臺系DRAM廠南亞科自結1月營收新臺幣42.58億元，月減11.82%，為19個月新低水平。

南亞科1月出貨量增加4%至6%，只是產品平均售價下滑14%至16%，是影響整體1月營收持續(xù)滑落的主因。

因全球經濟放緩、美中貿易摩擦與英特爾(Intel)處理器短缺影響，南亞科對上半年DRAM市況看法保守，預期第1季產品價格可能下跌1成。

南亞科預期，第3季隨著時序步入傳統(tǒng)旺季，加上處理器缺貨情況可望減緩，產品跌價趨勢有機會減緩。因應市況轉趨保守，南亞科今年資本支出可能驟降至新臺幣100億元左右，將較去年大幅減少5成。

存儲器大廠華邦電31日舉行法說會，并且公布 2018 年第 4 季與 2018 年全年的營收成績。財務長黃求己指出，雖然 2018 年前 3 季的存儲器市場有著不錯的表現(xiàn)。然而下半年開始，市場需求降低，以及庫存增加的沖擊下，第 4 季獲利來到 8.79 億元（新臺幣，下同），每股 EPS 僅 0.22 元，為近 5 年來新低紀錄。累計，全年獲利受惠前 3 季的亮麗成績表現(xiàn)下，獲利為 74.46 億元，每股 EPS 為 1.87 元，創(chuàng)下近 18 年來的新高。

黃求己指出，華邦電 2018 年第 4 季含新唐科技等子公司的營收為 118.68 億元，營業(yè)毛利率為 34%，相較上季的 38.37%，以及 2017 年同期 37.81% 皆呈現(xiàn)下滑狀態(tài)。而歸屬母公司凈利為 8.79 億元，每股 EPS 0.22 元，為近 5 年來新低紀錄。累計，2018 年全年合并營收為 511.9 億元，歸屬母公司凈利為 74.46 億元，每股 EPS 為 1.87 元。

觀察華邦電 2018 年第 4 季營收表現(xiàn)，除了金額較第 3 季減少 13% 之外，出貨量也較第 3 季減少約 11% 到 12%，平均單位價格也下跌幅度約在 2% 到 3%。其中，又以 NAND Flash 價格下跌程度大于 NOR Flash。

其中，存儲器事業(yè)中，DRAM 產品事業(yè)含利基型存儲器以及行動存儲器等產品，占 2018 年第 4 季營收比重 52%，營收季減 17%。而第 4 季存儲器產品營收在各應用類別占比分別為消費性電子 (Consumer) 占 30%、通訊電子 (Communication) 占 26%、計算機相關 (Computer) 占 26%、車用及工業(yè)用相關 (Car&Industrial) 占 18%。而在快閃存儲器業(yè)務的部分，2018 年第 4 季營收比重達 48%，營收較 2018 年第 3 季下滑 12%。

華邦電總經理詹東義表示，針對 2018 年第 4 季營收衰退的現(xiàn)象，乃是在之前市況以及產業(yè)展望都過于樂觀，之后隨著手機市場的成長衰退，并且加上中美貿易摩擦的影響、以虛擬貨幣價格崩跌的情況，讓市出現(xiàn)供過于求，以及通路庫存過高的問題，造成整體市場的需求量快速下滑。但是，在其中看到好的地方是，消費端對產品的需求量仍在健康的情況下，對于未來的發(fā)展仍有著希望。

因此，展望未來，詹東義指出，2019 年上半年市場處于庫存消化的狀態(tài)。之后，在庫存降到某合理水位的情況下，真正的需求就會產生。而且，目前的供應商都相對理性，供給會以市場的第一需求為考量，不會過度囤積庫存的情況下，供給問題也可以獲得解決。因此，華邦電在 NOR Flash 部分，因為具備第一大供應商的地位，跌價壓力較小的情況下，持續(xù)追求高階應用。另外，在 DRAM 部分，華邦電也已經推出了 2GB/4GB DDR3 與 2GB LPDDR4 產品。至于，在 Flash 的產品上，已經推出 256MB 與 512MB Serial NOR Flash 等新產品，搶攻各項領域的使用。

