chǎn)品的改變，提高產(chǎn)品密度，降低制造成本，取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

追趕國(guó)際水平，量產(chǎn)能力是關(guān)鍵

相比國(guó)際先進(jìn)水平，中國(guó)存儲(chǔ)業(yè)有多大差距呢？今年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)64層3D NAND。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，未來(lái)將擴(kuò)大產(chǎn)量，但并沒(méi)有發(fā)布具體擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。有業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，到明年年底晶圓產(chǎn)量將達(dá)到每月6萬(wàn)片的規(guī)模，約可占全球產(chǎn)量的5%。

在市場(chǎng)方面，紫光旗下的新華三集團(tuán)表示將引入紫光存儲(chǔ)SSD的產(chǎn)品，應(yīng)用于其企業(yè)級(jí)服務(wù)器產(chǎn)品中。另有消息人士稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND閃存已接到其他部分知名企業(yè)的訂單，如聯(lián)想計(jì)劃在其電腦中使用NAND閃存芯片。

盡管有所進(jìn)展，但中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然弱小。莫大康認(rèn)為，表面來(lái)看，國(guó)內(nèi)企業(yè)64層3D NAND與國(guó)際大廠128層僅相差兩代。實(shí)際的差距卻并不止此?？剂恳蛩夭粌H包括技術(shù)的開(kāi)發(fā)、量產(chǎn)工藝的精進(jìn)、成品率的提升，也包括市場(chǎng)占有率的擴(kuò)大等。2020年年底產(chǎn)能能否達(dá)到量產(chǎn)6萬(wàn)片/月十分關(guān)鍵，是否能在產(chǎn)能提升的同時(shí)提高成品率，產(chǎn)能爬坡速度對(duì)企業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)痛點(diǎn)。

技術(shù)上從2D到3D的改變，對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)難得的發(fā)展機(jī)遇，但是如何抓住這個(gè)機(jī)遇仍具挑戰(zhàn)。國(guó)外資深半導(dǎo)體分析師Mark Li表示：“未來(lái)12個(gè)月將是關(guān)鍵時(shí)期?！?/p>

閃存工藝之爭(zhēng)再升級(jí) 128層3D NAND明年漸成主流最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲(chǔ)）、美光等主要存儲(chǔ)廠商的出貨量均有較大幅度增長(zhǎng)。在此情況下，各大廠商之間加緊了競(jìng)爭(zhēng)卡位，以期在新一輪市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭(zhēng)推進(jìn)到了新的層級(jí)。

市場(chǎng)回暖，閃存業(yè)現(xiàn)10.2%正增長(zhǎng)

受益于年底購(gòu)物季到來(lái)，消費(fèi)電子終端廠商提前備貨，加上高企的庫(kù)存被逐漸消化，NAND閃存持續(xù)一年有余的市場(chǎng)寒冬終于在第三季度開(kāi)始轉(zhuǎn)暖。根據(jù)集邦咨詢(xún)的調(diào)查，2019年第三季度NAND閃存出貨量增長(zhǎng)，增長(zhǎng)率接近15%，營(yíng)業(yè)收入平均增長(zhǎng)10.2%，達(dá)到約119億美元。

幾家存儲(chǔ)大廠營(yíng)業(yè)狀況也表現(xiàn)良好。三星第三季度出貨量比第二季度增長(zhǎng)10%，由于庫(kù)存水位表現(xiàn)平穩(wěn)，因此產(chǎn)品銷(xiāo)售單價(jià)跌幅也收斂到5%，營(yíng)收達(dá)到39.87億美元，比第二季度增長(zhǎng)5.9%。SK海力士由于第二季度出貨大幅增長(zhǎng)40%，第三季度出貨量略有放緩，環(huán)比減少了1%，但是因?yàn)殇N(xiāo)售價(jià)格穩(wěn)定，因此整體營(yíng)收也比較穩(wěn)定，達(dá)11.46億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3.5%。至于鎧俠雖然此前的四日市工廠斷電事故余波仍在，但在整個(gè)大市轉(zhuǎn)暖的影響下，營(yíng)收達(dá)到22.27億美元，季增長(zhǎng)14.3%。西部數(shù)據(jù)第三季度出貨量環(huán)比增長(zhǎng)9%，營(yíng)收達(dá)16.32億美元，環(huán)比增長(zhǎng)8.4%。美光第三季度收入增長(zhǎng)4.7%，達(dá)15.3億美元。

