存儲(chǔ)器模組廠威剛看好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）與儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）合約價(jià)，可望于 7 月落底，并樂觀預(yù)期第 3 季營收與獲利可展現(xiàn)旺季水準(zhǔn)。

威剛認(rèn)為，日韓兩國紛爭短期可能不易平息，在日本加強(qiáng)管制光阻劑等 3 項(xiàng)電子關(guān)鍵材料出口南韓下，全球存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈將面臨無法如期全產(chǎn)能量產(chǎn)運(yùn)作的壓力，DRAM 與 NAND Flash 價(jià)格將欲小不易。

因 DRAM 供應(yīng)端僅存三星（Samsung）、SK 海力士（Hynix）與美光（Micron）三大供應(yīng)商，新增產(chǎn)出相對(duì)有限。需求端方面，大型資料中心庫存已降至合理水位，可望于第 3 季底重啟備貨，智能手機(jī)與電腦需求也將回溫。

NAND Flash 部分，下游通路庫存水位也偏低。威剛表示，DRAM 與 NAND Flash 現(xiàn)貨價(jià)已同步在 6 月落底，預(yù)期合約價(jià)可望于 7 月跟進(jìn)落底。

威剛透露，已搶在存儲(chǔ)器價(jià)格反彈前備妥適當(dāng)庫存，可確保重要客戶不致面臨斷貨危機(jī)，業(yè)績也可望逐步發(fā)酵，第 3 季營運(yùn)表現(xiàn)將明顯優(yōu)于上半年，營收與獲利將可展現(xiàn)旺季水準(zhǔn)。

瞄準(zhǔn)全球電競市場高速成長，威剛積極擴(kuò)大電競布局，旗下電競品牌 XPG 預(yù)計(jì) 28 日與美國職籃 NBA 臺(tái)裔球星林書豪領(lǐng)軍的職業(yè)電競戰(zhàn)隊(duì) J.Storm 簽約，贊助 J.Storm，期能共創(chuàng)雙贏局面。

存儲(chǔ)器大廠華邦電于高雄路竹科學(xué)園區(qū)所新建的12英寸晶圓廠，22日舉行上梁典禮。這也象征著華邦電新12英寸晶圓廠的興建案原定計(jì)劃實(shí)施中，也使得擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃逐步實(shí)現(xiàn)。

據(jù)了解，22日華邦電路竹新12英寸廠在上梁之后，預(yù)計(jì)自2020年7月份開始安裝機(jī)器，整個(gè)第1期工程也將在2020年底前完工，2021年正式進(jìn)入投產(chǎn)的階段。

華邦電的高雄路竹12英寸廠第1期工程完成后，預(yù)計(jì)初期約產(chǎn)能為9000片，滿載月產(chǎn)量可達(dá)2.7萬片的規(guī)模，并以25納米的技術(shù)切入，之后規(guī)劃以20納米制程的DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)為主。

而目前高雄廠已經(jīng)有數(shù)百名研發(fā)人員進(jìn)駐，預(yù)計(jì)未來因應(yīng)新廠的落成，還會(huì)再增加更多的員工。焦佑鈞之前曾經(jīng)表示，由于存儲(chǔ)器市場長期發(fā)展的情況，使得華邦電高雄路竹新新12英寸廠正式量產(chǎn)的時(shí)間，剛好跟上自己發(fā)展的時(shí)間點(diǎn)，因此認(rèn)為是一個(gè)很好的時(shí)機(jī)。

因?yàn)槭艿饺枕n貿(mào)易戰(zhàn)，日本控管出口韓國高科技廠商原料的沖擊，可能使得韓國的存儲(chǔ)器生產(chǎn)面臨危機(jī)。因此，市場點(diǎn)名華邦電將會(huì)是因此而得到轉(zhuǎn)單效益的公司。事實(shí)上，焦佑鈞曾經(jīng)指出，華邦電是一個(gè)業(yè)界相當(dāng)特殊的公司，不做大規(guī)模量產(chǎn)的產(chǎn)品，而是專注在利基型的市場上，接客人的訂單生產(chǎn)。

所以，在DRAM方面，華邦電目前僅占全球出貨量的0.7%。因此，貿(mào)易戰(zhàn)的沖擊影響微乎其微。至于今是不是會(huì)受到轉(zhuǎn)單的效應(yīng)所嘉惠，目前則還不清楚。不過，在多樣不確定因素的影響下，對(duì)于華邦電興建新12英寸廠來充實(shí)自己的產(chǎn)能而言，市場多給予正面的評(píng)價(jià)。至于，后續(xù)是否能帶動(dòng)華邦電營運(yùn)的持續(xù)成長，則有待之后的持續(xù)觀察。

