南亞科Q2毛利率恐跌破40% 聚焦DRAM價格走勢

南亞科Q2毛利率恐跌破40% 聚焦DRAM價格走勢

DRAM大廠南亞科將于周三(10日)召開法說會,公布第2季財報,并釋出對下半年的營運與市況展望,預料包括DRAM庫存水位及價格走勢、對產(chǎn)業(yè)后市看法,及在美中貿(mào)易戰(zhàn)趨緩之下,第3季旺季拉貨力道是否如預期等,都將成為市場關(guān)注焦點。

南亞科第2季合并營收新臺幣124.41億元,季增9.41%,年減49.41%,營收表現(xiàn)優(yōu)于外資預期。外資并預估,南亞科第2季位元出貨可望季增3成,較公司原先預估的個位數(shù)增幅大幅成長,但由于供應鏈消息指出,南亞科以7至8折價格,大量出貨標準型存儲器給模組廠金士頓(Kingston),恐使第2季毛利率表現(xiàn)有壓,估將跌破40%大關(guān)。

展望第3季,南亞科總經(jīng)理李培瑛先前指出,將迎來電子產(chǎn)品應用傳統(tǒng)旺季,英特爾CPU供應量也會增加,加上服務器需求提升,預估市況將逐步平穩(wěn)并優(yōu)于第2季;至于DRAM價格能否止跌,仍得觀察市場需求增加幅度、DRAM大廠庫存去化程度而定。

不過,由于近期傳出繼三星、美光等DRAM大廠后,SK海力士也暫緩擴產(chǎn),3家公司市占率超過95%,相繼擴產(chǎn)將對產(chǎn)業(yè)供過于求情況有所改善;另一方面,日本政府也宣布從7月1日起,限制半導體及面板關(guān)鍵化學原材料出口至韓國,恐沖擊三星與SK海力士供給產(chǎn)能。

但上述兩大因素,將有助DRAM價格止跌回升,也使南亞科此次法說會上對價格走勢的看法,格外受到外界關(guān)注。

此外,中國紫光集團日前發(fā)文公告,將籌組DRAM事業(yè)群,并由南亞科前總經(jīng)理高啟全擔任執(zhí)行長。雖然外資預期,紫光集團要對全球DRAM市場帶來威脅,還要很長一段時間,但預期市場也將關(guān)注南亞科如何看待中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步。

南亞科第2季營運走出谷底,季成長9.4%

南亞科第2季營運走出谷底,季成長9.4%

存儲器大廠南亞科3日公布2019年6月營收,金額達40.86億元(新臺幣,下同),較5月的42.44億元減少3.74%,較2018年同期的85.85億元,也減少52.41%。累計,南亞科2019年第2季營收為124.41億元,比2019年第1季113.71億元,成長約9.4%。

法人指出,在當前存儲器跌價趨勢仍在持續(xù)的情況下,存儲器廠商要有成長的空間非常有限。不過,在當前市場需求逐漸加溫的情況下,南亞科第2季整體營收高于第1季,逐步走出谷底的情況,對于之后的營運表現(xiàn)也會漸趨樂觀。

南亞科在日前的股東會表示,本季市況不是很好,而且價格仍然疲軟,在下修年成長由原來的15%目標,降至僅個位數(shù)的情況下,再加上在目前大廠仍在消化庫存,加上中美貿(mào)易戰(zhàn)仍有陰霾,因此整體的局勢不能說好。不過,南亞科仍看好未來DRAM的長期發(fā)展呈現(xiàn)穩(wěn)健成長,因為仍然是AI及5G通訊等各項新興應用必備的電子元件下,未來的發(fā)展仍不可小覷。

至于,針對未來的營運展望,南亞科總經(jīng)理李培瑛在日前股東會指出,2019年第3季算是旺季,新產(chǎn)品及服務器需求可望提升,預計表現(xiàn)比第2季好,而且下半年DRAM價格跌幅也應會收斂。

目前,南亞科的合約價跌幅小于現(xiàn)貨,且市況已經(jīng)開始好轉(zhuǎn)。而針對日本對韓國執(zhí)行經(jīng)濟制裁,近于相關(guān)半導體原料給與韓國使用的情況,市場預計有利于南亞科未來的發(fā)展。對此,法人表示,南亞科在DRAM市場的市占率不大,能取得的轉(zhuǎn)單效益不明顯,因此未來的受益情況將有限。

解讀:紫光集團新組DRAM事業(yè)群

解讀:紫光集團新組DRAM事業(yè)群

6月30日晚,紫光集團發(fā)布消息,宣布組建DRAM事業(yè)群,委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長,高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。紫光集團一直致力于打造“從芯到云”的發(fā)展戰(zhàn)略,經(jīng)過多年發(fā)展,在存儲器的設(shè)計制造領(lǐng)域已形成一定基礎(chǔ),積累了從設(shè)計、生產(chǎn)、測試、方案構(gòu)建到全球量產(chǎn)銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。

