存儲器廠華邦電 8 日公布自行結(jié)算的 2018 年 12 月份營收報告。華邦含新唐科技等子公司，12 月份合并營收為新臺幣 36.92 億元（新臺幣，下同），較 11 月份減少 8.19%，較 2018 年同期減少 12.94%，再創(chuàng)近 10 個月來的新低紀錄。不過，受惠 2018 年整體營收表現(xiàn)亮眼的影響，累計 2018 年全年合并營收為新臺幣 511.9 億元，較 2017 年增加 7.56%，創(chuàng)下近 18 年來的新高紀錄。

受到中美貿(mào)易摩擦及美國升息的沖擊，華邦電 11 月營收僅 40.21 億元，較 10 月份月減 3.22%。而 12 月份的營收出爐，營收金額再下降到 36.92 億元，較 11 月份再減少 8.19%，創(chuàng)近 10 個月來的新低紀錄。

華邦電總經(jīng)理詹東義日前的法說會上指出，雖然近期全球經(jīng)濟充滿不確定性，但包括物聯(lián)網(wǎng)、車用、工業(yè)等領(lǐng)域，不斷有新應(yīng)用出現(xiàn)，成為驅(qū)動需求的新動能，因此對未來市場需求并不悲觀。不過，未來 2 到 3 季為關(guān)鍵時期，包括中國內(nèi)需市場降溫、庫存調(diào)節(jié)狀況與全球重要市場的環(huán)境變化，都是關(guān)乎未來市場發(fā)展的重點。

至于華邦電目前的狀況，詹東義表示目前營運良好，很多來自客戶的訂單，而且對客戶的交期也正常。這部分歸功于過去就訂下以利基型市場產(chǎn)品為主，不做標(biāo)準(zhǔn)型市場生意的計劃。

因此，就目前的情況來看，標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品的市場雖然受到市場的變化影響，會有所變化，但是利基型產(chǎn)品市場，隨著系統(tǒng)整合存儲器需求越來越大的情況下，還是會有成長的空間。因此，這也是過去華邦電以生產(chǎn)利基興產(chǎn)品為主，但是如今市場需求大到需要增加生產(chǎn)，以進一步蓋高雄路竹新廠的原因。

至于新廠的建置，詹東義表示，在 10 月份正式破土動工之后，目前土建的部分已經(jīng)開始執(zhí)行中。所以，并不會受到市場看到未來半導(dǎo)體景氣的影響，在建廠的時程中會有所變化。

詹東義強調(diào)，在市場認為是景氣低檔時建廠，未來在景氣反轉(zhuǎn)時，就剛好能搭上順風(fēng)車。而且，目前華邦電是臺灣地區(qū)唯一能自行研發(fā)制程的存儲器廠，根據(jù)規(guī)劃，希望能在 2 年就有一個世代的提升。因此，如果一切正常，則可以藉由新制程的推出，加上新廠房的成立，使華邦電未來能有好的表現(xiàn)。

存儲器模組大廠威剛公布去年全年營收中，DRAM產(chǎn)品營收較前一年成長達11.67%，也是近8年新高，雖然去年下半年以來，市場研究機構(gòu)多對今年存儲器市場持保守看法；不過，威剛預(yù)期，今年第2季開始DRAM需求將好轉(zhuǎn)，昨日存儲器個股，包括威剛、南亞科、旺宏及華邦電也呈現(xiàn)齊漲表現(xiàn)。

威剛?cè)ツ耆旰喜I收達314.48億元（新臺幣，下同），受惠去年DRAM產(chǎn)業(yè)供需健康，價格走勢相對穩(wěn)定，全年DRAM產(chǎn)品營收較前一年成長11.67%、達194.27億元，為近八年來新高。

威剛表示，去年DRAM產(chǎn)品對公司整體營收貢獻比重也較前一年成長近8個百分點達61.78%；非DRAM產(chǎn)品對整體營收貢獻比重為38.22%。

受國際客戶與通路的圣誕假期與年底結(jié)帳影響，威剛?cè)ツ?2月合并營收20.84億元，較前一個月下滑10.53%。累計去年第4季合并營收為68.09億元，單季DRAM產(chǎn)品營收貢獻比重54.75%，非DRAM產(chǎn)品營收貢獻比重45.25%。

展望2019年存儲器市況，威剛表示，第1季因CPU缺貨影響，DRAM需求轉(zhuǎn)淡，但隨著缺貨情勢逐步緩解，自第2季開始DRAM需求可望好轉(zhuǎn)。公司也持續(xù)看好NAND Flash價格修正后，可刺激終端產(chǎn)品搭載容量成長及提升SSD市場滲透率。

