2020年06月12日 – 世界知名超頻內(nèi)存及高端電競(jìng)外設(shè)領(lǐng)導(dǎo)品牌，芝奇國際為新一代Intel Z490平臺(tái)推出多款高速低延遲內(nèi)存套裝，規(guī)格最高達(dá)DDR4-4400 CL17-18-18-38 32GB (16GBx2)的極速規(guī)格，并已于多款Z490系列主板完成燒機(jī)測(cè)試，此一系列套裝皆采用嚴(yán)選的高效能三星 B-die顆粒所打造，兼具超高的傳輸頻率以及極低的延遲，是極限超頻玩家及高端用戶夢(mèng)寐以求的強(qiáng)悍內(nèi)存規(guī)格。

兼具高頻率低延遲? 效能的完美展現(xiàn)

專注于極限超頻的強(qiáng)大效能，芝奇研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷挑戰(zhàn)高頻率與低延遲共存的全新高度，成功于新一代Z490平臺(tái)上推出一系列CL17低時(shí)序的豪華內(nèi)存規(guī)格，達(dá)到了4400MHz高頻率的門坎，并推出業(yè)界首見的DDR4-4400 CL17-18-18-38 32GB(16GBx2)飆悍高規(guī)，提供極限超頻玩家能嶄新的高效能體驗(yàn)。此規(guī)格已在最新的第10代Intel? Core?處理器和MSI MPG Z490 GAMING PLUS及ASROCK Z490 AQUA主板上通過燒機(jī)測(cè)試，以下為測(cè)試截圖:

除了16GBx2套裝外，芝奇也提供DDR4-4400MHz CL17-18-18-38 16GB(8GBx2)的高速規(guī)格，以下截圖為此規(guī)格在最新第10代Intel? Core? i9-10900K處理器和ASUS ROG MAXIMUS XII FORMULA主板上通過燒機(jī)測(cè)試:

上市信息 & 詳細(xì)規(guī)格

本次的頂級(jí)套裝預(yù)計(jì)于2020年第3季開始販賣，消費(fèi)者將可由芝奇授權(quán)的全球合作供貨商購買取得，完整規(guī)格請(qǐng)參照以下圖表:

支持 XMP 2.0 超頻功能

芝奇超頻DDR4內(nèi)存全面支持 Intel XMP 2.0 超頻功能，玩家無需透過復(fù)雜的 BIOS 設(shè)置，僅需透過簡單步驟就能輕松體驗(yàn)超頻所帶來的飆速快感。

關(guān)于芝奇國際

芝奇國際實(shí)業(yè)股份有限公司創(chuàng)立于1989年，總公司位于臺(tái)北市，為全球高端超頻、電競(jìng)計(jì)算機(jī)內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌。在計(jì)算機(jī)科技產(chǎn)業(yè)長達(dá)30年的經(jīng)驗(yàn)，芝奇深信唯有不懈的創(chuàng)新及突破，才能建立永續(xù)的品牌價(jià)值。另外，芝奇往往率先同行開發(fā)出高規(guī)格產(chǎn)品，其高端內(nèi)存宛如計(jì)算機(jī)硬件界的超跑，乃全球高端玩家藉以競(jìng)技爭(zhēng)鋒的夢(mèng)幻逸品。2015年，芝奇將對(duì)產(chǎn)品的苛刻創(chuàng)新精神，帶入電競(jìng)外圍產(chǎn)品，其電競(jìng)鍵盤及鼠標(biāo)憑著精細(xì)的作工及獨(dú)到的設(shè)計(jì)，一經(jīng)上市即榮獲全球眾多專業(yè)媒體和極限用戶的好評(píng)及推薦。芝奇秉承堅(jiān)持淬煉不凡的精神，將不斷為用戶提供更高質(zhì)量的產(chǎn)品。

芝奇推出DDR4-4400 CL17 (16Gx2)高速低延遲內(nèi)存套裝!最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條，在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。光威弈PRO DDR4內(nèi)存條采用自主國產(chǎn)的長鑫內(nèi)存芯片，由深圳市嘉合勁威電子科技公司生產(chǎn)制造。

光威弈Pro DDR4有臺(tái)式機(jī)DDR4和筆記本DDR4兩款。光威弈Pro DDR4臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條共有2個(gè)規(guī)格：8G容量的版本，頻率為3000MHz，內(nèi)存條的時(shí)序是16-18-18-38，電壓是1.35V；16G容量的版本，頻率為2666MHZ，內(nèi)存條的時(shí)序是19-19-19-43，電壓是1.2V。光威弈Pro DDR4筆記本內(nèi)存條也有2個(gè)規(guī)格：8G容量的版本，頻率為2666MHZ，內(nèi)存條的時(shí)序是19-19-19-43，電壓是1.2V；16G容量的版本，頻率、時(shí)序、電壓與8G版本相同。

目前光威弈Pro DDR4兩款內(nèi)存條均已上市，得到了國內(nèi)政企用戶，普通玩家的大力支持。僅首日，銷量就超過了5000條，線上線下銷量火爆、好評(píng)如潮。

光威弈Pro DDR4是中國首款采用自主國產(chǎn)芯片，性能和品質(zhì)能夠滿足消費(fèi)市場(chǎng)需求的國產(chǎn)內(nèi)存條。 它的出現(xiàn)填補(bǔ)了國內(nèi)消費(fèi)市場(chǎng)的空白，標(biāo)志著國產(chǎn)存儲(chǔ)的成功崛起。