只是之前紫光集團的工作重心一直放在長江存儲的3D NAND 上。此次組建DRAM事業(yè)群,標志著紫光集團DRAM戰(zhàn)略正式起航,將把DRAM業(yè)務提到集團發(fā)展的重要議事日程之上。

特別值得關(guān)注的是,當前正處于全球DRAM市場的低潮期。紫光集團能夠在這個時間點下決心布局發(fā)展DRAM事業(yè),顯示出產(chǎn)業(yè)謀劃上的前瞻性與決斷力。

下一階段的發(fā)展重心

應該說紫光發(fā)展DRAM事業(yè)是早有謀劃的。武漢、南京、成都是紫光集團目前在存儲器產(chǎn)業(yè)上重點布局的三大基地:2016年7月,紫光集團在武漢新芯公司基礎(chǔ)上,聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團共同出資組建長江存儲公司,負責國家存儲器基地(總投資1600億元)的研發(fā)、建設(shè)和運營。

2017年2月紫光集團總投資建設(shè)紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地,一期月產(chǎn)能10萬片,二期月產(chǎn)能20萬片,主要生產(chǎn)存儲芯片。2018年初,啟動的成都天府新區(qū)紫光IC國際城項目,計劃建設(shè)12英寸存儲器晶圓生產(chǎn)線,并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。

在武漢、南京、成都三大基地的啟動儀式上,紫光集團董事長趙偉國都表示要投資生產(chǎn)3D NAND和DRAM芯片。因此,紫光集團全面發(fā)展存儲器兩大主流產(chǎn)品DRAM和NAND的意圖是非常明顯的。只是由于長江存儲的建設(shè)率先啟動,紫光集團前期將主要精力投入在了長江存儲方向,而長江存儲前期規(guī)劃的主力產(chǎn)品又是3D NAND Flash,所以給外界造成的印象是紫光重點發(fā)展NAND Flash,而非DRAM。

實際上,紫光從未否認投入DRAM的意圖。而此次紫光集團宣布成立DRAM事業(yè)群,則表明了紫光已經(jīng)把DRAM業(yè)務提到集團發(fā)展的重要議事日程之上,下一階段紫光會將更多的集團資源投入到DRAM方面。

面臨什么樣的挑戰(zhàn)?

那么,紫光投入DRAM有什么挑戰(zhàn)呢?從產(chǎn)業(yè)格局上分析,目前全球市場上DRAM的玩家只有三星、SK海力士和美光三家公司。2018年三家公司的市場占有率超過95%,其中三星占全球市場份額的43.9%,SK海力士為29.5%。美光公司為22.1%。DRAM的產(chǎn)業(yè)集中度比NAND更高。這意味著發(fā)展DRAM比NAND Flash 更具挑戰(zhàn)性。

從技術(shù)上分析,目前三大DRAM廠商的主力工藝已經(jīng)進入20nm,其中三星的進度最快。日前三星宣布已經(jīng)開發(fā)出1znm工藝的8Gb DDR4 DRAM內(nèi)存,計劃在今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。在20nm以下,DRAM工藝預計將經(jīng)過兩到三次的技術(shù)迭代,可以稱之為1x nm,1y nm和1z nm。其中,1x nm介于16nm和19nm之間,1y nm定義為14nm到16nm,1z nm則是12nm到14nm。三星在研發(fā)上已經(jīng)推進到1z nm,可說是相當領(lǐng)先。此前業(yè)界曾有預計15nm節(jié)點將是傳統(tǒng)DRAM的終點。雖然在三星在技術(shù)上已經(jīng)做出突破,可以將工藝向更加微縮的方向推進,但是同時也說明未來的DRAM技術(shù)門檻將會越來越高。

不同于邏輯芯片,存儲器首先比拼的就是先進工藝技術(shù)和成本,而投入更先進工藝的目的也是為了最終降低成本,提高產(chǎn)量。這是一個勝者通吃的行業(yè)。后進入者面臨的挑戰(zhàn)會越來越大。

為何還要大舉投入?

那么,紫光為什么還要投入DRAM的發(fā)展呢?就筆者觀點:首先是“兩翼齊飛”才能飛得更穩(wěn)。DRAM和NAND Flash兩大主流存儲技術(shù)的發(fā)展是相輔相承,相互支持的。三星、SK海力士和美光存儲三強都是全面發(fā)展DRAM和NAND Flash的,甚至包括了相對小眾的NOR Flash,以及下一代存儲器如磁阻式內(nèi)存(MRAM)、電阻式內(nèi)存(RRAM)等。在產(chǎn)品線更加齊全的情況下,當某一產(chǎn)品價格下跌,另一產(chǎn)品可以提供支援。存儲器的價格變化十分劇烈,相對于邏輯芯片來說市場風險更高。多產(chǎn)品線發(fā)展可以避免產(chǎn)品線單一帶來的風險。

此外,下一代存儲器往往兼具易失性存儲器(如DRAM)和非易失性存儲器(如NAND Flash)產(chǎn)品的特性。只有提前布局發(fā)展兩大產(chǎn)品,才有望在下一代存儲器的競爭中占據(jù)先機,那種想在毫無晶圓制造基礎(chǔ)的情況下就寄望在下一代存儲技術(shù)的競爭中彎道超車是很不現(xiàn)實的。

但是,有遠見的公司往往會利用這樣的時機,逆周期擴張。只要決心夠大,口袋夠深,往往會取得不錯的結(jié)果。就像三星在過去十幾年中的做法那樣,三星往往會在其他公司因為存儲市場下滑,砍掉部分產(chǎn)線的時候,逆向操作進行投資擴產(chǎn),雖然會面臨更大的市場風險,但當市場轉(zhuǎn)曖的時候卻能搶得先機。真正存儲芯片市場決勝的時間也將在下一個周期展開。

有沒有成功的機會?

