近日，上海閔行區(qū)經委副主任曹春懿、產業(yè)科科長衛(wèi)政文一行赴紫竹高新區(qū)入駐企業(yè)晟碟半導體上海公司調研，了解企業(yè)投資擴建三期廠房的工作進展情況。

晟碟半導體表示，晟碟半導體擴建工程是閔行區(qū)重大項目，目前已經完成了控規(guī)調整、發(fā)改委備案、方案審批、施工圖審批等工作，正在辦理土地補充協(xié)議和施工許可證，即將按原定計劃7月份開工。

資料顯示，晟碟半導體上海公司是美國西部數據公司（Western DigitalCorporation）下屬全資子公司，于2006年8月在上海紫竹高新區(qū)注冊成立，一期投資額9600萬美元，注冊資本3200萬美元。主要從事先進閃存存儲產品的研發(fā)、封裝和測試，是全球規(guī)模較大的閃存存儲產品封裝測試工廠之一，公司生產的產品類型主要包括SD、MicroSD、iNAND閃存模塊等。

閔行經委官微指出，公司擴建三期廠房項目主要進行約11800平方米的生產和配套用房擴建，用于支持下一代基于BiCS4、BiCS5存儲技術的閃存存儲產品的研發(fā)、測試和生產，以滿足未來由人工智能、自動駕駛和5G實施而帶動的對閃存存儲產品的長期市場需求，計劃基建加設備總投資約10億人民幣。

總投資10億元！晟碟半導體三期廠房擴建項目7月開工最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

集邦咨詢DRAMeXchange研究協(xié)理? 陳玠瑋

陳玠瑋指出，因為中美貿易摩擦等因素影響，2019年全球市場本是非常悲觀，但Kioxia第三季度發(fā)生了一些狀況，導致閃存市場供需出現(xiàn)結構性轉變。原廠在未來投資方面都相對保守，所以他認為明年可能整個市場會出現(xiàn)缺貨狀況，但2021年將有所緩解，因為隨著長江存儲技術不斷地提升，預計未來閃存產業(yè)還會走向供過于求，直到有些企業(yè)退出市場。

2019年，閃存市場需求端約增長35%，供給端約增長31.5%，但明年供給和需求的增長預計都約為三成左右，這意味著需求并沒有特別強勁的復蘇。不過，供給端明年將更加控制產出，讓整個市場的決定權落在供給端，供給一直降、待需求超過供給，供給端將掌握主導權。今年閃存價格接近腰斬，明年雖然平均價格還是會跌，但比今年會好一點，甚至還會有上漲。

展望明年上半年，第一季度供需市況仍有所懸念，因為實際需求并不太理想，但服務器、數據中心、PC等OEM廠商的需求不斷上升，預計第一季度的供給缺口將不斷收斂，第二季度將處于供需平衡狀況，下半年則開始呈現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，產業(yè)鏈相關人士現(xiàn)在就要開始有所規(guī)劃。

價格走勢方面，最新數據預測顯示，OEM市場價格明年將出現(xiàn)一路走高的趨勢，目前看來第一季度SSD部分至少可持平或小漲，到了第二季度OEM市場價格肯定會漲。但通路市場將出現(xiàn)倒掛情況，如果一直沒有改善，預期明年第一季度合約價仍將走低，第二季度才會開始慢慢往上，所以通路市場價格可能漲得稍晚一點。

供給端方面，原廠明年資本支出趨保守，數據顯示，明年各供應商位元產出量年成長率幾乎都比今年低，三星、SK海力士、英特爾、美光等幾家原廠明年位元產出量年成長率都不到三成，而過去每年至少三成以上的水準。

對于明年的產出擴充計劃，原廠也都相對保守。三星方面，現(xiàn)在只有西安二廠有擴產，但在增加3D NAND產能的同時也降低了2D NAND產能，所以三星明年的產量會比今年更低，他們并沒有積極擴張的意圖，至少現(xiàn)階段沒有。

SK海力士無論2D NAND或3D NAND預計都將維持持平的水準，增長主要來自于制程轉換；Kioxia的方向與三星類似，增加3D NAND產能、降低2D NAND產能；美光和英特爾在財報有所虧損的情況下，對未來的投資也相對不是那么積極，不管是2D NAND或3D NAND也將都維持今年的狀況。