深圳坪山區(qū)近年積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)、高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，率先搭建應(yīng)用場(chǎng)景，為企業(yè)新產(chǎn)品、新技術(shù)的應(yīng)用提供平臺(tái)。深圳嘉合勁威電子科技有限公司入駐坪山區(qū)以來，倚靠坪山高新區(qū)的地緣優(yōu)勢(shì)和政策扶持，獲得了巨大的發(fā)展和提升。

此次光威弈PRO DDR4內(nèi)存條，在深圳坪山區(qū)大規(guī)模量產(chǎn)，是深圳坪山集成電路產(chǎn)業(yè)、高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的又一個(gè)成果，中國智造再一次閃亮世界。

國內(nèi)首款中國芯DDR4內(nèi)存條，在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

2020年5月20日，世界知名超頻內(nèi)存及高端電競(jìng)外圍領(lǐng)導(dǎo)品牌，芝奇國際于Intel新一代Z490平臺(tái)上，展示多款高速的超頻內(nèi)存規(guī)格，除了擁有DDR4-5000超高頻率的規(guī)格外，更包含了由單支32GB模組打造的超大容量高速套裝，已于多款不同主板上完成燒機(jī)測(cè)試，發(fā)揮新一代配備強(qiáng)悍的超頻實(shí)力。

創(chuàng)作無界 容量無際 – DDR4-4400? 64GB(32GBx2)

近年來多媒體創(chuàng)作者對(duì)于內(nèi)存容量的需求持續(xù)提升，單支32GB模組漸漸成為許多高端用戶選擇的內(nèi)存方案，芝奇特別展示DDR4 32GB模塊在Intel Z490平臺(tái)下優(yōu)異的超頻性能，分別搭載在最新第10代i9-10900K與ASUS ROG MAXIMUS XII APEX 以及Intel第10代i7-10700K 與 ASUS ROG Maximus XII Formula主板上，達(dá)到DDR4-4400 CL19-26-26-46 64GB(32GBx2) 同時(shí)擁有高頻率及大容量的夢(mèng)幻逸品。

低延遲的頂尖效能 DDR4-4400 CL17 32GB(16GBx2)?

為提供超頻玩家更高效能的內(nèi)存選擇，芝奇研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷挑戰(zhàn)更高頻率、更低延遲并存的可能性，成功在DDR4-4400這樣的高速領(lǐng)域下同時(shí)能擁有CL17的超低時(shí)序，達(dá)到DDR4-4400 CL17 32GB(16GBx2)的震撼規(guī)格。此規(guī)格已在最新Intel第10代Core i9-10900K處理器和ASUS ROG Maximus XII Extreme主板上通過燒機(jī)測(cè)試，以下為測(cè)試截圖

新世代5GHz飆速體驗(yàn) – DDR4-5000 16GB(8GBx2)

專注于極限超頻，芝奇從未停止追尋更高的速度，這次在Intel Z490平臺(tái)上，芝奇將內(nèi)存頻率再次拉升，跨入5000MHz的高速領(lǐng)域，并成功以DDR4-5000 CL19 16GB(8GBx2)的驃悍速度于多款不同主板上完成燒機(jī)測(cè)試。以下為此規(guī)格搭配最新Intel第10代Core i9處理器，分別在ASUS ROG MAXIMUS XII APEX， ASRock Z490 AQUA 及MSI MEG Z490 GODLIKE主板上通過燒機(jī)的截圖:

速度與容量的雙重極致 – DDR4-5000 32GB(16GBx2)

為使高端用戶擁有極致的效能體驗(yàn)，芝奇資深研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷挑戰(zhàn)更強(qiáng)大的內(nèi)存規(guī)格，成功將規(guī)格推升至DDR4-5000 CL19 32GB(2x16GB) 的全新高度，此規(guī)格不但是同時(shí)擁有極速及超大容量的頂級(jí)配備，更是追求極限超頻玩家夢(mèng)寐以求的珍品，并已搭配最新Intel第10代Core i9-10900K處理器，以下為測(cè)試截圖:

關(guān)于芝奇國際

芝奇國際實(shí)業(yè)股份有限公司創(chuàng)立于1989年，總公司位于臺(tái)北市，為全球高端超頻、電競(jìng)計(jì)算機(jī)內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌。在計(jì)算機(jī)科技產(chǎn)業(yè)長達(dá)近30年的經(jīng)驗(yàn)，芝奇深信唯有不懈的創(chuàng)新及突破，才能建立永續(xù)的品牌價(jià)值。另外，芝奇往往率先同行開發(fā)出高規(guī)格產(chǎn)品，其高端內(nèi)存宛如計(jì)算機(jī)硬件界的超跑，乃全球高端玩家藉以競(jìng)技爭(zhēng)鋒的夢(mèng)幻逸品。2015年，芝奇將對(duì)產(chǎn)品的苛刻創(chuàng)新精神，帶入電競(jìng)外圍產(chǎn)品，其電競(jìng)鍵盤及鼠標(biāo)憑著精細(xì)的作工及獨(dú)到的設(shè)計(jì)，一經(jīng)上市即榮獲全球眾多專業(yè)媒體和極限用戶的好評(píng)及推薦。芝奇秉承堅(jiān)持淬煉不凡的精神，將不斷為用戶提供更高質(zhì)量的產(chǎn)品。

