產(chǎn)業(yè)大咖共同看好存儲器市況復蘇

產(chǎn)業(yè)大咖共同看好存儲器市況復蘇

南亞科總座李培瑛、群聯(lián)董座潘健成、慧榮總座茍家章、力晶執(zhí)行長黃崇仁、威剛董座陳立白等存儲器業(yè)五大咖同聲看好市況復蘇,預期儲存型快閃存儲器(NAND Flash)價格上季止跌后,本季漲價行情可期,走勢最強勁;DRAM價格將從明年第2季反彈,迎接新一波行情。

南亞科是中國臺灣最大DRAM廠,黃崇仁觀察DRAM市況多年;群聯(lián)、慧榮分別是全球NAND相關應用前兩大廠,威剛則是臺灣上市公司存儲器模組龍頭,這五大廠領導人同聲看旺市況,具標意義。

NAND芯片走勢將最為強勁,群聯(lián)等概念股營運領頭沖。群聯(lián)第3季在NAND止跌回穩(wěn)帶動下,基本面率先表態(tài),不僅單季毛利率沖上近期新高的27.42%,季增逾5個百分點,稅后純益更大增1.1倍,每股純益8.28元(新臺幣,下同),創(chuàng)新高,前三季每股大賺16.71元,傲視本土存儲器同業(yè),公司看好本季購物節(jié)來臨,客戶補貨積極,為營收持續(xù)帶來正面挹注。

潘健成認為,目前主要NAND芯片原廠庫存已逐漸去化,加上5G技術應用基礎設備開始建置,車載系統(tǒng)普及率上升、內(nèi)容創(chuàng)作者等NAND儲存新應用興起,推升市場對存儲器產(chǎn)品需求,價格也將反彈走揚。

茍嘉章分析,5G因傳輸速度是4G的十倍到100倍,因應快速傳輸、大數(shù)據(jù)運算和資料儲存需求,各大資料中心、電信商和系統(tǒng)端都積極建構全新的通訊與儲存架構,導入更多堆疊的NAND芯片取代傳統(tǒng)硬盤(HDD),為NAND市場帶來爆炸性需求。

李培瑛則說,本季DRAM大廠庫存已回到正常水位,需求面明顯比過去幾季明朗,各大品牌廠手機DRAM搭載量大幅提升到8GB,明年持續(xù)看增;伺服器也因云端業(yè)者需求持續(xù)升溫 ,尤其進入5G時代,終端串流服務、企業(yè)云端服務、AI及網(wǎng)路產(chǎn)業(yè)會更快速發(fā)展,帶動伺服器DRAM長期需求;標準型DRAM主力市場個人電腦,下半年出貨也優(yōu)于上半年。

近期全球存儲器芯片龍頭三星重啟資本支出,增加韓國平澤和大陸西安廠設備采購,引發(fā)市場疑慮,黃崇仁認為,三星為因應影像感測器(CIS)需求大幅成長,新增的資本支出將有一半用于擴大影像感測器產(chǎn)能,在DRAM資本支出仍保守,明年5G商轉,很多應用都需要DRAM作為關鍵運算元件,引領存儲器市場邁入新一波供不應求盛況。

陳立白表示,國際大型資料中心訂單已陸續(xù)回籠,新款智能手機存儲器搭載容量不斷提升,存儲器需求逐步增溫,產(chǎn)業(yè)景氣已脫離循環(huán)谷底,看好2020年下半年起,存儲器業(yè)將再啟動為期二年的大多頭行情。

為什么需要下一代DRAM?

為什么需要下一代DRAM?

