宏旺半導(dǎo)體ICMAX:eMMC仍是智能設(shè)備主流存儲(chǔ)選擇

宏旺半導(dǎo)體ICMAX:eMMC仍是智能設(shè)備主流存儲(chǔ)選擇

近幾年,電子類產(chǎn)品發(fā)展日新月異,運(yùn)行內(nèi)存也從1GB發(fā)展到了8GB,技術(shù)的發(fā)展是伴隨著市場(chǎng)需求的變化而變化的,畢竟我們對(duì)手機(jī)的運(yùn)行速度的要求越來(lái)越高。實(shí)際上,閃存(ROM)也是影響手機(jī)處理速度的重要部件,因?yàn)殚W存在很大程度上決定著手機(jī)讀寫數(shù)據(jù)的速度。

手機(jī)閃存具備了NAND(存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的SLC/MLC/TLC/QLC閃存顆粒)和負(fù)責(zé)控制數(shù)據(jù)傳輸和閃存磨損平衡的主控IC,兩者被封裝到同一塊eMMC芯片內(nèi),手機(jī)閃存eMMC的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格普遍使用了eMMC5.1,讀寫速度也達(dá)到了600MB/s。

eMMC和T卡對(duì)比

eMMC的全稱是embedded Multi Media Card,就是“嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡”,這就是一種針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。

eMMC的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的誕生就是為了簡(jiǎn)化NAND Flash的使用,硬件廠商只需將采購(gòu)的芯片放入新手機(jī)中,無(wú)須處理繁復(fù)的NAND Flash兼容性和管理問(wèn)題,縮短了新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本。

T卡,即TF卡,又稱microSD,是一種極細(xì)小的快閃存儲(chǔ)器卡,這種卡主要于手機(jī)使用,但因它擁有體積極小的優(yōu)點(diǎn),隨著不斷提升的容量,它慢慢開(kāi)始用于一些電子產(chǎn)品中,例如手機(jī)、電腦、數(shù)碼相機(jī)、兒童陪護(hù)機(jī)器人等。

eMMC和T卡 ,它們都屬于NAND Flash,發(fā)展到現(xiàn)在,T卡在手機(jī)上的作用漸漸被eMMC所取代。因?yàn)橄噍^于T卡,eMMC具有高效,高速,高兼容,持續(xù)穩(wěn)定等特性,確保產(chǎn)品在應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)定地發(fā)揮效能,所以eMMC是目前主流的便攜移動(dòng)產(chǎn)品解決方案。

eMMC和SSD
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eMMC更像是微型版的SSD,將主控、緩存和閃存同時(shí)集合在一塊芯片中,這就是SSD和eMMC最明顯的區(qū)別,主控、緩存和閃存通過(guò)BGA封裝方式封裝成一塊芯片,這種芯片集成度相當(dāng)高,更適合塞進(jìn)體積要求較小的智能設(shè)備中。

在智能手機(jī)領(lǐng)域,eMMC規(guī)格是主流,在平板電腦或是輕薄型筆記型電腦上,也有一部分對(duì)功耗和體積要求較高的設(shè)備,開(kāi)始由SSD轉(zhuǎn)為了使用eMMC。但由于SSD的特性,SSD也仍然大量應(yīng)用在平板和筆記本上,畢竟SSD有讀寫速度的優(yōu)勢(shì),不論是隨機(jī)效能或是連續(xù)效能,SSD在PC類領(lǐng)域都是eMMC的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

宏旺半導(dǎo)體 任重道遠(yuǎn)

除了手機(jī),智能穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)設(shè)備基本上都需要依托存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展,只有掌握了核心技術(shù),才能在高度智能化的時(shí)代,在存儲(chǔ)行業(yè)內(nèi)真正立足。宏旺半導(dǎo)體ICMAX,踐行著“中國(guó)芯·宏旺夢(mèng)”的偉大理想,立志做出中國(guó)本土memory芯片,讓中國(guó)民族品牌ICMAX走出中國(guó),走向世界!