芝奇展示Intel Z490平臺(tái)高速超頻DDR4內(nèi)存最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

2020年的智能手機(jī)市場(chǎng)，雖然受到了疫情的影響，但依然硝煙四起。今年一開春，5G手機(jī)大戰(zhàn)便正式拉開了序幕。有意思的是，除了密密麻麻的攝像頭、Wi-Fi6技術(shù)、屏下指紋識(shí)別，各大手機(jī)品牌還把焦點(diǎn)放在了存儲(chǔ)上——LPDDR5內(nèi)存和UFS3.0存儲(chǔ)。

隨著對(duì)智能手機(jī)配置需求的提升，手機(jī)內(nèi)存也在不斷升級(jí)。億級(jí)像素、4K高清視頻、VR游戲等各種炫酷的應(yīng)用，都需要更大的容量、更快的速度和更可靠的性能來支持。對(duì)于普通用戶來說，LPDDR可能比較陌生，它實(shí)際上是一種主要用于移動(dòng)設(shè)備推出的低功耗、小體積內(nèi)存，而LPDDR5則是它最新的標(biāo)準(zhǔn)，是新一代的“網(wǎng)紅”內(nèi)存。

關(guān)于LPDDR5的爭(zhēng)議也不小，有人說它是5G時(shí)代黑科技滿滿的手機(jī)“標(biāo)配”，也有人說它 和LPDDR4X 差不多，兩者的感知差異并不強(qiáng)。真的如此嗎？兩者究竟有多大區(qū)別？

從實(shí)測(cè)的數(shù)據(jù)來看，LPDDR4x對(duì)實(shí)際的CPU性能影響確實(shí)要小，內(nèi)存總分4105分，小米10 4129分，黑鯊34154分，LPDDR5在內(nèi)存帶寬上大概領(lǐng)先8%，內(nèi)存延遲上略有優(yōu)勢(shì)，不過內(nèi)存復(fù)制性能上反而K30PRO的LPDDR4x好些。

相比較于LPDDR4X來說，LPDDR5功耗和電壓都更低，在讀寫性能上也更快，是一次全新的升級(jí)，但是也有業(yè)內(nèi)人士爆料，LPDDR4X和LPDDR5在日常體驗(yàn)中差異不明顯。OPPO副總裁沈義人也表示，新一代技術(shù)肯定比上代技術(shù)好，但在實(shí)際使用過程中更應(yīng)該看整機(jī)的實(shí)際表現(xiàn)，而并非只看技術(shù)上的理論提升。其實(shí)，在電腦上和智能手機(jī)上，除了性能剛剛夠用的低端機(jī)，幾乎所有性能的極限差距都是不容易在日常使用中被感知出來的。

此外，目前市面上還有很多處理器還不能支持LPDDR5，不少主流旗艦手機(jī)內(nèi)存使用的還是LPDDR4X。宏旺半導(dǎo)體ICMAX推出的LPDDR4X ，可匹配主流需求，兼?zhèn)涓咚俣扰c低功耗，可提供超高續(xù)航能力、超低功耗設(shè)計(jì)、穩(wěn)定流暢體驗(yàn)，規(guī)格方面單顆容量2GB、4GB、8GB，頻率 3200MT/s，電壓為0.6V等，工作溫度-25℃至85℃，采用VFBGA 200Ball等封裝。

更低功耗、更高能效

宏旺半導(dǎo)體的LPDDR4X 卓越的高能效解決方案，電壓低至0.6V，在性能方面比 LPDDR4 更進(jìn)一步，功耗大約降低了10-20%，有效地延長了電池壽命。

·?容量更大，最高達(dá)8GB

LPDDR4X 采用小型封裝，8GB的內(nèi)存能滿足大多數(shù)超薄移動(dòng)設(shè)備的容量空間要求，并具備高性能的多任務(wù)處理功能。

·?快速流暢，一觸即達(dá)

LPDDR4X 運(yùn)行頻率在LPDDR4基礎(chǔ)上提高了33%的性能，達(dá)到了 3200MT/s，可以更流暢、快速地應(yīng)對(duì)龐大和復(fù)雜的工作環(huán)境。

·?移動(dòng)解決方案的理想選擇

宏旺半導(dǎo)體的LPDDR4X支持PoP堆疊封裝和獨(dú)立封裝，從智能手機(jī)、平板電腦，到車載電子、可穿戴設(shè)備等，LPDDR4X正在拓寬智能、移動(dòng)設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域。

如今受疫情的影響，全球市場(chǎng)需求疲軟，海外市況依然較為糟糕，供應(yīng)受到嚴(yán)重影響。與此同時(shí)，疫情也給國產(chǎn)替代帶來了較大的增長空間，在面對(duì)市場(chǎng)日益增長的需求和國外品牌難以提供穩(wěn)定供貨情形下，以宏旺半導(dǎo)體ICMAX為代表的國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片品牌，能自主研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，保證客戶所需的穩(wěn)定供貨鏈。

同時(shí)，為了進(jìn)一步滿足5G時(shí)代，移動(dòng)終端對(duì)存儲(chǔ)的高性能、大容量需求，宏旺半導(dǎo)體LPDDR5也正在緊密鑼鼓地籌備中，預(yù)計(jì)最晚明年上市。