值得一提的是長江存儲，據了解其今年第四季度月產能約20K，主力為64層NAND Flash產品，目前狀況非常好，明年月產能預期至少50K以上。陳玠瑋指出，未來隨著長江存儲產能不斷增加，預估2023年各廠商位元產出量市占率長江存儲將占到10.8%，高于英特爾的6.6%及美光的10.3%。

NAND Flash供應商制程方面，相信三星的128層產品今年第四季度已進入了量產階段，SK海力士明年第一季度也可量產128層TLC產品，Kioxia與美光大概在明年下半年會推出類似產品。長江存儲64層產品今年量產后，128層產品在2021年是有機會的，至少他們內部的目標是這樣。

從各制程節(jié)點產出比重看，3D NAND Flash 92/96層產出比重在明年會增加、但2021年又會馬上降低，因為3D NAND Flash 92/96層可能是一個相對短命的制程，之后會被128層產品快速取代。NAND Flash架構產出比重方面，陳玠瑋認為2023年之前PLC量產的可能性偏低，QLC亦還有待觀察，但QLC未來潛在的成長機會是有的，至少美系廠商如美光、英特爾等是比較支持QLC技術發(fā)展。

需求端方面，利基市場明年預計呈現(xiàn)正向發(fā)展，說不上太好、也不會太壞。5G手機和服務器方面相對比較樂觀，手機整體出貨量不再成長，其成長力道大多數來自于平均容量的增長，服務器市場在增長，平板電腦市場相對比較平淡。

至于SSD部分，也許通路市場的獲利狀況不是很好，但通路市場SSD今年的成長相比去年要高。消費級SSD與企業(yè)級SSD在架構上有所變化，介面方面，消費級SSD PCle G4明年將不斷提高，到2021年其出貨量與滲透率都將開始出現(xiàn)明顯的成長動能。

最后，陳玠瑋分析了NB與Desktop消費級SSD搭載率趨勢，今年前三季度SSD價格下跌、第四季度OEM需求爆發(fā)，同樣狀況也會發(fā)生在桌機部分，其滲透會逐步增高，不過明年搭載率將不會有今年這么高。

集邦咨詢已于2019年11月27日成功舉辦2020存儲產業(yè)趨勢峰會（MTS 2020），在此特別感謝金邦科技、芝奇國際、宏旺半導體、時創(chuàng)意電子、金泰克半導體、紫光存儲、廈門銀行等企業(yè)對本次會議的大力支持。

PS：集邦咨詢MTS2020存儲產業(yè)趨勢峰會分析師演講講義現(xiàn)已對外分享，如有需要請關注“全球半導體觀察”微信公眾號并回復分析師名字即可領取，如“陳玠瑋”、“劉家豪”、“郭祚榮”、“葉茂盛”。

同時，歡迎識別下方二維碼或在微信公眾號回復”峰會”觀看峰會完整視頻回放。

陳玠瑋：2020年閃存價格吹漲風最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

集邦咨詢DRAMeXchange研究協(xié)理? 陳玠瑋

陳玠瑋指出，因為中美貿易摩擦等因素影響，2019年全球市場本是非常悲觀，但Kioxia第三季度發(fā)生了一些狀況，導致閃存市場供需出現(xiàn)結構性轉變。原廠在未來投資方面都相對保守，所以他認為明年可能整個市場會出現(xiàn)缺貨狀況，但2021年將有所緩解，因為隨著長江存儲技術不斷地提升，預計未來閃存產業(yè)還會走向供過于求，直到有些企業(yè)退出市場。

2019年，閃存市場需求端約增長35%，供給端約增長31.5%，但明年供給和需求的增長預計都約為三成左右，這意味著需求并沒有特別強勁的復蘇。不過，供給端明年將更加控制產出，讓整個市場的決定權落在供給端，供給一直降、待需求超過供給，供給端將掌握主導權。今年閃存價格接近腰斬，明年雖然平均價格還是會跌，但比今年會好一點，甚至還會有上漲。

展望明年上半年，第一季度供需市況仍有所懸念，因為實際需求并不太理想，但服務器、數據中心、PC等OEM廠商的需求不斷上升，預計第一季度的供給缺口將不斷收斂，第二季度將處于供需平衡狀況，下半年則開始呈現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，產業(yè)鏈相關人士現(xiàn)在就要開始有所規(guī)劃。