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宏旺半導(dǎo)體是一家專注于存儲(chǔ)芯片Design、研發(fā)、封裝、測(cè)試、銷售服務(wù)于一體的高科技企業(yè),成立十五年來(lái),一路累積,潛心研發(fā)。其核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)是以臺(tái)灣國(guó)立清華大學(xué)、交通大學(xué),從事行業(yè)多年Memory開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)的人才為班底打造的專家團(tuán)隊(duì),并且擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán), 公司IC Design / HW / FW / SYS 等工程師人數(shù)超過(guò)全員一半。 產(chǎn)品型號(hào)包含了EMMC、EMCP、UFS、UMCP、SPI、LPDDR、DDR、SSD、內(nèi)存、TF,廣泛應(yīng)用于手持移動(dòng)終端、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、電腦及周邊、醫(yī)療、辦公、汽車電子及工業(yè)控制等設(shè)備的各個(gè)領(lǐng)域,為客戶提供更專業(yè)化和個(gè)性化的產(chǎn)品解決方案。

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群聯(lián)攻高端存儲(chǔ) 有望成新寵

群聯(lián)攻高端存儲(chǔ) 有望成新寵

群聯(lián)搶搭儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)需求爆發(fā)商機(jī) ,今年在臺(tái)北國(guó)際電腦展( Computex)展出的高端儲(chǔ)存系列產(chǎn)品受到市場(chǎng)矚目,預(yù)料在進(jìn)入5G后,將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵,也成為群聯(lián)獲利利器。

群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成表示,群聯(lián)強(qiáng)攻高端應(yīng)用儲(chǔ)存方案,鎖定近年熱門討論的嵌入式市場(chǎng)及企業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)等領(lǐng)域,相關(guān)市場(chǎng)進(jìn)入障礙高、毛利較好。群聯(lián)也將繼續(xù)挖掘并深耕,以提升營(yíng)運(yùn)績(jī)效與獲利。

潘健成強(qiáng)調(diào),今年布局重心著重于5G技術(shù)帶動(dòng)的周邊相關(guān)應(yīng)用與科技,包括電競(jìng)、延展實(shí)境(XR)、區(qū)塊鏈、人工智能與物聯(lián)網(wǎng)等。

以群聯(lián)的旗艦產(chǎn)品PS5016-E16為例,是領(lǐng)先業(yè)界及消費(fèi)應(yīng)用市場(chǎng)上唯一的PCIe Gen4x4 NVMe SSD控制芯片,采用28納米制程,搭載最新96層3D NAND快閃存儲(chǔ)器及第四代LDPC糾錯(cuò)引擎,透過(guò)專利硬件加速器,提供使用者超高效能體驗(yàn)。此外,E16也預(yù)先導(dǎo)入獨(dú)家設(shè)計(jì)的智慧溫控機(jī)制及隱藏式IC散熱裝置,大幅降低超高速運(yùn)算時(shí)所產(chǎn)生的熱功耗,提升使用者經(jīng)驗(yàn)。

SK海力士出貨96層 1Tb QLC 4D NAND 樣品

SK海力士出貨96層 1Tb QLC 4D NAND 樣品

3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層,這是接下來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的市場(chǎng)主流。

2018 年底,SK Hynix(SK海力士)發(fā)表 96 層堆??扉W存儲(chǔ)器,是為 TLC 類型、單一裸晶容量 512Gb(64GB)產(chǎn)品,還特地取了個(gè)有意思的 4D NAND 名詞(本質(zhì)和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 當(dāng)時(shí)曾預(yù)告,在 2019 年也就是今年的某個(gè)時(shí)間點(diǎn),自家 96 層堆棧產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展將進(jìn)入另一個(gè)階段,容量會(huì)倍增至 1Tb(128GB)。