在我國芯片高度依賴進(jìn)口的嚴(yán)峻形勢(shì)下，民族企業(yè)在存儲(chǔ)領(lǐng)域的前瞻布局和突破成果，無疑為實(shí)現(xiàn)”芯片國產(chǎn)化替代“提供了重要支撐。未來，宏旺半導(dǎo)體將繼續(xù)對(duì)即時(shí)通訊、行業(yè)存儲(chǔ)、智能交通、物聯(lián)網(wǎng)等熱門領(lǐng)域展示存儲(chǔ)及產(chǎn)品方案，將產(chǎn)業(yè)科技紅利轉(zhuǎn)換成效率提升，抓住如今的國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片發(fā)展契機(jī)，建設(shè)存儲(chǔ)芯片全產(chǎn)業(yè)鏈科技園，引領(lǐng)存儲(chǔ)芯片國產(chǎn)化替代。

移動(dòng)解決方案的理想選擇 宏旺半導(dǎo)體LPDDR4X內(nèi)存助力國產(chǎn)化替代最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

2019年12月23日– 世界知名超頻內(nèi)存及高端電競(jìng)外設(shè)領(lǐng)導(dǎo)品牌，芝奇國際推出由新一代單支32GB模組所組成的DDR4-3200 CL14-18-18-38極速內(nèi)存套裝，此規(guī)格將提供256GB (32GBx8)、128GB (32GBx4)、64GB (32GBx2) 三款豪華容量內(nèi)存方案，并加入Trident Z Royal皇家戟、Trident Z Neo焰光戟、Trident Z RGB幻光戟三款RGB內(nèi)存系列，滿足高端用戶對(duì)內(nèi)存高頻率及大容量的需求。

Intel X299高端平臺(tái)，極限效能再推升

為使高端用戶擁有極致的效能體驗(yàn)，芝奇資深研發(fā)團(tuán)隊(duì)以獨(dú)步業(yè)界的技術(shù)，為Intel X299高端平臺(tái)展現(xiàn)新的突破，將單支32GB DDR4模組組成的內(nèi)存套裝，成功達(dá)到了DDR4-3200 CL14-18-18-38 256GB (32GBx8)的震撼規(guī)格，此規(guī)格不但是高端用戶極速、低延遲、超大容量的頂級(jí)重裝配備，更是追求頂尖效能玩家的不二首選。以下燒機(jī)測(cè)試截圖為此規(guī)格成功在Intel Core i9-10900X處理器和ASUS ROG RAMPAGE VI EXTREME ENCORE主板以及Intel Core i9-10940X 處理器與MSI Creator X299主板上通過驗(yàn)證：

AMD平臺(tái)震撼性能，全力釋放

廣受好評(píng)的焰光戟是許多AMD平臺(tái)玩家的內(nèi)存優(yōu)先選擇，芝奇為提供第三代AMD Ryzen Threadripper高端玩家擁有更快、更大容量的頂級(jí)規(guī)格，全新推出焰光戟 DDR4-3200 CL14-18-18-38 256GB (32GBx8) 豪華內(nèi)存套裝，經(jīng)由嚴(yán)密的測(cè)試來確保其擁有強(qiáng)大的超頻潛力以及穩(wěn)定的兼容性。下圖為此規(guī)格在AMD Ryzen Threadripper 3960X 處理器及 ASUS ROG ZENITH II EXTREME 主板上通過燒機(jī)測(cè)試的截圖畫面:

芝奇也特別推出了DDR4-3200 CL14-18-18-38 128GB (32GBx4) 高速大容量的慓悍規(guī)格，提供AMD X570平臺(tái)玩家極速大容量的豪華內(nèi)存方案，是追求極限效能玩家市場(chǎng)上不可錯(cuò)過的稀世珍品。下圖為此規(guī)格成功在AMD Ryzen 5 3600 處理器及 ASUS PRIME X570-P 主板上通過燒機(jī)測(cè)試的截圖:

上市信息?

本次的頂級(jí)套裝預(yù)計(jì)于2020年第一季開始販賣，消費(fèi)者將可由芝奇授權(quán)的全球合作供貨商購買取得。

支持XMP 2.0超頻功能

芝奇超頻DDR4內(nèi)存全面支持 Intel XMP 2.0 超頻功能，玩家無需透過復(fù)雜的 BIOS 設(shè)置，僅需透過簡單步驟就能輕松體驗(yàn)一鍵超頻功能所帶來的飆速快感。

芝奇發(fā)表高速低延遲DDR4-3200 CL14 256GB套裝最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，在當(dāng)前各家廠商庫存數(shù)量下跌，加上資料中心需求持續(xù)強(qiáng)勁，以及2020年第1季5G手機(jī)市場(chǎng)對(duì)于DRAM需求擴(kuò)大的情況下，近3個(gè)月連續(xù)走跌的DRAM價(jià)格已經(jīng)觸底反彈。

其中，DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的產(chǎn)品上漲了2.88%，而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的產(chǎn)品也上漲了1.04%，顯示了DRAM市場(chǎng)從下跌狀況走緩，甚至已經(jīng)開始反彈回溫。