存儲器大廠南亞科 3 日公布 2018 年 12 月及 2018 年全年自結(jié)財報，根據(jù)財報顯示，南亞科 2018 年 12 月營收為 48.29 億元（新臺幣，下同），較 11 月減少 10.62%，也較 2017 年同期減少 18.87%，創(chuàng)下 15 個月來的新低紀錄。而且，2018 年第 4 季營收連 3 個月下滑，累計營收為 169.58 億元，較第 3 季的 243.75 億元大幅下滑超過 3 成，與 2017 年第 4 季的 167.83 億元約略持平。

事實上，南亞科在上一季法人說明會時，總經(jīng)理李培瑛就表示，整體來說，在中美貿(mào)易摩擦等不確定因素增加的情況下，對于 2018 年第 4 季的 DRAM 需求相對較上半年保守。而且，在影響因素未確定的情況下，對 DRAM 的長期走勢還需要做密切的觀察，這使得 2018 年第 4 季營收較之前有衰退，不過，南亞科仍舊在 2018 年前 3 季營收表現(xiàn)突出的情況下，使得累計 2018 年的全年營收，仍較 2017 年亮眼，總營收金額為 847.22 億元，較 2017 年度增加 54.27%。

根據(jù)李培瑛之前的說法，就目前情況來看，中美貿(mào)易摩擦的影響仍是市場最大的變量。這樣的情況會造成需求端的趨向保守，供給端的投片量減少。所以，日前國際大廠宣布降低 2019 年的相關(guān)資本支出，主要也可能是受到這樣情況的影響。

而南亞科本身也為了因應(yīng)這樣的情況，2018 年也已經(jīng)下調(diào)相關(guān)的資本支出，從新臺幣 240 億元下調(diào)到 210 億元。也因為減少的資本支出是在于機器設(shè)備的增加上，這將使得原本預(yù)計 2019 年 20 奈米 4.7 萬片的月產(chǎn)能，也將會有些許調(diào)降的情況。

不過，雖然在 DRAM 供應(yīng)面有下調(diào)資本支出、減少投片量的情況，而且需求面也有較為保守的趨勢產(chǎn)生，但是就整體市場的情況來分析，卻不會太過悲觀。

李培瑛預(yù)估，2019 年整體的價格不會有過去呈現(xiàn) 2 位數(shù)百分比的暴跌情況產(chǎn)生，而是呈現(xiàn)逐季緩步走跌的情況，時間大約在 1 到 2 季之間。李培瑛還進一步分析 DRAM 價格不會暴跌的主因，是來自于目前市場上包括手機、服務(wù)器、消費性電子產(chǎn)品都還供需健康的狀況，僅在個人計算機方面，受到貿(mào)易摩擦及處理器缺貨的因素所影響，會有短期市場跌價的壓力。

動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)廠紛紛放緩擴產(chǎn)腳步，據(jù)市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)估，2019年DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出金額約180億美元，將減少1成左右。

集邦科技表示，韓國兩大DRAM廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)較早宣布放緩2019年投資計劃，三星2019年DRAM投資金額約80億美元，主要用在轉(zhuǎn)換1y納米制程及新產(chǎn)品開發(fā)。

隨著平澤廠擴產(chǎn)計劃終止，集邦科技預(yù)估，三星2019年位元成長率將約20%，將創(chuàng)下歷年新低紀錄。

SK海力士2019年DRAM投資金額也將降至55億美元左右，將用以推進制程技術(shù)及提升良率，集邦科技預(yù)期，SK海力士因中國無錫新廠落成，2019年位元成長率將約21%。

美光(Micron)2019年資本支出將降至30億美元左右，位元成長率也將降至15%。

集邦科技指出，2018年第4季DRAM合約價下跌約10%，預(yù)期受淡季效應(yīng)影響，2019年第1季價格將再跌15%，第2季價格跌幅可能收斂至10%以內(nèi)。

隨著 5G 明年步入商轉(zhuǎn)，資料傳輸需求大增，可望顯著刺激存儲器景氣。雖然近期存儲器步入景氣向下循環(huán)，但歷經(jīng)調(diào)整后，5G、人工智能與邊緣運算等帶動科技新浪潮，將帶動 DRAM 與 NAND Flash 需求重回成長，南亞科、華邦電等臺廠都將因此受惠。

DRAM 近年來受惠資料中心持續(xù)建置，服務(wù)器存儲器出貨量大幅攀升，伴隨 5G 商轉(zhuǎn)產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，將需要建置更多資料中心來容納。隨著資料中心需求持續(xù)推升，未來服務(wù)器 DRAM 可望成為成長力道最強勁的存儲器領(lǐng)域，研調(diào)甚至認為，未來 2 至 3 年內(nèi)，服務(wù)器存儲器將超越行動式存儲器，成為供需主流。

