5月20日，浙江嘉興南湖區(qū)舉行2020“南湖之春”第二屆國際經(jīng)貿洽談會，會上共有52個高質量項目簽約，總投資近340億元，涉及數(shù)字經(jīng)濟、高端智能裝備制造、生物醫(yī)藥等多個領域，其中包括總投資1億美元的半導體存儲項目。

據(jù)悉，該項目旨在打造對中國區(qū)DRAM存儲行業(yè)起領軍作用的芯片研發(fā)、設計、銷售基地和管理全球市場的總部公司。

近年來，南湖區(qū)重點培育集成電路產(chǎn)業(yè)，制定了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，2020年初，位于嘉興科技城的南湖微電子產(chǎn)業(yè)平臺成功入選浙江省六個“萬畝千億”新產(chǎn)業(yè)平臺之一。

事實上，南湖區(qū)微電子產(chǎn)業(yè)鏈已初步形成，目前嘉興科技城聚集了斯達半導體、芯動科技、禾潤電子、博創(chuàng)科技等一批集成電路企業(yè)，其中斯達半導體填補了國內IGBT芯片和功率模塊技術空白，成為國內IGBT領域產(chǎn)銷最大、技術領先的專業(yè)研制和生產(chǎn)企業(yè)；芯動科技則專注于高端MEMS產(chǎn)品生產(chǎn)加工，具有全產(chǎn)業(yè)鏈、全自主知識產(chǎn)權，是中國最先進的高端MEMS器件加工平臺之一。

此外，今年4月，嘉興南湖微電子產(chǎn)業(yè)平臺的第二個標志性項目浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目也樁基開工；恒拓電子年產(chǎn)30億只專用集成電路封測等項目在建。

據(jù)嘉興市人民政府消息指出，此次半導體存儲項目的引入將進一步豐富南湖區(qū)微電子產(chǎn)業(yè)集群。

集邦咨詢：美擴大對華為禁令，存儲器產(chǎn)業(yè)短期尚不致受到實質沖擊

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，美國商務部工業(yè)和安全局(BIS)于5月15日公布針對華為出口管制的新規(guī)范，未來使用美國半導體相關設備的外國芯片制造商必須要特別申請核準，才可對華為、海思以及其他相關公司出貨。雖然相關法條仍存有進一步解釋的空間，但目前觀察對于存儲器的采購（含DRAM與NAND Flash）影響有限，各原廠仍可繼續(xù)對華為出貨。但值得注意的是，美國對于華為或其他中國品牌的規(guī)范力道會持續(xù)增強，因此對于后續(xù)存儲器的供給或需求面的沖擊還需要持續(xù)觀察評估。

以存儲器的需求面來說，主要觀察重點在于禁令是否會沖擊華為的終端出貨表現(xiàn)（涵蓋智能手機、筆記本電腦、服務器相關以及網(wǎng)通產(chǎn)品）。集邦咨詢認為，對于目前關鍵零部件庫存量相對足夠的智能手機、筆電與服務器等產(chǎn)品而言，短期內的出貨沖擊較低；主要影響可能是在5G基站、網(wǎng)通類別產(chǎn)品的后續(xù)出貨動能。然而，考慮禁令仍有120天的緩沖期，加上華為先前為避免受禁制令影響，已預先拉高零部件庫存，因此集邦咨詢認為，禁令對華為終端出貨造成具體沖擊的時間點最快會落在2020年第四季以后。

集邦咨詢認為，目前所有存儲器原廠生產(chǎn)之DRAM、NAND Flash以及其他相關解決方案的產(chǎn)品設計并未針對華為、海思以及其相關公司特別研發(fā)，因此對華為等公司的出貨不受此次禁令的限制。至于美國的存儲器供貨商（美光與英特爾）也因為先前已取得特殊出貨許可，因此仍可照常對華為出貨。

不過，未來美國對華為及其相關公司甚至其他中國品牌的制裁力道可能會繼續(xù)增強，因此，就算存儲器的供給面順暢無虞，但終端出貨的沖擊仍將難以避免。先前在新冠肺炎疫情持續(xù)擴散的考慮下，集邦咨詢已全面下修2020年DRAM與NAND Flash均價的預估，而美國對其他中國品牌的相關制裁將使得后續(xù)價格面臨更大壓力。