總之，在年底銷(xiāo)售旺季的推動(dòng)下，加上對(duì)庫(kù)存的消化，NAND市場(chǎng)已經(jīng)逐漸回暖，整體市況正在向好的方向發(fā)展。集邦咨詢(xún)?cè)趯?duì)第四季度展望中表示，旺季市場(chǎng)需求回溫將有助于各供應(yīng)商獲利表現(xiàn)的改善。

技術(shù)之爭(zhēng)升級(jí)，3D NAND上看128層

技術(shù)升級(jí)一向是存儲(chǔ)芯片公司間競(jìng)爭(zhēng)的主要策略。隨著存儲(chǔ)市場(chǎng)由弱轉(zhuǎn)強(qiáng)，處于新舊轉(zhuǎn)換的節(jié)點(diǎn)，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度，以圖通過(guò)新舊世代的產(chǎn)品交替克服危機(jī)，并在新一輪市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位。目前來(lái)看，NAND閃存的技術(shù)工藝之爭(zhēng)已經(jīng)推進(jìn)到了128層。

10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構(gòu)，采用128層工藝，預(yù)計(jì)2020年開(kāi)始商用。在“Mircon Insight2019”技術(shù)大會(huì)上，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將大大降低產(chǎn)品每比特成本。

SK海力士也在11月宣布開(kāi)始出樣128層3D NAND閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶(hù)設(shè)備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND產(chǎn)品。

相比而言，三星的動(dòng)作更快。今年8月，三星即宣布推出首個(gè)100+層的新一代3D NAND閃存。 據(jù)三星介紹，該產(chǎn)品采用“通道孔蝕刻”技術(shù)，使前代96層的堆疊架構(gòu)增加了約40%的存儲(chǔ)單元。同時(shí)，三星還優(yōu)化了電路設(shè)計(jì)，使其可實(shí)現(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫(xiě)入操作的數(shù)據(jù)傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。

從進(jìn)度表來(lái)看，128層3D NAND需要到明年才能大量進(jìn)入企業(yè)存儲(chǔ)市場(chǎng)，逐漸成為主流。但是從此亦可看出，存儲(chǔ)廠商間的新一輪技術(shù)升級(jí)之爭(zhēng)亦將變得更加激烈。半導(dǎo)體專(zhuān)家莫大康指出，存儲(chǔ)芯片具有高度標(biāo)準(zhǔn)化的特性，且品種單一，較難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。這導(dǎo)致各廠商需要在工藝技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模上比拼競(jìng)爭(zhēng)力。因此，每當(dāng)市場(chǎng)格局出現(xiàn)新舊轉(zhuǎn)換時(shí)，廠商往往打出技術(shù)牌，以期通過(guò)新舊世代產(chǎn)品的改變，提高產(chǎn)品密度，降低制造成本，取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

追趕國(guó)際水平，量產(chǎn)能力是關(guān)鍵

相比國(guó)際先進(jìn)水平，中國(guó)存儲(chǔ)業(yè)有多大差距呢？今年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)64層3D NAND。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，未來(lái)將擴(kuò)大產(chǎn)量，但并沒(méi)有發(fā)布具體擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。有業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，到明年年底晶圓產(chǎn)量將達(dá)到每月6萬(wàn)片的規(guī)模，約可占全球產(chǎn)量的5%。

在市場(chǎng)方面，紫光旗下的新華三集團(tuán)表示將引入紫光存儲(chǔ)SSD的產(chǎn)品，應(yīng)用于其企業(yè)級(jí)服務(wù)器產(chǎn)品中。另有消息人士稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND閃存已接到其他部分知名企業(yè)的訂單，如聯(lián)想計(jì)劃在其電腦中使用NAND閃存芯片。

