時光如梭，魔幻的2020年已經(jīng)過去了一半。這半年，疫情肆掠、蔓延全球，各國多項經(jīng)濟數(shù)據(jù)出現(xiàn)斷崖式下跌；美股10天內四次熔斷，IMF更是定義今年為自1930年代經(jīng)濟大蕭條以來最嚴重的一次危機……這樣的“活久見”系列在各行各業(yè)都普遍經(jīng)歷了，存儲芯片市場更甚。

2019年存儲芯片市場整體低迷，直到最后三個月，情況才開始有所好轉。如今，在疫情的不明朗和全球經(jīng)濟前景暗淡的背景下，NAND FLASH價格整體大幅度下調，DRAM芯片現(xiàn)貨市場價格在4月達到峰值后，目前也處于下跌趨勢。

然而，危機即轉機，NAND FLASH、DRAM價格下跌對于上游原廠而言，或許不是一件好事，但對于國產(chǎn)存儲品牌來說，正是加速“回血”和搶占市場份額的好時機。今年開春以來，“國產(chǎn)替代”就成為社會高度關注的話題，直播帶貨、線上教育、宅經(jīng)濟等網(wǎng)絡線上交易活動，更是促進了國內存儲市場的爆發(fā)式增長。

在行業(yè)環(huán)境愈趨明朗的當下，國產(chǎn)存儲品牌也開始紛紛發(fā)聲。宏旺半導體ICMAX作為專注存儲芯片行業(yè)十六年的優(yōu)質國產(chǎn)品牌，無論是在加大研發(fā)投入，還是深耕市場布局上都馬力十足，獲得了不斐的成績。如今，宏旺半導體已形成嵌入式存儲、移動存儲、SSD、內存條四大產(chǎn)品矩陣，并廣泛應用于移動終端、安防監(jiān)控、車載電子、航天航空、北斗導航、網(wǎng)通設備、工業(yè)控制等各個領域。

嵌入式存儲：簡而不減，小有乾坤

宏旺半導體推出的eMMC、eMCP、DDR、LPDDR等芯片，具備高性能、輕薄靈活、低功耗、高兼容等特點，并有專業(yè)團隊提供7*24h靈活存儲方案定制服務。

· 能應對5G時代更高的速度、更大的容量，可用于智能手機、AR/VR 設備、車載電子、掃地機器人、可穿戴設備等多場景的 ，能為移動設備提供快速可靠的連接；

·?能適用于數(shù)字電視、機頂盒、OTT、平板等多種需求的DDR3、DDR4，極致性能可以滿足各式各樣地工作環(huán)境；

·?將高傳輸速與低耗節(jié)能相結合的LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X，廣泛應用于智能手機、平板等移動設備，LPDDR4X更是當前主流的低功耗移動內存解決方案；

固態(tài)硬盤：智能用“芯”，抬手可及

宏旺半導體推出了2.5寸、mSATA、M.2 NGFF 、M.2 NVME等不同的SSD，覆蓋SATA、PCIe兩種主流接口，最高容量可達512GB，具有高速低耗、抗震穩(wěn)定、FW更新、PCIe BGA等優(yōu)點。

·?2.5”SSD

宏旺半導體推出的2.5”SSD,涵蓋32GB~1TB等多種容量，身形較為輕薄，提供6Gb/s的帶寬，連續(xù)讀取速度高達550MB/s，連續(xù)寫入速度高達500MB/s。目前廣泛用與電腦、車載監(jiān)控、工控機、視頻監(jiān)控等各個領域。在軟件上這款SSD可支持微軟系統(tǒng)、蘋果系統(tǒng)、Linux系統(tǒng)、安卓系統(tǒng)等現(xiàn)有的操作系統(tǒng)，硬件上可應用于Intel、AMD、國產(chǎn)CPU 兆芯等不同的平臺。

·?mSATA SSD

mSATA SSD 具備體積小、靜音、讀寫速度快、功耗低、啟動速度快、抗振耐沖擊等特點，其連續(xù)讀取速度高達550MB/s，連續(xù)寫入速度高達500MB/s，并且重量小于10克，其小體積特別適用于一體機和工控機等空間受限的平臺，可以在狹小的空間發(fā)揮著重要的存儲性能。?