其中在半導體存儲部分,集邦咨詢表示,隨著技術的發(fā)展,下一代DRAM(內(nèi)存)DDR5/LPDDR5在2020年將進行導入與樣本驗證,并逐步面市。

內(nèi)存是計算機和移動智能終端的重要組成部分,經(jīng)歷了長時間的競爭更替和路線選擇之后,DRAM技術被穩(wěn)定在以DDR技術為基礎的發(fā)展路線上。從DDR到DDR2、DDR3,今天市面上比較普及的DRAM技術規(guī)格是DDR4/LPDDR4。

資料顯示,相比現(xiàn)有產(chǎn)品,除了外形變化不大之外,DDR5帶來了更高的帶寬、更大的容量和更出色的安全性。

從原理上來看,DDR5是一種高速動態(tài)隨機存儲器,由于其DDR的性質,依舊可以在系統(tǒng)時鐘的上升沿和下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸。和DDR4一樣,DDR5在內(nèi)部設計了Bank(數(shù)據(jù)塊)和Bank Group(數(shù)據(jù)組)。

和DDR4相比,DDR5在數(shù)據(jù)塊和數(shù)據(jù)組的配置上更為寬裕。

在DDR4產(chǎn)品上,數(shù)據(jù)組的數(shù)量最高限制為4組,一般采用2組配置。在DDR5上,數(shù)據(jù)組的數(shù)量可以選擇2組、4組到最高8組的設計,以適應不同用戶的不同需求,并且還可以保證Bank數(shù)據(jù)塊的數(shù)量不變。

這意味著整個DDR5的Bank數(shù)量將是DDR4的至少2倍,這將有助于減少內(nèi)存控制器的順序讀寫性能下降的問題。

除了數(shù)據(jù)組翻倍外,在預取值、減少總線壓力、PDA模式、類雙通道等多方面都有不同程度的創(chuàng)新或重新設計,這為DDR5實現(xiàn)更高帶寬、更快速度和更好安全性打下基礎。

得益于最新的技術,DDR5有可能帶來單片32Gb的DDR5顆粒,這樣單內(nèi)存條支持的內(nèi)存容量有可能提升至64~128GB。而規(guī)格上,目前DDR5的內(nèi)存規(guī)格從DDR5 3200起跳,最高可到DDR5 6400。

各大廠商DDR5進展

雖然JEDEC(固態(tài)技術協(xié)會)關于DDR5的最終規(guī)范還沒有完全確定,但這也擋不住國際大廠的熱情。目前多家廠商都公布了自己的DDR5產(chǎn)品路線圖和規(guī)劃。

根據(jù)路線圖來看,目前全球DRAM廠商中,包括三星、美光、SK海力士等廠商都提出了DDR5產(chǎn)品規(guī)劃。其中三星、美光和SK海力士已經(jīng)展示了自家旗下的DDR5顆粒,并開始小批量出貨。

下面是各大廠商DDR5相關產(chǎn)品進展:

· 美光:

2018年5月,美光就聯(lián)合Cadence展示了DDR5內(nèi)存和內(nèi)存控制器的樣品。Cadence是全球頂尖的EDA廠商,本次推出的DDR5相關IP產(chǎn)品也是配合JEDEC即將發(fā)布的DDR5內(nèi)存而來。Cadence的DDR5內(nèi)存控制器測試芯片采用了TSMC的7nm工藝制造,搭配的內(nèi)存則是美光的DDR5 4400 8Gb顆粒。

?· 三星:

2018年7月,三星另辟蹊徑展示了LPDDR5顆粒。相比DDR5內(nèi)存而言,LPDDR5的基本技術原理和其類似,但是面向移動設備,在總線位寬、功能設計上做出了一些妥協(xié),更注重高性能功耗比和低功耗、小尺寸。三星成功拿下了首個展示LPDDR5技術的桂冠。

· SK海力士:

2018年11月,SK海力士推出了DDR5內(nèi)存的樣品。這款內(nèi)存采用的芯片容量為16Gb,SK海力士宣稱其完全按照JEDEC的DDR5規(guī)范開發(fā)(雖然現(xiàn)在也沒公開)。

2019年2月,SK海力士又在國際固態(tài)電路會議上展示了旗下DDR5內(nèi)存的相關開發(fā)進度。這次SK海力士帶來的是最高端的DDR5 6400芯片的相關情況。SK海力士展示的是一款容量為16Gb的DDR5顆粒,有32個Bank和8個Bank Group,其接口傳輸速率為6400MT/s,電壓依舊是1.1V,制造工藝也是之前介紹過的1Ynm,其內(nèi)部具有四個金屬層,芯片封裝尺寸為76.22平方毫米。