價格走勢方面，最新數據預測顯示，OEM市場價格明年將出現(xiàn)一路走高的趨勢，目前看來第一季度SSD部分至少可持平或小漲，到了第二季度OEM市場價格肯定會漲。但通路市場將出現(xiàn)倒掛情況，如果一直沒有改善，預期明年第一季度合約價仍將走低，第二季度才會開始慢慢往上，所以通路市場價格可能漲得稍晚一點。

供給端方面，原廠明年資本支出趨保守，數據顯示，明年各供應商位元產出量年成長率幾乎都比今年低，三星、SK海力士、英特爾、美光等幾家原廠明年位元產出量年成長率都不到三成，而過去每年至少三成以上的水準。

對于明年的產出擴充計劃，原廠也都相對保守。三星方面，現(xiàn)在只有西安二廠有擴產，但在增加3D NAND產能的同時也降低了2D NAND產能，所以三星明年的產量會比今年更低，他們并沒有積極擴張的意圖，至少現(xiàn)階段沒有。

SK海力士無論2D NAND或3D NAND預計都將維持持平的水準，增長主要來自于制程轉換；Kioxia的方向與三星類似，增加3D NAND產能、降低2D NAND產能；美光和英特爾在財報有所虧損的情況下，對未來的投資也相對不是那么積極，不管是2D NAND或3D NAND也將都維持今年的狀況。

值得一提的是長江存儲，據了解其今年第四季度月產能約20K，主力為64層NAND Flash產品，目前狀況非常好，明年月產能預期至少50K以上。陳玠瑋指出，未來隨著長江存儲產能不斷增加，預估2023年各廠商位元產出量市占率長江存儲將占到10.8%，高于英特爾的6.6%及美光的10.3%。

NAND Flash供應商制程方面，相信三星的128層產品今年第四季度已進入了量產階段，SK海力士明年第一季度也可量產128層TLC產品，Kioxia與美光大概在明年下半年會推出類似產品。長江存儲64層產品今年量產后，128層產品在2021年是有機會的，至少他們內部的目標是這樣。

從各制程節(jié)點產出比重看，3D NAND Flash 92/96層產出比重在明年會增加、但2021年又會馬上降低，因為3D NAND Flash 92/96層可能是一個相對短命的制程，之后會被128層產品快速取代。NAND Flash架構產出比重方面，陳玠瑋認為2023年之前PLC量產的可能性偏低，QLC亦還有待觀察，但QLC未來潛在的成長機會是有的，至少美系廠商如美光、英特爾等是比較支持QLC技術發(fā)展。

需求端方面，利基市場明年預計呈現(xiàn)正向發(fā)展，說不上太好、也不會太壞。5G手機和服務器方面相對比較樂觀，手機整體出貨量不再成長，其成長力道大多數來自于平均容量的增長，服務器市場在增長，平板電腦市場相對比較平淡。

至于SSD部分，也許通路市場的獲利狀況不是很好，但通路市場SSD今年的成長相比去年要高。消費級SSD與企業(yè)級SSD在架構上有所變化，介面方面，消費級SSD PCle G4明年將不斷提高，到2021年其出貨量與滲透率都將開始出現(xiàn)明顯的成長動能。

最后，陳玠瑋分析了NB與Desktop消費級SSD搭載率趨勢，今年前三季度SSD價格下跌、第四季度OEM需求爆發(fā)，同樣狀況也會發(fā)生在桌機部分，其滲透會逐步增高，不過明年搭載率將不會有今年這么高。

集邦咨詢已于2019年11月27日成功舉辦2020存儲產業(yè)趨勢峰會（MTS 2020），在此特別感謝金邦科技、芝奇國際、宏旺半導體、時創(chuàng)意電子、金泰克半導體、紫光存儲、廈門銀行等企業(yè)對本次會議的大力支持。

PS：集邦咨詢MTS2020存儲產業(yè)趨勢峰會分析師演講講義現(xiàn)已對外分享，如有需要請關注“全球半導體觀察”微信公眾號并回復分析師名字即可領取，如“陳玠瑋”、“劉家豪”、“郭祚榮”、“葉茂盛”。

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【MTS2020】DRAMeXchange陳玠瑋：2020年閃存價格吹漲風最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