盡管有所進(jìn)展，但中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然弱小。莫大康認(rèn)為，表面來(lái)看，國(guó)內(nèi)企業(yè)64層3D NAND與國(guó)際大廠128層僅相差兩代。實(shí)際的差距卻并不止此?？剂恳蛩夭粌H包括技術(shù)的開(kāi)發(fā)、量產(chǎn)工藝的精進(jìn)、成品率的提升，也包括市場(chǎng)占有率的擴(kuò)大等。2020年年底產(chǎn)能能否達(dá)到量產(chǎn)6萬(wàn)片/月十分關(guān)鍵，是否能在產(chǎn)能提升的同時(shí)提高成品率，產(chǎn)能爬坡速度對(duì)企業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)痛點(diǎn)。

技術(shù)上從2D到3D的改變，對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)難得的發(fā)展機(jī)遇，但是如何抓住這個(gè)機(jī)遇仍具挑戰(zhàn)。國(guó)外資深半導(dǎo)體分析師Mark Li表示：“未來(lái)12個(gè)月將是關(guān)鍵時(shí)期?！?/p>

閃存工藝之爭(zhēng)再升級(jí) 128層3D NADN明年漸成主流最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

8月27日，兆易創(chuàng)新發(fā)布其2019年上半年業(yè)績(jī)報(bào)告。

公告表示，盡管受到中美貿(mào)易摩擦、宏觀經(jīng)濟(jì)增速放緩等因素影響，公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)自第二季度顯著回暖，第二季度單季實(shí)現(xiàn)收入7.45 億元，同比增長(zhǎng)31.98%；第二季度實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.47億元，同比增長(zhǎng)1.19%。

綜合2019 年上半年，兆易創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入12.02億元，同比增長(zhǎng)8.63%。凈利潤(rùn)方面，兆易創(chuàng)新表示，由于研發(fā)費(fèi)用大幅增長(zhǎng)等原因，2019年上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.87億元，同比下降20.24%。

兆易創(chuàng)新的主要產(chǎn)品分為閃存芯片產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品（MCU）以及2019年新增加的指紋傳感器產(chǎn)品。閃存芯片產(chǎn)品主要為NOR Flash和NAND Flash 兩類(lèi)，MCU產(chǎn)品主要為基于ARM Cortex-M系列32位通用MCU產(chǎn)品，傳感器芯片主要為智能移動(dòng)終端傳感器SoC芯片和解決方案。

存儲(chǔ)方面，2019年上半年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品累計(jì)出貨量已經(jīng)超過(guò)100億顆，NAND Flash產(chǎn)品上，高可靠性的38nm SLC制程產(chǎn)品已穩(wěn)定量產(chǎn)，并將進(jìn)一步推進(jìn)24nm制程產(chǎn)品進(jìn)程，完善中小容量NAND Flash產(chǎn)品系列及相應(yīng)eMMC解決方案。

MCU產(chǎn)品，兆易創(chuàng)新累計(jì)出貨數(shù)量已超過(guò)3億顆，客戶(hù)數(shù)量超過(guò)2萬(wàn)家，目前已擁有330余個(gè)產(chǎn)品型號(hào)、23個(gè)產(chǎn)品系列及11種不同封裝類(lèi)型。報(bào)告期內(nèi)，兆易創(chuàng)新高性能M4 E103系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并成功研發(fā)出全球首顆通用RISC-V MCU GD32V產(chǎn)品系列。

傳感器方面，公告稱(chēng)報(bào)告期內(nèi)，公司積極推進(jìn)與上海思立微電子科技有限公司的整合，實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。在光學(xué)指紋傳感器方面，積極優(yōu)化第一代產(chǎn)品并推出超薄產(chǎn)品，并在大面積TFT產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展。在MEMS超聲指紋傳感器研發(fā)方面也取得了階段性進(jìn)展。