·?M.2 NGFF SSD

M.2 NGFF接口比mSATA接口更小巧，是移動和便攜設備的首選。M.2 NGFF SSD采用SATAIII 6Gb/s傳輸接口，連續(xù)讀取速度最高達 550MB/s，連續(xù)寫入速度最高達500MB/s，能適用于Windows、Mac、Linux等系統(tǒng)。

·?M.2 NVME SSD

M.2 NVME SSD是新一代的高性能存儲產(chǎn)品，擁有更小巧的身形、更強悍的讀寫速度、更大的容量、更高效的數(shù)據(jù)處理能力，是高端主本、游戲本、超低本等設備性能的提升利器。

內存條：內“芯”強大，永不休假

以宏旺半導體推出的8GB DDR4 SODIMM商用系列為例，由專業(yè)研發(fā)團隊自主開發(fā)設計，工作電壓為1.2V，工作溫度0℃至70℃，260 – pin SODIMM封裝，2666 Mbps速率，擁有高容量、高性能等優(yōu)勢，以及可靠性保障，滿足了當前PC、電腦、電視等主流市場的需求。

移動存儲：極智“芯”能，高速存儲

宏旺半導體推出TF/ SD卡，具備大容量、耐高低溫、高速讀寫性能以及穩(wěn)定的讀寫性能，其高耐久度可以延長產(chǎn)品的使用壽命，為客戶減少更換頻率，節(jié)約總擁有成本。

2020年是一個危機之年，但危機同時意味著機遇。因為無論是物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、5G、人工智能等技術，都離不開存儲?；诖?，宏旺半導體ICMAX將打造“全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地”，建立芯片設計、芯片封裝測試、成品制造的完整存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈，自主研發(fā)并量產(chǎn)純國產(chǎn)血統(tǒng)的存儲芯片，滿足車載電子、安全手機、智能穿戴、智能硬件等細分市場，提供更優(yōu)質的存儲產(chǎn)品和服務。

近日，安徽省經(jīng)信廳引發(fā)《重點領域補短板產(chǎn)品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》（以下簡稱“方案”）。

根據(jù)《方案》，安徽省將聚焦新一代電子信息、智能裝備、新材料等重點領域，組織具備較強創(chuàng)新能力的企業(yè)揭榜攻關，通過2-3年時間，重點突破一批制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵技術，培育一批優(yōu)勢產(chǎn)品，做強一批優(yōu)勢企業(yè)，不斷提高制造業(yè)自主可控水平，促進制造業(yè)高質量發(fā)展。

目前，安徽省已經(jīng)以制造業(yè)重大發(fā)展需求為目標，以突破產(chǎn)業(yè)關鍵技術短板為導向，著眼有基礎可產(chǎn)業(yè)化、突出產(chǎn)業(yè)帶動性，在10個重點領域、50個重點方向中確定了104項揭榜任務，其中包括多項集成電路產(chǎn)業(yè)的揭榜任務。

以下為部分集成電路產(chǎn)業(yè)揭榜任務：

射頻氮化鎵單晶襯底的主要任務為面向高端射頻領域，如軍用相控雷達、5G通信基站、衛(wèi)星通訊等，開展基于自支撐技術的高質量、大尺寸、半絕緣型的氮化鎵襯底生長及物性調控的研發(fā)與量產(chǎn)。

低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)的主要任務為面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關高速接口技術、Bank Group架構設計技術、低功耗電源（電壓）技術、片內糾錯編碼（On-Die ECC）技術，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

15/14nm DRAM存儲芯片先進工藝開發(fā)及產(chǎn)品研發(fā)的主要任務為圍繞未來云計算、人工智能等對DRAM存儲芯片小尺寸、大容量、高速度的需求，進行15/14nm DRAM存儲芯片制造工藝開發(fā)，并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

DRAM存儲芯片專用封裝工藝鋁重新布線層(Al RDL)工藝開發(fā)的主要任務為圍繞先進DRAM產(chǎn)品工藝開發(fā)需求，開展鋁重新布線層工藝開發(fā)并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用，采用氣相沉積氧化硅厚膜作為保護層降低材料應力，攻關濺鍍厚鋁技術替代電鍍銅(鎳鈀金)技術，通過鋁替代銅作為重新布線層，解決先進DRAM產(chǎn)品封裝良率低、成本高、周期長等問題。