在傳統(tǒng)拉貨旺季加持下，NAND Flash合約報價自7月起正式止跌回升，8月3D NAND Flash合約報價上漲個位數，最高漲幅甚至達到雙位數水準，顯示市場信心正逐步回籠，且業(yè)界幾乎看好，這波漲勢有機會一路延續(xù)到年底。法人看好，掌握日系存儲器原廠貨源的群聯(lián)將可望搭上這波漲價列車，業(yè)績逐步升溫。

先前受到美中貿易摩擦干擾，使消費信心縮減，存儲器市場連帶受到沖擊，使上半年NAND Flash報價呈現(xiàn)跌幅擴大趨勢，原先市調機構都不看好下半年NAND Flash價格走勢，不過隨著PC、智能手機等拉貨旺季加持下，NAND Flash合約價格終于在8月開始止跌回升。

業(yè)界人士指出，8月份3D NAND Flash TLC合約報價皆有上漲趨勢，其中128Gb價格介于1.6～1.9美元，漲幅達8～14%左右，至于256Gb合約價格則落在2.3～2.6美元，漲幅達4～7%之間，并沒有受到現(xiàn)貨價由漲轉跌的弱勢狀況影響。

法人表示，NAND Flash報價回溫，主要原因在PC、智能手機搭載NAND Flash容量開始出現(xiàn)明顯成長，其中智能手機容量下半年可望從原先主流的128GB、256GB提升至512GB，新款筆電同樣也出現(xiàn)提升至512GB，搭載容量呈現(xiàn)翻倍成長，使得NAND拉貨力道加強，逐步消化OEM／ODM廠商庫存。

由于NAND Flash市場價格開始逐步回溫，且價格有機會一路旺到年底，法人看好，與日系存儲器廠商合作關系良好的群聯(lián)可望藉此搭上這波漲價列車，帶動業(yè)績開始出現(xiàn)明顯升溫，甚至有機會推動全年營收繳出優(yōu)于2018年水準。群聯(lián)不評論法人預估財務數字。

NAND漲勢看到年底 群聯(lián)業(yè)績升溫最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

根據Tom‘s Hardwared的報道，東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。

東芝已經開始計劃其BiCS閃存的第五代到第七代的研發(fā)。每一代新產品都將與新一代的PCIe標準相一致，BiCS 5將很快與PCIe 4.0同步上市，但該公司沒有提供具體的時間表。BiCS5將具有更高的帶寬1200 MT/s，而BiCS6將達到1600 MT/s， BiCS7將達到2000 MT/s。

該公司還開始研究5bit PLC的NAND閃存，新的閃存提供了更高的密度，每個單元可以存儲5位，而目前的QLC只能存儲4位。PLC將有更少的PE和更慢的性能，但新的NVMe協(xié)議特性以及Dram閃存和控制芯片會帶來一些性能提升。

東芝開始研究5bit PLC閃存顆粒最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

集邦咨詢：價格下跌抵消位元出貨增長，2Q19閃存品牌商營收環(huán)比持平

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，綜觀2019年第二季NAND Flash（閃存）產業(yè)營收表現(xiàn)，以需求面來看，智能手機、筆記本電腦以及服務器需求皆自第一季的傳統(tǒng)淡季有所復蘇，整體產業(yè)位元消耗量成長約15%，但由于供應商仍握有相當高的庫存，致使第二季合約價跌幅仍相當顯著，整體產業(yè)營收仍維持在約108億美元的水平，較第一季基本持平。

展望2019年第三季，雖然預期旺季需求有助于出貨表現(xiàn)，但受地緣經濟沖突影響，恐導致需求表現(xiàn)較往年疲弱，但NAND Flash供給面受到東芝六月跳電事件沖擊影響甚巨，使得第三季合約價跌幅明顯收斂，而Wafer市場則呈現(xiàn)漲勢，預估整體營收較第二季增長的可能性較高。

三星電子(Samsung)

由于服務器需求回溫以及不同應用端采用高容量產品呈明顯成長，加上移動設備客戶轉單效應，三星第二季位元銷售成長約30%。隨著需求表現(xiàn)轉趨正面，平均銷售單價跌幅收斂至15%的水平，第二季營收達37.66億美元，較第一季成長16.6%。