紫光集團選擇在這個時機投入DRAM,有沒有成功的機會呢?首先,紫光集團在DRAM領(lǐng)域擁有一定的產(chǎn)業(yè)和技術(shù)基礎(chǔ)。西安紫光國芯前身為西安華芯半導體有限公司,是由原奇夢達科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。而奇夢達科技(西安)有限公司又是2003年作為德國英飛凌科技存儲器事業(yè)部在西安成立。

2006年伴隨著存儲器事業(yè)部從英飛凌科技全球拆分上市成為奇夢達科技,奇夢達科技(西安)有限公司也隨之成立并開始作為一家獨立的公司運營。2009年,浪潮集團收購原德國奇夢達科技(西安)有限公司進行改制重建并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年,紫光集團旗下紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導體有限公司并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

目前西安紫光國芯是全球少數(shù)擁有DRAM設(shè)計能力的公司之一,其自主開發(fā)了全球首系列內(nèi)嵌自檢測修復DRAM存儲器產(chǎn)品(ECC DRAM);產(chǎn)品線覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4,其中二十余款產(chǎn)品實現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷售;存儲器模組產(chǎn)品包括服務器內(nèi)存模組(RDIMM,NVDIMM)、筆記本內(nèi)存模組(SODIMM)和臺式機內(nèi)存模組(UDIMM),四十余款模組產(chǎn)品實現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷售;同時還開發(fā)有包括GDDR6等相關(guān)的存儲器controler 和PHY IP核,并在大帶寬存儲器、近存/存內(nèi)計算存儲器、嵌入式存儲SRAM和新型存儲器RRAM領(lǐng)域進行了研發(fā)和布局。

去年10月,西安紫光國芯出售給了北京紫光存儲科技。北京紫光存儲科技與紫光國微同為紫光集團控股,業(yè)務涉及安全存儲、集群存儲、服務器、一體機等。通過這一舉措也可看出,紫光集團從很早就在進行內(nèi)部整合。此次DRAM事業(yè)部的成立并非一時興起。

在人才資源方面,紫光集團并不缺乏DRAM方面的領(lǐng)軍人物。本次被任命為DRAM事業(yè)群董事長的刁石京,現(xiàn)擔任紫光集團聯(lián)席總裁、紫光國微董事長、紫光展銳執(zhí)行董事長、長江存儲執(zhí)行董事等職務。刁石京在ICT(信息、通訊與技術(shù))領(lǐng)域擁有超過 30 年的行業(yè)工作經(jīng)驗,曾先后擔任國家工業(yè)和信息化部(以下簡稱工信部)電子信息司司長、國務院信息化工作辦公室綜合組副巡視員、信息產(chǎn)業(yè)部辦公廳部長辦公室副主任等職務;刁石京還曾兼任全國信息技術(shù)標準化技術(shù)委員會副主任委員、全國音頻視頻及多媒體系統(tǒng)與設(shè)備標準化技術(shù)委員會主任委員、工信部電子科技委副主任委員、工信部通信科技委委員;他曾負責國家電子產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)政策制定、基礎(chǔ)電子與信息通信行業(yè)經(jīng)營及管理等方面的工作。

被任命為DRAM事業(yè)群CEO的高啟全先生,現(xiàn)擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO。從1980年起,高啟全便在半導體及DRAM領(lǐng)域從業(yè),先后在美國仙童半導體、英特爾等公司任職。1985年至1986年他在韓國及日本當顧問,曾任現(xiàn)代電子(海力士前身)DRAM顧問。1987年高啟全加入臺積電任一廠廠長,后創(chuàng)辦旺宏電子,高啟全還曾任臺灣DRAM公司南亞科技總經(jīng)理、華亞科技董事長等職務,是華人在全球DRAM界最資深的人士之一,有“臺灣存儲教父”之稱。

除領(lǐng)軍人才外,近年來武漢長江存儲和西安紫光國芯培養(yǎng)出了一批優(yōu)秀的工程師隊伍。可以說,紫光已經(jīng)擁有了一定的發(fā)展DRAM的人才資源基礎(chǔ)。

中國發(fā)展DRAM最大的難題就是人才資源和技術(shù)專利。紫光前期對這兩個方面都進行了一定的布局,再配合上晶圓制造上的支持,武漢長江存儲基地已擁有一定成功經(jīng)驗,南京基地已展開建設(shè)。紫光集團正探索出一條存儲器設(shè)計制造的產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路。