兆易創(chuàng)新還提及，公司繼續(xù)推進(jìn)與合肥產(chǎn)投合作的12英寸晶圓存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目。2019年4月26日，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投、合肥長(zhǎng)鑫集成電路有限責(zé)任公司簽署《可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議》，約定以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式投資3億元，并繼續(xù)研究商討后續(xù)出資方案。

第二季度業(yè)績(jī)顯著回暖 兆易創(chuàng)新上半年?duì)I收小幅增長(zhǎng)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

8月26日，紫光集團(tuán)在第二屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上展出了最新的技術(shù)和產(chǎn)品，涵蓋存儲(chǔ)芯片、移動(dòng)芯片、安全芯片等集成電路新產(chǎn)品。

其中在芯片領(lǐng)域，紫光集團(tuán)展示了紫光展銳排名全球AI芯片榜單AI Benchmark榜首的虎賁T710。

在5G技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，紫光集團(tuán)展出了紫光展銳首款5G基帶芯片春藤510、以及春藤8908A和春藤5882S等物聯(lián)網(wǎng)明星芯片。

而在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片也首次公開(kāi)展出。

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存晶圓（Source：紫光集團(tuán)）

此前有消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底可望將產(chǎn)能提升到月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也將在2020年生產(chǎn)128層堆棧3D閃存。

按照國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目規(guī)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。

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首次亮相！紫光集團(tuán)展出64層3D NAND閃存芯片最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

日前，深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“江波龍”）與閃存控制芯片廠商深圳市得一微電子有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“得一微”）正式達(dá)成全面戰(zhàn)略合作。雙方將以全產(chǎn)品線主控合作為契機(jī)強(qiáng)化協(xié)作，通過(guò)資源共享和優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，深入控制芯片定制、提升產(chǎn)品品質(zhì)，積極參與推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)生態(tài)發(fā)展。

資源共享、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，打造行業(yè)標(biāo)桿產(chǎn)品

自2007年起，江波龍就與得一微（前身為硅格半導(dǎo)體）在U盤(pán)、存儲(chǔ)卡領(lǐng)域展開(kāi)合作，并陸續(xù)擴(kuò)展到嵌入式存儲(chǔ)、SATA接口的SSD固態(tài)存儲(chǔ)等，不斷深入到各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。雙方合作十二年，DM主控已在江波龍的客戶(hù)群享有一定的品牌美譽(yù)度，在此期間，江波龍生產(chǎn)出了第一顆國(guó)產(chǎn)嵌入式模組，得一微也研發(fā)出第一顆可量產(chǎn)的國(guó)產(chǎn)eMMC主控。

多年的合作讓雙方建立起堅(jiān)實(shí)的信任，也對(duì)彼此有了深厚的了解。本次全面戰(zhàn)略合作達(dá)成，將進(jìn)一步發(fā)揮雙方優(yōu)勢(shì)，激發(fā)更大的合作潛力。

開(kāi)放合作、聯(lián)合共贏，發(fā)展中國(guó)存儲(chǔ)生態(tài)

對(duì)于此次全面戰(zhàn)略合作的達(dá)成和未來(lái)的期許，江波龍電子發(fā)言人表示，江波龍電子有幸經(jīng)歷了NAND flash存儲(chǔ)高速發(fā)展的二十年，“死磕”存儲(chǔ)，堅(jiān)持發(fā)展存儲(chǔ)技術(shù)，順應(yīng)市場(chǎng)變化，為品牌化運(yùn)營(yíng)及國(guó)際化競(jìng)爭(zhēng)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

得一微電子在閃存控制芯片的研發(fā)實(shí)力及一站式服務(wù)模式很好地配合了江波龍存儲(chǔ)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求，雙方已有十二年合作關(guān)系?，F(xiàn)江波龍與得一微正式達(dá)成全面戰(zhàn)略合作，不僅將雙方協(xié)作深入拓展到各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，還將把得一微的底層能力開(kāi)放給合作伙伴，同企業(yè)級(jí)客戶(hù)共同構(gòu)建開(kāi)放的生態(tài)系統(tǒng)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈間密切協(xié)作，推動(dòng)存儲(chǔ)系統(tǒng)升級(jí)和存儲(chǔ)生態(tài)發(fā)展。

