近期中國半導(dǎo)體業(yè)要發(fā)展自己的存儲器，包括DRAM及3D NAND閃存。不過，對于中國存儲器業(yè)技術(shù)的來源問題，國外一直存在著質(zhì)疑。在國外的邏輯之中，“技術(shù)必須向他人購買”。例如1983年三星電子在京畿道器興地區(qū)建成首個芯片廠時曾向當(dāng)時遇到資金問題的美光公司購買64K DRAM技術(shù)，然后依賴自身的研發(fā)與迅速擴(kuò)大投資，最終超過日本而奪得存儲器霸主地位。

但是外國卻并不希望中國獲得存儲器技術(shù)，如之前紫光試圖花230億美元兼并美光等，但并未達(dá)成，萬般無奈之下中國只能依靠自己的力量進(jìn)行突破，也只是讓中國恢復(fù)應(yīng)有的尊嚴(yán)和地位。

中國發(fā)展存儲器的必要性

首先是必要性，存儲芯片是電子系統(tǒng)的糧倉，數(shù)據(jù)的載體，關(guān)乎數(shù)據(jù)的安全，其市場規(guī)模足夠大，約占半導(dǎo)體總體市場的三分之一。其次是緊迫性，據(jù)統(tǒng)計，中國市場消耗了全球DRAM產(chǎn)值的48%，消耗了全球NAND Flash產(chǎn)值的35%，年進(jìn)口總額高達(dá)880億美元，對外依賴度超過90%。最后是安全性，存儲芯片非常重要，但目前中國存儲芯片中DRAM、NAND的自給率幾乎為零。

對于國產(chǎn)廠商來說，首先中小容量存儲芯片是其中的一個市場機(jī)會。據(jù)業(yè)內(nèi)預(yù)計，中小容量存儲芯片市場規(guī)模將保持在120億-200億美元，其中低容量NAND有60億-100億美元，NOR約30億美元，低容量DRAM約70億美元。

隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能終端的快速發(fā)展，將不斷擴(kuò)大對中小容量存儲芯片的需求，行業(yè)格局的演變，因此中國存儲器業(yè)的首要目標(biāo)可以從中小容量的存儲芯片開始，待站穩(wěn)腳跟之后再向高容量存儲芯片邁進(jìn)。

為什么外國不能理解中國

外國站在完全市場化角度來觀察中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展，可能是無法理解的，加上其中確有極少數(shù)人并不希望中國半導(dǎo)體業(yè)有任何的進(jìn)步。

1)，DRAM及3D NAND閃存是中國市場需求量最大類芯片，而外國釆用封鎖，打壓等手段欺壓中國，如將晉華、華為等列入實(shí)體清單之中，阻止中國發(fā)展及獲得芯片，所以是被逼無奈的必然結(jié)果。

2)，現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)發(fā)展必須依靠國家資金等投入為主，所以重點(diǎn)在于要加強(qiáng)研發(fā)，積累IP，首先做出產(chǎn)品，然后逐漸國產(chǎn)替代。

3)，存儲器業(yè)的特點(diǎn)，它的設(shè)計并不難，如NAND閃存基本上有兩種結(jié)構(gòu)類型，一種是Floating Gate浮柵式結(jié)構(gòu)，美光，英特爾采用，另一種是Charge Trap電荷捕獲型結(jié)構(gòu)，在3D NAND閃存中成為主流的選擇，包括三星、東芝、SK Hynix在內(nèi)的閃存廠商普遍選擇了Charge Trap結(jié)構(gòu)。

DRAM量產(chǎn)關(guān)鍵在于生產(chǎn)線的質(zhì)量控制以及持續(xù)的投資，擴(kuò)大產(chǎn)能，最終以數(shù)量與價格取勝。而中國在巨大市場以及國家資金為主的支持下發(fā)展，相信一定有能力自主做出產(chǎn)品，但是困難的是產(chǎn)能爬坡速度，及在存儲器的下降周期中能堅持下去。中國做存儲器在很大程度上試圖滿足部分國內(nèi)的需求。