韓國三星官方在18日宣布，量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。該款DRAM針對(duì)未來智能手機(jī)中的5G和AI功能進(jìn)行了優(yōu)化。此外，三星還計(jì)劃本月底開始大量生產(chǎn)12Gb的LPDDR5模組，每個(gè)模組都包含8個(gè)12Gb芯片，總計(jì)達(dá)到96Gb的容量，如此以滿足高端智能手機(jī)制造商對(duì)更高手機(jī)性能和容量的需求。

根據(jù)三星指出，采用第2代10納米等級(jí)制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，其傳輸速度可達(dá)到5500Mbps，是現(xiàn)有LPDDR4X速率（4266Mbps）的1.3倍。也就是可在1秒內(nèi)處理44GB的資料，約每部3.7GB大小，合計(jì)12部高畫質(zhì)影片的資料量。

三星還指出，在本次12Gb LPDDR5 DRAM的大量生產(chǎn)之后，2020年將量產(chǎn)16Gb的LPDDR5 DRAM顆粒。因此，未來很有可能會(huì)出現(xiàn)16Gb LPDDR5規(guī)格的模組。

三星進(jìn)一步指出，憑藉在產(chǎn)業(yè)中領(lǐng)先的速度和能效，三星的新型行動(dòng)式DRAM可使下一代高端智能手機(jī)充分發(fā)揮5G和AI的功能，包括高畫質(zhì)影像的錄制和機(jī)器學(xué)習(xí)功能，同時(shí)極大化電池的續(xù)航力。

此外，結(jié)合新電路設(shè)計(jì)、增強(qiáng)時(shí)脈速度，并且搭配低功耗特性，新一代DRAM可實(shí)現(xiàn)較前一代產(chǎn)品低30%的耗能。而且，在極快的傳輸速率下，也能夠確保性能的長期穩(wěn)定。

雖然DRAM一直是三星電子重要的獲利來源，不過之前因?yàn)镈RAM市場價(jià)格不斷下跌等因素，使得三星預(yù)估在2019年第2季的獲利將較2018年同期下滑高達(dá)56%，如今在有日韓貿(mào)易戰(zhàn)的沖擊下，使得三星的存儲(chǔ)器事業(yè)未來出現(xiàn)更多的不確定性。

而為了維持在存儲(chǔ)器市場的競爭優(yōu)勢(shì)，除了在日韓貿(mào)易戰(zhàn)中被限制的高科技原料積極尋找替代方案之外，也透過本身的技術(shù)實(shí)力，繼續(xù)發(fā)展新一代的DRAM，以拉大與競爭者之間的差距。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)，引發(fā)存儲(chǔ)器喊漲效應(yīng)，存儲(chǔ)器景氣是否提早翻多，還待觀察。

日本對(duì)南韓實(shí)施限制三項(xiàng)電子關(guān)鍵材料出口，引起后續(xù)材料恐短缺疑慮，激勵(lì)DRAM與NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)應(yīng)聲上漲，帶動(dòng)南亞科、旺宏、華邦電等存儲(chǔ)器族群昨股價(jià)帶量上漲，這是存儲(chǔ)器史上第一次因貿(mào)易戰(zhàn)引發(fā)價(jià)格看漲，但存儲(chǔ)器景氣是否提早翻多還有待觀察。

存儲(chǔ)器模組大廠威剛董事長陳立白表示，日韓貿(mào)易戰(zhàn)牽動(dòng)存儲(chǔ)器價(jià)格上漲，這種情況為史上第一次。1993年間，日本住友化學(xué)曾爆發(fā)環(huán)氧樹脂廠爆炸、造成封裝材料短缺，意外事件牽動(dòng)南韓、日本、美國與臺(tái)灣大廠DRAM價(jià)格大漲。

至于此次日本對(duì)南韓實(shí)施限制三項(xiàng)電子關(guān)鍵材料出口，業(yè)界傳出，龍頭大廠三星評(píng)估對(duì)上游材料料源還無法明確掌握，已對(duì)現(xiàn)貨市場停止出貨；美光近兩天也已停止報(bào)價(jià)。陳立白原預(yù)估今年第三季DRAM可望因旺季出現(xiàn)現(xiàn)貨價(jià)小漲，明年才可能大漲，但受到日韓貿(mào)易戰(zhàn)沖擊，他昨改口說，「7月提早起漲，8、9月也都看漲」。