詹東義還表示，目前高雄路竹 12 英寸新廠于在 2018 年 10 月正式動土后，當前進展都非常順利。而因為華邦電 25 納米 DRAM 在 2018 年第 4 季已小量量產，并且在第二代 2x 納米 SLC NAND Flash 與 4x 納米 NOR Flash 均在積極研發(fā)的情況下，未來高雄路竹 12 英寸新廠完工之后將會采用什么新技術來生產，就要視幾個關鍵客戶未來的需求而定。

DRAM在過去的幾十年里發(fā)展方向單一，以追求高密度存儲器為目標，但臺灣的鈺創(chuàng)科技沒有走傳統(tǒng)路線，而是開發(fā)全新的DRAM架構，稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。

在過去的幾十年里，DRAM產業(yè)的發(fā)展方向單一，以追求高密度存儲器為目標，首先是非同步 DRAM，然后發(fā)展到DDR5同步DRAM。鈺創(chuàng)科技(Etron Technology)在今年度消費性電子展(CES 2019)上表示該公司沒有走傳統(tǒng)路線，而是開發(fā)全新的DRAM架構，稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。

鈺創(chuàng)科技董事長暨執(zhí)行長盧超群表示，RPC DRAM只使用到一半數量的接腳，既能達到小型化，又能降低成本。他將RPC DRAM定位為小型化穿戴式裝置和終端AI子系統(tǒng)的理想選擇。盧超群補充說明，為了采用DDR4，現(xiàn)今許多研發(fā)小型穿戴式裝置的公司必須購買更多不需要的元件，「對于許多開發(fā)小型系統(tǒng)的研發(fā)人員來說，導入DDR4反而多余?！?/p>

RPC DRAM帶領DRAM技術藍圖往不同的方向發(fā)展。（來源：鈺創(chuàng)科技）

更具體地說，鈺創(chuàng)的RPC DRAM號稱可提供16倍的DDR3頻寬，在40接腳的FI-WLCSP封裝中僅使用22個開關訊號；該公司表示，RPC DRAM在無需增加設計復雜性和成本的情況下，能提供DDR4的容量和頻寬。

RPC鎖定未被滿足的市場

市場研究機構Objective Analysis的分析師Jim Handy對 EE Times表示：「DRAM的有趣之處在于大廠僅關注每年出貨量可達數億甚至數十億顆的元件；這為鈺創(chuàng)這樣的公司提供了機會，前提是它們能夠想辦法說明標準型動態(tài)隨機存取存儲器(commodity DRAM)并不能滿足目前的市場需求，并制造出能滿足這些市場需求的零組件。這(RPC DRAM)就是一個例子?！?/p>

在被問到RPC DRAM 可用來解決哪些問題時，Handy 表示：「主要是節(jié)省成本和空間；鈺創(chuàng)提出了一個令人信服的論點，即RPC透過減少I/O接腳數目或以其他方式支援較小的邏輯晶粒(logic die)尺寸，進而(藉由允許公司購買較低密度的元件)降低DRAM和FPGA或SoC 的成本。他補充指出：「我發(fā)現(xiàn)節(jié)省成本是任何一種新產品最吸引人的理由?！?/p>

RPC DRAM與DDR3或LPDDR3 DRAM相似，但是少了一半以上的接腳數。（來源：鈺創(chuàng)科技）

與萊迪思建立合作關系

RPC DRAM不僅僅是新DRAM架構的概念，鈺創(chuàng)還在CES展上透露該公司已經與萊迪思半導體(Lattice Semiconductor)合作，展出可兼容鈺創(chuàng)RPC DRAM的萊迪思EPC5 FPGA解決方案。

為此EE Times詢問了萊迪思這間FPGA公司，在RPC DRAM架構中發(fā)現(xiàn)了哪些傳統(tǒng)DRAM所沒有的「特點」或「優(yōu)勢」？該公司產品營銷總監(jiān)Gordon Hands告訴我們：「包括FPGA在內的許多芯片之使用者相當重視I/O接腳，它們通常會對設計工程師帶來限制；透過消除對單獨控制和位址接腳(address pins)的需求，鈺創(chuàng)的RPC存儲器能減少對這些稀少資源的使用?！?/p>