另一方面，近年來中國對半導體生產(chǎn)自主化的急迫性快速增加，其中最重要的環(huán)節(jié)就是存儲器相關產(chǎn)品。目前長江存儲即將量產(chǎn)128層3D NAND產(chǎn)品，而長鑫存儲已經(jīng)有19納米的DDR4產(chǎn)品小量問世，足以代表中國近三到五年來在內存自主研發(fā)上已得到初步成果。在美國對中國制裁力道持續(xù)增強的態(tài)勢下，中國的存儲器發(fā)展勢必會更為積極，以降低對其他國家的依賴程度。

DRAM自有品牌內存營收排名

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，第一季DRAM供應商庫存去化得宜，季末的庫存水位與年初相比已經(jīng)顯著下降，因此降價求售壓力不再，整體DRAM（內存）均價相較前一季上漲約0-5%。

然而，因應新冠肺炎疫情，各國祭出封城鎖國政策，導致物流受阻，DRAM的位元出貨也受到影響。所以雖然均價小幅上漲，但第一季DRAM整體產(chǎn)值季衰退4.6%，達148億美元。

集邦咨詢指出，第一季受阻的出貨將遞延至第二季，因此在DRAM均價上漲幅度擴大且出貨量同時提升的情況下，集邦咨詢預測第二季DRAM整體產(chǎn)值將季增超過兩成，原廠的營收與獲利能力將持續(xù)成長。

第一季因疫情導致出貨受阻，「價漲量縮」的情況下，三大DRAM原廠第一季營收均呈現(xiàn)小跌，三星跌幅約3%、SK海力士約4%，美光則約11%（本次財報季區(qū)間為2019年12月至2020年2月）。南亞科第一季出貨量雙位數(shù)成長，帶動營收較前一季增加近10%。華邦電第一季量價大致持平，因此DRAM營收變化幅度不大；力晶科技第一季仍以影像傳感器需求較為強勁，排擠DRAM產(chǎn)能，因此營收小幅下滑3%（營收計算主要為力晶本身生產(chǎn)之標準型DRAM產(chǎn)品，不包含DRAM代工業(yè)務）。

臺積電建5納米新廠

5月15日，臺積電宣布，在與美國聯(lián)邦政府及亞利桑那州的共同理解和支持下，有意于美國興建且營運一座先進晶圓廠。

據(jù)臺積電方面披露，這座晶圓廠將設立于亞利桑那州，采用臺積電的5納米制程技術生產(chǎn)半導體芯片，規(guī)劃月產(chǎn)能為20000片晶圓，將直接創(chuàng)造超過1600個高科技專業(yè)工作機會，并間接創(chuàng)造半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)中上千個工作機會。該晶圓廠將于2021年動工，于2024年開始量產(chǎn)。2021年至2029年，臺積電于此項目上的支出（包括資本支出）約120億美元。

目前，臺積電包含6寸、8寸及12寸共有12座晶圓廠，其中12寸產(chǎn)能約為每月800K。而目前位于美國境內的僅有華盛頓州卡馬斯市的8寸晶圓廠，月產(chǎn)能為40K，占整體產(chǎn)能僅1~2%。

集邦邦咨詢認為，臺積電可能將部分美國公司投片毛利較高的產(chǎn)品移往美國同步生產(chǎn)。然而，雖然臺積電已有一座8寸廠位于美國，但12寸廠的供應鏈不同于8寸廠，因此除了臺積電之外，其他半導體原物料廠商甚至周邊的零組件廠不排除將一同前進美國。長期而言，美國實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)本地化生產(chǎn)的可能性將提高。

全球前十大封測廠商營收排名

根據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新調查，2020年第一季延續(xù)中美貿易摩擦和緩的態(tài)勢，在5G、AI芯片及手機等封裝需求引領下，全球封測產(chǎn)值持續(xù)向上；2020年第一季全球前十大封測業(yè)者營收為59.03億美元，年增25.3%。然而，受到新冠肺炎疫情影響，終端需求急凍，可能導致封測產(chǎn)業(yè)于下半年開始出現(xiàn)衰退。

數(shù)據(jù)顯示，第一季度前十大封測業(yè)者除了天水華天外營收均實現(xiàn)了增長。第一季度排名前三的依然為日月光、安靠與江蘇長電，通富微電與天水華天分別位列第六、第七，值得一提的是，面板驅動IC及存儲器封測大廠南茂，憑借此波存儲器、大型面板驅動IC (LDDI)及觸控面板感測芯片(TDDI)等需求升溫，已從2019年的第十一名上升至第九名。