業(yè)界看法分歧

但業(yè)界有的持保守看法。因存儲(chǔ)器市況供過于求，加上三星電子副會(huì)長李在镕親自赴日協(xié)商材料供貨也傳出有解，影響DRAM現(xiàn)貨價(jià)昨僅出現(xiàn)小漲，存儲(chǔ)器后續(xù)漲價(jià)效應(yīng)還有待觀察。

南亞科總經(jīng)理李培瑛日前也指出，DRAM三大供應(yīng)商庫存仍偏高，預(yù)估第三季逢旺季到來，整體需求會(huì)增加，但因消化庫存，合約價(jià)格將續(xù)跌，不過跌勢(shì)會(huì)縮小。對(duì)于日韓貿(mào)易戰(zhàn)，李培瑛說，到底會(huì)是短期或可能長期紛爭還需觀察，未來幾周是關(guān)鍵。一位供應(yīng)鏈業(yè)者表示，上半年因美中貿(mào)易大戰(zhàn)，存儲(chǔ)器價(jià)格大跌，最近只能說止跌，回升還要看后續(xù)發(fā)展而定。

旺宏預(yù)計(jì)7月25日舉行法說會(huì)，公布第二季財(cái)報(bào)與第三季展望。

美商應(yīng)材公司(Applied Materials)因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和云端運(yùn)算所需的新存儲(chǔ)器技術(shù)，日前宣布推出創(chuàng)新、用于大量制造的解決方案，有利于加快產(chǎn)業(yè)采納新存儲(chǔ)器技術(shù)的速度。

現(xiàn)今的大容量存儲(chǔ)器技術(shù)包括DRAM、SRAM和快閃存儲(chǔ)器，這些技術(shù)是在數(shù)十年前發(fā)明，已廣為數(shù)字設(shè)備與系統(tǒng)所采用。新型存儲(chǔ)器中，包括MRAM、ReRAM與PCRAM等將提供獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)。但是，這些存儲(chǔ)器所采用的新材料，為大量生產(chǎn)帶來了相當(dāng)程度的挑戰(zhàn)。

因此，應(yīng)材公司日前率先推出新的制造系統(tǒng)，能夠以原子級(jí)的精準(zhǔn)度，進(jìn)行新式材料的沉積，而這些新材料將會(huì)是生產(chǎn)前述新型存儲(chǔ)器的關(guān)鍵。這是應(yīng)材公司推出了該公司迄今為止所開發(fā)過最先進(jìn)的系統(tǒng)，讓這些新型存儲(chǔ)器能夠以工業(yè)級(jí)的規(guī)模穩(wěn)定生產(chǎn)。

應(yīng)材公司表示，當(dāng)前的電腦產(chǎn)業(yè)正在建構(gòu)物聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)，其中，將會(huì)有數(shù)百億個(gè)裝置內(nèi)建傳感器、運(yùn)算與通訊功能，用來監(jiān)控環(huán)境、做決策和傳送重要資訊到云端資料中心。在儲(chǔ)存物聯(lián)網(wǎng)裝置的軟件與AI演算法方面，新世代的MRAM(磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是儲(chǔ)存用存儲(chǔ)器的首選之一。

MRAM采用硬盤機(jī)中常見的精致磁性材料，藉由MRAM本身快速且非揮發(fā)性的性能，就算在失去電力的情況下，也能保存軟件和資料。而因?yàn)镸RAM速度快，加上元件容忍度高，MRAM最終可能做為第3級(jí)快取存儲(chǔ)器中SRAM的替代產(chǎn)品。MRAM可以整合于物聯(lián)網(wǎng)芯片設(shè)計(jì)的后端互連層中，進(jìn)而達(dá)成更小的晶粒尺寸，并降低成本。

而對(duì)于MRAM的發(fā)展，應(yīng)材公司的新Endura Clover MRAM物理氣相沉積(PVD)平臺(tái)，是由9個(gè)獨(dú)特的晶圓處理反應(yīng)室組成，全都是在純凈、高真空的情況下完成整合。這是業(yè)界第一個(gè)大量生產(chǎn)用的300 mm MRAM系統(tǒng)，每個(gè)反應(yīng)室可個(gè)別沉積最多5種不同的材料。

應(yīng)材公司也強(qiáng)調(diào)，因?yàn)镸RAM存儲(chǔ)器需經(jīng)過至少30種不同材料層的精密沉積制程。其中，某些材料層可能比人類的頭發(fā)還細(xì)微50萬倍。因此，在制程中即使是厚薄度只有原子直徑一丁點(diǎn)的差異，就會(huì)對(duì)裝置的效能與可靠性造成極大的影響。而Clover MRAM PVD平臺(tái)包括內(nèi)建量測功能，可以用次埃級(jí)(sub-angstrom)的靈敏度，在MRAM層產(chǎn)生時(shí)測量和監(jiān)控其厚度，以確保原子層級(jí)的均勻性，同時(shí)免除了暴露于外部環(huán)境的風(fēng)險(xiǎn)。