那么萊迪思的FPGA采用RPC DRAM后，有變得更好用嗎？對此Hands解釋：「自從推出ECP品牌，萊迪思一直專注于提供比其他中階FPGA產品在每個邏輯容量上更高的FPGA頻寬，研發(fā)人員運用I/O環(huán)路中的預設計元件來實現(xiàn)DDR存儲器界面，我們重新使用這些元件來支援鈺創(chuàng)的RPC?！?/p>

Hands指出，到目前為止萊迪思和鈺創(chuàng)的合作已經證明了此概念性設計可以讓此兩間公司的芯片具兼容性；他補充，「在2019年上半年，萊迪思希望發(fā)表一系列參考設計和展示，促使客戶加快導入此技術?！?/p>

結合萊迪思FPGA與鈺創(chuàng)的PRC DRAM參考設計在CES 2019亮相。（來源：EE Times）

RPC DRAM無可取代？

那么，OEM和ASIC研發(fā)人員對這種新型存儲器架構的需求會有多高？除了RPC DRAM，是否有其他解決方案呢？對此Objective Analysis的Handy 表示：「目前不需要高密度DRAM的應用通常會使用SRAM，但后者相當昂貴；低密度DRAM是另一種選擇，但它們比大多數的設計需要更寬的界面?！?/p>

在Handy看來，RPC承諾能用更具成本效益的解決方案來取代以上兩者，因此只要鈺創(chuàng)能堅持到底，他們應該能在市場上獲得佳績。

鈺創(chuàng)的盧超群指出，縮小存儲器尺寸是導入穿戴式裝置的一個關鍵因素，存儲器尺寸太大將是目前的一大缺點。他以Google智慧眼鏡為例解釋，DDR3的頻寬足以讓智慧眼鏡擷取與播放影像，但問題是DDR3的9x13mm球閘陣列封裝(BGA)尺寸使其無法放進智慧眼鏡。

盧超群表示，DDR3存儲器在x16配置的96球BGA封裝中，尺寸大約為9 x 13mm；無論晶粒容量多大，采用0.8 mm間距6列、16接腳，最小封裝尺寸維持不變，即使改用256 Mbit至8 Gbit任何容量的晶粒，封裝體積也是一樣。

但如果DRAM不是采用BGA封裝呢？對此盧超群解釋，F(xiàn)I-WLCSP的制程與BGA不同，「不是一次只封裝一顆芯片，而是一片晶圓一整批封裝；」而每個封裝單元都是半導體晶粒的大小，也就是小型的FI-WLCSP封裝內就是一顆小晶粒。他表示：「RPC DRAM是世界上第一款采用FI-WLCSP封裝的 DRAM。」

采用不同封裝的RPC DRAM。（來源：鈺創(chuàng)科技）

使用FI-WLCP封裝時，不用基板、也不用打線接合(wire-bonding)或覆晶(flip-chip)等封裝步驟。封裝元件內包含沉積的電介質和光學定義的導體，接著是電鍍和植錫球，所有制程都在完整晶圓片上進行。

鈺創(chuàng)的影像和存儲器產品開發(fā)副總裁暨首席科學家Richard Crisp接受EE Times訪問時表示：「減少接腳數目和較小的晶粒尺寸為RPC DRAM能采用FI-WLCSP封裝的關鍵因素；」他強調：「沒有其他DRAM采用此封裝方式，RPC DRAM只有一粒米的大小。」

一切都與成本有關

要在市場上推廣 RPC DRAM，鈺創(chuàng)必須做什么？Objective Analysis的Handy認為：「鈺創(chuàng)需要確保產品價格能為OEM廠商帶來成本效益，他們似乎正為了這個目標在努力，由此可知他們正朝著對的方向前進；而如果這些廠商可能會因為依賴單一供應來源而感到不安的話，鈺創(chuàng)要是能列出替代供應來源會有幫助?！?/p>

被問到RPC DRAM的晶圓代工伙伴時，鈺創(chuàng)僅表示該產品采用與該公司其他DRAM產品一樣的制造來源，但婉拒透露具體合作廠商名稱。至于RPC DRAM 的制程，鈺創(chuàng)的Crisp 強調：「與標準 DDR3 相比，我們使用標準的制程與材料，不需要用到特別夸張的信令(signaling)或特殊材料?！?/p>