韓國獨(dú)霸存儲器業(yè)

以2019 Q2計，在DRAM方面，三星市占45%，Hynix市占29%，及在NAND閃存中，三星的市占35%及Hynix的18%，可見韓國壟斷全球存儲器業(yè)。這種局面長久下去并不利于產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。

因此站在美光、東芝等立場它們具有兩重性，一方面害怕中國存儲器業(yè)的崛起，動了它們的“奶酪”，然而在另一方面，它們也愿意希望利用中國的崛起能削弱韓國壟斷的局面。所以中國存儲器業(yè)發(fā)展中要充分認(rèn)識目前的格局，找到適合生存與發(fā)展的支點(diǎn)。

千萬不要低估中國半導(dǎo)體業(yè)的決心與韌性

中國是全球僅次于美國的GDP大國，但絕不是全球第二大半導(dǎo)體強(qiáng)國，與世界先進(jìn)水平尚有很大差距。據(jù)統(tǒng)計，2018年國產(chǎn)半導(dǎo)體自給率為15.3%，2019年將可望提升至17%左右，但預(yù)計到2023年才可望拉升至20%自給率。

在貿(mào)易摩擦的格局下，美國把中興，華為，晉華等列入“實(shí)體清單”之中，竭力阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展，而存儲器是中國半導(dǎo)體進(jìn)口金額最大類之一。如與發(fā)展CPU相比較，現(xiàn)階段存儲器作為中國半導(dǎo)體業(yè)的突破口是合乎理性的。中國不會謀求存儲器的霸權(quán)地位，也不可能，僅是希望能部分替代進(jìn)口之用，而且這樣的過程用時不會太短。

另外，中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)現(xiàn)階段以國家資金投入為主，它不是補(bǔ)貼，而是以股權(quán)加入，這也是唯一可能的選擇，相比全球其它半導(dǎo)體業(yè)者在初始時的路徑是相似的，僅是中國半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)落后了近20年。

中國要發(fā)展自已的半導(dǎo)體業(yè)是正確的選擇，也是生存的需要，所以決心是不會動搖的，加上它是集中國家的力量。觀察上世紀(jì)80年代，韓國半導(dǎo)體能在存儲器業(yè)中的成功，后來居上，一條非常成功的經(jīng)驗(yàn)，就是持續(xù)投資，用虧損和時間最終打敗了競爭對手。因此在國家資金等支持下，懷疑中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的決心與信心是注定要失敗。

顯然中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中一定會尊重與保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)，并準(zhǔn)備好迎接有關(guān)專利糾紛的訴訟，它也是中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的必修課之一。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展一定能取得成功，不是空穴來風(fēng)，而是有充分理由的，一個是中國擁有全球最大的終端電子市場，而且在不斷增長之中，而另一個理由是現(xiàn)階段以國家資金等投入為主，有足夠能力與實(shí)力迎接來自各方面的挑戰(zhàn)。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的韌性可以體現(xiàn)在：1)，外國一直在壓制與打擊中國半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步的同時，與在中國市場中繼續(xù)謀求利益之間調(diào)節(jié)平衡，不太可能讓中國半導(dǎo)體業(yè)“徹底停擺”；2)，打擊華為時，與打擊中興，晉華等大不相同，華為任正非，它是嘴不硬，事扎實(shí)，讓美過感覺有些進(jìn)退兩難。所以對于此次貿(mào)易摩擦的復(fù)雜性與長期性一定要有充分的認(rèn)識；3)，中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展不但可能打亂既有的“平衡格局”，同時對于全球半導(dǎo)體的增長有實(shí)質(zhì)性的推動作用，如中國可能成為全球半導(dǎo)體最大的投資地區(qū)之一。

結(jié)語

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有自身的特點(diǎn)，有優(yōu)勢方面，也有不足之處。在貿(mào)易摩擦下需要付出更多的努力與代價。在存儲器業(yè)中，對手已經(jīng)積累20年以上的經(jīng)驗(yàn)，因此要進(jìn)行突破是不易的，可能最關(guān)鍵是信心不可動搖及要堅持到底。