為什么需要DDR5內(nèi)存

從原廠的角度來看,DDR5內(nèi)存從技術上已經(jīng)做好了準備,一旦產(chǎn)業(yè)鏈配套的英特爾、AMD、高通等廠商做好準備,DDR5家族的產(chǎn)品就可以正式上市。

除了傳統(tǒng)的臺式電腦領域需要DDR5之外,筆記本電腦和智能手機也將對DDR5形成強大的需求。尤其在5G和AI等技術的快速普及下,快速傳輸和計算將成為龐大的剛需。

當然,未來降低功耗和提升性能一樣重要,存儲器制造商經(jīng)常面對的挑戰(zhàn)是必須不斷地提供越來越高的性能水平,同時還得支援更高的電源效率,特別是在低功耗的DRAM領域。

這也是為什么三星會率先發(fā)布應用在智能手機和筆記本電腦上的LPDDR5的原因。

以速度和效能來看,三星12Gb LPDDR5比當今智能手機中所用的LPDDR4X行動存儲器更快約1.3倍;LPDDR4X的速度為4.2Gbps。以12GB的容量來看,LPDDR5可以在1秒鐘內(nèi)傳輸44GB的數(shù)據(jù),相當于12部全高解析(full HD)的影片。

從主要的功率消耗來看,即將全面商用的5G網(wǎng)絡并不會消耗更多能量,但5G意味著將帶來更快速的管線,讓高端智能手機用戶能夠透過串流或檔案傳輸,在其手機之間傳輸更多的資料,包括高質量視頻等。

此外,智能手機上的AI技術也意味著設備將會進行更多的計算,而且在要求應用程序執(zhí)行某些操作(例如影像識別)時不容許延遲,這將面對更高的帶寬壓力。

事實上,今年年初,JEDEC為最新的LPDDR標準進行升級,使其I/O速率較前一代標準大幅提升,讓存儲器傳輸速度增加一倍,目的就在于為智能手機、平板電腦和輕薄型筆記本電腦等移動終端提高速度與效率,而這也是未來的市場需求,也就需要下一代DRAM。

三星發(fā)表首個12層3D-TSV封裝技術 將量產(chǎn)24GB存儲器

三星發(fā)表首個12層3D-TSV封裝技術 將量產(chǎn)24GB存儲器

三星電子7日宣布,已開發(fā)出業(yè)界首個12層的3D-TSV(Through Silicon Via)技術。此技術透過精確的定位,把12個DRAM芯片以超過6萬個以上的TSV孔,進行3D的垂直互連,且厚度只有頭發(fā)的二十分之一。

三星指出,該技術封裝的厚度與目前的第二代8層高頻寬存儲器(HBM2)產(chǎn)品相同,能協(xié)助客戶推出具有更高性能與容量的次世代儲存產(chǎn)品,且無需更改其系統(tǒng)配置。

此外,新3D封裝技術還具有比現(xiàn)有的引線鍵合技術短的芯片間數(shù)據(jù)傳輸時間,能顯著提高速度并降低功耗。

三星電子TSP(測試與系統(tǒng)封裝)執(zhí)行副總裁Hong-Joo Baek表示,隨著各種新的高性能應用的出現(xiàn)(如AI和HPC),能整合所有復雜的超高性能存儲器的封裝技術變得越來越重要。隨著摩爾定律達到其極限,預計3D-TSV技術的作用將變得更加關鍵。

此外,透過將堆疊層數(shù)從8個增加到12個,三星表示將很快能夠量產(chǎn)24GB高頻寬存儲器,其容量是當今市場上8GB的三倍。

紫光集團DRAM戰(zhàn)略起航 清華系打造中國芯頻出大手筆

紫光集團DRAM戰(zhàn)略起航 清華系打造中國芯頻出大手筆

紫光集團正式大舉進軍內(nèi)存芯片。

6月30日深夜11時許,紫光集團官宣,組建DRAM事業(yè)群,委任刁石京為DRAM事業(yè)群董事長、高啟全為CEO。

這在市場看來,紫光集團DRAM戰(zhàn)略正式起航,將進一步拓寬紫光集團在存儲器領域的相關布局,深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈建設。