過去一年，存儲產業(yè)并購、建廠、擴產、投產動作不斷，哪些廠商的布局令你印象深刻？不妨跟著全球半導體觀察的腳步，一同回顧2018年存儲產業(yè)大事件。

Part 1、收購篇

Synopsys收購Kilopass

2018年1月11日，全球頂先的EDA和IP供應商Synopsys以非公開的價格收購了非易失性內存IP供應商Kilopass，通過收購繼續(xù)構建其龐大的知識產權組合。

Synopsys公司表示，Kilopass是一次性可編程非易失性存儲器IP的先驅，收購將進一步完善其公司汽車、物聯(lián)網、工業(yè)和移動應用的現(xiàn)有非易失存儲器IP產品組合。Kilopass IP將支持其現(xiàn)有DesignWare的非易失性存儲器IP一次性和多次可編程，支持在180 nm至7 nm工藝技術中實現(xiàn)高達4 Mbit的一次性可編程實例。

兆易創(chuàng)新并購思立微

2018年1月30日晚間，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司發(fā)布《發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產并募集配套資金預案（摘要）》公告，公告表示，兆易創(chuàng)新擬通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買上海思立微電子科技有限公司100%股權。

兆易創(chuàng)新目前是中國大陸領先的閃存芯片設計企業(yè)。思立微全名為上海思立微電子科技有限公司，于2011 年1月27日在上海成立，公司主營業(yè)務為智能移動終端傳感器SoC芯片和解決方案的研發(fā)與銷售，主要產品為電容觸控芯片及指紋識別芯片，產品主要應用于手機及平板電腦。

貝恩資本收購東芝存儲

2018年6月初，全球領先的存儲解決方案提供商希捷科技公司宣布與貝恩資本為首的財團投資者完成了對東芝存儲公司（Toshiba Memory Corporation）的收購，希捷出資12.7億美元。這項收購計劃此前就曾宣布，并特意為此次收購計劃組建了名為K.K.Pangea的新公司。

在2017年，在貝恩資本所牽頭財團收購東芝芯片業(yè)務的交易計劃中，希捷科技公司表示將貢獻12.5億美元。關于被收購的事情，東芝表示，已簽署協(xié)議將芯片業(yè)務以180億美元價格出售給貝恩資本牽頭的財團。東芝一直在努力籌措資金，以避免被摘牌的命運。除希捷外，貝恩資本財團中還包括蘋果、韓國芯片商SK海力士、戴爾和金士頓。

聯(lián)電并購三重富士通半導體

2018年6月29日，聯(lián)電與富士通半導體有限公司共同宣布，聯(lián)電將購買與富士通半導體所合資的12英寸晶圓廠三重富士通半導體股份有限公司(MIFS)全部股權，交易金額不超過576.3億日元。為聯(lián)電進一步建立多元化量產12英寸廠之生產基地。

三重富士通半導體（MIFS）前身為富士通股份有限公司三重工廠，自1984年開始運營以來，作為最先端存儲器等產品的研發(fā)、量產據點，助力富士通半導體快速發(fā)展。如今，MIFS是日本為數不多的300mm晶圓代工廠之一，B1廠采用90nm工藝，B2廠初始采用65nm工藝，2016年初開始40nm商用生產，2016年下半年40nm正式進入量產階段。

美光并購與英特爾合資的IM Flash

2018年10月19日，美光科技宣布，將收購與英特爾十多年前組建的一家閃存合資公司的股份。

美光同意斥資15億美元收購英特爾持有的IM Flash Technologies股份，并預計將在明年1月1日行使購買選擇權后6至12個月完成交易。該公司CFO戴夫·金斯納（Dave Zinsner）在會議上表示，美光科技將通過自由現(xiàn)金流支付收購款項。

猶他州工廠不僅距離該公司愛達荷州的總部很近，而且是全世界唯一可以生產3D XPoint技術的工廠。這種非揮發(fā)性存儲可以提升存儲性能，還能降低服務器的存儲成本。