5nm計算光刻國產(chǎn)化，該任務的研究內容包括：計算光刻EDA軟件，提供高度智能化、自動化的EDA仿真軟件，含OPC和SMO兩大核心技術，同時將版圖到掩膜版數(shù)據(jù)轉換的全流程囊括其中，增加工藝探索、建模、圖形驗證、圖形校正、數(shù)據(jù)準備5大模塊，各個模塊可以獨立操作又能有效串連，對光刻工藝步驟構建適合的軟件模型，以純軟件模型取代工程實驗，達到降低研發(fā)成本的效果。通過內建人工智能算法引擎，從而提高收斂準確性，支持5nm光刻工藝和多重圖形化（Multiple-Patterning）技術，實現(xiàn)Patterning圖形全流程自動化，最大程度減少對人的依賴，還起到了提高開發(fā)效率、減少人力成本、縮短開發(fā)時間的作用。

定位下一代EDA的5nm工藝研發(fā)DTCO平臺，主要內容包括：將光刻工藝研發(fā)和器件工藝研發(fā)流程整合的工藝研發(fā)流程。包括七大模塊：1.性能評價模塊 2.功耗評價模塊 3.面積評估模塊 4.制程成本評估模塊 5.制程可行性評估模塊 6.智能設計規(guī)則管理系統(tǒng) 7.DTCO協(xié)作請求與控制系統(tǒng)。通過此DTCO平臺， 工藝研發(fā)人員將從研發(fā)早期確定技術路線，對性能功耗面積的持續(xù)優(yōu)化，評估工藝條件的可行性與成本，決定設計規(guī)則窗口，引入研發(fā)組織協(xié)作流程，將龐大的工藝研發(fā)信息納入統(tǒng)一管理，降低工藝研發(fā)成本，提高效率。?

5G高抑制n77頻帶帶通濾波器的主要內容為實現(xiàn)高抑制Hybrid 5G n77濾波器產(chǎn)品研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化，解決射頻前端芯片“卡脖子”難題。

基于5G通訊的LTCC射頻器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的主要內容為突破LTCC三維布局、傳輸零點的引入方法、LTCC濾波器的計算機輔助診斷與調試等關鍵技術。

國產(chǎn)化智能語音芯片研發(fā)的主要任務為：1.完全自研、自定義的DSP和AI加速器的指令和IP的研究設計；2.專用IP設計以及驗證：完成AI加速器微架構設計，指令集設計，用RTL實現(xiàn)并驗證，主要包括：1）AI加速器微架構設計，它可以較好的平衡各種算力需求和設計復雜度；2）針對人工智能算子，設計出AI加速指令。

存儲器芯片生產(chǎn)自動測試設備研發(fā)的主要任務包括1.ATE行業(yè)最高集成度的核心儀表板；2.行業(yè)最高的系統(tǒng)配置能力；3.行業(yè)內最高生產(chǎn)并行測試能力。

近日，美光科技發(fā)布了該公司的2020財年第三財季財報。報告顯示，美光科技第三財季營收為54.38億美元，相比之下去年同期的營收為47.88億美元；凈利潤為8.03億美元，與去年同期的8.40億美元相比下降4%。美光科技第三財季營收和調整后每股收益均超出華爾街分析師預期，第四財季業(yè)績展望也超出預期，從而推動其盤后股價大幅上漲逾6%。

主要業(yè)績：

在截至5月28日的這一財季，美光科技的凈利潤為8.03億美元，每股攤薄收益為0.71美元，這一業(yè)績不及去年同期。2019財年第三財季，美光科技的凈利潤為8.40億美元，每股攤薄收益為0.74美元。

不計入某些一次性項目（不按照美國通用會計準則），美光科技第三季度調整后凈利潤為9.41億美元，調整后每股收益為0.82美元，這一業(yè)績超出分析師預期，相比之下去年同期的調整后凈利潤為11.98億美元，調整后每股收益為1.05美元。據(jù)雅虎財經(jīng)頻道提供的數(shù)據(jù)顯示，23名分析師此前平均預期美光科技第三財季每股收益將達0.77美元。

