非揮發(fā)性快閃存儲器大廠旺宏公告元月營收月增10.6%達新臺幣22.60億元，表現(xiàn)略優(yōu)于市場預期。旺宏過去幾年積極耕耘車用存儲器市場有成，今年車用NOR/NAND Flash出貨持續(xù)放量，全球每臺新車都有內(nèi)建旺宏芯片；同時，旺宏今年亦將強攻19納米SLC NAND及eMMC市場，已獲得許多客戶青睞。旺宏亦投入3D NAND研發(fā)，預期2021年開始出貨。

旺宏去年合并營收達新臺幣369.53億元，年增8.1%并續(xù)創(chuàng)歷史新高，歸屬母公司稅后凈利達新臺幣89.93億元，較前年大幅成長63.0%，每股凈利新臺幣4.94元，優(yōu)于市場預期。每年上半年是旺宏營運淡季，但日前公告元月合并營收月增10.6%達新臺幣22.60億元，表現(xiàn)優(yōu)于預期。

由于美中貿(mào)易摩擦尚未落幕，半導體市場第一季表現(xiàn)疲弱，旺宏董事長吳敏求表示，今年是充滿不確定性的一年，上半年最不能預測，下半年若是美中貿(mào)易摩擦結束，就會明顯變好，但美中紛爭要多久才會結束，是見仁見智。

雖然近期大陸同業(yè)擴產(chǎn)導致NOR Flash價格松動，但吳敏求對NOR Flash看法不變，高質(zhì)量的NOR Flash需求仍然十分強勁。而旺宏近年來積極卡位車用電子市場有成，并獲得一線車廠及車用電子廠的采用，全球每臺新車都有內(nèi)建旺宏芯片。吳敏求表示，車用或醫(yī)療等應用是人命關天的市場，要用保守的態(tài)度去做，所以NOR Flash市場還有相當大的成長空間。

旺宏董事會已決議通過新增資本支出預算，將投入新臺幣142.03億元擴充高階制程產(chǎn)能，去年第四季開始投資，包括把12寸廠Fab 5的制程全面升級為19納米，同時也會將NOR Flash制程由75納米轉進55納米。旺宏今年將發(fā)揮19納米技術優(yōu)勢，全力提高SLC NAND出貨量，同時也將推出e.MMC存儲器搶攻新應用市場，持續(xù)推升旺宏營運表現(xiàn)。

由于NAND Flash價格去年大跌，導致三星、SK海力士、東芝及西數(shù)、美光及英特爾等四大陣營在去年底減少晶圓產(chǎn)出，下修今年資本支出并推遲96層3D NAND擴產(chǎn)計劃，的確讓第一季NAND Flash價格出現(xiàn)緩跌情況。不過，隨著上游原廠96層3D NAND新產(chǎn)能將在第二季后開出，加上三星、美光、東芝等新廠在下半年量產(chǎn)，業(yè)界預估供給過剩及跌價壓力仍在。

去年上半年因為64層及72層3D TLC NAND產(chǎn)能開出，且單顆NAND Flash容量上看256Gb/512Gb，與2D NAND制程的單顆NAND Flash容量僅128Gb/256Gb相較幾乎翻倍，也因此，去年NAND Flash價格一路走跌，去年底每GB價格跌破0.1美元并創(chuàng)下新低紀錄，NAND Flash廠也面臨營業(yè)利益明顯縮水壓力。

為了減緩NAND Flash跌價走勢，包括三星、美光等上游原廠在去年底減少晶圓產(chǎn)出，并下修今年資本支出及推遲96層3D NAND新產(chǎn)能開出速度。但因蘋果iPhone銷售不佳，智能型手機生產(chǎn)鏈進入庫存調(diào)整，需求端明顯進入衰退，讓上游原廠減少供給的意圖大打折扣，第一季NAND Flash價格續(xù)跌，只是跌幅略有縮小。

市場雖然預期智能型手機生產(chǎn)鏈第二季庫存去化完成后將重啟NAND Flash采購，且供給端并無新產(chǎn)能開出，價格應可持穩(wěn)，但因各家NAND Flash上游原廠將在第二季開出96層3D NAND新產(chǎn)能，且下半年后新廠也將加入量產(chǎn)，模組業(yè)者對NAND Flash價格看法仍然保守，預期跌價情況恐會持續(xù)到今年中。

據(jù)業(yè)界消息，各家NAND Flash原廠的新廠將在下半年后進入量產(chǎn)階段，其中規(guī)模最大的是三星的西安廠第二期，第三季將量產(chǎn)512Gb容量96層3D NAND。美光Fab 10第三期預期會在今年第四季進入量產(chǎn)，投產(chǎn)產(chǎn)品以512Gb容量96層3D NAND為主。至于東芝及西數(shù)合資的Fab7將在會下半年完工，明年第一季512Gb容量96層3D NAND會開始進入量產(chǎn)階段。

集邦科技DRAMexchange指出，今年第一季NAND Flash市場均價季度跌幅可能達20%，第二季報價可能將續(xù)跌將近15%，下半年有旺季需求挹注，跌幅可望略微收斂。