一直以來,全球超過90%的DRAM市場份額被三星、海力士、美光三家廠商占據(jù),紫光集團的慎重出擊,或將對全球DRAM市場格局產(chǎn)生深遠影響。

顯然,紫光集團進行內(nèi)存芯片早已做足了功課,刁石京和高啟全均出身于集成電路及存儲領域,后者更是被業(yè)內(nèi)稱之為“臺灣存儲教父”。與此同時,紫光集團已在存儲器的設計制造領域有了一定積累,子公司西安紫光國芯已自主創(chuàng)新出全球首系列內(nèi)嵌自檢測修復DRAM存儲器產(chǎn)品。

長江商報記者發(fā)現(xiàn),2015年以來,紫光集團旗下的紫光股份、紫光國微、紫光控股為造中國芯頻頻進行大手筆資本運作。當年5月,紫光股份定增募資221億元 ,布局IT基礎架構領域。當年11月,紫光國微籌劃800億元定增,進軍存儲芯片產(chǎn)業(yè)。此外,清華系還相繼籌劃230億元收購美國存儲巨頭美光科技、135億元收購中國臺灣兩家半導體公司。

近年來,清華系資本運作變陣,由收購轉向產(chǎn)業(yè)自主落地,長江存儲、合肥長鑫相繼進行自主設計制造。

業(yè)內(nèi)分析人士稱,紫光集團此時大舉進軍內(nèi)存芯片領域,可謂是天時地利人和,假以時日,有望打破行業(yè)寡頭格局。

加速布局造中國芯

紫光集團加速國產(chǎn)芯片布局可謂正當其時。

存儲芯片被譽為電子系統(tǒng)的糧倉,是數(shù)據(jù)的載體,關乎數(shù)據(jù)的安全,重要性不言而喻。存儲芯片市場規(guī)模龐大,約占半導體總體市場份額的三分之一。

中國是第一大DRAM消費市場,中國大陸幾乎沒有自主產(chǎn)能。據(jù)統(tǒng)計,去年,中國集成電路進口額達3120億美元,其中存儲芯片為1230億美元,同比增長1188.99%,占集成電路進口總額的39%。中興、華為事件更讓中國企業(yè)倍感中國芯的重要性。

不過,存儲芯片是一個技術、資本、人才密集型的產(chǎn)業(yè),三者缺一一不可。目前來看,與紫光集團而言,似乎都已具備,紫光集團顯然也是有備而來。

分析人士稱,存儲芯片產(chǎn)品不同于大部分的消費類產(chǎn)品,品牌化程度低,差異化競爭較小,不同企業(yè)生產(chǎn)的產(chǎn)品技術指標基本相同,標準化程度較高,用戶粘性低。此外, DRAM 目前還在 1x、1y 水平, 有望在2020年進入1z 階段。此時進軍,將使得國內(nèi)的技術與國際大廠的差距有望逐漸縮小。3D NAND 國際上目前通用的為64層,目前,長江存儲已經(jīng)實現(xiàn)32層,只有一代的差距。存儲芯片的難點在于IP和制造,DRAM的IP方面,由于DRAM領域發(fā)展已相對成熟,這給國內(nèi)廠商繼續(xù)提高資本投入實現(xiàn)國產(chǎn)替代提供了機會,通過在更高的技術領域取得突破并奪取知識產(chǎn)權,從而獲得對下游廠商更強議價 能力。

國際大型廠商也看上了中國大陸市場。在半導體向國內(nèi)轉移的趨勢下,國際大型廠商紛紛到大陸地區(qū)設廠或擴大國內(nèi)建廠規(guī)模。數(shù)據(jù)顯示,預計2017年至2020年,全球投產(chǎn)的晶圓廠約62座,其中26座位于中國大陸。同時,中國高度重視將半導體產(chǎn)業(yè),將其新技術研發(fā)提升至國家戰(zhàn)略高度。