從產能分析，今年以來三星的產能規(guī)劃無太大改變，在產能縮減部分皆以Line12的平面制程為主，以反映客戶需求持續(xù)轉進V-NAND，縮減后的空間則用于R&D，至于3D NAND的部分，在無刻意或人為減產情況下，整體投片規(guī)模與第一季相當。

SK海力士(SK Hynix)

SK海力士的營運表現(xiàn)依然與移動設備市場銷售狀況高度連動，受惠于價格彈性引領平均搭載容量迅速成長，以及部分中國客戶轉單，第二季位元出貨成長達到40%，但由于平均售價仍有25%的顯著跌幅，本季SK海力士NAND Flash營收為11.06億美元，季成長8.1%。

以產能規(guī)劃而言，SK海力士宣布整體NAND Wafer投片量將較前一年減少15%，主要在于平面制程的縮減，因應需求轉向較低成本的3D NAND。新廠M15的產能擴增仍按先前規(guī)劃，整體3D NAND的投片量會緩慢增長，并以TLC架構為主，今年內SK海力士仍無量產QLC產品的打算。

東芝記憶體(Toshiba)

第二季在移動設備市場備貨較為積極下，東芝的出貨表現(xiàn)有所復蘇，其位元出貨成長率為0-5%，但受到第二季合約價進一步走跌的影響，平均銷售單價跌幅近15%，營收較上季衰退10.6%，為19.48億美元。

從產能方面觀察，四日市廠區(qū)受到停電事件沖擊影響顯著，盡管產線已大致于七月中旬以前恢復，對整體市場供給影響仍大，約占全體年產出的3%。

西數(Western Digital)

由于西數決定在上半年進行減產，其第二季位元出貨量的預期成長率本就較其他供應商低，加上五月中受華為事件影響，中止出貨期間達一個月，以至于華為已將訂單配給予其他供應商，導致位元出貨量季衰退1%，但產出減少也有效地抑制平均銷售價格衰退幅度僅有6%，整體營收為15.06億美元，較上季衰退6.5%。

從產能規(guī)劃來看，受到四日市廠區(qū)跳電事故的影響，西數產能損失幅度約為6 ExaBytes，截至七月底前產線已大致恢復。此外，西數已經與東芝取得參與巖手縣K1 Fab的投資共識，也使得未來的產能擴張獲得保證。

美光(Micron)

受到第二季價格進一步下跌以及華為事件的沖擊，美光位元出貨衰退約5%，平均銷售單價跌幅則約落在季跌幅15%，其NAND Flash營收來到14.61億美元，較第一季下跌17.7%。

在產能方面，美光第一季以宣布較先前生產計劃減少5%，第二季更進一步擴大至10%，3D NAND的產出比重仍將維持90%以上。

英特爾(Intel)

英特爾今年第一季因財務表現(xiàn)不佳影響，暫停后續(xù)在大連廠的擴產規(guī)劃，目前在出貨比重上仍以64層產品為主力，除逐步推進客戶使用96層產品外，亦積極導向采用高容量產品，SSD產品位元銷售有效地反映價格彈性，第二季位元銷售成長超過20%，而平均銷售單價則有近15%的跌幅，營收來到9.4億美元，較第一季成長2.7%。

在產能與制程方面，英特爾大連廠將維持第一季底停止擴產的計劃直至年底，并依客戶導入進程逐步轉往96層產品。

集邦咨詢：價格下跌抵消位元出貨增長，2Q19閃存品牌商營收環(huán)比持平最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

存儲器大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區(qū)將視市場需求調整資本支出及產能規(guī)劃，并應用先進3D NAND制程技術，進一步推動5G、人工智能（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在中國臺灣DRAM廠投資，臺中廠擴建生產線可望在年底前落成。

美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、當地政府官員等共襄盛舉，而包括系統(tǒng)廠華碩、存儲器模組廠威剛、IC基板廠景碩、存儲器封測廠力成、IC渠道商文曄等美光在臺合作伙伴高層主管亦親自出席典禮。

美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區(qū)，以及位于新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區(qū)將根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開始生產，但在技術及產能轉換調整情況下，F(xiàn)ab 10廠區(qū)總產能不變。

美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資，擴建的Fab 10A為晶圓廠區(qū)無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進制程節(jié)點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進入量產，第四代128層3D NAND將由浮動閘極（floating gate）轉向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵，同時進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。