江波龍與得一微達(dá)成全面戰(zhàn)略合作，推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)生態(tài)發(fā)展最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

4月12日，為期三天的Japan IT Week 2019春季第1期在東京Big Sight落下帷幕。Japan IT Week是日本最大的IT技術(shù)綜合展，本期展會(huì)匯集了全球620家參展企業(yè)。作為參展企業(yè)之一，佰維攜全系列工控存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案隆重亮相該盛會(huì)，展示產(chǎn)品涉及工控級(jí)SSD，嵌入式芯片，存儲(chǔ)卡、內(nèi)存以及客制化存儲(chǔ)服務(wù)，吸引了眾多觀展人士的關(guān)注。

此次展會(huì)上，佰維重點(diǎn)針對(duì)工控存儲(chǔ)高性能、穩(wěn)定性、安全性、強(qiáng)固型和耐用性五個(gè)維度的需求，分別展示了與之相應(yīng)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)方案。佰維可根據(jù)工控客戶(hù)需求，“菜單式”搭配產(chǎn)品組合及技術(shù)，為游戲娛樂(lè)、交通運(yùn)輸、視頻監(jiān)控、自動(dòng)化系統(tǒng)、手機(jī)平板、網(wǎng)通產(chǎn)品等不同領(lǐng)域的應(yīng)用定制理想存儲(chǔ)解決方案。

采用存儲(chǔ)新技術(shù)升級(jí)性能

佰維嚴(yán)選3D NAND閃存芯片、第四代DDR4-2666高頻內(nèi)存，采用NVMe高速接口標(biāo)準(zhǔn)。在最初的技術(shù)選型階段，便做到優(yōu)中選優(yōu)，確保存儲(chǔ)方案的高性能。

高密度讀寫(xiě)下保證運(yùn)行穩(wěn)定

佰維通過(guò)V-REC調(diào)校固件確保高密度讀寫(xiě)不掉速，端到端的數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的完整性，斷電保護(hù)避免固件故障，動(dòng)態(tài)溫度調(diào)節(jié)在支持性能的同時(shí)降低SSD的發(fā)熱……實(shí)時(shí)監(jiān)控、調(diào)整存儲(chǔ)產(chǎn)品的運(yùn)行狀態(tài)，確保數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的穩(wěn)定性。

優(yōu)化存儲(chǔ)機(jī)制提高耐用性

佰維通過(guò)Wear Levelling實(shí)現(xiàn)區(qū)塊均衡抹寫(xiě)，垃圾數(shù)據(jù)回收與TRIM避免無(wú)用數(shù)據(jù)的重復(fù)讀寫(xiě)，pSLC模擬工業(yè)級(jí)SLC閃存性能……基于閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)制，進(jìn)行針對(duì)性的優(yōu)化，以提升產(chǎn)品的耐用性。

為工控存儲(chǔ)設(shè)立安全“防線”

佰維通過(guò)AES硬件加密保護(hù)硬盤(pán)數(shù)據(jù)，寫(xiě)保護(hù)技術(shù)防止未經(jīng)授權(quán)數(shù)據(jù)寫(xiě)入，固件備份以防數(shù)據(jù)丟失，物理銷(xiāo)毀清除機(jī)密數(shù)據(jù)……同樣基于閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)制，為存儲(chǔ)產(chǎn)品預(yù)設(shè)保護(hù)、干預(yù)手段，以保證存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全性。

由內(nèi)而外練就“金鐘罩”

佰維采用底部填充使PCB和芯片之間牢固粘連，采用高強(qiáng)度金屬外殼保護(hù)內(nèi)部元件，定制耐插拔接口穩(wěn)固物理連接，并通過(guò)三防涂漆、抗硫化、寬溫設(shè)計(jì)等技術(shù)保證產(chǎn)品不受外部環(huán)境化學(xué)或物理形式的損害，以滿(mǎn)足方案的強(qiáng)固型需求。