在人事方面,紫光集團早有安排。出任DRAM事業(yè)群的董事長刁石京和CEO高啟全均在集成電路及存儲領域有深厚的技術積累和豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗。高啟全于2015年10月加入紫光集團,出任紫光集團全球執(zhí) 行副總裁;2016年長江存儲成立后,擔任長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長。加入紫光集團前,他在臺塑集團旗下的DRAM存儲器芯片公司任職,曾擔任南亞科技全球業(yè)務執(zhí)行副總等高管職務,還曾擔任 華亞科技總經(jīng)理、董事長等職務。

與此同時,紫光集團在存儲器的設計制造領域已有一定的技術沉淀。在DRAM領域,紫光集團旗下西安紫光國芯自主創(chuàng)新出全球首系列內(nèi)嵌自檢測修復DRAM存儲器產(chǎn)品(ECC DRAM)。紫光集團借助長江存儲和武漢新芯等平臺,聚集了大量的三維閃存和DRAM研發(fā)人員。目前,兩家公司研發(fā)人員接近2000人。

公開信息稱,長江存儲首期投入超240億美元,預計未來還將追加300億美元。

布局芯片產(chǎn)業(yè)資本運作不斷

進軍芯片領域,紫光集團已有時日。不過,前期,更多是采取的資本運作途徑。

紫光集團旗下有三家A股公司紫光股份、紫光國微、紫光學大(21.740, -0.70, -3.12%)及一家港股公司紫光控股,市場上稱之為清華系。近年來,清華系頻頻祭出大手筆,除紫光學大外,其余三家公司基本上圍繞芯片展開布局。

2015年5月,紫光股份籌劃定增,募資225億元用于收購香港華三51%股權、紫光數(shù)碼44%股權、紫光軟件49%股權三家公司,同時建設云計算機研究實驗室暨大數(shù)據(jù)協(xié)同中心及補充公司流動資金及償還銀 行借款。清華系林芝清創(chuàng)、紫光通信、健坤愛清、同方計算機合計出資166億元參與認購。

香港華三擁有完備的路由器、以太網(wǎng)交換機、無線、網(wǎng)絡安全、服務器、存儲、IT管理系統(tǒng)、云管理平臺等產(chǎn)品系 列,后續(xù)整合計劃包括承接惠普在中國大陸服務器及存儲器銷售業(yè)務、技術服務業(yè)務和收購天津惠普100%股權、收購昆海軟件100%股權等。這一定增方案于2016年5月5日實施,最終募資221億元。

半年后,紫光國微(時名同方國芯)推出了更大規(guī)模的定增方案,擬募資800億元,創(chuàng)造了A股歷史第二大規(guī)模再融資。按照規(guī)劃,600億元投入存儲芯片工廠,37.9億元用于收購臺灣封測廠商力成25%股 權,162億元用于收購芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游的公司。受再融資新規(guī)影響,這一募資方案被迫終止。

2015年,紫光集團計劃以230億元收購美國存儲巨頭美光科技未果。當年10月,紫光又擬以38億美元收購西部數(shù)據(jù)15%股權,并通過西部數(shù)據(jù)以190億美元收購閃存存儲解決方案全球領軍者閃迪。遺憾的是,由于美 國海外投資委員會介入審查,收購未能完成。

同樣是在2015年,紫光集團宣布擬出資6億美元收購力成科技約25%股權。當年12月,又宣布分別出資111.33億元、23.94億元收購臺灣矽品精密24.9%股權、南茂科技25%股權,并成為臺灣矽品精密第一 大股東、臺灣南茂科技第二大股東。力成科技,在儲存芯片封測方面在臺灣處于龍頭老大地位,也是全球最大的存儲器封測廠。

整體而言,通過并購展訊和銳迪科,紫光集團成為中國芯片龍頭企業(yè)。收購新華三集團51%股權,構建了紫光集團“從芯到云”的產(chǎn)業(yè)鏈。入股矽品精密、南茂科技下屬公司,紫光進入封裝領域。依托長 江存儲等布局存儲制造,紫光形成了較為完整的IDM(垂直制造)集成電路巨頭的雛形。