美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進制程研發(fā)重心，2017年在臺灣成立DRAM卓越中心，臺灣成為美光最大DRAM生產重鎮(zhèn)。美光近幾年來在臺投資規(guī)模不斷擴大，臺中廠區(qū)除了現(xiàn)有12英寸廠，也將加快投資進行新廠區(qū)擴建，計劃在年底前完成，而臺中廠區(qū)后段封測廠亦持續(xù)擴大產能。

隨著韓國存儲器廠三星及SK海力士開始評估在先進DRAM制程上采用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開始評估將EUV技術應用在DRAM生產的成本效益，隨著DRAM制程由1z納米向1α、1β、1γ納米技術推進過程，會選擇在合適制程節(jié)點采用EUV技術方案。

美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成擴建最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

北京時間8月9日晨6時許，全球頂級閃存峰會2019 Flash Memory Summit（簡稱“FMS”）圓滿落幕，三星、東芝、海力士等存儲巨頭悉數登場，以BIWIN佰維為代表的國產存儲企業(yè)的展示成為會場中一道亮眼的風景。佰維以“齊話存儲未來，共賞封景無限”為主題，向與會專家及全球客戶全面展示了佰維的全方位存儲解決方案及以SiP為核心的先進封測服務。

BIWIN佰維存儲展臺大咖客戶不斷，吸引了眾多國際一線廠商前來交流溝通，探索更多深入合作；展會上佰維的全案存儲產品系列和SiP封測服務獨樹一幟，展示了佰維領先的存儲算法與固件開發(fā)能力、優(yōu)異的硬件設計能力和領先的封測工藝等，不斷刷新了國際客戶對國產存儲企業(yè)的認知。

存儲芯片全案提供商,再添強勁新品

此次FMS峰會上佰維首發(fā)旗艦新品PH001 AIC SSD，定位高端消費類用戶和數據中心客戶，專為需要更高隨機寫入性能和耐用性的讀取密集型工作負載提供支持。

BIWIN PH001容量高達32TB，采用PCIe Gen 4×4接口、NVMe 1.4協(xié)議，擁有16個NAND通道，針對低延遲存儲類內存（SCM）進行了優(yōu)化，達到最高7GB/s的順序讀取速度和6.1GB/s的順序寫入速度，隨機讀取性能高達150萬IOPS，同時加入了AES 256加密引擎、TCG Opal support、SRAM ECC等多項技術。BIWIN PH001支持端到端的數據保護，在寫入數據時生成校驗碼與用戶數據一并寫入閃存，讀取時則通過校驗碼檢驗用戶數據是否完整，在SSD內各部件之間傳輸與存儲過程中是否有錯誤發(fā)生，從而提高數據可靠性。

不止于存儲,SiP亦獨領風騷

佰維自2009年建立自己首座完整的12寸晶圓封測廠以來，積累了數十項核心專利，封測產品良品率持續(xù)高居99.7%以上，達到世界最先進水準。以存儲芯片為例，10年來累計封測出貨量10億顆以上，贏得了行業(yè)的廣泛信任和認可。

佰維突破了多器件、多維度封測的技術難題，在業(yè)內多個領域率先提出SiP解決方案并協(xié)助客戶產品最終量產。佰維SiP技術的集成方式具有更大的設計自由度，可以有效縮短芯片開發(fā)周期，同時開發(fā)費用相較SOC大大降低，特別是針對有智能化、小型化需求的市場，例如智能穿戴模組，物聯(lián)網芯片等，佰維SiP將發(fā)揮更多優(yōu)勢。

做物聯(lián)時代的基石,更要做賦能者

數據需要存儲，存儲需要芯片?？v觀未來5G加持下的物聯(lián)網世界，必然需要更龐大的基礎設施來存儲和管理數據，智能終端對存儲數據的高性能、低延遲、多樣化需求也對傳統(tǒng)存儲企業(yè)提出更苛刻的要求。

面對萬物互聯(lián)時代存儲的多樣化需求，佰維保持最全面的存儲產品線以滿足終端客戶對標準化、規(guī)?；鎯Ξa品的需求；并且針對各細分行業(yè)市場深度定制存儲方案，為不同行業(yè)的“端”客戶提供“千人千面”的定制化存儲方案，做萬物互聯(lián)時代的基石。