事實上,中國發(fā)展DRAM事業(yè),本身就是在走一條極為艱難之路。只有狠下一條心,丟掉一切幻想,加強自主創(chuàng)新,才有成功的希望。就象紫光集團董事長趙偉國所言:“要有‘板凳要坐十年冷’的心理準備和戰(zhàn)略耐力?!?/p>

解讀:紫光集團新組DRAM事業(yè)群

解讀:紫光集團新組DRAM事業(yè)群

6月30日晚,紫光集團發(fā)布消息,宣布組建DRAM事業(yè)群,委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長,高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。紫光集團一直致力于打造“從芯到云”的發(fā)展戰(zhàn)略,經(jīng)過多年發(fā)展,在存儲器的設(shè)計制造領(lǐng)域已形成一定基礎(chǔ),積累了從設(shè)計、生產(chǎn)、測試、方案構(gòu)建到全球量產(chǎn)銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。

只是之前紫光集團的工作重心一直放在長江存儲的3D NAND 上。此次組建DRAM事業(yè)群,標志著紫光集團DRAM戰(zhàn)略正式起航,將把DRAM業(yè)務提到集團發(fā)展的重要議事日程之上。

特別值得關(guān)注的是,當前正處于全球DRAM市場的低潮期。紫光集團能夠在這個時間點下決心布局發(fā)展DRAM事業(yè),顯示出產(chǎn)業(yè)謀劃上的前瞻性與決斷力。

下一階段的發(fā)展重心

應該說紫光發(fā)展DRAM事業(yè)是早有謀劃的。武漢、南京、成都是紫光集團目前在存儲器產(chǎn)業(yè)上重點布局的三大基地:2016年7月,紫光集團在武漢新芯公司基礎(chǔ)上,聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團共同出資組建長江存儲公司,負責國家存儲器基地(總投資1600億元)的研發(fā)、建設(shè)和運營。

2017年2月紫光集團總投資建設(shè)紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地,一期月產(chǎn)能10萬片,二期月產(chǎn)能20萬片,主要生產(chǎn)存儲芯片。2018年初,啟動的成都天府新區(qū)紫光IC國際城項目,計劃建設(shè)12英寸存儲器晶圓生產(chǎn)線,并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。

在武漢、南京、成都三大基地的啟動儀式上,紫光集團董事長趙偉國都表示要投資生產(chǎn)3D NAND和DRAM芯片。因此,紫光集團全面發(fā)展存儲器兩大主流產(chǎn)品DRAM和NAND的意圖是非常明顯的。只是由于長江存儲的建設(shè)率先啟動,紫光集團前期將主要精力投入在了長江存儲方向,而長江存儲前期規(guī)劃的主力產(chǎn)品又是3D NAND Flash,所以給外界造成的印象是紫光重點發(fā)展NAND Flash,而非DRAM。

實際上,紫光從未否認投入DRAM的意圖。而此次紫光集團宣布成立DRAM事業(yè)群,則表明了紫光已經(jīng)把DRAM業(yè)務提到集團發(fā)展的重要議事日程之上,下一階段紫光會將更多的集團資源投入到DRAM方面。

面臨什么樣的挑戰(zhàn)?

那么,紫光投入DRAM有什么挑戰(zhàn)呢?從產(chǎn)業(yè)格局上分析,目前全球市場上DRAM的玩家只有三星、SK海力士和美光三家公司。2018年三家公司的市場占有率超過95%,其中三星占全球市場份額的43.9%,SK海力士為29.5%。美光公司為22.1%。DRAM的產(chǎn)業(yè)集中度比NAND更高。這意味著發(fā)展DRAM比NAND Flash 更具挑戰(zhàn)性。

從技術(shù)上分析,目前三大DRAM廠商的主力工藝已經(jīng)進入20nm,其中三星的進度最快。日前三星宣布已經(jīng)開發(fā)出1znm工藝的8Gb DDR4 DRAM內(nèi)存,計劃在今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。在20nm以下,DRAM工藝預計將經(jīng)過兩到三次的技術(shù)迭代,可以稱之為1x nm,1y nm和1z nm。其中,1x nm介于16nm和19nm之間,1y nm定義為14nm到16nm,1z nm則是12nm到14nm。三星在研發(fā)上已經(jīng)推進到1z nm,可說是相當領(lǐng)先。此前業(yè)界曾有預計15nm節(jié)點將是傳統(tǒng)DRAM的終點。雖然在三星在技術(shù)上已經(jīng)做出突破,可以將工藝向更加微縮的方向推進,但是同時也說明未來的DRAM技術(shù)門檻將會越來越高。

不同于邏輯芯片,存儲器首先比拼的就是先進工藝技術(shù)和成本,而投入更先進工藝的目的也是為了最終降低成本,提高產(chǎn)量。這是一個勝者通吃的行業(yè)。后進入者面臨的挑戰(zhàn)會越來越大。

為何還要大舉投入?