有報(bào)告顯示，2020年在5G智能手機(jī)、資料中心等需求的提升，使得業(yè)者開始加大對(duì)于DRAM的采購力道。

其中，在5G智能手機(jī)方面，因?yàn)槠炫灆C(jī)種將搭載6G到12G的DRAM，相較4G高端旗艦款手機(jī)搭載3G到6G DRAM的規(guī)格而言，容量要增加許多，使得市場(chǎng)開始對(duì)DRAM的需求增加。

除了在需求面的提升之外，外資報(bào)告還指出，韓國存儲(chǔ)器龍頭三星目前在DRAM生產(chǎn)方面已經(jīng)開始導(dǎo)入1z納米制程，三星期望可以透過制程微縮，提升單位生產(chǎn)數(shù)量。

此外，到第三代10納米級(jí)的1z納米制程后，由于未來微縮空間減少，使得成本效益遞減，加上三星逐漸導(dǎo)入EUV生產(chǎn)DRAM，生產(chǎn)成本隨之提高，這樣不僅形成進(jìn)入產(chǎn)業(yè)的高門檻，也限制了未來擴(kuò)產(chǎn)比例，導(dǎo)致預(yù)期供貨將維持在一定數(shù)量，廠商難以大量收到貨源，形成價(jià)格的預(yù)期上揚(yáng)。而這對(duì)于整體DRAM產(chǎn)業(yè)來說，也會(huì)是較為健康的發(fā)展。

2020年5G手機(jī)及資料中心需求提升 DRAM現(xiàn)貨價(jià)格觸底反彈最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

11月25日，世界知名超頻內(nèi)存及高端電競(jìng)外圍領(lǐng)導(dǎo)品牌，芝奇國際為新一代高端平臺(tái) Intel X299 和 AMD TRX40推出高速、低延遲、大容量內(nèi)存系列套裝規(guī)格，包含高速套裝DDR4-4000MHz CL15-16-16-36 64GB (8GBx8)，以及大容量套裝 DDR4-3600MHz CL16-19-19-39 256GB (32GBx8)、DDR4-4000MHz 18-22-22-42 256GB(32GBx8)。此系列套裝滿足了高端工作站、影音編輯者以及專業(yè)科學(xué)運(yùn)算對(duì)于大容量的需求，更是追求頂尖效能玩家們的好選擇。

釋放Intel? X299平臺(tái)強(qiáng)悍性能

為了高端平臺(tái)Intel X299，芝奇資深研發(fā)團(tuán)隊(duì)再次展現(xiàn)獨(dú)步業(yè)界的技術(shù)實(shí)力，挑戰(zhàn)高頻率及大容量并存的可能性，成功將CL15超低延遲帶入4000MHz極限頻率的門坎，推出DDR4-4000MHz CL15-16-16-36 64GB (8GBx8)。此規(guī)格已在Intel Core i9-10900X處理器及 ASUS ROG RAMPAGE VI EXTREME ENCORE與MSI Creator X299主板上通過驗(yàn)證，以下為燒機(jī)測(cè)試截圖:

從首度推出單支32GB DDR4模塊套裝不過兩個(gè)月內(nèi)，芝奇再次挑戰(zhàn)業(yè)界推出高速的256GB套裝模塊，具備DDR4-4000 CL18-22-22-42 256GB (32GBx8) 的極致效能規(guī)格，并經(jīng)過多重嚴(yán)密測(cè)試后已達(dá)到絕佳超頻潛力及產(chǎn)品兼容性。—以下燒機(jī)測(cè)試截圖為此規(guī)格成功在MSI Creator X299 和 ASUS PRIME X299-DELUXE II 主板以及Intel Core i9-9920X 與i9-9820X processors處理器上通過驗(yàn)證：

發(fā)揮AMD TRX40平臺(tái)極致效能

焰光戟自推出以來即廣受AMD 平臺(tái)玩家們的喜愛，為了提供第三代AMD Ryzen Threadripper的玩家好的效能體驗(yàn)，芝奇再次突破極限推出擁有超低延遲的Trident Z Neo焰光戟DDR4-3600MHz CL14-15-15-35 64GB (8GBx8)。下圖為此套規(guī)格在AMD Ryzen Threadripper 3960X 處理器及 ASUS ROG Zenith II Extreme 主板上通過燒機(jī)測(cè)試的截圖畫面:

針對(duì)高端工作站、影音編輯者以及專業(yè)科學(xué)運(yùn)算的大容量需求，芝奇更推出了單支32GB? DDR4模塊套裝，規(guī)格高達(dá)DDR4-3600 CL16-19-19-39 256GB (32GBx8)，是追求極致效能使用者的不二選擇。此規(guī)格已成功在AMD Ryzen Threadripper 3960X處理器及 ASUS ROG Zenith II Extreme主板上通過的燒機(jī)測(cè)試截圖:

上市信息 & 詳細(xì)規(guī)格

本次的頂級(jí)套裝預(yù)計(jì)于2019年第4季開始販賣，消費(fèi)者將可由芝奇授權(quán)的全球合作供貨商購買取得。

支持XMP 2.0超頻功能

芝奇超頻DDR4內(nèi)存全面支持 Intel XMP 2.0 超頻功能，玩家無需透過復(fù)雜的 BIOS 設(shè)置，僅需透過簡單步驟就能輕松體驗(yàn)一鍵超頻功能所帶來的飆速快感。