美光科技第三財季營收為54.38億美元，相比之下去年同期的營收為47.88億美元，也超出分析師預期。據(jù)雅虎財經(jīng)頻道提供的數(shù)據(jù)顯示，24名分析師此前平均預期美光科技第三財季營收將達53.1億美元。

美光科技第三財季毛利潤為17.63億美元，在營收中所占比例為32.4%，相比之下去年同期的毛利潤為18.28億美元，在營收中所占比例為38.2%。不按照美國通用會計準則，美光科技第三財季毛利潤為18.04億美元，在營收中所占比例為33.2%，相比之下去年同期的毛利潤為18.84億美元，在營收中所占比例為39.3%。

美光科技第三財季運營利潤為8.88億美元，在營收中所占比例為16.3%，相比之下去年同期的運營利潤為10.10億美元，在營收中所占比例為21.1%。不按照美國通用會計準則，美光科技第三財季運營利潤為9.81億美元，在營收中所占比例為18.0%，相比之下去年同期的運營利潤為11.10億美元，在營收中所占比例為23.2%。

美光科技第三財季用于資本支出的投資（其中不包含由合作伙伴提供融資的金額）為19.2億美元，調整后自由現(xiàn)金流為1.01億美元。根據(jù)已經(jīng)獲批的股票回購計劃，美光科技在2020財年第三季度中總共回購了約92.9萬股普通股，回購總對價為4000萬美元。截至第三財季末，美光科技持有的現(xiàn)金、有價證券投資和限制性現(xiàn)金總額為92.9億美元，現(xiàn)金凈額為26億美元。

業(yè)績展望：

美光科技預計，2020財年第四財季的營收將達57.5億美元到62.5億美元，超出分析師預期。據(jù)雅虎財經(jīng)頻道提供的數(shù)據(jù)顯示，29名分析師此前平均預期美光科技第四財季營收將達54.7億美元。

美光科技還預計，第四財季毛利率將達34.5%，上下浮動1.5%；不按照美國通用會計準則，毛利率將達35.5%，上下浮動1.5%；運營支出將達9億美元，上下浮動2500萬美元；不按照美國通用會計準則，運營支出將達8.5億美元，上下浮動2500萬美元；凈利息支出將達3300萬美元；不按照美國通用會計準則，凈利息支出將達3000萬美元；每股攤薄收益將達0.88美元，上下浮動0.10美元；不按照美國通用會計準則的每股攤薄收益將達1.05美元，上下浮動0.10美元，超出分析師預期。據(jù)雅虎財經(jīng)頻道提供的數(shù)據(jù)顯示，28名分析師此前平均預期美光科技第四財季每股收益將達0.81美元。

6月6日，在長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式上，長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業(yè)務合作協(xié)議簽約。

Source：視頻截圖

據(jù)新民晚報報道，長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業(yè)務合作協(xié)議由長鑫存儲技術有限公司、蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約。

據(jù)官網(wǎng)介紹，長鑫存儲于2016年5月在安徽合肥成立，是一家一體化存儲器制造商，專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、人工智能、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領域，市場需求巨大并持續(xù)增長。

此次與長鑫存儲簽約的公司，各自在集成電路領域均有著舉足輕重的地位。

其中，蘇州瑞紅是國內知名的電子化學品公司，成立于1993年，是國內著名的專業(yè)生產(chǎn)微電子化學品的工廠，公司主要生產(chǎn)光刻膠、配套試劑、高純化學試劑等黃光區(qū)濕化學品，應用于FPD(LCD、TP、OLED、CF)、LED、IC等相關電子行業(yè)，與國內大部分相關廠商保持業(yè)務聯(lián)系。

蘇州瑞紅先后承擔過國家“85公關”項目、科技部創(chuàng)新基金項目、“863”重大專項，國家級重大專項02項目等，擁有數(shù)項國家發(fā)明專利和高新技術產(chǎn)品，是江蘇省高新技術企業(yè)。

寧波江豐電子是國內知名的電子靶材公司，成立于2008年，主營業(yè)務為高純?yōu)R射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品為各種高純?yōu)R射靶材，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等，公司產(chǎn)品主要應用于半導體(主要為超大規(guī)模集成電路領域)、平板顯示器及太陽能電池等領域。