SK Hynix 剛實(shí)現(xiàn)了這點(diǎn),官方宣布 96 層、1Tb 樣品已經(jīng)備妥,正陸續(xù)出貨提供給予主要的控制器、固態(tài)硬盤制造商。不過(guò)首波 1Tb 樣品屬于 QLC 類型,基于 4D NAND 架構(gòu)設(shè)計(jì)具有 4 個(gè)平面(Plane)、區(qū)塊容量 64KB,這數(shù)量規(guī)劃 2 倍于典型快閃存儲(chǔ)器(2 plane、32KB 之類規(guī)格),SK Hynix 強(qiáng)調(diào)這是確保性能的關(guān)鍵。

此外,SK Hynix 自己也投入 QLC 所適用控制器與韌體等開(kāi)發(fā),計(jì)劃在 2020 年推出自有品牌企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。SK Hynix 將致力于提升儲(chǔ)存密度,除了以追上硬盤 16TB 之類容量作為目標(biāo),更希望能夠吸引企業(yè)舍硬盤就固態(tài)硬盤。

將跌至歷史新低價(jià) 集邦咨詢看衰SSD合約價(jià)

將跌至歷史新低價(jià) 集邦咨詢看衰SSD合約價(jià)

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究顯示,今年NAND Flash產(chǎn)業(yè)明顯供過(guò)于求,固態(tài)硬盤(SSD)廠商大打價(jià)格戰(zhàn),導(dǎo)致PC OEM用SSD價(jià)格大跌,預(yù)期512GB與1TB等高容量SSD合約均價(jià),在今年底前每GB均價(jià)將跌破0.1美元的歷史新低水平,這轉(zhuǎn)變將使得512GB SSD取代128GB,成為僅次于256GB的市場(chǎng)第二大主流規(guī)格。而PCIe SSD的市場(chǎng)滲透率,也受惠于與SATA SSD近乎同價(jià)而有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)50%大關(guān)。

集邦咨詢研究協(xié)理陳玠瑋指出,2018年筆電SSD搭載率已首度突破50%大關(guān)。由于主流容量128/256/512GB SSD合約均價(jià)自2017年高點(diǎn)迄今已大跌超過(guò)50%,加上512GB與1TB SSD合約均價(jià)在年底前,每GB均價(jià)將跌破0.1美元,將刺激出大量取代500GB與1TB HDD(傳統(tǒng)硬盤)的需求,預(yù)期2019年SSD搭載率將落在60~65%。

在SSD價(jià)格方面,根據(jù)集邦咨詢最新的調(diào)查顯示,2019年第二季主流容量PC-Client(計(jì)算機(jī)終端)OEM SSD合約均價(jià)已連續(xù)下跌六個(gè)季度,其中SATA SSD合約均價(jià)較前一季下跌15~26%、PCIe SSD部分則下跌16~37%。

造成第二季價(jià)格持續(xù)下跌的原因,包括第二季PC、智能型手機(jī)、服務(wù)器及資料中心OEM端,客戶對(duì)于后市銷售趨于保守,以及手中庫(kù)存水位偏高,導(dǎo)致備貨動(dòng)能疲弱,讓NAND Flash市場(chǎng)持續(xù)嚴(yán)重供過(guò)于求。SSD領(lǐng)導(dǎo)廠商為求積極去化手中64/72層3D NAND庫(kù)存而大打價(jià)格戰(zhàn),加上英特爾3D QLC SSD帶來(lái)的比價(jià)效應(yīng)。

展望第三季,即便有傳統(tǒng)銷售旺季與蘋果新機(jī)備貨需求加持,需求端有機(jī)會(huì)較上半年好轉(zhuǎn),加上多數(shù)NAND Flash原廠放緩擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃并宣布減產(chǎn)抑制供給量,然考慮產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存水位仍偏高下,陳玠瑋預(yù)期,第三季SSD主流容量合約價(jià)持續(xù)走跌的機(jī)率仍偏高,但跌幅可望收斂。
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甜蜜點(diǎn)浮現(xiàn) SSD商機(jī)大開(kāi)