那么,紫光為什么還要投入DRAM的發(fā)展呢?就筆者觀點:首先是“兩翼齊飛”才能飛得更穩(wěn)。DRAM和NAND Flash兩大主流存儲技術(shù)的發(fā)展是相輔相承,相互支持的。三星、SK海力士和美光存儲三強都是全面發(fā)展DRAM和NAND Flash的,甚至包括了相對小眾的NOR Flash,以及下一代存儲器如磁阻式內(nèi)存(MRAM)、電阻式內(nèi)存(RRAM)等。在產(chǎn)品線更加齊全的情況下,當某一產(chǎn)品價格下跌,另一產(chǎn)品可以提供支援。存儲器的價格變化十分劇烈,相對于邏輯芯片來說市場風險更高。多產(chǎn)品線發(fā)展可以避免產(chǎn)品線單一帶來的風險。

此外,下一代存儲器往往兼具易失性存儲器(如DRAM)和非易失性存儲器(如NAND Flash)產(chǎn)品的特性。只有提前布局發(fā)展兩大產(chǎn)品,才有望在下一代存儲器的競爭中占據(jù)先機,那種想在毫無晶圓制造基礎(chǔ)的情況下就寄望在下一代存儲技術(shù)的競爭中彎道超車是很不現(xiàn)實的。

但是,有遠見的公司往往會利用這樣的時機,逆周期擴張。只要決心夠大,口袋夠深,往往會取得不錯的結(jié)果。就像三星在過去十幾年中的做法那樣,三星往往會在其他公司因為存儲市場下滑,砍掉部分產(chǎn)線的時候,逆向操作進行投資擴產(chǎn),雖然會面臨更大的市場風險,但當市場轉(zhuǎn)曖的時候卻能搶得先機。真正存儲芯片市場決勝的時間也將在下一個周期展開。

有沒有成功的機會?

紫光集團選擇在這個時機投入DRAM,有沒有成功的機會呢?首先,紫光集團在DRAM領(lǐng)域擁有一定的產(chǎn)業(yè)和技術(shù)基礎(chǔ)。西安紫光國芯前身為西安華芯半導體有限公司,是由原奇夢達科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。而奇夢達科技(西安)有限公司又是2003年作為德國英飛凌科技存儲器事業(yè)部在西安成立。

2006年伴隨著存儲器事業(yè)部從英飛凌科技全球拆分上市成為奇夢達科技,奇夢達科技(西安)有限公司也隨之成立并開始作為一家獨立的公司運營。2009年,浪潮集團收購原德國奇夢達科技(西安)有限公司進行改制重建并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年,紫光集團旗下紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導體有限公司并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

目前西安紫光國芯是全球少數(shù)擁有DRAM設(shè)計能力的公司之一,其自主開發(fā)了全球首系列內(nèi)嵌自檢測修復DRAM存儲器產(chǎn)品(ECC DRAM);產(chǎn)品線覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4,其中二十余款產(chǎn)品實現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷售;存儲器模組產(chǎn)品包括服務器內(nèi)存模組(RDIMM,NVDIMM)、筆記本內(nèi)存模組(SODIMM)和臺式機內(nèi)存模組(UDIMM),四十余款模組產(chǎn)品實現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷售;同時還開發(fā)有包括GDDR6等相關(guān)的存儲器controler 和PHY IP核,并在大帶寬存儲器、近存/存內(nèi)計算存儲器、嵌入式存儲SRAM和新型存儲器RRAM領(lǐng)域進行了研發(fā)和布局。

去年10月,西安紫光國芯出售給了北京紫光存儲科技。北京紫光存儲科技與紫光國微同為紫光集團控股,業(yè)務涉及安全存儲、集群存儲、服務器、一體機等。通過這一舉措也可看出,紫光集團從很早就在進行內(nèi)部整合。此次DRAM事業(yè)部的成立并非一時興起。

在人才資源方面,紫光集團并不缺乏DRAM方面的領(lǐng)軍人物。本次被任命為DRAM事業(yè)群董事長的刁石京,現(xiàn)擔任紫光集團聯(lián)席總裁、紫光國微董事長、紫光展銳執(zhí)行董事長、長江存儲執(zhí)行董事等職務。刁石京在ICT(信息、通訊與技術(shù))領(lǐng)域擁有超過 30 年的行業(yè)工作經(jīng)驗,曾先后擔任國家工業(yè)和信息化部(以下簡稱工信部)電子信息司司長、國務院信息化工作辦公室綜合組副巡視員、信息產(chǎn)業(yè)部辦公廳部長辦公室副主任等職務;刁石京還曾兼任全國信息技術(shù)標準化技術(shù)委員會副主任委員、全國音頻視頻及多媒體系統(tǒng)與設(shè)備標準化技術(shù)委員會主任委員、工信部電子科技委副主任委員、工信部通信科技委委員;他曾負責國家電子產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)政策制定、基礎(chǔ)電子與信息通信行業(yè)經(jīng)營及管理等方面的工作。