美國可以繼續(xù)阻擋與壓制我們，但是在全球化的浪潮下是不可能成功的，因?yàn)橹袊冀K堅持改革開放，走全球化合作道路，任何面對中國的大市場而不顧，只可能是暫時的。同時在貿(mào)易摩擦下一定會加速國產(chǎn)化的推進(jìn)步伐，這樣的好時機(jī)是千載難逢。盡管中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展不可能一帆風(fēng)順，未來還可能會經(jīng)歷一些曲折，要尊重“學(xué)習(xí)曲線”的規(guī)律，但是相信中國半導(dǎo)體業(yè)最終一定能夠取得成功。

11月27日，由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會（MTS2020）”即將在深圳金茂萬豪酒店隆重召開。截止11月21日，本屆峰會參與報名已超千人。

以下為本屆峰會最新參會企業(yè)名單節(jié)選（排名不分先后）：

【MTS2020溫馨提示】

為保證峰會質(zhì)量和各合作伙伴的參會體驗(yàn)，集邦咨詢不得不抱歉地通知您，本屆峰會報名通道已經(jīng)關(guān)閉，感謝您的關(guān)注與支持！

不過本屆會議的相關(guān)信息及演講嘉賓的演講內(nèi)容將會在TrendFoce集邦、全球半導(dǎo)體觀察等官方微信號上發(fā)布，請您及時關(guān)注我們的微信公眾號，非常感謝您的理解，期待您下屆峰會的蒞臨！

近年來，DRAM、NAND Flash、Nor Flash已發(fā)展成為全球主流存儲器，但隨著這些傳統(tǒng)存儲器微縮制程已逼近極限，加上存儲技術(shù)發(fā)展進(jìn)步以及終端需求的變化，新型存儲器亦越來越受到市場關(guān)注，有的新型存儲器正在迅速發(fā)展壯大，市場成長速度喜人。

今年5月，集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）報告指出，不論是DRAM或NAND Flash，現(xiàn)有的存儲器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限，這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。

DRAMeXchange認(rèn)為，次世代存儲器（新型存儲器）與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)劣，最關(guān)鍵的機(jī)會點(diǎn)仍是在于價格。展望未來，需求陸續(xù)回溫與價格彈性所帶動的庫存回補(bǔ)動能，可望帶動2020年的現(xiàn)有存儲器價格止跌反彈，讓次世代存儲器解決方案有機(jī)會打入市場。

目前英特爾、三星電子、美光等廠商皆已投入發(fā)展新型存儲器。那么，目前市場上有哪些常見的新型存儲器呢？下面將來盤點(diǎn)一下——

PRAM

PRAM（相變存儲器），也有人稱PCM（Phase Change Memory），據(jù)悉該存儲器技術(shù)是一種三明治結(jié)構(gòu)，中間是相變層（和光盤材料一樣，GST），這種材料的一個特性是會在晶化（低阻態(tài)）和非晶化（高阻態(tài)）之間轉(zhuǎn)變，即利用這個高低阻態(tài)的變化來實(shí)現(xiàn)存儲。與傳統(tǒng)存儲技術(shù)相比，PRAM擁有讀寫速度快、耐用性強(qiáng)、非揮發(fā)性等，讀取速度和寫入次數(shù)均優(yōu)于領(lǐng)先于NAND Flash。

據(jù)了解，英特爾和三星電子于2006年生產(chǎn)了第一款商用PRAM芯片。2015年，英特爾與美光聯(lián)合推出3D XPoint技術(shù)，業(yè)界認(rèn)為該技術(shù)基于PRAM并將其歸類于PRAM，該技術(shù)同時具備DRAM和NAND的特性，承諾提供類似RAM的動態(tài)速度，價格點(diǎn)在DRAM和NAND之間。

