華邦電、旺宏3月份營收月成長走強(qiáng),預(yù)計下半年市況優(yōu)于上半年

華邦電、旺宏3月份營收月成長走強(qiáng),預(yù)計下半年市況優(yōu)于上半年

在存儲器市場因供過于求的情況,造成價格下跌,使得整體產(chǎn)業(yè)遭遇逆風(fēng),再加上開工日子減少,沖擊 2 月份臺系存儲器廠商營收普遍衰退。在來到 3 月份之后,因?yàn)殚_工日子恢復(fù)正常,也讓存儲器廠商營收普遍有所回升,包括華邦電、旺宏等公司 3 月份營收都較 2 月份有所回溫。只是,在整體大環(huán)境市場仍未改變的情況下,相較 2018 年同期營收仍有所衰退。

華邦電公布 2019 年 3 月份合并營收,金額來到37.34 億元(新臺幣,下同),較 2 月份的 32.76 億元,增加 13.99%,較 2018 年同期的 38.29 億元,仍舊減少 10.77%。累計,2019 年第 1 季合并營收為 108.87 億元,較 2018 年同期減少 10.44%。

華邦電總經(jīng)理詹東義日前在法說會中指出,2019 年上半年市場處于庫存消化的狀態(tài),之后,在庫存降到某合理水位的情況下,真正的需求就會產(chǎn)生。而且,目前的供應(yīng)商都相對理性,供給會以市場的第一需求為考量,不會過度囤積庫存的情況下,供給問題也可以獲得解決。

因此,華邦電在 NOR Flash 部分,因?yàn)榫邆涞谝淮蠊?yīng)商的地位,跌價壓力較小的情況下,持續(xù)追求高階應(yīng)用。另外,在 DRAM 部分,華邦電也已經(jīng)推出了 2GB / 4GB DDR3 與 2GB LP DDR4 產(chǎn)品。至于,在 Flash 的產(chǎn)品上,已經(jīng)推出 256MB 與 512MB Serial NOR Flash 等新產(chǎn)品,搶攻各項(xiàng)領(lǐng)域的使用。

另一家 Nor Flash 大廠旺宏,3 月份合并營收則是來到 19.64 億元,較 2 月份的 18.05 億元,增加 8.8%,較 2018 年同期的 32.53 億元,則是減少 39.6%,累計,2019 年第 1 季合并營收為 60.29 億元,較 2018 年同期減少了 33.5%。

對于未來的市場預(yù)期,旺宏董事長吳敏求日前指出,在美中貿(mào)易摩擦情況下,客戶轉(zhuǎn)趨觀望,紛紛降低庫存因應(yīng)時,2019 年上半年產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)都不會太好;不過隨著美中貿(mào)易談判將在 6 月達(dá)成協(xié)議,市場不確定性因素也將因此消失,使產(chǎn)業(yè)再度回復(fù)正常的情況下,需求有機(jī)會能在 6 月份落底,使得 2019 年下半年市場需求動能回溫,因而帶動整體市場需求的向上發(fā)展。

力成第1季營收同期次高 估第2季回溫

力成第1季營收同期次高 估第2季回溫

存儲器封測廠力成自結(jié)3月合并營收49.18億元(新臺幣,下同),來到歷年同期次高。第1季營收144.32億元,為同期次高,預(yù)期第2季業(yè)績可逐步回溫。

力成自結(jié)3月合并營收49.18億元,較2月43.4億元增加13.31%,比去年同期56.49億元減少12.94%。法人指出,力成3月營收來到歷年同期次高。

累計今年前3月力成自結(jié)合并營收144.32億元,比去年第4季166.39億元減少13.2%,較去年同期159.09億元減少9.29%。法人指出,力成第1季營收來到歷年同期次高。

力成先前指出,第1季業(yè)績相對偏弱,預(yù)估第2季業(yè)績可望逐步回溫。其中標(biāo)準(zhǔn)型DRAM封測產(chǎn)能持穩(wěn),繪圖芯片存儲器庫存調(diào)整,消費(fèi)產(chǎn)品利基型DRAM和行動存儲器封測趨緩。