被任命為DRAM事業(yè)群CEO的高啟全先生,現(xiàn)擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO。從1980年起,高啟全便在半導體及DRAM領(lǐng)域從業(yè),先后在美國仙童半導體、英特爾等公司任職。1985年至1986年他在韓國及日本當顧問,曾任現(xiàn)代電子(海力士前身)DRAM顧問。1987年高啟全加入臺積電任一廠廠長,后創(chuàng)辦旺宏電子,高啟全還曾任臺灣DRAM公司南亞科技總經(jīng)理、華亞科技董事長等職務,是華人在全球DRAM界最資深的人士之一,有“臺灣存儲教父”之稱。

除領(lǐng)軍人才外,近年來武漢長江存儲和西安紫光國芯培養(yǎng)出了一批優(yōu)秀的工程師隊伍。可以說,紫光已經(jīng)擁有了一定的發(fā)展DRAM的人才資源基礎(chǔ)。

中國發(fā)展DRAM最大的難題就是人才資源和技術(shù)專利。紫光前期對這兩個方面都進行了一定的布局,再配合上晶圓制造上的支持,武漢長江存儲基地已擁有一定成功經(jīng)驗,南京基地已展開建設(shè)。紫光集團正探索出一條存儲器設(shè)計制造的產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路。

事實上,中國發(fā)展DRAM事業(yè),本身就是在走一條極為艱難之路。只有狠下一條心,丟掉一切幻想,加強自主創(chuàng)新,才有成功的希望。就象紫光集團董事長趙偉國所言:“要有‘板凳要坐十年冷’的心理準備和戰(zhàn)略耐力?!?/p>

“刁石京+高啟全”!紫光集團高規(guī)格組建DRAM事業(yè)群

“刁石京+高啟全”!紫光集團高規(guī)格組建DRAM事業(yè)群

紫光集團的一紙公告,再次在業(yè)界掀起熱議。

6月30日,紫光集團微信公眾號發(fā)布聲明,宣布決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群,委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長,委任高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。

俗話說“字越少,事越大”,紫光集團這短短一句話,卻標志著繼NAND之后,紫光集團正式啟動DRAM戰(zhàn)略,欲在存儲器領(lǐng)域再下一城。

存儲器布局:從NAND到DRAM

首先,在整體上紫光集團提出“從芯到云”的戰(zhàn)略布局,主要由芯產(chǎn)業(yè)和云產(chǎn)業(yè)兩大部分組成,其中芯產(chǎn)業(yè)的核心企業(yè)是紫光展銳、紫光國微、長江存儲,分別對應著紫光集團在芯片領(lǐng)域部署的三大板塊:綜合性芯片、安全芯片、存儲器。

在“2018中國芯片發(fā)展高峰論壇”上,紫光集團聯(lián)席總裁、紫光國微董事長刁石京在接受采訪時表示,紫光集團的存儲器板塊主要由長江存儲和紫光存儲等企業(yè)一起構(gòu)成,包括了存儲器芯片的設(shè)計、生產(chǎn)以及相關(guān)存儲產(chǎn)品的開發(fā)。

2018年10月,紫光國微將其DRAM存儲器芯片設(shè)計公司西安紫光國芯100%股權(quán)轉(zhuǎn)讓給紫光集團有限公司下屬全資子公司北京紫光存儲。剝離DRAM存儲器芯片業(yè)務后,紫光國微則專注于安全芯片設(shè)計領(lǐng)域。

至此,紫光集團的芯片領(lǐng)域部署已非常清晰,將西安紫光國芯劃歸紫光存儲,與長江存儲等實現(xiàn)戰(zhàn)略統(tǒng)一,一起主攻存儲器。此時,其在存儲器領(lǐng)域已涵蓋了NAND與DRAM,西安紫光國芯的股權(quán)轉(zhuǎn)讓亦預示著紫光集團已經(jīng)在籌劃DRAM戰(zhàn)略布局。

在紫光集團的存儲器企業(yè)族群中,長江存儲專注于3D NAND閃存。2016年7月,長江存儲正式成立,2017年成功研發(fā)中國首顆32層3D NAND閃存芯片,2018年4月其芯片生產(chǎn)機臺正式搬入。2018年8月,長江存儲宣布推出全新3D NAND架構(gòu)Xtacking。

目前,長江存儲已完成武漢廠的建設(shè),并實現(xiàn)32層3D NAND閃存的小批量生產(chǎn)。按照規(guī)劃,長江存儲將于今年底前正式量產(chǎn)Xtacking 3D NAND產(chǎn)品,下一步將直攻128層。此外,在今年GSA Memory+高峰論壇上,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官湯強表示,長江存儲將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術(shù)。

在DRAM領(lǐng)域,紫光集團亦已有一定基礎(chǔ)。從紫光國微劃歸北京紫光存儲的西安紫光國芯前身為西安華芯半導體,是由原奇夢達科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。奇夢達科技是由英飛凌分拆而成的內(nèi)存公司,曾是全球第二大DRAM公司,在DRAM領(lǐng)域有著深厚的積累。