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韓國三星電子公司（Samsung Electronics Co.）昨天公布財報，2018 年第四季凈利大減 31%，原因是主要產(chǎn)品存儲器芯片需求下滑。

三星為全球最大手機與存儲器芯片制造商，根據(jù)財報，去年 10 月至 12 月凈利為 8.46 兆韓圓，較 2017 年同期下滑 31%。

三星最近幾年屢創(chuàng)獲利新高，但情況如今已有所改變，在全球供貨增加下，芯片價格大跌。此外，三星也在智能型手機市場面臨來自中國對手日益激烈的競爭，例如華為自去年起便取代蘋果公司（Apple），成為全球第二大手機供應商。

彭博報導，三星去年第四季凈利低于分析師預期。三星電子聲明表示，去年第四季獲利下降，主要受到存儲器芯片需求減少影響。三星也預期，「由于季節(jié)性因素、總體經(jīng)濟不確定性，以及主要采購大廠的庫存調(diào)節(jié)」，芯片需求「在今年第一季仍持續(xù)疲軟」。

華邦電董事會焦佑鈞對今年存儲器市況保守看待，不過內(nèi)部仍強調(diào)，新建12寸晶圓廠存儲器仍照計劃進行，且看好未來存儲器發(fā)展。

華邦電新建12寸晶圓廠座落高雄科學園區(qū)，去年10月動工。華邦電總經(jīng)理詹東義強調(diào)，華邦電維持快閃憶體和DRAM平衡發(fā)展，絕不會走回生產(chǎn)標準型DRAM的路，目前雖然遭遇國際貿(mào)易摩擦和科技廠進行庫存調(diào)整等因素干擾，但仍看好存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主因這個產(chǎn)業(yè)朝健康發(fā)展，而且有很多新的應用出來。

詹東義說，華邦電中科廠產(chǎn)能去年都全數(shù)滿載，根本不敷客戶需求，為因應客戶要求及支應華邦成長，才決定啟動新建12寸廠投資。

華邦電高雄新廠計劃導入第三世代DRAM制程技術。此外將持續(xù)開發(fā)超低功耗DRAM、Flash。

存儲器廠旺宏電子公布2018年12月合并營收為20.43億元（新臺幣，下同），較上月合并營收30.44億元減少32.9%，來到近22個月以來新低，并較2017年同期合并營收31.25億元相較，則減少34.6%，累計全年合并營收為369.53億元，較2017年同期341.97億元增加8.1%，刷新歷史新高。
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旺宏電子原本看好去年下半年旺季效應可望發(fā)酵，游戲機等客戶的需求將轉趨暢旺，下半年的營收將大舉躍增，惟無奈受到美中貿(mào)易沖擊，客戶拉貨轉趨保守，在旺季效應落空下，12月來到近22個月新低，第4季營收89.81億元，較上季100.3億元減少10.46%，未能持續(xù)走高。
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旺宏去年上半年的營收約179.41億元，下半年的營收約190億元，下半年僅較上半年增加5.9%。旺宏去年下半年遭受到客戶下單不如預期，同時間，NOR Flash價格開始松動轉趨下跌，演變成供過于求的局面，至于ROM的庫存水位過高，將成為旺宏短期營運的逆風。
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旺宏董事長吳敏求日前出席旺宏科學獎獎典禮時指出，吳敏求認為，半導體景氣最大的影響性來自于美中貿(mào)易摩擦，這一波庫存調(diào)整的修正可能會比想象中還要來的更久，但在越不景氣的時候，旺宏更要堅持投入研發(fā)，今年的資本支出計劃不會改變。
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吳敏求認為，今年景氣的變化，就是要看貿(mào)易摩擦的發(fā)展，或許這一次的庫存調(diào)整的情況會比想象中還得更久，可能今年第1季的時候還不見得會調(diào)整結束。
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對于旺宏而言，吳敏求表示，旺宏的庫存其實只要降價都賣得掉，但是這樣做生意不是好的做法，因此并不會采取削價競爭，寧可先采取觀望，未來若有需求的時候，將以生產(chǎn)彈性轉換的做法因應。
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吳敏求說，旺宏今年將投入的新產(chǎn)能以19納米的SLC（單層式）與eMMC （嵌入式存儲器）NAND Flash為主，與NAND Flash一線大廠專做大容量、高密度的產(chǎn)品有所區(qū)隔，也因此受到市場主流產(chǎn)品的價格波動影響有限。
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談到今年的資本支出，吳敏求表示，對于半導體晶圓制造廠來說，投資是比較長遠的事情，尤其在最不景氣的時候，更要投資，對于旺宏來說，明年的資本支出將大舉投入，計劃不會變動，將積極轉換到更高階19納米產(chǎn)能，繼續(xù)提升公司的競爭力。
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旺宏規(guī)劃今年的資本支出為142.03 億元，資金來源包括自有資金與銀行融資，將用于提升12吋晶圓廠高階產(chǎn)能，及用于研發(fā)需求，較今年資本支出規(guī)劃增加近 1.5 倍，也是歷年來資本支出金額最大手筆的一次。