為迎接服務(wù)器市場未來的強勁成長動能，南亞科今年正式重返缺席逾 5 年的服務(wù)器 DRAM 市場，8Gb DDR4 服務(wù)器產(chǎn)品已獲美系資料中心大廠驗證通過，第 4 季小量出貨，并于明年放量，要全力搶攻服務(wù)器市場，盼明年底前服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品可占整體出貨比重超過 1 成。

除南亞科積極布局以因應(yīng)相關(guān)需求外，華邦電也不缺席。華邦電總經(jīng)理詹東義認為，5G、人工智能與邊緣運算需求增加，將使更多產(chǎn)品智慧化，成為驅(qū)動產(chǎn)業(yè)的新成長動能，因此對未來市場需求并不悲觀，將持續(xù)耕耘質(zhì)量要求較高的金字塔頂端客戶。

而在 NAND Flash 方面，隨著 5G 帶動智慧家庭、自動駕駛等新興領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展，擁有運算能力的終端產(chǎn)品數(shù)量將會明顯提升，可望帶動中低容量 NAND Flash 產(chǎn)品出貨量增加，后市需求動能同樣樂觀可期。

12月29日，兆易創(chuàng)新發(fā)布《關(guān)于合作協(xié)議的進展公告》。

公告顯示，兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團）有限公司（以下簡稱“合肥產(chǎn)投”，與公司合稱“雙方”）于2017年10月26日簽署了《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》（以下簡稱“《合作協(xié)議》”），約定雙方合作開展12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目（以下簡稱“本項目”）。

根據(jù)《合作協(xié)議》，本項目目標(biāo)是在 2018年12月31日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率（測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例）不低于10%。項目所需投資由兆易創(chuàng)新和合肥產(chǎn)投按照1:4 的比例負責(zé)籌集，項目總預(yù)算約為180億元人民幣，其中兆易創(chuàng)新負責(zé)籌集約36億元。

雙方約定，若2018年12月31日前本項目目標(biāo)尚未實現(xiàn)、雙方?jīng)Q定終止項目，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投需要根據(jù)1:4分擔(dān)項目損益；又或2018年12月31日前未能按期實現(xiàn)目標(biāo)，且合肥產(chǎn)投決定退出而兆易創(chuàng)新決定繼續(xù)經(jīng)營的并截至2019年12月31日，本項目目標(biāo)仍未實現(xiàn)的，兆易創(chuàng)新有義務(wù)完成收購合肥產(chǎn)投在項目應(yīng)當(dāng)享有的清算或處置收益。

如今臨近約定日期，兆易創(chuàng)新表示，經(jīng)溝通確認，雙方將繼續(xù)推進本項目實施。本項目的后續(xù)具體實施，將視需要簽署明確、具體的一份或數(shù)份執(zhí)行協(xié)議進一步確定，后續(xù)協(xié)議的簽訂及協(xié)議內(nèi)容尚存在不確定性。

持續(xù)上漲兩年多的DRAM內(nèi)存價格在今年Q4季度終于由漲轉(zhuǎn)跌了，三星、SK Hynix及美光三大內(nèi)存芯片供應(yīng)商都在想方設(shè)法應(yīng)對即將到來的降價周期，這三家公司已經(jīng)確定會削減明年的資本支出，不再大幅增加內(nèi)存產(chǎn)能以減緩內(nèi)存降價趨勢。

三星Q4季度的內(nèi)存降價，再加上今年一直在跌價的NAND閃存，預(yù)計三星本季度盈利會下滑7.6%，但是全年積累之下，三星今年的利潤依然會達到62.6萬億韓元，創(chuàng)造歷史最好記錄。

三星即將在明年1月份發(fā)布2018年Q4季度財報，在此之前市場已經(jīng)在打預(yù)防針了，因為本季度中內(nèi)存芯片也開始跌價了，勢必會影響三星的賺錢能力。來自韓國分析師的分析認為三星今年Q4季度的營收為63.8萬億韓元，同比下滑3.2%，而下滑的主要原因就是內(nèi)存以及NAND芯片跌價，其他風(fēng)險還有中美貿(mào)易戰(zhàn)等等，不過這些因素都沒有存儲芯片跌價影響大。

與營收微幅下滑不同，三星Q4季度的運營利潤下滑更多，預(yù)期本季運營利潤只有13.9萬億韓元，約合123億美元，與去年同期的15.1萬億韓元相比會下滑7.6%。

盡管Q4季度會因為存儲芯片跌價而導(dǎo)致利潤下滑，但是放眼全年的話，由于前三季度DRAM內(nèi)存芯片價格一直維持強勢，三星此前在DRAM芯片上維持了70%以上的毛利率，所以折抵下來全年盈利依然會創(chuàng)新高，預(yù)計今年運營利潤高達62.6萬億韓元，約合557.3億美元或者3844億人民幣，而去年全年的運營利潤也不過53.6萬億韓元，約合3291億人民幣，相比之下，今年的盈利依然會大漲16.8%。