在資本支出方面,力成今年支出規(guī)模較去年明顯減少,投資規(guī)模可能減半,以改善制程、增加先進(jìn)產(chǎn)能、研發(fā)新技術(shù)等為主,不會影響建置扇出型封裝新廠進(jìn)度,新廠預(yù)估2020年下半年完成,預(yù)估最快2021年上半年進(jìn)入量產(chǎn)。

存儲器價格下跌情況持續(xù),南亞科第1季營收創(chuàng)10季新低

存儲器價格下跌情況持續(xù),南亞科第1季營收創(chuàng)10季新低

在半導(dǎo)體景氣不佳的情況下,臺系存儲器大廠南亞科 3 日公布 3 月份及 2019 年第 1 季營收狀況。根據(jù)資料顯示,3 月份營收為新臺幣 37.19 億元,較 2 月份提升達(dá) 9.54%,但是較 2018 年同期則是大跌了 44.68%。累計,2019 年第 1 季營收來到 113.72 億元,較 2018 年第 4 季下滑 33%,也較 2018 年同期減少 39.5%,創(chuàng)下 10 季以來新低紀(jì)錄。

而在存儲器市場價格持續(xù)下跌的情況之下,除了南韓三星針對 2019 年第 1 季的獲利發(fā)出警訊,表示第 1 季因?yàn)榇鎯ζ鲀r格的下跌沖擊營運(yùn),使得獲利將不如預(yù)期之外。美系存儲器廠美光也在日前宣布,因應(yīng)存儲器價格下跌的沖擊,2019 年將減少投片量 5%,以降低供過于求的影響。

面對此番產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)的環(huán)境,南亞科總經(jīng)理李培瑛日前指出,受到全球經(jīng)濟(jì)放緩、美中貿(mào)易紛爭、關(guān)稅提供所造成的影響,造成供應(yīng)鏈調(diào)整及處理器短缺的問題,因此預(yù)期 DRAM 市場在 2019 年的市況保守。而整體市場在 CPU 缺貨問題逐漸緩和,以及大廠建產(chǎn)效應(yīng)浮現(xiàn)的情況下,預(yù)計 2019 年下半年將較上半年來得樂觀。

DRAM價格季季跌 模組廠紛降庫存水位

DRAM價格季季跌 模組廠紛降庫存水位

DRAM價格季季下跌,宜鼎、威剛、宇瞻等存儲器模組廠紛積極降低庫存水位,一方面避免跌價損失、一方面手握現(xiàn)金,寄望下半年市況好轉(zhuǎn),展開營運(yùn)沖刺。

DRAM需求疲軟,從去年第四季反轉(zhuǎn),今年第一季跌勢擴(kuò)大達(dá)3成,因市場仍供過于求,第二季也跌,若市場需求沒有明顯回溫,價格恐將一路下跌到第三季。NAND Flash也是呈現(xiàn)走跌趨勢。

宇瞻表示,DRAM市況逐漸走跌,公司從去年底著手調(diào)整庫存,從高峰的庫存水位約當(dāng)16億元水平,目前已降到10億元以下,降低庫存有助減輕跌價損失、手上多握有現(xiàn)金,寄望下半年市況好轉(zhuǎn),展開營運(yùn)沖刺。

宜鼎從去年下半年也積極降低存儲器庫存量,預(yù)期今年不會有庫存跌價損失壓力,面對全球大環(huán)境變量,宜鼎朝AI(人工智能)、5G、汽車電子等領(lǐng)域發(fā)展,希望持續(xù)穩(wěn)健獲利。

威剛也因NAND Flash及DRAM跌幅擴(kuò)大,去年大舉降低存儲器庫存水位,估到去年底,存貨金額下降到29.17億元,相較前年底大減逾5成,為近9年來年底庫存低點(diǎn)。威剛預(yù)期,在庫存壓力提前解除之下,今年上半年?duì)I運(yùn)可望有正面發(fā)展。

DRAM行情 各家看法不一

DRAM行情 各家看法不一

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價格自去年第四季反轉(zhuǎn),今年第一季跌勢擴(kuò)大。目前市場供過于求,第二季仍難止跌。展望下半年,隨著旺季到來,預(yù)期需求增加有助于價格跌勢趨緩并進(jìn)而止跌。