Part 2 建廠、擴產、投產篇

江蘇時代芯存相變存儲器工廠啟動運營

2018年3月底，總投資130億元的江蘇時代芯存半導體有限公司用時9個月實現(xiàn)廠房封頂，歷時1年22天投入使用，同時完成所有設備采購，首臺設備進廠。這標志著淮安已成為大陸地級市中唯一同時擁有兩個12英寸高水準項目（另一個為德淮半導體項目）的地區(qū)。項目全面建成后將達到年產10萬片12英寸相變存儲器的產能，年可實現(xiàn)銷售45億元，利稅3億元，淮安將成為大陸集成電路產業(yè)發(fā)展的重要增長極。

東芝建新廠增產3D NAND

東芝旗下半導體事業(yè)子公司“東芝存儲器(TMC)”2018年5月宣布，因3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)“BiCS FLASH”中長期需求料將呈現(xiàn)擴大，因此為了擴增3D NAND Flash產能，決定將在2018年7月于巖手縣北上市著手興建新工廠，該座北上新廠廠房預計將在2019年完工。

TMC指出，上述北上新廠將采用耐震結構、最新的省能源制造設備，且將導入活用人工智能(AI)的生產系統(tǒng)，提升生產效能、改善良率。

東芝與西數合資廠量產96層3D NAND

日本存儲器大廠東芝存儲器與西數（Western Digital）2018年9月19日宣布，共同在日本三重縣四日市的6號晶圓廠（Fab 6）舉行開幕儀式。該廠為新設先進半導體制造廠區(qū)，并設有存儲器研發(fā)中心（Memory R&D Center）。

東芝存儲器是自2017年2月開始興建6號晶圓廠，為生產3D NAND Flash快閃存儲器的專用生產廠區(qū)。東芝存儲器與西數已針對沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關鍵生產制程開始部署先進制造設備，新廠已經在9月初開始量產新一代96層3D NAND Flash。

三星西安NAND工廠3月底啟動擴產

2018年3月，三星宣布，三星位于西安的NAND工廠3月底啟動擴產。三星未來三年將斥資70億美元，擴大西安廠區(qū)NAND Flash產能，西安NAND Flash月產能將由目前的12萬片增至20萬片，增幅約67%。這是三星去年宣布增產DRAM之后，再次在存儲器芯片領域砸下重金擴產，為全球存儲器市場再次投下一顆震撼彈。

美光新加坡第三座3D NAND工廠動工

2018年4月，美光新加坡第三座3D NAND工廠動工，該新工廠是美光Fab 10擴建的第三期工程，占地165,000平方米，預計會在2019年中完工，在2019年第四季度投產。工廠的量產還需要幾個季度的時間，因此預計大量的3D NAND存儲器將在2020年底之前產出。目前，美光在新加坡有兩座300mm 3D NAND工廠，分別Fab 10N和Fab 10X。 這些工廠目前生產美光的NAND Flash的大部分份額。

英特爾大連廠2期投產

繼2015年宣布其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造為NAND Flash快閃存儲器工廠之后，英特爾2018年5月宣布已經正式投產。未來，主要將生產96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器，積極追趕競爭對手的市占率。

SK海力士開建第7座工廠

2018年12月，SK Hynix正式開工建設第7座半導體工廠──M16廠，總投資不低于15萬億韓元（約133億美元）。雖然還沒確定最終生產NAND Flash還是DRAM，但是這座晶圓廠確定將會采用最先進的EUV光刻技術。

此外，在2018年10月份，SK Hynix才剛完成最新的M15工廠興建，已正式進入量產，且該工廠是2015年SK Hynix宣布將斥資的46萬億韓元投資計劃中的一部分。

M15工廠位于韓國清州市，投資額高達15萬億韓元，以生產3D NAND Flash為主，初期以生產現(xiàn)在的72層堆疊3D NAND Flash，2019年開始，就會轉到96層堆疊的3D NAND Flash上。