在存儲算法與自研固件方面，佰維量產經驗豐富，已支持上千萬顆級別的存儲芯片產品，廣泛應用于智能終端、OTT、工控市場等，在業(yè)內處領先地位，同時，KK級的出貨驗證充分確保產品品質的穩(wěn)定。依靠領先的算法與固件開發(fā)經驗，佰維可更好地滿足萬物互聯(lián)時代客戶對存儲產品性能與可靠性等多元化存儲需求。

在芯片層面上，摩爾定律促進了性能的不斷往前推進，SoC（System On a Chip系統(tǒng)級芯片）是摩爾定律繼續(xù)往下推進的產物，而SiP（System In a Package系統(tǒng)級封裝）則是實現(xiàn)超越摩爾定律的重要路徑，兩者都是實現(xiàn)在芯片層面上實現(xiàn)小型化和微型化系統(tǒng)的產物。特別是在摩爾定律放緩后，進入后摩爾時代，相關多元化技術加入推動市場規(guī)模持續(xù)增長，已經從“一枝獨秀”來到“百花齊放”，而百花齊放的核心密鑰之一就是SiP，特別是在萬物互聯(lián)時代，SiP可以實現(xiàn)“更合時宜”的高集成度水平的單芯片硅集成，這也是佰維致力于以SiP封測為物聯(lián)時代賦能的意義。

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佰維專注為客戶提供優(yōu)質的存儲產品，致力于成為行業(yè)一流的存儲解決方案提供商。佰維專注存儲領域24載，造就了佰維穩(wěn)健的上游資源整合能力、業(yè)內領先的存儲算法及固件開發(fā)能力、優(yōu)異的硬件設計能力、強大的測試能力和以SiP為核心的先進封裝制造能力這5大優(yōu)勢?？蔀榭蛻籼峁〆MMC、eMCP、UFS、LPDDR、ePOP、SPI NAND、uMCP、BGA SSD以及2.5”、U.2、M.2、DOM、AIC PCIe、特種SSD、移動SSD、內存模組等全系列存儲產品，并針對客戶多元化的存儲需求，提供具備高可靠性、高性能、小尺寸、斷電保護、加密支持、寫入保護、寬溫運行、安全刪除等特點的產品。

佰維致力于為廣大整機廠商，品牌商，工控級和消費級市場提供優(yōu)質的存儲產品和服務，為客戶提供涵蓋游戲娛樂、軌道交通、網絡安全、工業(yè)自動化、手機平板、網通產品在內的全系列存儲應用解決方案。

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佰維FMS?2019全球頂級閃存峰會首秀圓滿結束最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

集邦咨詢：第三季閃存合約價跌幅縮小，Wafer價格則逆勢上揚

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，7月各類NAND Flash（閃存）產品合約價已出爐，整體而言合約價仍趨向走跌，但受到東芝跳電對產出直接沖擊，導致主流產品價格跌幅收斂。

此外，近來日本對韓國調整輸出規(guī)范一事也被認為會沖擊韓系廠商NAND Flash供給。集邦咨詢認為，日本政府此次的規(guī)范調整僅是將韓國移出白名單（White List），而白名單國家僅代表擁有出口優(yōu)惠待遇，過去亞洲國家中僅韓國在名單內，未來韓國只是從特別待遇國家變回普通國家，韓國半導體廠商所需經歷的手續(xù)將與其他亞洲國家的半導體廠商相同，加上日本政府也已增派人力加速審查，對廠商產出應不致于造成影響。

若逐一觀察報價走勢，首先沖擊最大、價格反彈最激烈的為面向渠道市場的Wafer價格，這類產品的均價于2017年11月起迄今已歷經相當長時間的跌勢，價格已貼近廠商現(xiàn)金成本，加上在Wafer市場供給具相當影響力的西數直接受到東芝跳電的影響，因此本月各供應商均提高價格，截至七月底Wafer合約價漲幅已經超過15%。展望八月，跳電事件影響仍可能延續(xù)，并可望帶動價格繼續(xù)上揚，但預計漲價幅度不會如七月的第一波反彈劇烈。

eMMC/UFS、Client SSD第三季合約價續(xù)跌，第四季價格可望回穩(wěn)