由于供需失衡,產(chǎn)業(yè)能見度仍低、美國存儲器大廠美光(Micron)先前表示,該公司DRAM投片量將減5%,使美光在2019年的位元供應(yīng)增加貼近需求。美光已削減2019會計年度資本支出預(yù)算、目前正對2020年度資本支出進(jìn)行評估,將采取審慎行動因應(yīng)當(dāng)前的市況。

產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子也預(yù)警,第一季獲利可能低于市場預(yù)期,主因存儲器價格跌不停、面板需求疲弱。目前DRAM市場供過于求,供應(yīng)鏈持續(xù)去化庫存,隨著庫存調(diào)整告一段落,業(yè)者預(yù)期第三季可望止跌,研調(diào)機(jī)構(gòu)雖預(yù)期跌勢恐延續(xù)至第三季,但也預(yù)估跌幅將收斂為一成以內(nèi)。

針對美光決定減產(chǎn)5%,臺灣DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,這對產(chǎn)業(yè)具正面意義,預(yù)期產(chǎn)品價格跌幅可望逐步縮小。

展望后市,李培瑛表示,第二季DRAM價格跌幅可望逐步縮小,第三季將步入市場傳統(tǒng)旺季,包括行動存儲器及消費(fèi)型存儲器需求可望升溫,以及服務(wù)器市況將好轉(zhuǎn),預(yù)計下半年優(yōu)于上半年,仍需觀察中美貿(mào)易摩擦的協(xié)調(diào)結(jié)果,以及客戶的庫存調(diào)整狀況。

針對存儲器走勢,下游模塊廠十銓總經(jīng)理陳慶文表示,去年上游廠的量跟價都高,因而抑制需求。今年上半年市場在去化庫存,第一季DRAM價格下跌,預(yù)計第二季續(xù)跌;待第三季庫存去化完成,預(yù)估DRAM、NAND Flash同步于第三季價格回穩(wěn)。

威剛表示,NAND Flash及DRAM供不應(yīng)求的景氣循環(huán)分別自2018年第一季及第四季開始反轉(zhuǎn)向下,短期內(nèi)存儲器價格仍偏弱,但今年下半年整體市況可望回溫好轉(zhuǎn),且公司已做好多項(xiàng)新興事業(yè)的布局準(zhǔn)備。

另一家存儲器模塊廠宇瞻看DRAM市場買賣方仍在拔河,目前在供過于求的情況下,價格續(xù)看跌造成下游不愿備貨。宇瞻總經(jīng)理張家騉表示,第二季價格續(xù)跌已是市場共識,在3月DRAM落刀式下跌后,預(yù)估4月、5月DRAM可能逐月下跌15%,6月有機(jī)會落底。

存儲器制造廠旺宏董事長吳敏求預(yù)期,美中貿(mào)易談判可望于6月達(dá)成協(xié)議,待不確定因素消除后,下半年市場需求應(yīng)可好轉(zhuǎn)。

就供需的預(yù)測來看,上半年供過于求的狀況遠(yuǎn)高過下半年,預(yù)期價格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。DRAMeXchange預(yù)估,第三季DRAM均價跌幅約在10%。

DRAMeXchange預(yù)估DRAM均價在第二季將持續(xù)下跌近兩成,至于今年下半年跌幅是否有效收斂,取決于需求端的回溫以及第二季底庫存去化的成效。

庫存尚未去化完成  DRAM跌勢恐持續(xù)至第3季

庫存尚未去化完成 DRAM跌勢恐持續(xù)至第3季

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,受庫存過高影響,DRAM第1季合約價跌幅持續(xù)擴(kuò)大,整體均價已下跌逾20%。但在價格加速下跌的狀態(tài)下,并未刺激需求回溫,交易仍顯清淡,預(yù)期DRAM均價在庫存尚未去化完成影響下,跌勢恐將持續(xù)至第3季。

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查,累積在DRAM供應(yīng)商的庫存水位在第1季底普遍已經(jīng)超過6周 (含wafer bank),買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減,但平均至少達(dá)5周,在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過7周的水位。