英特爾官方介紹稱，3D XPoint的讀寫速度是NAND Flash的1000倍，且使用壽命更長。

MRAM

MRAM（磁性存儲器）是一種非易失性存儲器。據(jù)悉，MRAM技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，但平均能耗遠(yuǎn)低于DRAM，且基本上可無限次地重復(fù)寫入。

MRAM曾獲得多家產(chǎn)業(yè)巨頭的青睞，摩托羅拉的半導(dǎo)體部門、IBM、英飛凌、賽普拉斯、瑞薩、三星電子、SK海力士、美光等均曾陸續(xù)投入研發(fā)MRAM的行列。

目前，國際上有多個國家和地區(qū)的政府及公司巨資投入開發(fā)MRAM產(chǎn)品，包括IBM、WD、東芝、三星電子、TDK、Seagate、Headway等。其中，IBM、Eversipin、三星電子為主要代表企業(yè)，從飛思卡爾獨(dú)立出來的Everspin據(jù)稱為全球第一家大批量提供商用MRAM產(chǎn)品的企業(yè)，GlobalFoundries、臺積電、聯(lián)電等晶圓代工廠商亦逐步投入嵌入式MRAM生產(chǎn)。

目前，MRAM技術(shù)已在向第二代發(fā)展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，STT-MRAM被視為是可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM的高性能存儲器，Everspin、三星電子、IBM、Grandis等企業(yè)均已涉足。

FRAM

FRAM（鐵電存儲器）學(xué)術(shù)名為FeRAM，業(yè)界一般稱其為FRAM，是一種非易失性存儲器。采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。

據(jù)了解，F(xiàn)RAM技術(shù)早于1921年被提出，1993年美國Ramtron公司成功開發(fā)出第一個4K位的鐵電存儲器FRAM產(chǎn)品，F(xiàn)RAM存儲器逐漸開始商業(yè)化，主要供應(yīng)商包括Ramtrom、TI、富士通等。富士通曾為Ramtrom進(jìn)行單體存儲器的量產(chǎn)晶圓代工，2020年雙方終止合作，富士通開始獨(dú)自開發(fā)FRAM并竭力推廣。

ReRAM

ReRAM（阻變存儲器）是一種非易失性存儲器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。?其結(jié)構(gòu)非常簡單，兩側(cè)電極將金屬氧化物包夾于中間，簡化了制造工藝，同時可實(shí)現(xiàn)低功耗和高速重寫等性能，比較適合可穿戴設(shè)備和小型醫(yī)療設(shè)備市場。

目前富士通、松下、Crossbar、東芝、Elpida、索尼、美光、SK海力士等廠商均在開展ReRAM的研究和生產(chǎn)工作。

NRAM

NRAM（碳納米管存儲器）是基于碳納米管的非易失性存儲器，該技術(shù)由美國公司Nantero開發(fā)，并授權(quán)于富士通為NRAM的首個商業(yè)合作伙伴，富士通從Nantero購買了IP，取得了NRAM的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售許可。

據(jù)介紹，NRAM規(guī)格類似或接近于FRAM，存儲密度遠(yuǎn)高于FRAM，讀寫速度接近于DRAM，比NAND Flash快100倍，擁有多于Flash 1000倍以上的讀寫次數(shù)，存儲信息能保持更長久，待機(jī)模式的功耗接近于零，未來生產(chǎn)工藝技術(shù)將低于5nm。

小結(jié)：

目前，從市場份額上看，傳統(tǒng)存儲器仍占據(jù)著絕大部分市場，但隨著5G時代到來，帶動物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智慧城市等應(yīng)用市場發(fā)展并向存儲器提出多樣化需求，加上傳統(tǒng)存儲器市場價格變化等因素，新型存儲器將在市場發(fā)揮越來越重要的作用。

11月27日，由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”即將在深圳舉辦。提前了解2020年存儲市場產(chǎn)能、價格以及趨勢變化，歡迎識別下圖二維碼或點(diǎn)擊左下角“閱讀原文”報名參會。