西安紫光國芯主營業(yè)務包括存儲器設(shè)計開發(fā)及自有品牌存儲器產(chǎn)品的銷售,主要產(chǎn)品為DRAM存儲器芯片和模組。芯片方面,其開發(fā)的存儲器芯片覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3和LPDDR,存儲器模組方面,其主要產(chǎn)品包括R-DIMM、SO-DIMM、U-DIMM等。

2018年底,紫光國微透露稱西安紫光國芯的DDR4存儲器芯片的開發(fā)工作已經(jīng)基本完成,正在進行后續(xù)改進、完善及市場推廣工作。

如今,紫光集團組建DRAM事業(yè)群,其在DRAM領(lǐng)域的目標已遠不止目前的芯片設(shè)計與模組,將從NAND到DRAM進一步深化存儲器領(lǐng)域布局。

DRAM事業(yè)群高管陣營

在紫光集團數(shù)十字的公告中,我們?nèi)钥筛惺苓@個新建DRAM事業(yè)群的“重量”,因為紫光集團為該事業(yè)群配置了重量級高管。

根據(jù)公告,紫光集團DRAM事業(yè)群董事長為刁石京。刁石京相信業(yè)界人士均不陌生,他自去年加入紫光集團,現(xiàn)擔任紫光集團聯(lián)席總裁、紫光國微董事長、紫光展銳執(zhí)行董事長、長江存儲執(zhí)行董事等職務。

刁石京在ICT領(lǐng)域擁有超過30年經(jīng)驗,被稱為中國ICT領(lǐng)域的靈魂人物,其從業(yè)履歷可謂十分出彩,曾任電子工業(yè)部辦公廳、信息產(chǎn)業(yè)部辦公廳部長辦公室副主任,國務院信息化工作辦公室綜合組副組長兼機關(guān)黨委副書記,工業(yè)和信息化部電子信息司副司長、司長。

同時,刁石京還兼任全國信息技術(shù)標準化技術(shù)委員會副主任委員、全國音頻視頻及多媒體系統(tǒng)與設(shè)備標準化技術(shù)委員會主任委員、工業(yè)和信息化部電子科技委副主任委員及通信科技委委員等要職。

此外,紫光集團委任高啟全擔任DRAM事業(yè)群CEO,這同樣是一位重量級人物。高啟全自2015年加入紫光集團,現(xiàn)擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO。

據(jù)了解,高啟全早年曾先后就職于仙童半導體、英特爾等國際半導體公司,1987年加入臺積電擔任一廠廠長。

隨后,高啟全創(chuàng)辦了旺宏電子,主營NOR Flash、NAND Flash。此后,高啟全還曾任南亞科技(Nanya)全球業(yè)務執(zhí)行副總與營運執(zhí)行副總及總經(jīng)理職務、華亞科技董事長等職務。

高啟全自1980年起就一直在半導體及DRAM領(lǐng)域從業(yè),擁有30多年的豐富經(jīng)驗積累,是全球DRAM領(lǐng)域資深人士之一。

雖然目前尚未清楚紫光集團DRAM事業(yè)群的其他高管陣營以及具體的運作模式,但從刁石京+高啟全這一高管配置可以看出紫光集團對該事業(yè)群的重視,后續(xù)發(fā)展值得期待。

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紫光集團DRAM事業(yè)群

紫光集團DRAM事業(yè)群

6月30日晚,紫光集團宣布重大決定,將組建DRAM事業(yè)群,委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長,高啟全擔任紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。

有資料顯示,刁石京現(xiàn)擔任紫光集團聯(lián)席總裁、紫光國微董事長、紫光展銳執(zhí)行董事長、長江存儲執(zhí)行董事等職務,曾擔任工信部電子信息司司長等職位。

而高啟全現(xiàn)擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO,有“臺灣存儲教父”之稱。

華邦電副總經(jīng)理陳沛銘接任新唐科技董事長

華邦電副總經(jīng)理陳沛銘接任新唐科技董事長

華邦集團旗下的微控制器大廠新唐科技 24 日公告指出,將由華邦電副總經(jīng)理陳沛銘接替任期已滿的華邦電董事長暨執(zhí)行長焦佑鈞,擔任新唐科技的董事長。

根據(jù)華邦電的官網(wǎng)顯示,畢業(yè)于成功大學電機系,并且取得美國底特律大學電機工程碩士學位的陳沛銘,曾經(jīng)經(jīng)歷華邦電產(chǎn)品中心二協(xié)理,以及銷售中心副總經(jīng)理,目前擔任 DRAM 產(chǎn)品事業(yè)群副總經(jīng)理的職務。

另外,本屆新唐科技新任董事當選名單,包括焦佑鈞、陳沛銘、盧克修、魏啟林、靳蓉等 5 位董事,及徐善可、杜書全、洪裕鈞、許介立等 4 位獨立董事。

研究人員開發(fā)出低能耗通用型數(shù)據(jù)存儲設(shè)備

研究人員開發(fā)出低能耗通用型數(shù)據(jù)存儲設(shè)備

英國蘭開斯特大學研究人員最近宣布,他們和西班牙同行合作開發(fā)出一種新型數(shù)據(jù)存儲設(shè)備,兼具當前內(nèi)存和閃存兩類設(shè)備的優(yōu)點,并且能耗超低。