關(guān)于芝奇國際

芝奇國際實(shí)業(yè)股份有限公司創(chuàng)立于1989年，總公司位于臺(tái)北市，為全球高端超頻、電競(jìng)計(jì)算機(jī)內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌。在計(jì)算機(jī)科技產(chǎn)業(yè)長達(dá)近30年的經(jīng)驗(yàn)，芝奇深信唯有不懈的創(chuàng)新及突破，才能建立永續(xù)的品牌價(jià)值。另外，芝奇往往率先同行開發(fā)出高規(guī)格產(chǎn)品，其高端內(nèi)存宛如計(jì)算機(jī)硬件界的超跑，乃全球高端玩家藉以競(jìng)技爭(zhēng)鋒的夢(mèng)幻逸品。2015年，芝奇將對(duì)產(chǎn)品的苛刻創(chuàng)新精神，帶入電競(jìng)外圍產(chǎn)品，其電競(jìng)鍵盤及鼠標(biāo)憑著精細(xì)的作工及獨(dú)到的設(shè)計(jì)，一經(jīng)上市即榮獲全球眾多專業(yè)媒體和極限用戶的好評(píng)及推薦。芝奇秉承堅(jiān)持淬煉不凡的精神，將不斷為用戶提供更高質(zhì)量的產(chǎn)品。

芝奇推出新一代高端平臺(tái)高速大容量豪華內(nèi)存套裝最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個(gè)五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達(dá)到了電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Ele ctron Device Engineering Council,簡稱JEDEC) 標(biāo)準(zhǔn), 這項(xiàng)技術(shù)正在DRAM市場(chǎng)開拓一片新天地。

技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力將引領(lǐng)第四次工業(yè)革命

DDR5具備超高速、低功耗和大容量特性, 將成為大數(shù)據(jù)(Big Data), 人工智能 (AI) 和機(jī)器 學(xué)習(xí) (Machine Learning) 等新一代系統(tǒng)理想的 DRAM。

繼1Y納米工藝的8Gbit(Gb)DDR4之后, SK海力士于2018年11月面向各大主要芯片組制造商, 推出與DDR4 采用相同微細(xì) 化工藝的16Gb DDR5 。新一代DDR5 DRAM支持5200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率, 比上一代3200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率快了 60左右。同樣在今年2月, 在美國舊金山舉行的2019國際固態(tài)電路會(huì)議 (the International Solid-State Circuits Conference 2019, 簡稱ISSCC) 上, SK海力士詳細(xì)介紹了16Gb DDR5, 表示該產(chǎn)品技術(shù)上支持的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)6400Mbps。

DDR5將性能效率最大化

與上一代產(chǎn)品DDR4相比, DDR5不僅在功耗上降低了30%, 數(shù)據(jù)傳輸速率還提升了60%。DDR5支持41.6GByte/秒的數(shù)據(jù)傳輸速率, 相當(dāng)于一秒內(nèi)能處理11部全高清 (Full-HD)電影的容量。

2018年11月, SK海力士成功研發(fā)世界首個(gè)DDR5 DRAM。該產(chǎn)品采用與JEDEC一致的DDR5標(biāo)準(zhǔn), 儲(chǔ)庫(Bank)的數(shù)量從16翻番至32。突發(fā)長度 (Burst Length, 即連續(xù)傳輸?shù)闹芷跀?shù)) 也從8翻番至16。與此同時(shí), 這款最新DRAM還包含錯(cuò)誤糾正代碼 (Error Correcting Code, 簡稱ECC）算法, 從而將大大提升大容量系統(tǒng)的可靠性。

由于采用最新先進(jìn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)超高速且可靠的動(dòng)作性能, 該產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度得到大幅提升, 進(jìn)一步鞏固了SK海力士的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力和行業(yè)領(lǐng)先地位。

新一代DRAM將重振內(nèi)存市場(chǎng)

有市場(chǎng)調(diào)查顯示, 對(duì)于DDR5內(nèi)存需求將從 2020年開始增長, 預(yù)計(jì)到2021年為止將占DRAM總市場(chǎng)的25%。這一市場(chǎng)份額將逐步提升, 并在2022年達(dá)到44%。SK海力士計(jì)劃從2020年開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片，同時(shí)公司也將繼續(xù)研發(fā)DRAM技術(shù), 希望引領(lǐng)新一代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展方向。

DDR5開辟DRAM市場(chǎng)新天地最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

其中在半導(dǎo)體存儲(chǔ)部分，集邦咨詢表示，隨著技術(shù)的發(fā)展，下一代DRAM（內(nèi)存）DDR5/LPDDR5在2020年將進(jìn)行導(dǎo)入與樣本驗(yàn)證，并逐步面市。

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)和移動(dòng)智能終端的重要組成部分，經(jīng)歷了長時(shí)間的競(jìng)爭(zhēng)更替和路線選擇之后，DRAM技術(shù)被穩(wěn)定在以DDR技術(shù)為基礎(chǔ)的發(fā)展路線上。從DDR到DDR2、DDR3，今天市面上比較普及的DRAM技術(shù)規(guī)格是DDR4/LPDDR4。

資料顯示，相比現(xiàn)有產(chǎn)品，除了外形變化不大之外，DDR5帶來了更高的帶寬、更大的容量和更出色的安全性。

從原理上來看，DDR5是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，由于其DDR的性質(zhì)，依舊可以在系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿和下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。和DDR4一樣，DDR5在內(nèi)部設(shè)計(jì)了Bank（數(shù)據(jù)塊）和Bank Group（數(shù)據(jù)組）。