進(jìn)入第2季,受惠于1Ynm制程貢獻(xiàn),供給位元仍持續(xù)成長,在極力消化庫存的考量下,DRAM供應(yīng)商普遍采取持續(xù)大幅降價的策略以刺激銷售;與第1季相似,跌幅最大的產(chǎn)品別為PC與服務(wù)器存儲器,跌幅約兩成,行動式存儲器受惠于新機(jī)潮的拉貨動能得以跌幅較小,約10~15%,預(yù)估DRAM均價在第2季將持續(xù)下跌近兩成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收斂,則取決于需求端的回溫以及第2季底庫存去化的成效。DRAMeXchange分析,今年各產(chǎn)品的DRAM平均搭載容量成長表現(xiàn)將不若去年,因此,終端需求的回溫扮演著DRAM景氣是否落底的關(guān)鍵因素。單純就供需的預(yù)測來看,上半年供過于求的狀況遠(yuǎn)高過下半年,預(yù)期價格跌幅在今年第3季與第4季可望逐漸收斂。

觀察DRAM各應(yīng)用別今年的價格走勢,由于庫存水位較高的關(guān)系,自去年第4季以來,以標(biāo)準(zhǔn)型存儲器與服務(wù)器存儲器的跌幅最為明顯。以PC需求面來說,今年缺乏刺激出貨量成長的因素,再加上intel CPU缺貨狀況在中低階機(jī)種仍未緩解,出貨不振的狀況在上半年特別顯著。

以主流標(biāo)準(zhǔn)型存儲器模塊8GB解決方案來看,第1季度的價格已經(jīng)下滑近3成,最低價已落在近40美元,展望第2季,均價持續(xù)下探35美元,年底恐怕要挑戰(zhàn)30美元關(guān)卡。

服務(wù)器經(jīng)歷連續(xù)兩年的需求高峰后,第1季由于庫存偏高,加上進(jìn)入傳統(tǒng)OEM的淡季,備貨動能見到顯著衰退,雖然3月開始,部分北美資料中心業(yè)者開始陸續(xù)洽單,但整體采購力道仍未明顯復(fù)甦。

現(xiàn)階段供需雙方普遍庫存偏高,在既有庫存去化與需求動能恢復(fù)前,預(yù)估服務(wù)器存儲器價格將持續(xù)走跌,DRAMeXchange預(yù)估,第2季仍將有兩成左右的跌幅,第3與第4季也會維持接近1成左右的降價空間。

在行動存儲器方面,第1季受到智能型手機(jī)市場需求不旺,生產(chǎn)總量較去年同期衰退逾10%的影響,行動存儲器供應(yīng)商庫存無法有效去化,導(dǎo)致價格持續(xù)下探,discrete及eMCP產(chǎn)品平均跌幅接近2成,市場報價混亂。

展望第2季以及第3季,除受惠Android / iPhone雙陣營旗艦新機(jī)備料帶動單機(jī)搭載容量提升外,也同時受惠傳統(tǒng)市場旺季,整體需求將轉(zhuǎn)趨熱絡(luò),預(yù)估合約價跌幅將較第1季收斂,不過考量今年智能型手機(jī)總生產(chǎn)數(shù)量將呈現(xiàn)負(fù)成長,中、低階手機(jī)平均搭載容量成長有限,第2、3季的合約價格依舊難以止跌。

就利基型存儲器價格走勢來看,農(nóng)歷假期過后,中國有部分機(jī)上盒、網(wǎng)通標(biāo)案訂單出現(xiàn)帶動小量拉貨需求,但一次性標(biāo)案結(jié)束后,整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下,預(yù)期今年第2季與3季利基型存儲器價格仍將分別走跌15%與10%。

集邦咨詢:DRAM均價受庫存尚未去化完成影響,跌勢恐將持續(xù)至下半年

集邦咨詢:DRAM均價受庫存尚未去化完成影響,跌勢恐將持續(xù)至下半年

集邦咨詢:DRAM均價受庫存尚未去化完成影響,跌勢恐將持續(xù)至下半年

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,受庫存過高影響,DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴(kuò)大,整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫,預(yù)計在庫存尚未去化完成的影響下,DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季。

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查,DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank),而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減,但平均至少達(dá)五周,在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周。