另外，隨著資料量產(chǎn)生呈現(xiàn)遽增的情況，云端資料中心也需要針對(duì)連結(jié)服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的資料路徑，達(dá)成這些路徑在速度與耗電量方面的效能提升。對(duì)此，因?yàn)樾乱淮腞eRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)與PCRAM(相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)具備快速、非揮發(fā)性、低功率的高密度存儲(chǔ)器的特性?？梢猿蔀椤皟?chǔ)存級(jí)存儲(chǔ)器”，以填補(bǔ)服務(wù)器DRAM與儲(chǔ)存存儲(chǔ)器之間，不斷擴(kuò)大的價(jià)格與性能落差。

而對(duì)于未來ReRAM及PCRAM的需求，應(yīng)材公司采用新材料制程。應(yīng)材公司解釋，其材料的作用類似于保險(xiǎn)絲，可在數(shù)十億個(gè)儲(chǔ)存單元內(nèi)選擇性地形成燈絲，以表示資料。對(duì)照之下，PCRAM則式采用DVD光碟片中可找到的相變材料，并藉由將材料的狀態(tài)從非晶態(tài)變成晶態(tài)的做法，進(jìn)行位元的編程，類似于3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的架構(gòu)。

而ReRAM和PCRAM是以3D結(jié)構(gòu)排列，存儲(chǔ)器制造商可以在每一代的產(chǎn)品中加入更多層，以穩(wěn)健地降低儲(chǔ)存成本。ReRAM與PCRAM也提供編程與電阻率中間階段的可能性，讓每個(gè)儲(chǔ)存單元可以儲(chǔ)存多個(gè)位元的資料。相較于DRAM，ReRAM及PCRAM皆承諾未來可大幅降低成本，而且讀取效能也比3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和硬碟機(jī)快上許多。ReRAM能將運(yùn)算元件整合于存儲(chǔ)器陣列中，以協(xié)助克服AI運(yùn)算相關(guān)的資料移動(dòng)瓶頸情況下，也是未來存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算架構(gòu)的首要候選技術(shù)。

對(duì)此，應(yīng)用材料的Endura Impulse物理氣相沉積(PVD)平臺(tái)適用于PCRAM與ReRAM，包含最多9個(gè)在真空下進(jìn)行整合的處理反應(yīng)室及內(nèi)建量測功能，能夠以精密的方式進(jìn)行沉積，以及控制這些新型存儲(chǔ)器中所使用的多成分材料。

針對(duì)2019年下半年存儲(chǔ)器的市況，南亞科總經(jīng)理李培瑛指出，雖然在需求量成長、跌價(jià)情況減緩，以及旺季效應(yīng)下有助于市場的正面發(fā)展，但是，三大廠庫存變化以及市場需求等因素，仍會(huì)影響未來整體的市場變化，且市況能有多少比例正向發(fā)展，目前還看不準(zhǔn)。

至于日韓的貿(mào)易爭議，因?yàn)槿毡緦?duì)韓國管制的原料在半導(dǎo)體制程中極其關(guān)鍵，而且也幾乎沒有取代方案，因此未來幾周的發(fā)展將會(huì)是事件發(fā)展的關(guān)鍵。

李培瑛指出，針對(duì)2019年下半年存儲(chǔ)器的市況上，因?yàn)榭傮w經(jīng)濟(jì)仍存在不確定性，而且在客戶端庫存雖已降低，但供應(yīng)商庫存仍偏高的情況下，會(huì)是怎么樣的狀況，還有待觀察。

不過李培英預(yù)期，2019年第3季因各應(yīng)用市場區(qū)塊旺季來臨，DRAM供需逐步平穩(wěn)，價(jià)格跌幅縮小，再加上下半年云端服務(wù)器需求增加，手機(jī)推出新機(jī)種，CPU供給增加，使得標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供給提升，以及消費(fèi)型DRAM旺季備料的情況下，預(yù)計(jì)第3季的狀況將優(yōu)于第2季。

李培瑛強(qiáng)調(diào)，目前在供給面方面，因?yàn)橹饕?yīng)商持續(xù)縮減資本支出以及調(diào)節(jié)庫存，而在需求面方面，各手機(jī)廠商下半年起推出新機(jī)，加上DRAM平均搭載量持續(xù)增加。5G手機(jī)自高端機(jī)種導(dǎo)入，搭載量以8GB為主，持續(xù)帶動(dòng)DRAM需求。而服務(wù)器產(chǎn)品則是云端業(yè)者庫存逐季去化，預(yù)期第3季起需求回溫，使得長線仍將穩(wěn)定成長，并且主要為企業(yè)用云端服務(wù)，加上AI及網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可持續(xù)帶動(dòng)服務(wù)器的需求。