和DDR4相比，DDR5在數(shù)據(jù)塊和數(shù)據(jù)組的配置上更為寬裕。

在DDR4產(chǎn)品上，數(shù)據(jù)組的數(shù)量最高限制為4組，一般采用2組配置。在DDR5上，數(shù)據(jù)組的數(shù)量可以選擇2組、4組到最高8組的設(shè)計(jì)，以適應(yīng)不同用戶的不同需求，并且還可以保證Bank數(shù)據(jù)塊的數(shù)量不變。

這意味著整個(gè)DDR5的Bank數(shù)量將是DDR4的至少2倍，這將有助于減少內(nèi)存控制器的順序讀寫性能下降的問題。

除了數(shù)據(jù)組翻倍外，在預(yù)取值、減少總線壓力、PDA模式、類雙通道等多方面都有不同程度的創(chuàng)新或重新設(shè)計(jì)，這為DDR5實(shí)現(xiàn)更高帶寬、更快速度和更好安全性打下基礎(chǔ)。

得益于最新的技術(shù)，DDR5有可能帶來單片32Gb的DDR5顆粒，這樣單內(nèi)存條支持的內(nèi)存容量有可能提升至64~128GB。而規(guī)格上，目前DDR5的內(nèi)存規(guī)格從DDR5 3200起跳，最高可到DDR5 6400。

各大廠商DDR5進(jìn)展

雖然JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）關(guān)于DDR5的最終規(guī)范還沒有完全確定，但這也擋不住國際大廠的熱情。目前多家廠商都公布了自己的DDR5產(chǎn)品路線圖和規(guī)劃。

根據(jù)路線圖來看，目前全球DRAM廠商中，包括三星、美光、SK海力士等廠商都提出了DDR5產(chǎn)品規(guī)劃。其中三星、美光和SK海力士已經(jīng)展示了自家旗下的DDR5顆粒，并開始小批量出貨。

下面是各大廠商DDR5相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)展：

· 美光：

2018年5月，美光就聯(lián)合Cadence展示了DDR5內(nèi)存和內(nèi)存控制器的樣品。Cadence是全球頂尖的EDA廠商，本次推出的DDR5相關(guān)IP產(chǎn)品也是配合JEDEC即將發(fā)布的DDR5內(nèi)存而來。Cadence的DDR5內(nèi)存控制器測(cè)試芯片采用了TSMC的7nm工藝制造，搭配的內(nèi)存則是美光的DDR5 4400 8Gb顆粒。

?· 三星：

2018年7月，三星另辟蹊徑展示了LPDDR5顆粒。相比DDR5內(nèi)存而言，LPDDR5的基本技術(shù)原理和其類似，但是面向移動(dòng)設(shè)備，在總線位寬、功能設(shè)計(jì)上做出了一些妥協(xié)，更注重高性能功耗比和低功耗、小尺寸。三星成功拿下了首個(gè)展示LPDDR5技術(shù)的桂冠。

· SK海力士：

2018年11月，SK海力士推出了DDR5內(nèi)存的樣品。這款內(nèi)存采用的芯片容量為16Gb，SK海力士宣稱其完全按照J(rèn)EDEC的DDR5規(guī)范開發(fā)（雖然現(xiàn)在也沒公開）。

2019年2月，SK海力士又在國際固態(tài)電路會(huì)議上展示了旗下DDR5內(nèi)存的相關(guān)開發(fā)進(jìn)度。這次SK海力士帶來的是最高端的DDR5 6400芯片的相關(guān)情況。SK海力士展示的是一款容量為16Gb的DDR5顆粒，有32個(gè)Bank和8個(gè)Bank Group，其接口傳輸速率為6400MT/s，電壓依舊是1.1V，制造工藝也是之前介紹過的1Ynm，其內(nèi)部具有四個(gè)金屬層，芯片封裝尺寸為76.22平方毫米。

為什么需要DDR5內(nèi)存

從原廠的角度來看，DDR5內(nèi)存從技術(shù)上已經(jīng)做好了準(zhǔn)備，一旦產(chǎn)業(yè)鏈配套的英特爾、AMD、高通等廠商做好準(zhǔn)備，DDR5家族的產(chǎn)品就可以正式上市。

除了傳統(tǒng)的臺(tái)式電腦領(lǐng)域需要DDR5之外，筆記本電腦和智能手機(jī)也將對(duì)DDR5形成強(qiáng)大的需求。尤其在5G和AI等技術(shù)的快速普及下，快速傳輸和計(jì)算將成為龐大的剛需。

當(dāng)然，未來降低功耗和提升性能一樣重要，存儲(chǔ)器制造商經(jīng)常面對(duì)的挑戰(zhàn)是必須不斷地提供越來越高的性能水平，同時(shí)還得支援更高的電源效率，特別是在低功耗的DRAM領(lǐng)域。

這也是為什么三星會(huì)率先發(fā)布應(yīng)用在智能手機(jī)和筆記本電腦上的LPDDR5的原因。

以速度和效能來看，三星12Gb LPDDR5比當(dāng)今智能手機(jī)中所用的LPDDR4X行動(dòng)存儲(chǔ)器更快約1.3倍；LPDDR4X的速度為4.2Gbps。以12GB的容量來看，LPDDR5可以在1秒鐘內(nèi)傳輸44GB的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于12部全高解析(full HD)的影片。