進(jìn)入第二季,受惠于1Ynm制程貢獻(xiàn),供給位元仍持續(xù)成長。在極力消化庫存的考量下,DRAM供應(yīng)商普遍采取持續(xù)大幅降價的策略以刺激銷售。與第一季相似,跌幅最大的產(chǎn)品別為PC與服務(wù)器內(nèi)存,跌幅約兩成。而行動式內(nèi)存受惠于新機(jī)潮的拉貨動能跌幅較小,約10~15%,預(yù)估DRAM均價在第二季將持續(xù)下跌近兩成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收斂,則取決于需求端的回溫以及第二季底庫存去化的成效。DRAMeXchange分析,2019年各產(chǎn)品的DRAM平均搭載容量成長表現(xiàn)將不若去年,因此,終端需求的回溫是DRAM景氣是否落底的關(guān)鍵因素。單純就供需預(yù)測來看,上半年供過于求的狀況遠(yuǎn)高過下半年,預(yù)期價格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。

PC、服務(wù)器用DRAM 2Q跌價幅度未見收斂,行動內(nèi)存跌幅趨緩

觀察DRAM各應(yīng)用別今年的價格走勢,由于庫存水位較高的關(guān)系,自去年第四季以來,以標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存的跌幅最為明顯。以PC需求面來說,今年缺乏刺激出貨量成長的因素,再加上Intel CPU缺貨狀況在中低階機(jī)種仍未緩解,使得出貨不振的狀況在上半年特別顯著。以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組8GB解決方案來看,第一季度的價格已經(jīng)下滑近三成,最低價已落在近40美元。展望第二季,均價持續(xù)下探35美元,年底恐怕要挑戰(zhàn)30美元關(guān)卡。

服務(wù)器在經(jīng)歷連續(xù)兩年的需求高峰后,第一季由于庫存偏高,加上進(jìn)入傳統(tǒng)OEM的淡季,備貨動能顯著衰退。雖然三月開始,部分北美資料中心業(yè)者開始陸續(xù)洽單,但整體采購力道仍未明顯復(fù)蘇。再者,現(xiàn)階段供需雙方普遍庫存偏高,在既有庫存去化與需求動能恢復(fù)前,預(yù)估服務(wù)器內(nèi)存價格將持續(xù)走跌。DRAMeXchange預(yù)估,第二季仍將有兩成左右的跌幅,第三與第四季也會維持接近一成左右的降價空間。

在行動內(nèi)存方面,第一季受到智能手機(jī)市場需求不旺,生產(chǎn)總量較去年同期衰退逾10%的影響,行動內(nèi)存供應(yīng)商庫存無法有效去化,導(dǎo)致價格持續(xù)下探,discrete以及eMCP產(chǎn)品平均跌幅接近2成,市場報價混亂。

展望第二季以及第三季,除了受惠Android / iPhone雙陣營旗艦新機(jī)備料帶動單機(jī)搭載容量提升外,也同時受惠傳統(tǒng)市場旺季,整體需求將轉(zhuǎn)趨熱絡(luò),預(yù)估合約價跌幅將較第一季收斂,不過考慮到今年智能手機(jī)總生產(chǎn)數(shù)量將呈現(xiàn)負(fù)成長,中、低階手機(jī)平均搭載容量成長有限,第二、三季的合約價格依舊難以止跌。

而就利基型存儲器價格走勢來看,農(nóng)歷假期過后,中國有部分機(jī)上盒、網(wǎng)通標(biāo)案訂單出現(xiàn)帶動小量拉貨需求,然一次性標(biāo)案結(jié)束后,整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下,預(yù)期今年第二季與三季利基型存儲器價格仍將分別走跌15%與10%。

美光Q2營收超乎預(yù)期,預(yù)計今年Q4存儲器將再回溫

美光Q2營收超乎預(yù)期,預(yù)計今年Q4存儲器將再回溫

存儲器大廠美光在 21 日上午公布了截至 2019 年 2 月 28 日為止的該年度第 2 季營收數(shù)字。根據(jù)數(shù)字顯示,其營收達(dá)到 58.35 億美元,相較 2018 年同期為 73.51 億美元,以及第 1 季的為 79.13 億美元都有減少。而且在稅后凈利部分,達(dá)到 16.19 億美元,與 2018 年同期的 33.09 億美元相比,下降 51%,與第 1 季的 32.93 億美元相比也是下滑。不過,因?yàn)榈?2 季的營收表現(xiàn)超乎華爾街分析師的預(yù)期,也拉抬了美光在 21 日美股盤后股價大幅上漲逾 5%。