甜蜜點(diǎn)浮現(xiàn) SSD商機(jī)大開(kāi)

NAND Flash價(jià)格在上一季急跌后, 甜蜜點(diǎn)浮現(xiàn),加速讓采用NAND Flash的固態(tài)硬盤(SSD)快速取代傳統(tǒng)硬盤(HDD)。存儲(chǔ)器業(yè)者預(yù)估,隨著SSD在客戶端產(chǎn)品線滲透率拉升,且存儲(chǔ)器模組廠取得貨源成本和原廠相近,將連帶受惠。

存儲(chǔ)器業(yè)者透露,為消化龐大NAND Flash,高容量SSD是最好去化主力產(chǎn)品,今年各廠力拱PC大廠搶攻SSD。隨著NAND Flash上季價(jià)格達(dá)成本邊緣,很多模組廠貨源成本和原廠相近,因此今年已有模組廠的SSD產(chǎn)品切入一線PC OEM廠,這是重大突破。包括威剛、創(chuàng)見(jiàn)、宇瞻、十銓、廣穎、群聯(lián)等,全力大搶用戶端和企業(yè)端SSD商機(jī)。

茍嘉章:NAND 第 2 季跌價(jià)走勢(shì)收斂,下半年反彈困難

茍嘉章:NAND 第 2 季跌價(jià)走勢(shì)收斂,下半年反彈困難

Nand Flash 控制 IC 大廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章指出,從 2018 年下半年開(kāi)始跌價(jià)的 Nand Flash 價(jià)格,因?yàn)?2019 年的第 1 季跌幅已深,第 2 季跌價(jià)情況已經(jīng)有所收斂,加上新應(yīng)用的陸續(xù)出籠,使得整體市場(chǎng)狀況有比以前較為好轉(zhuǎn)的情況。只是,當(dāng)前價(jià)格還是持續(xù)維持低檔,以及還有許多外在因素的影響下,整體 2019 年下半年仍維持保守的情況。

茍嘉章表示,2019 年整體的半導(dǎo)體市場(chǎng)的確表現(xiàn)較差。其中,中國(guó)市場(chǎng)的手機(jī)及資料中心表現(xiàn)都不盡理想,尤其是在資料中心的部分,只有頭條的表現(xiàn)好一些,BAT(百度、阿里巴巴、騰訊)均下滑嚴(yán)重。至于北美市場(chǎng),資料中心的表現(xiàn)相較中國(guó)廠商會(huì)來(lái)的好些。

而除了市場(chǎng)需求目前仍較為保守的情況下,供應(yīng)的部分也沒(méi)有看到有效的控制方式。茍嘉章表示,雖然大多數(shù)存儲(chǔ)器廠都在之前宣布降低資本支出的情況。不過(guò),這樣降低資本支出的影響對(duì) 2019 年的影響不大。所以,存儲(chǔ)器在產(chǎn)能調(diào)控上還沒(méi)辦法有效控制的情況下,在加上之前客戶端也備了大量的貨需要消化,還有新推出的 5G 應(yīng)用初期受惠有限的情況下,因此短期內(nèi)雖然跌價(jià)的幅度依舊持續(xù),只是狀況比之前有所收斂。但是,要有價(jià)格反彈的機(jī)會(huì),在 2019 年幾乎不可能。

茍嘉章進(jìn)一步分析,目前 Nand Flash 的控制產(chǎn)能部分大多出現(xiàn)在較成熟 64 層堆棧的產(chǎn)品上,而 96 層堆產(chǎn)品的部分并沒(méi)有減少,這是為了應(yīng)付新應(yīng)用的出籠,這使得 OEM 市場(chǎng)相對(duì)穩(wěn)定,而消費(fèi)性市場(chǎng)價(jià)格就顯得較為混亂。至于,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出的 64 層堆棧產(chǎn)品上,雖然規(guī)劃了 10 萬(wàn)片的產(chǎn)能,但是目前的產(chǎn)能不到萬(wàn)片,因此對(duì)全球市場(chǎng)雖然難以起撼動(dòng)的影響,但是對(duì)于中國(guó)的部分消費(fèi)性產(chǎn)品來(lái)說(shuō)的確會(huì)有些帶動(dòng)作用。至于,后續(xù)的狀況,則有待后續(xù)關(guān)觀察。