集邦咨詢指出，在消費性領域及智能手機客戶的eMMC/UFS方面，由于提供給主要客戶的合約價大多于六月議定，第三季盡管有旺季需求支撐，但受到國際情勢不確定性等影響仍屬疲弱，因此合約價仍呈現(xiàn)5%上下的跌幅。展望第四季，集邦咨詢預期，部分低容量產品領域有可能會歷經價格調整而小幅上漲，其他部分則趨向持平；在Client SSD方面，則同樣受合約價先行議定影響，加上市場庫存仍高，第三季仍下跌近10%的幅度，但預計各供應商的庫存在第四季將回到較健康的水位，有助于市場價格回穩(wěn)止跌。

Enterprise SSD方面，由于東芝與西數在此市場占有率不高，因此供給方面受影響不大，而需求表現(xiàn)方面同樣受到中美貿易情勢影響，備貨力道并不如市場原先預期樂觀，第三季Enterprise合約價至少下跌15%。同樣東芝跳電事件的影響將反映在第四季，隨著各供應商庫存水位回到較溫和區(qū)間，價格跌幅得以收斂，不過基于服務器價格競爭激烈，預計Enterprise SSD合約價仍將維持小跌的走勢。

集邦咨詢指出，從整體產品比重來看，Wafer價格雖漲幅最高，但占整體交易市場比重較低，相較之下，SSD與eMMC/UFS占整體NAND Flash交易市場比重達八成，在其價格跌幅仍有5~15%的情況下，第三季NAND Flash整體市場價格依然呈現(xiàn)下跌格局。

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近日，佰維推出了厚度逼近封裝極限的超小eMMC，尺寸為7.5mmx8.8mmx0.6mm，以響應可穿戴設備制造商的定制需求。佰維常規(guī)尺寸的eMMC系列采用高性能主控芯片和穩(wěn)定的NAND Flash晶圓，在提高數據傳輸效率的同時，具有尺寸小、功耗低的優(yōu)勢，被以手機、車載電子為代表的終端設備廣泛采用。新推出的超小尺寸eMMC，尤其適用于對尺寸、功耗敏感，可靠性和耐用性要求高的可穿戴設備。

佰維超薄、超小尺寸eMMC具有以下特點：

??高密度集成閃存、主控與MMC接口；
??尺寸小巧，僅為7.5mmx8.8mmx0.6mm；
??最大順序讀取速度308MB/s；
??支持動態(tài)電源管理，節(jié)能、省電，功耗更低；
??設計、認證時間短，加快客戶新品上市。

尺寸是限制eMMC應用場景的關鍵因素之一。佰維8mmx8mmx0.9mm 尺寸eMMC曾經獨領風騷，現(xiàn)在推出的7.5mmx8.8mmx0.6mm尺寸eMMC再次刷新記錄。通過不斷突破尺寸的限制，佰維持續(xù)拓展eMMC的應用邊界。

“從手腕穿戴設備到耳戴式設備，從健身到醫(yī)療，手表電話，智能手表、智能腕帶等可穿戴設備逐漸普及。制造商為了節(jié)省可穿戴產品的空間、重量、功耗，將尋求最小、最輕、最省電的eMMC方案。我們有足夠的技術儲備和工藝創(chuàng)新能力，來滿足可穿戴式設備制造商苛刻的定制化、差異化需求?！盉IWIN佰維研發(fā)總監(jiān)李振華先生說。

佰維eMMC超小尺寸系列最新產品已通過Airoha等穿戴式方案平臺驗證，正協(xié)助客戶進行小批量試產。歡迎更多對小尺寸eMMC有需求的穿戴式客戶來電咨詢！

關于Airoha

絡達科技（Airoha），聯(lián)發(fā)科技集團旗下子公司，業(yè)界領先的IC 設計領導廠商，致力于向客戶提供具備各類型無線通信技術的低功耗微型處理器系統(tǒng)芯片，連接未來物聯(lián)網世界中億萬個智能裝置。

產品涉及手機功率放大器(PA)、藍牙低功耗單芯片、藍牙無線音頻系統(tǒng)解決方案、WiFi物聯(lián)網單芯片、及智能裝置與可穿戴系統(tǒng)解決方案。目前絡達的產品已廣泛使用在各式手機、數字電視與機頂盒、車載追蹤系統(tǒng)、藍牙音頻設備、可穿戴式產品及各類智能家居設備中。

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聯(lián)系電話：18925273911

不止于小！佰維全球最小尺寸eMMC通過Airoha等穿戴式方案平臺驗證最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。