據(jù)悉，該公司產(chǎn)品已經(jīng)成功地在中芯國際、臺積電、英特爾、格芯、京東方、華星光電等世界主流的半導體、平板顯示等電子信息產(chǎn)業(yè)中批量銷售，并在國際領先的半導體FinFET（FF+）7nm技術得到量產(chǎn)應用，打破了國外企業(yè)對靶材產(chǎn)業(yè)的長期壟斷，結束了我國依賴進口的歷史。

而上海新昇半導體則是重要的硅片供應商，成立于2014年，注冊資本7.8億元，新昇半導體的成立翻開了中國大陸300mm半導體硅片產(chǎn)業(yè)化的新篇章，將徹底打破我國大尺寸硅材料基本依賴進口的局面，使我國基本形成完整的半導體產(chǎn)業(yè)鏈。帶動全行業(yè)整體提升產(chǎn)品能級，同時也將帶動國內硅材料配套產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

根據(jù)官方介紹，新昇半導體第一期目標致力于在我國研究、開發(fā)適用于40-28nm節(jié)點的300mm硅單晶生長、硅片加工、外延片制備、硅片分析檢測等硅片產(chǎn)業(yè)化成套量產(chǎn)工藝；建設300毫米半導體硅片的生產(chǎn)基地，實現(xiàn)300毫米半導體硅片的國產(chǎn)化，充分滿足我國極大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)對硅襯底基礎材料的迫切要求。

此次集成電路產(chǎn)業(yè)4家企業(yè)簽約，支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設，可謂是強強聯(lián)手，無疑將進一步提升長三角地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)競爭力。

6月4日，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司（以下簡稱“兆易創(chuàng)新”）披露非公開發(fā)行股票發(fā)行結果顯示，公司本次發(fā)行的新增股份已于2020年6月3日在中國證券登記結算有限責任公司上海分公司辦理完畢登記托管及限售手續(xù)。

公告稱，兆易創(chuàng)新本次向新加坡政府投資有限公司 （GIC Private Limited）、葛衛(wèi)東、畢永生、博時基金管理有限公司、以及青島城投科技發(fā)展有限公司5家發(fā)行對象共發(fā)行實際發(fā)行數(shù)量為21,219,077股，發(fā)行價格為203.78元/股，募集資金總額為4,324,023,511.06元，扣除與發(fā)行有關的費用人民幣41,586,055.74元（不含增值稅），實際募集資金凈額為人民幣4,282,437,455.32元。

實際發(fā)行數(shù)量為21,219,077股，發(fā)行價格為203.78元/股，募集資金總額為4,324,023,511.06元，扣除與發(fā)行有關的費用人民幣41,586,055.74元（不含增值稅），實際募集資金凈額為人民幣4,282,437,455.32元。

本次非公開發(fā)行完成股份登記后，兆易創(chuàng)新前十名股東持股情況如下：

本次發(fā)行完成后，兆易創(chuàng)新前十名股東情況將發(fā)生改變，其中葛衛(wèi)東本次獲配736.09萬股，獲配金額15億元，持股比例將從3.06%提升至4.48%，成為兆易創(chuàng)新第五大股東，新加坡政府投資有限公司獲配978.52萬股，獲配金額19.94億元，登記完成后將成為兆易創(chuàng)新第九大股東，持股比例2.17%。

根據(jù)2020年3月3日兆易創(chuàng)新發(fā)布的《兆易創(chuàng)新非公開發(fā)行A股股票預案（修訂稿）》等公告，兆易創(chuàng)新此次募集資金凈額42.82億元，將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，以及補充流動資金。

其中DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目方面，兆易創(chuàng)新通過本項目，研發(fā) 1Xnm 級（19nm、17nm）工藝制程下的 DRAM 技術，設計和開發(fā) DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。本項目的成功實施，有助于公司豐富自身產(chǎn)品線，有效整合產(chǎn)業(yè)資源，鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。

兆易創(chuàng)新表示，本次非公開發(fā)行完成及募集資金投資項目實施完畢后，公司將新增對DRAM產(chǎn)品的銷售，擴大存儲器產(chǎn)品的種類與規(guī)模，存儲器業(yè)務板塊的收入占比將提升，收入構成將更加豐富，并能大幅提高公司的可持續(xù)發(fā)展能力及后續(xù)發(fā)展空間，為公司經(jīng)營業(yè)績的進一步提升提供保證。