另外,英特爾日前推出劃時(shí)代整合 DRAM 及 Nand Flash 優(yōu)點(diǎn)的 Optane Memory H10 產(chǎn)品,過(guò)去茍嘉章相當(dāng)看好英特爾 Optane 有機(jī)會(huì)會(huì)為市場(chǎng)帶來(lái)一波新的發(fā)展浪潮,現(xiàn)今茍嘉章也不改當(dāng)時(shí)的看法,但是仍要一段時(shí)間的醞釀,尤其包括其他就支競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星與 SK 海力士都相繼研發(fā)出相類似的產(chǎn)品情況下,仍舊有其未來(lái)的商機(jī)。

存儲(chǔ)器價(jià)格跌幅Q2趨緩 下半年起族群營(yíng)運(yùn)加溫可期

存儲(chǔ)器價(jià)格跌幅Q2趨緩 下半年起族群營(yíng)運(yùn)加溫可期

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)包括 NAND 與 NOR Flash,去年均在供需失衡之下,面臨相當(dāng)大的跌價(jià)壓力,但在大廠相繼減產(chǎn)之下,今年第 2 季起價(jià)格跌幅可望明顯收斂;DRAM 則是去年第 4 季起出現(xiàn)市況反轉(zhuǎn),首季價(jià)格續(xù)跌,但業(yè)者預(yù)期,第 2 季價(jià)格跌幅將趨緩。相關(guān)業(yè)者首季營(yíng)運(yùn)可望落底,并于第 2 季起增溫,下半年價(jià)量同步加溫可期。

去年 NAND Flash 因供過(guò)于求難以遏制,加上智能型手機(jī)需求趨緩,使供需失衡情況更加嚴(yán)重,NAND 去年總體資本支出下調(diào)近 10%,但仍無(wú)法翻轉(zhuǎn)供需失衡情形,全年 NAND Flash 價(jià)格跌幅約 6 至 7 成,今年首季更因市場(chǎng)庫(kù)存水位過(guò)高,大廠三星采取降價(jià)策略沖擊下,價(jià)格跌幅擴(kuò)大至超過(guò) 3 成,也使美光、SK 海力士相繼減產(chǎn) 5-10%。

雖然 NAND Flash 市場(chǎng)第 2 季仍持續(xù)面臨庫(kù)存調(diào)節(jié)壓力,但業(yè)者預(yù)期,在供給面產(chǎn)能有所調(diào)節(jié)之下,第 2 季價(jià)格跌幅可望明顯趨緩,至少較首季跌幅收斂 5 成以上,約達(dá) 10-15%,NAND 廠營(yíng)運(yùn)壓力也將減輕。

NOR Flash 去年受到終端需求轉(zhuǎn)弱,但供給卻持續(xù)增加影響,市場(chǎng)供需失衡,不過(guò),在低密度 NOR Flash 需求提升之下,加上供給面有所調(diào)整,第 2 季雖仍會(huì)持續(xù)跌價(jià),但外資預(yù)期,價(jià)格跌幅將收斂至 5-10%,下半年供需趨于平衡,業(yè)者也看好下半年市況將好轉(zhuǎn),NOR Flash 廠營(yíng)運(yùn)動(dòng)能可望逐步回穩(wěn)。

DRAM 產(chǎn)業(yè)去年第 4 季出現(xiàn)市況反轉(zhuǎn),今年第 1 季價(jià)格持續(xù)下跌,但業(yè)者認(rèn)為,第 2 季價(jià)格跌幅將有所收斂,并看好庫(kù)存壓力將緩解,帶動(dòng)銷量持穩(wěn)。從 DRAM 大廠南亞科日前公告的 4 月?tīng)I(yíng)收來(lái)看,達(dá)到 41.11 億元,月增逾 1 成,顯示需求逐步走出谷底,第 2 季出貨將增溫,下半年更在旺季帶動(dòng)下,供需回穩(wěn)可期,市況將好轉(zhuǎn)。