存儲器大廠南亞科昨（15）日舉行 2018 年第 4 季法人說明會，由總經理李培瑛親自主持。會中，南亞科公布 2018 年第 4 季及全年營收狀況，根據資料顯示，南亞科 2018 年第 4 季營收為169.58 億元（新臺幣 ，下同），較第 3 季減少 30.4%，毛利為 89.72 億元，毛利率為 52.9%，較第 3 季減少 6 個百分點。整體稅后凈利為 79.53 億元，凈利率為 46.9%，較第 3 季減少 5.9 個百分點，單季 EPS 為 2.57 元。

李培瑛表示，在 2018 年第 4 季受到市況不佳的影響，營收較第 3 季下滑 30.4% 的情況下，累計 2018 年全年營收為新臺幣達 847.22 億元，較 2017 年同期增加 54.3%。在全年出貨增加三十中位數百分比，以及 DRAM 平均售價年成長中十中位數百分比的情況下，2018 年全年毛利為 466.16 億元，毛利率達到 55%，營業(yè)利益為 393.55 億元，營業(yè)利益率 46.5%。在認列業(yè)外收入 22.3 億元的情況下，歸屬母公司稅后凈利達到 393.62 億元，每股 EPS 12.8 元。創(chuàng)下本業(yè)在毛利率、營業(yè)利益率、以及凈利率三率創(chuàng)新高的情況，而且也是連續(xù)兩年賺超過 1 個股本。

而針對 2019 年南亞科的營運展望，李培瑛指出，受到全球經濟放緩、美中貿易紛爭、關稅提高所造成的影響下，造成供應鏈調整及處理器短缺的問題，因此預期 DRAM 市場在 2019 年的市況保守。因此，繼 2018 年南亞科在相關的資本支出較原先預估的下調 15% 之后，預計 2019 年整體的資本支出還將會再下調 50%，也就是相較 2018 年約新臺幣 204 億元的資本支出，2019 年的資本支出將會降到百億元上下。

至于在 2019 年的市場需求上，于手機產品方面，雖然 2018 年的市場銷售不如預期，但是在 Android 機種內建存儲器容量的提升，加上 2019 年 5G 網絡正式商轉后，有機會刺激存儲器需求動能。在服務器方面，則是受限于 2019 年短期的市場庫存調整，短期導致需求不佳，但長線在人工智能及網絡需求的成長下，仍有機會帶動服務器的需求。而在 2018 年因為英特爾處理器缺貨，導致存儲器需求不佳的情況，預計處理器在缺貨潮于 2019 年上半年能解除的情況下，恢復正常市況。

最后在消費型終端產品方面，李培瑛也表示，短期需求受美中貿易因素困擾而需求不振。但全年機上盒、智能音箱、SSD、IP CAM 等應用搭載 DARM 的數量成長，也帶動需求穩(wěn)定爬升。因此，基于以上的因素、在 2019 年的產品規(guī)劃上，李培瑛還表示，除了規(guī)劃將導入服務器及一系列低功率用產品，進一步多樣化產品應用及提升競爭率。其中，在服務器的產品上，目前已經通過一家國際級服務器廠商的認證，而其他的認證則是目前在進行中，至于英特爾服務器的認證上，則預計在 2019 年的第 2 季完成認證。不過，李培瑛還是坦承，2019 年要想追上 2018 年的營收水平，會有很大的困難。

而因為連續(xù)第 2 年獲利達到 1 個股本，因此李培瑛表示，2019 年的股利也會將發(fā)放率規(guī)劃在 50% 左右。如過能達到 6 元以上的水平，則將創(chuàng)下南亞科的歷史新高紀錄。

集邦咨詢：2019年第一季DRAM合約價跌幅擴大至近20%

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年12月正值歐美年節(jié)時期，DRAM成交量清淡，因此不列入合約價計算，意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關卡。

DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價已于去年12月開始議定，綜合庫存過高、需求比原先預估更為疲弱，以及短中期經濟展望不明朗等因素，買賣雙方已有8GB均價降至55美元或更低的共識，預期1月份合約價將較上一個月份下跌至少10%，并且2、3月持續(xù)下探的可能性極高。整體來看，第一季價格跌幅將由原先預估較前一季衰退15%，擴大到近20%，尤其以服務器內存的下修最為明顯。