從主要的功率消耗來看，即將全面商用的5G網(wǎng)絡(luò)并不會(huì)消耗更多能量，但5G意味著將帶來更快速的管線，讓高端智能手機(jī)用戶能夠透過串流或檔案?jìng)鬏?，在其手機(jī)之間傳輸更多的資料，包括高質(zhì)量視頻等。

此外，智能手機(jī)上的AI技術(shù)也意味著設(shè)備將會(huì)進(jìn)行更多的計(jì)算，而且在要求應(yīng)用程序執(zhí)行某些操作(例如影像識(shí)別)時(shí)不容許延遲，這將面對(duì)更高的帶寬壓力。

事實(shí)上，今年年初，JEDEC為最新的LPDDR標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行升級(jí)，使其I/O速率較前一代標(biāo)準(zhǔn)大幅提升，讓存儲(chǔ)器傳輸速度增加一倍，目的就在于為智能手機(jī)、平板電腦和輕薄型筆記本電腦等移動(dòng)終端提高速度與效率，而這也是未來的市場(chǎng)需求，也就需要下一代DRAM。

為什么需要下一代DRAM？最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

集邦咨詢：DRAM八月合約價(jià)格止跌，九月繼續(xù)持平可能性高

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，八月DRAM合約價(jià)與前月持平，DDR4 8GB均價(jià)來到25.5美元，而九月合約價(jià)格雖然仍在議定當(dāng)中，但繼續(xù)持平的可能性高。

從市場(chǎng)面來觀察，隨著日本政府批準(zhǔn)關(guān)鍵半導(dǎo)體原料出口，七月開始的日韓貿(mào)易問題已正式落幕。但期間OEM客戶受不確定因素與預(yù)期心理影響，已紛紛拉高備貨庫存，使得DRAM原廠的高庫存水位逐步下降，并往正常水位邁進(jìn)。此外，第三季適逢傳統(tǒng)旺季，再加上美國將在12月初開始對(duì)部分中國出口的電子產(chǎn)品課征關(guān)稅，也產(chǎn)生提前出貨的效應(yīng)，需求力道超過預(yù)期，這讓DRAM原廠在價(jià)格議定時(shí)態(tài)度更為堅(jiān)定，亦讓整體第三季價(jià)格扭轉(zhuǎn)原先的跌勢(shì)，轉(zhuǎn)為持平。

原廠調(diào)整資本支出以穩(wěn)固獲利，明年DRAM產(chǎn)出增幅創(chuàng)十年新低

展望2020年，由于三大DRAM原廠仍以獲利為導(dǎo)向，資本支出預(yù)估將較今年減少至少10%，明年的產(chǎn)出年成長亦是近十年來新低，僅12.5%，為價(jià)格反彈奠定一定的基礎(chǔ)。

集邦咨詢調(diào)查顯示，DRAM原廠的擴(kuò)廠計(jì)劃轉(zhuǎn)趨保守，如三星的平澤二廠已經(jīng)接近完工，但最快要到2020年第二季才會(huì)進(jìn)入商轉(zhuǎn)，且新增的設(shè)備僅是支持未來1Znm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，整體投片量將與今年大致相同。SK海力士最新M16工廠最快明年下半年完工，產(chǎn)出增加最快要等到2021年，加上舊工廠M10逐步轉(zhuǎn)做代工，預(yù)估明年整體DRAM投片量將不增反減。

美光今年在廣島廠旁增設(shè)的F棟工廠，也是為了支援1Znm制程轉(zhuǎn)進(jìn)，整體廣島廠產(chǎn)能并無增加。而臺(tái)灣美光內(nèi)存目前正在興建的A3新廠，初期也是支援1Znm制程轉(zhuǎn)進(jìn)，短期增產(chǎn)機(jī)會(huì)并不大。但A3廠基地面積不小，未來還是有新增產(chǎn)能的可能。

明年中國DRAM投片占全球不到3%，對(duì)產(chǎn)業(yè)長期影響仍待觀察

中國目前有兩個(gè)DRAM生產(chǎn)基地，規(guī)模較大的合肥長鑫存儲(chǔ)(CXMT)已經(jīng)初步投產(chǎn)，初期產(chǎn)品以DDR4 8Gb為主，明年上半年將會(huì)有LPDDR4 8Gb的產(chǎn)品，持續(xù)往量產(chǎn)邁進(jìn)，但預(yù)計(jì)要到2021年，產(chǎn)能才有機(jī)會(huì)達(dá)到滿載的100K甚至以上。福建晉華(JHICC)雖然受到美國禁令影響，美系設(shè)備無法有工程人員駐廠維護(hù)，但內(nèi)部仍試圖自行將參數(shù)調(diào)整至最佳化，預(yù)計(jì)明年投片有10K之內(nèi)的水平。

因此集邦咨詢預(yù)估，2020年中國DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%，自主生產(chǎn)成果仍有限。展望未來，中國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍需克服良率、機(jī)臺(tái)建置以及IP相關(guān)限制等挑戰(zhàn)，對(duì)整體DRAM供給產(chǎn)生明顯沖擊的確切時(shí)間點(diǎn)，仍需持續(xù)觀察。

集邦咨詢：DRAM八月合約價(jià)格止跌，九月繼續(xù)持平可能性高最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。