慧榮:NAND Flash需求Q2回升

慧榮:NAND Flash需求Q2回升

存儲(chǔ)器市況于2018年下半年開(kāi)始走跌,市場(chǎng)關(guān)注2019年走勢(shì)是否能反轉(zhuǎn)。NAND Flash控制IC大廠慧榮(Silicon Motion)總經(jīng)理茍嘉章認(rèn)為,2019年第二季NAND Flash報(bào)價(jià)已開(kāi)始持穩(wěn),需求也可望升溫,但仍舊不見(jiàn)價(jià)格提升趨勢(shì),他對(duì)于下半年旺季景氣持觀察態(tài)度。

慧榮贊助忠義基金會(huì)于4日在臺(tái)北花博公園舉辦「和幸福作伴-童漾『家』年華」公益園游會(huì),這是慧榮第五年與忠義攜手舉辦。茍嘉章受訪時(shí)提到當(dāng)前存儲(chǔ)器市況,他表示,2019年第一季NAND Flash報(bào)價(jià)幾乎每周都在下探,導(dǎo)致中下游廠商擔(dān)心價(jià)格持續(xù)下跌,因此遲遲不敢拉貨。

茍嘉章說(shuō),直到3月底隨著韓系廠商喊出價(jià)格已經(jīng)接近成本價(jià),因此不會(huì)再調(diào)低報(bào)價(jià)時(shí),客戶端才重拾信心,開(kāi)始啟動(dòng)拉貨需求,從當(dāng)前狀況看起來(lái),第二季的報(bào)價(jià)仍未見(jiàn)走升趨勢(shì),但是拉貨量將可望開(kāi)始明顯升溫。

從個(gè)別應(yīng)用端來(lái)看,茍嘉章認(rèn)為,目前資料中心及企業(yè)用市場(chǎng)依舊處在消化庫(kù)存階段,不過(guò)預(yù)期2019年下半年美系資料中心客戶將可望開(kāi)始啟動(dòng)拉貨需求,中國(guó)大陸廠商則必須持續(xù)觀察;消費(fèi)產(chǎn)品端自第二季起開(kāi)始有明顯拉貨潮,但當(dāng)前能見(jiàn)度僅有一到兩個(gè)月,因此他對(duì)下半年能否迎來(lái)旺季需求,仍抱持觀察態(tài)度。

中國(guó)大陸積極發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),存儲(chǔ)器市場(chǎng)也不例外,市場(chǎng)擔(dān)心中國(guó)大陸存儲(chǔ)器市場(chǎng)崛起,將可能會(huì)排擠到其他地區(qū)廠商的發(fā)展空間。茍嘉章指出,中國(guó)大陸的NAND Flash廠近期已經(jīng)大幅提升良率,甚至可達(dá)量產(chǎn)水平,預(yù)期下半年可能將對(duì)大陸內(nèi)需市場(chǎng)形成一些影響,但對(duì)全球存儲(chǔ)器仍影響有限,慧榮已經(jīng)聯(lián)手紫光集團(tuán)及長(zhǎng)江存儲(chǔ)等主要廠商作為合作伙伴,對(duì)于中國(guó)大陸市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)抱有信心。

針對(duì)第二季營(yíng)運(yùn)展望,茍嘉章說(shuō),預(yù)期第二季SSD控制芯片營(yíng)收將大幅成長(zhǎng)約25%,尤其PC OEM的SSD新案持續(xù)增加,加上原本開(kāi)發(fā)案紛紛進(jìn)入量產(chǎn)階段,將帶動(dòng)慧榮SSD控制IC營(yíng)收,可預(yù)見(jiàn)未來(lái)的強(qiáng)勢(shì)成長(zhǎng)。