5G通信、無(wú)人駕駛和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)的發(fā)展，引發(fā)傳統(tǒng)應(yīng)用的革新以及大量新興應(yīng)用的崛起，龐大的云計(jì)算、邊緣計(jì)算對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備提出了更高的標(biāo)準(zhǔn)和需求。佰維從存儲(chǔ)設(shè)備的五個(gè)維度切入，可以迅速為客戶(hù)匹配最適合的工控存儲(chǔ)方案。此外，佰維借助先進(jìn)的封裝工藝，以及貫穿生產(chǎn)各個(gè)環(huán)節(jié)的嚴(yán)苛測(cè)試，充分確保產(chǎn)品的品質(zhì)。佰維以技術(shù)為動(dòng)力，以品質(zhì)為核心，持續(xù)擴(kuò)大工控存儲(chǔ)市場(chǎng)布局。

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Japan IT Week｜佰維五維度發(fā)力，亮劍工控存儲(chǔ)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

根據(jù)韓聯(lián)社消息，3月27日，SK海力士在首爾都市圈建設(shè)半導(dǎo)體集群的計(jì)劃獲得批準(zhǔn)，這得益于政府決定取消該地區(qū)的發(fā)展法規(guī)。

該項(xiàng)目?jī)r(jià)值120萬(wàn)億韓元 (約合1360億美元)。上個(gè)月，韓國(guó)貿(mào)易、工業(yè)和能源部請(qǐng)求國(guó)土交通運(yùn)輸部，放松對(duì)該地區(qū)工業(yè)區(qū)總規(guī)模的限制。

該規(guī)劃將在首爾以南的龍仁市建造4座半導(dǎo)體制造廠，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造約17萬(wàn)個(gè)就業(yè)崗位。此外，超過(guò)50家分包商也計(jì)劃進(jìn)入集群，為整個(gè)地區(qū)的經(jīng)濟(jì)注入活力。

韓國(guó)經(jīng)濟(jì)部表示，將計(jì)劃向SK海力士提供一切必要的支持，以確保投資能夠及時(shí)推進(jìn)。另外還表示，政府將繼續(xù)努力推動(dòng)來(lái)自私人部門(mén)的大規(guī)模投資項(xiàng)目，尤其是芯片行業(yè)這類(lèi)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)的主要支柱產(chǎn)業(yè)。

該集群項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在2021年第三季度進(jìn)行破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)將于2024年第四季度完成。

在芯片集群項(xiàng)目完工之后，龍仁市將作為SK海力士的DRAM和下一代存儲(chǔ)芯片的基地。而位于首爾以南80公里的利川市將作為研發(fā)和DRAM中心，距離首都137公里的清州市區(qū)將成為其N(xiāo)AND閃存芯片中心。

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SK海力士1360億美元芯片集群項(xiàng)目獲批最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

三星電子兩年來(lái)首次季度盈利下滑某種程度上正式宣告了為期兩年的芯片超級(jí)周期的結(jié)束。

全球最大的芯片和智能型手機(jī)制造商三星電子周二稱(chēng)，公司 2018 年最后三個(gè)月的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 10.8 兆韓元 (合 96.5 億美元)，年增率下降 28.7%，較第第三季 17.5 兆韓元的創(chuàng)紀(jì)錄高點(diǎn)下降 38.5%。第第四季銷(xiāo)售額估計(jì)為 59 兆韓元，年增率下降 10.6%。這是公司 2 年來(lái)首次季度盈利下滑。

三星不是唯一一家因芯片超級(jí)周期結(jié)束而盈利受損的公司。此前，儲(chǔ)存芯片巨頭鎂光季度銷(xiāo)售及利潤(rùn)皆大幅低于市場(chǎng)預(yù)期，公司稱(chēng)整個(gè)儲(chǔ)存芯片行業(yè)產(chǎn)出（包括三星 SK 海力士）大大超出市場(chǎng)需求，其將采取果斷行動(dòng)，減產(chǎn)穩(wěn)價(jià)格。 而三星更是發(fā)出警告，稱(chēng)持續(xù)兩年的行業(yè)景氣周期已經(jīng)到頭。