事實(shí)上,在美光公布 2019 年第 2 季財報之前,因?yàn)槿虬雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供過于求,加上智能型手機(jī)需求的減緩,以及云端運(yùn)算供應(yīng)商的采購模式參差不齊,市場原本估計,此市場不景氣的狀況也將對美光帶來嚴(yán)重的沖擊。因?yàn)槊拦庵饕怨?yīng)手機(jī)及筆記型計算機(jī)所需要的 NAND Flash 快閃存儲器,以及服務(wù)器所使用的 DRAM 為主要營收項(xiàng)目。不過,其公布財報的結(jié)果卻超乎市場預(yù)期。

在從產(chǎn)品面來分析,在 DRAM 業(yè)務(wù)方面,營收較 2018 年同期下降 28%,較第 1 季則是成長 30%,占總營收比重的 64%。至于 NAND Flash 快閃存儲器業(yè)務(wù)的營收,則是較 2018 年同期下滑 2%,較第 1 季下滑 18%,占總營收的 30%。另外,儲存業(yè)務(wù)部分的營收則為 10 億美元,較 2018 年同期下降 19%,較第 1 季下降 11%。這是因?yàn)閬碜?SSD 銷售金額下降,導(dǎo)致了成長下滑。

由于美光股價自 2018 年 12 月觸底以來,到目前反彈了近 40%,主要是受惠于市場預(yù)期存儲器產(chǎn)業(yè)的高庫存情況,有望在 2019 年下半年恢復(fù)到正常水平所帶動。盡管美光對第 3 季的預(yù)測低于華爾街預(yù)期,但美光表示,2019 年第 4 季市場需求可能會再次回溫。

自 2018 年第 4 季 DRAM 價格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢以來,目前 DRAM 的每季跌幅從之前的 25%,已經(jīng)擴(kuò)大到 30% 上下,創(chuàng)下 2011 年最大的單季價格降幅,而且 DRAM 的庫存水平一直在攀升。為了因應(yīng)這樣的市場變化,美光已開始執(zhí)行支出削減計劃,并表示成本控制將有助于抵銷芯片價格下降造成的影響,目前美光稱已暫停部分工廠產(chǎn)線,以協(xié)助保持利潤的回穩(wěn)。

至于,針對預(yù)計 2019 年第 3 季營運(yùn)表現(xiàn),美光預(yù)估營收將收介于 46 億到 50 億美元之間,低于分析師預(yù)估的 53 億美元。另外,在資本支出上,預(yù)計將把 2019 年的資本支出削減至 90 億美元,低于之前預(yù)估的 90 億美元至 95 億美元之間。

三星宣布推出1Z納米制程 DRAM,2019 年下半年開始大量生產(chǎn)

三星宣布推出1Z納米制程 DRAM,2019 年下半年開始大量生產(chǎn)

在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)制程陸續(xù)進(jìn)入 1X 及 1Y 制程領(lǐng)域之后,全球 DRAM 龍頭南韓三星 21 日宣布,首次業(yè)界開發(fā)第 3 代 10 納米等級(1Z 納米制程)8GB 高性能 DRAM。這也是三星發(fā)展 1Y 納米制程 DRAM 之后,經(jīng)歷 16 個月,再開發(fā)出更先進(jìn)制程的 DRAM 產(chǎn)品。