這所大學發(fā)布新聞公報說,新設(shè)備屬于通用型存儲器,既可充當供隨時讀寫的活動內(nèi)存,也能穩(wěn)定長期保存數(shù)據(jù)。它有助節(jié)約能源,緩解“數(shù)字技術(shù)能源危機”,還可改善電子設(shè)備使用體驗,比如電腦可以幾秒鐘內(nèi)完成啟動。

當前用作內(nèi)存的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)讀寫速度快,但有易失性,即突然斷電后內(nèi)容就會消失,即使不斷電也必須每隔幾十毫秒就刷新一次,總能耗非常高。閃存里的數(shù)據(jù)可以長期保存,代價是寫入和擦除需要較高電壓,能耗高、速度慢,且容易損壞。兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存儲器,是當前的研究熱點。

研究人員在新一期英國《科學報告》雜志上發(fā)表論文說,新設(shè)備采用與閃存類似的浮柵構(gòu)造,但不像閃存那樣使用金屬氧化物半導體,而是由砷化銦、銻化鋁和銻化鎵三種材料組成。其底部是630納米厚的銻化鎵,上面是多個交錯的銻化鋁和砷化銦薄層,厚度從幾納米到幾十納米不等,呈現(xiàn)“千層餅”一樣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

實驗發(fā)現(xiàn),由于這三種半導體材料的量子力學特性,新設(shè)備能在低電壓下運作,同時實現(xiàn)非易失性存儲。由于電壓和電容需求都很低,該設(shè)備的單位面積能耗分別是DRAM和閃存的百分之一和千分之一。此外,它需要進行刷新的時間間隔至少比DRAM長100萬倍,數(shù)據(jù)保存期限理論上比宇宙的年齡還長。

隨著信息技術(shù)發(fā)展,電腦和其他電子設(shè)備需要處理的數(shù)據(jù)越來越多,存儲容量飛速增長,存儲器能耗問題卻對運行效率和使用體驗構(gòu)成嚴重制約。研究人員說,作為一種新型存儲設(shè)備,該技術(shù)有很大潛力。

集邦咨詢:第三季DRAM價格跌幅將擴大至15%

集邦咨詢:第三季DRAM價格跌幅將擴大至15%

集邦咨詢:第三季DRAM價格跌幅將擴大至15%

集邦咨詢指出,在三家大廠寡頭競爭以及DRAM制程技術(shù)逼近物理極限的情況下,此前預估DRAM價格跌破供應商生產(chǎn)總成本(fully-loaded cost)的可能性極低。然而,全球貿(mào)易摩擦升溫恐致今年下半年需求急凍、不確定性氛圍提高,使得資料中心的資本支出放緩,在今年年底前,承壓能力差的DRAM供應商恐怕將認列賬面上現(xiàn)有庫存損失,財務報表正式轉(zhuǎn)為虧損狀況。

根據(jù)集邦咨詢預估,因為價格落底與供給位元成長有限等因素影響,DRAM價格在2020年有機會將會出現(xiàn)止跌回升,但在2019年供應商恐怕將承受更久的價格修正壓力。

存儲器價格走跌漸緩 南亞科5月份營收月成長3.24%

存儲器價格走跌漸緩 南亞科5月份營收月成長3.24%

存儲器廠商南亞科4日公布5月份財報,根據(jù)資料顯示,5月份合并營收為42.44億元(新臺幣,下同)),雖較4月份增加3.24%,但是在目前存儲器仍維持跌價狀態(tài)下,仍較2018年同期下跌了49.02%。累計,2019年前5個月營收為197.27億元,較2018年同期減少43.32%。

日前,南亞科舉行股東會時表示,本季市況不是很好,存儲器價格仍然疲軟的情況下,加上當前大廠仍在消化庫存等因素,全球DRAM位元年增率由原估年增20%,下修至15%,而南亞科的整體年成長由15%,下修至僅個位數(shù)的情況下,局勢當前稱不上好。

另外,南亞科總經(jīng)理李培瑛在上次法說會談到,2019年受全球經(jīng)濟放緩等影響,造成供應鏈調(diào)整及處理器短缺,預期DRAM市場在2019年的市況仍舊保守。繼2018年南亞科相關(guān)資本支出較原先預估下調(diào)15%之后,預計2019年整體資本支出還會再下調(diào)50%,也就是相較2018年約204億元資本支出,2019年將降到百億元上下。

李培瑛還強調(diào),展望整體2019年第2季的狀況雖然不樂觀。但是,在存儲器跌價趨緩,且英特爾處理器缺貨問題慢慢解決的情況下,預估第2季的營運狀況還是會比第1季好。而整體來看,2019下半年狀況也會比上半年好,南亞科營運將逐季成長。