儲(chǔ)存芯片此前經(jīng)歷了 2 年的景氣行業(yè)。從 2016 年下半年開(kāi)始，全球儲(chǔ)存芯片進(jìn)入了新一輪的旺季，DRAM、NAND 價(jià)格從那時(shí)候起大幅上漲，一直持續(xù)到 2018 年。

這其中，智能型手機(jī)儲(chǔ)存容量增大（內(nèi)存軍備競(jìng)賽）、AI 人工智能、無(wú)人車(chē)、機(jī)器學(xué)習(xí)、深度學(xué)習(xí)等新興技術(shù)對(duì)于儲(chǔ)存芯片的額外需求預(yù)期（AI 訓(xùn)練對(duì)內(nèi)存、閃存的需求量都會(huì)大幅增加）是本輪上行周期背后的重要推手。

從芯片周期角度而言，上次行業(yè)經(jīng)歷如此程度的暴跌還要追溯到 2015 年。但本輪下跌與 2015 年又有所不同。

在 2015 年，對(duì)于需求端疲弱的擔(dān)憂主導(dǎo)了上輪儲(chǔ)存芯片的大幅回調(diào)。2015 年是智能型手機(jī)高增長(zhǎng)期的分水嶺——自 2010 年開(kāi)啟的智能型手機(jī)高增長(zhǎng)期基本結(jié)束。而當(dāng)年蘋(píng)果 iPhone 也處于周期的低點(diǎn)，銷(xiāo)量放緩加劇市場(chǎng)的恐慌情緒。

而本輪下跌則是需求不振疊加產(chǎn)量過(guò)剩。貿(mào)易沖突則加劇了市場(chǎng)的恐慌情緒。

在需求端方面，新的智能型手機(jī)硬件規(guī)格難以吸引換機(jī)需求（以蘋(píng)果為代表）、消費(fèi)級(jí)的 PC 市場(chǎng)由于 Intel CPU 的供貨不足出貨不振。而諸如 AI、無(wú)人車(chē)等新興技術(shù)則由于技術(shù)限制，大規(guī)模場(chǎng)景應(yīng)用還需時(shí)日，市場(chǎng)期望需求放緩。

而在供應(yīng)端方面，新技術(shù)的良品率提高及產(chǎn)能的擴(kuò)充使得市場(chǎng)供大于求：64/72 層 3D NAND 的良品率和產(chǎn)能增長(zhǎng)使得供應(yīng)大幅攀升，野村證券預(yù)測(cè)閃存芯片供應(yīng)將增長(zhǎng) 40% 到 50%；DRAM 1X/1Y 制程的比重持續(xù)增加和良品率的穩(wěn)定提升使得 DRAM 整體供應(yīng)有望增長(zhǎng) 22%。

摩根士丹利研究認(rèn)為，從半導(dǎo)體周期歷史角度，市場(chǎng)通常經(jīng)歷 4-8 個(gè)季度下行周期，然后再經(jīng)歷 4-9 個(gè)的上行周期。

鑒于 DRAM 合約價(jià)格已經(jīng)在 2017 年 9 月見(jiàn)頂，摩根士丹利認(rèn)為本輪下行周期已經(jīng)進(jìn)行了一半。整體下行趨勢(shì)在未來(lái)的 2-3 個(gè)季度里還將繼續(xù)持續(xù)。這將導(dǎo)致相關(guān)公司的營(yíng)收繼續(xù)下滑。

這意味著至少要到 2019 年年中才能有望看到復(fù)甦的跡象。而隨著未來(lái)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的放緩，去兩年推動(dòng)該行業(yè)發(fā)展的超常增長(zhǎng)因素在下一個(gè)上升周期可能不會(huì)那么強(qiáng)勁。

兩年來(lái)首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超級(jí)周期告終最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。