目前DRAM市場最大問題并非供給端的增加，而是需求端在2018年第四季提前進入淡季，使得庫存攀升問題提早浮現(xiàn)。以2018年第四季來看，所有供貨商當中以美光降價幅度最大，因此部分偏高的庫存水位得以適時去化。而韓系廠因為降價幅度較小，導致出貨量萎縮，庫存持續(xù)累積至2019年第一季將相當可觀。短期之內，生產位元成長(supply bit growth)將持續(xù)大于銷售位元成長(sales bit growth)，庫存水位的不斷上升，成為價格的最大壓力。預期自2018年第四季開始的DRAM價格跌勢恐怕將延續(xù)四個季度以上。

上肥下瘦，模組廠獲利空間遭壓縮

雖然DRAM價格自2018年下半年開始走跌，但由于產業(yè)集中度高，削價競爭只會侵蝕目前豐厚的獲利，因此，2019年各廠紛紛計劃減少資本支出，以穩(wěn)定DRAM價格并平衡市場供需環(huán)境。

值得注意的是，上游原廠享有高毛利，但下游的內存模組廠與客戶的獲利空間卻遭到壓縮，這使地整體內存產業(yè)獲利表現(xiàn)在2018年呈現(xiàn)上肥下瘦。2017年因DRAM價格在短期大幅上漲，模組廠受惠于手中持有的低價庫存得以轉為實際獲利，大多數模組廠獲利表現(xiàn)相當優(yōu)異。但從2018年開始，DRAM價格已處于高檔水位，顆粒價差獲利空間變小，模組廠僅能從加工費用中獲利。加上DRAM價格于下半年開始下跌，下游模組廠手上持有的庫存損失則拖累獲利，不少下游廠商2018年的實際獲利較前一年相比僅剩一成水平，甚至開始虧損。由此，DRAMeXchange預期2019年模組廠的生存將面臨更嚴峻的考驗。

南亞科將于周二 (15 日) 召開法說會，公布第 4 季與全年獲利表現(xiàn)，市場將聚焦南亞科對第 1 季及今年整體市況展望。南亞科去年全年營收創(chuàng)新高、達到 847.21 億元（新臺幣，下同），法人預期，南亞科第 4 季每股純益可望達 2.5 元，全年每股純益上看 12.5 元，可望寫下歷史次高成績。

南亞科去年第 4 季受到美中貿易摩擦影響市場需求，加上 CPU 缺貨等因素影響，且 DRAM 銷售單價也下修，在價量同步走弱下，使營運表現(xiàn)受到影響，第 4 季營收為 169.57 億元，季減 3 成，不過，由于前 3 季營運表現(xiàn)相當不錯，帶動去年全年合并營收達 847.22 億元，年增率 54.3%，改寫歷史新高。

從南亞科大股東南亞公告的第 4 季財報來看，共認列南亞科投資收益 23.2 億元，法人推估，南亞科第 4 季獲利將達 79 億至 80 億元，雖然獲利季減幅度可能超過 3 成，但單季每股純益可望達 2.5 元，全年每股純益則預期將超過 12.5 元，寫下歷史次高紀錄。

今年市況方面，據集邦咨詢半導體研究中心 DRAMeXchange 最新調查，繼去年第 4 季 DRAM 合約價格較前一季大幅修正約 1 成后，受到終端產品需求疲軟影響，DRAM 主要供應商紛紛放緩新增產能腳步，以期減緩價格跌勢，今年 DRAM 產業(yè)用于生產的資本支出總金額約 180 億美元，年減約 1 成，為近年來最保守的投資水位。

南亞科去年第 4 季起，開始延緩產能擴充與資本支出，去年全年資本支出也由原先的近 240 億元、下調至 210 億元，調幅逾 1 成，預期在市況未有太大變化之下，加上三星半導體、SK 海力士與美光均同步下修今年資本支出，南亞科今年資本支出可望比去年更保守。

DRAMeXchange 預期，今年 DRAM 價格仍將逐季修正，第 1 季價格下修幅度約 15%，第 2 季收斂至 10% 以內，下半年除非需求明顯改善，否則價格仍將維持約 5% 的季度下修。