據(jù)了解,新一代 1Z 納米制程 DRAM,三星在不使用極紫外線光刻機(jī)(EUV)的情況下打造,這顯示三星進(jìn)一步提高了 DRAM 的生產(chǎn)極限,并拉高競爭對手的生產(chǎn)門檻。隨著 1Z 納米制程產(chǎn)品問世,并成為業(yè)界最小的存儲器生產(chǎn)節(jié)點(diǎn),目前三星已準(zhǔn)備好用新的 1Z 納米制程 DDR4 DRAM 滿足日益成長的市場需求,生產(chǎn)效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示,1Z 納米制程 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產(chǎn)時間將落在 2019 下半年,以因應(yīng)下一代企業(yè)服務(wù)器需求,并有望能在 2020 年支援新高階個人計算機(jī)。除了提供市場需求,三星還指出,跨入 1Z 納米制程的 DRAM 生產(chǎn),將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面,包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預(yù)做準(zhǔn)備。這些具更高容量和性能的 1Z 納米制程產(chǎn)品將增強(qiáng)三星在市場的業(yè)務(wù)競爭力,鞏固其高階 DRAM 市場應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)地位,包括服務(wù)器、圖形和行動裝置等領(lǐng)域。

另市場消息指出,與一家 CPU 制造商就 8GB DDR4 模塊全面驗(yàn)證后,三星將積極與全球客戶合作,提供一系列即將面世的存儲器解決方案。為了滿足目前的行業(yè)需求,三星計劃增加主要存儲器生產(chǎn)比重。

三星聯(lián)席CEO:今年面臨挑戰(zhàn) 仍將大膽投資半導(dǎo)體制造

三星聯(lián)席CEO:今年面臨挑戰(zhàn) 仍將大膽投資半導(dǎo)體制造

南韓三星電子今天舉行股東大會,三星電子聯(lián)席CEO金奇南(CEO Kim Ki-nam)在股東大會中報告時指出,今年三星集團(tuán)將面臨諸多困難,受到全球貿(mào)易關(guān)系緊張、經(jīng)濟(jì)成長速度放緩影響,加上數(shù)據(jù)中心企業(yè)對存儲器芯片需求疲軟,三星零組件業(yè)務(wù)將面臨困難的一年,不過,面對強(qiáng)烈競爭,三星將持續(xù)大膽投資半導(dǎo)體制造。

三星在股東大會上發(fā)表「面臨困難一年」的看法后,三星今日盤中股價重挫1.6%,接近午盤時,跌幅略為收斂至1.25%。

智能型手機(jī)市場趨近于飽和,整體供應(yīng)鏈都明顯受到影響,三星智能型手機(jī)銷量已于去年出現(xiàn)下滑,三星也尋求在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造領(lǐng)域找到新機(jī)會。

三星在股東大會中表示,整體而言,高階手機(jī)、高密度產(chǎn)品會帶動DRAM需求成長,對于并購計劃,金奇南表示,三星在各個領(lǐng)域都采取開放態(tài)度。

三星先前就預(yù)期智能型手機(jī)市場過于飽和,今年市場恐將維持冷風(fēng)颼颼狀態(tài),然而,今年是三星推出智能型手機(jī)滿十周年的日子,也因此,三星今年在智能型手機(jī)領(lǐng)域下了非常多功夫,希望藉由新產(chǎn)品、新規(guī)格來帶動銷售,折疊式手機(jī)就是其中一例,另外,S10系列機(jī)款也推出了諸多新功能,讓消費(fèi)者對于換機(jī)躍躍欲試。

只是,三星雖然積極挽救自家的智能型手機(jī)頹勢,卻無法挽救全球智能型手機(jī)發(fā)展態(tài)勢,現(xiàn)在,包含新興市場也都逐漸浮現(xiàn)飽和態(tài)勢。

去年,中國智能型手機(jī)品牌廠雖然在新興市場攻城掠地,但隨著市場飽和,手機(jī)銷量逐漸下滑也是必然趨勢,自然而然,智能型手機(jī)品牌廠也會減少對零組件的拉貨,影響零組件今年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)。

法人指出,全球智能型手機(jī)品牌廠都面臨市場飽和問題,銷量下滑、自然也使得獲利不如以往,零組件廠是率先受到影響的族群,部分品牌廠因?yàn)樵缫寻l(fā)展軟件內(nèi)容或者周邊商機(jī),能藉由軟件內(nèi)容研發(fā)維持毛利表現(xiàn),但是,零組件廠因?yàn)橹鞴ブ圃?,如果全球硬件需求下降,也會影響零組件廠營運(yùn)表現(xiàn)。