另外，PC部分則是2019年第3季CPU恢復(fù)正常供貨，各大廠牌推出新機(jī)種。消費(fèi)性電子終端產(chǎn)品在機(jī)上盒、智慧音箱、SSD、IPCAM等全年各應(yīng)用DRAM搭載量成長，將使得DRAM的需求仍持續(xù)穩(wěn)定的增加中。因此，就這樣的發(fā)展來觀察，預(yù)估2019年第3季整體需求會(huì)增加，而且在庫存將逐步消化，合約價(jià)格將會(huì)續(xù)跌，但跌勢(shì)會(huì)縮小，而現(xiàn)貨價(jià)則有機(jī)會(huì)率先進(jìn)行反彈。

至于，針對(duì)日本管制出口南韓高科技原料，可能造成兩國間的貿(mào)易戰(zhàn)爭一事，李培瑛也指出，因?yàn)槿毡竟苤瞥隹陧n國的3種高科技原料，都是相關(guān)制程中相當(dāng)關(guān)鍵的原料，目前幾乎沒有替代品可取代，就算找到替代品，也必須要進(jìn)行長時(shí)間的測試，才能夠進(jìn)一步上線使用；而且，以日本管制的光阻劑來說，視保存的狀況而定，保存期限約6到12周的時(shí)間，短時(shí)間內(nèi)兩國之間磋商就變得相當(dāng)重要。未來會(huì)如何發(fā)展，就必須視磋商的結(jié)果而定。南亞科方面，的確已經(jīng)有客戶來詢問DRAM備案，不過目前還沒有正式進(jìn)行拉貨的動(dòng)作。

DRAM大廠南亞科將于周三(10日)召開法說會(huì)，公布第2季財(cái)報(bào)，并釋出對(duì)下半年的營運(yùn)與市況展望，預(yù)料包括DRAM庫存水位及價(jià)格走勢(shì)、對(duì)產(chǎn)業(yè)后市看法，及在美中貿(mào)易戰(zhàn)趨緩之下，第3季旺季拉貨力道是否如預(yù)期等，都將成為市場關(guān)注焦點(diǎn)。

南亞科第2季合并營收新臺(tái)幣124.41億元，季增9.41%，年減49.41%，營收表現(xiàn)優(yōu)于外資預(yù)期。外資并預(yù)估，南亞科第2季位元出貨可望季增3成，較公司原先預(yù)估的個(gè)位數(shù)增幅大幅成長，但由于供應(yīng)鏈消息指出，南亞科以7至8折價(jià)格，大量出貨標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器給模組廠金士頓(Kingston)，恐使第2季毛利率表現(xiàn)有壓，估將跌破40%大關(guān)。

展望第3季，南亞科總經(jīng)理李培瑛先前指出，將迎來電子產(chǎn)品應(yīng)用傳統(tǒng)旺季，英特爾CPU供應(yīng)量也會(huì)增加，加上服務(wù)器需求提升，預(yù)估市況將逐步平穩(wěn)并優(yōu)于第2季；至于DRAM價(jià)格能否止跌，仍得觀察市場需求增加幅度、DRAM大廠庫存去化程度而定。

不過，由于近期傳出繼三星、美光等DRAM大廠后，SK海力士也暫緩擴(kuò)產(chǎn)，3家公司市占率超過95%，相繼擴(kuò)產(chǎn)將對(duì)產(chǎn)業(yè)供過于求情況有所改善；另一方面，日本政府也宣布從7月1日起，限制半導(dǎo)體及面板關(guān)鍵化學(xué)原材料出口至韓國，恐沖擊三星與SK海力士供給產(chǎn)能。

但上述兩大因素，將有助DRAM價(jià)格止跌回升，也使南亞科此次法說會(huì)上對(duì)價(jià)格走勢(shì)的看法，格外受到外界關(guān)注。

此外，中國紫光集團(tuán)日前發(fā)文公告，將籌組DRAM事業(yè)群，并由南亞科前總經(jīng)理高啟全擔(dān)任執(zhí)行長。雖然外資預(yù)期，紫光集團(tuán)要對(duì)全球DRAM市場帶來威脅，還要很長一段時(shí)間，但預(yù)期市場也將關(guān)注南亞科如何看待中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步。