應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)變化,SK海力士宣布停產(chǎn)部分產(chǎn)品

應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)變化,SK海力士宣布停產(chǎn)部分產(chǎn)品

4月25日,SK海力士公布截至3月31日的2019年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示,今年第一季度,SK海力士營(yíng)收為6.77萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)1.37萬(wàn)億韓元,凈利1.10萬(wàn)億韓元。

為應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的變化,SK海力士在財(cái)報(bào)中表示要強(qiáng)化技術(shù)開(kāi)發(fā),并作出相應(yīng)布局。

DRAM領(lǐng)域,SK海力士表示將逐漸擴(kuò)大第一代10納米(1X)產(chǎn)量,并從下半年起,將主力產(chǎn)品更換為第二代10納米(1Y)產(chǎn)品。與此同時(shí),為支援新款服務(wù)器芯片的高用量DRAM需求,將開(kāi)始供給64GB模塊產(chǎn)品。

NAND Flash部分,SK海力士將專注于改善收益。SK海力士將停止生產(chǎn)成本較高的36層與48層3D NAND,同時(shí)提高72層產(chǎn)品的生產(chǎn)比重。

今年下半年,SK海力士將通過(guò)96層4D NAND鞏固公司在SSD與移動(dòng)市場(chǎng)的地位。

SK海力士是存儲(chǔ)器大廠,全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)提供的數(shù)據(jù)顯示,2018年第四季度,SK海力士DRAM市占率為31.2%,全球排名第二,NAND Flash市占率為11.2%,全球排名第五。

考慮到目前的需求量,SK海力士指出,韓國(guó)清州新M15工廠量產(chǎn)速度將比原計(jì)劃慢,同時(shí),SK海力士今年NAND晶圓投入量也會(huì)比去年減少10%以上。

吳敏求︰旺宏最壞情況已過(guò) 下半年好轉(zhuǎn)

吳敏求︰旺宏最壞情況已過(guò) 下半年好轉(zhuǎn)

存儲(chǔ)器制造廠旺宏第1季稅后凈利新臺(tái)幣1.42億元,季減95%,創(chuàng)11季以來(lái)新低,每股純益0.08元。董事長(zhǎng)吳敏求表示,旺宏短期營(yíng)運(yùn)最壞情況已過(guò),預(yù)期第二季編碼型快閃存儲(chǔ)器(NOR Flash)仍會(huì)續(xù)跌價(jià),但旺宏價(jià)格下跌有限,下半年市況可望較上半年好轉(zhuǎn)。

旺宏昨舉行在線法人說(shuō)明會(huì),公布第1季財(cái)報(bào),受到美中貿(mào)易戰(zhàn)影響,市場(chǎng)需求趨保守,任天堂(Nintendo)下單也保守、認(rèn)列庫(kù)存跌價(jià)損失的影響,旺宏第1季營(yíng)收60.29億元,季減33%;毛利率25%,季減3個(gè)百分點(diǎn),稅后凈利1.42億元,季減95%,創(chuàng)近11季新低,每股盈余0.08元。

展望第二季,吳敏求釋出說(shuō)法符合美系外資日前報(bào)告預(yù)期,指出旺宏短期營(yíng)運(yùn)最壞情況已過(guò)去,第二季NOR Flash還會(huì)續(xù)跌價(jià),但旺宏高密度NOR Flash產(chǎn)品比重已達(dá)30%,產(chǎn)品跌價(jià)有限,預(yù)期美中貿(mào)易談判若能在今年中達(dá)成協(xié)議,下半年NOR Flash市況可望好轉(zhuǎn)。唯讀存儲(chǔ)器今年出貨量可跟去年持平,下半年出貨將顯著成長(zhǎng)。儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)產(chǎn)品期隨主要供應(yīng)商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND Flash,供應(yīng)減少,市場(chǎng)也可望回穩(wěn)。