中國大陸封測三雄江蘇長電、通富微電及天水華天第一季營收表現(xiàn)主要受惠于中美關系的回穩(wěn)，逐步帶動整體營收成長。然而，天水華天是前十大中唯一出現(xiàn)營收衰退的廠商，拓墣產(chǎn)業(yè)研究院認為可能是因疫情爆發(fā)時，為承接政府防疫相關的紅外線感測元件等封裝需求，因而排擠原先消費性電子等應用的生產(chǎn)進度。

又有兩家半導體公司闖關科創(chuàng)板

近日，科創(chuàng)板再迎兩家半導體公司，GalaxyCore Inc.（以下簡稱“格科微”）和合肥芯碁微電子裝備股份有限公司（以下簡稱“芯碁微裝”）。

5月13日，上海證監(jiān)會披露了中金公司關于格科微首次公開發(fā)行股票或存托憑證并在科創(chuàng)板上市輔導備案情況報告公示。輔導備案基本情況表顯示，格科微于5月8日在上海證監(jiān)會進行輔導備案登記。資料顯示，格科微的主營業(yè)務為CMOS圖像傳感器和顯示驅動芯片的研發(fā)、設計和銷售。其產(chǎn)品廣泛應用于包括智能手機、平板電腦、筆記本電腦、可穿戴設備、安防監(jiān)控設備、汽車電子、移動支付等在內的消費電子和工業(yè)應用領域。

5月13日，上交所受理了芯碁微裝的科創(chuàng)板上市申請，并披露了該公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市招股說明書（申報稿）。芯碁微裝主要從事以微納直寫光刻為技術核心的直接成像設備及直寫光刻設備的研發(fā)、制造、銷售以及相應的維保服務，主要產(chǎn)品及服務包括PCB直接成像設備及自動線系統(tǒng)、泛半導體直寫光刻設備及自動線系統(tǒng)、其他激光直接成像設備以及上述產(chǎn)品的售后維保服務，產(chǎn)品功能涵蓋微米到納米的多領域光刻環(huán)節(jié)。

中芯國際14nm迎重大突破

據(jù)媒體報道，近日中芯國際上海公司以及業(yè)內人士拿到了一部華為榮耀Play4T，該手機的特別之處在于其背面印有中芯國際成立20周年的專屬Logo“SMIC 20”，并標注有一行文字“Powered by SMIC FinFET”。媒體指出，這意味著榮耀Play4T搭載的芯片是由中芯國際14納米FinFET制程代工。5月11日，中芯國際向媒體證實了上述消息。

據(jù)了解，榮耀Play4T是華為榮耀于今年4月9日推出的一款智能手機，搭載華為海思麒麟710A芯片。目前，海思半導體官網(wǎng)尚未出現(xiàn)麒麟710A的具體介紹信息。媒體指出，麒麟710A可看作是麒麟710的降頻版本，在性能等方面上算不上先進。

然而，對于國內半導體產(chǎn)業(yè)而言，麒麟710A有著其特殊意義，代表著中芯國際14納米制程工藝真正實現(xiàn)了量產(chǎn)出貨及商業(yè)化，被媒體稱為“國產(chǎn)化零的突破”、“國產(chǎn)半導體技術的破冰之舉”。在國際貿易摩擦背景下，這對于加速半導體國產(chǎn)替代進程亦有所助益。

英特爾再投資兩家中國半導體公司

當?shù)貢r間5月12日，英特爾宣布，旗下風險投資機構英特爾資本(Intel Capital)向11家初創(chuàng)公司投資1.32億美元，其中包括概倫電子和博純材料兩家中國半導體公司。

資料顯示，概倫電子(ProPlus Electronics)成立于2010年，注冊資本8684.97萬元，是一家設計自動化(EDA)軟件提供商，提供先進的器件建模和快速電路仿真解決方案，該公司致力于提升先進半導體工藝下高端集成電路設計的競爭力，提供世界領先水平、創(chuàng)新的集成電路設計解決方案。

博純材料（Spectrum Materials）成立于2009年，注冊資本9640萬元，是一家為半導體制造工廠提供高純度特種氣體和材料的供應商，擁有坐落于福建泉州的最大的鍺烷生產(chǎn)基地之一，該基地生產(chǎn)和經(jīng)營的超高純電子特氣、各種混合氣體及其它電子級材料，廣泛應用于集成電路、液晶平板、LED、太陽能電池及其相關電子制造行業(yè)。

據(jù)悉，除了最新投資的兩家企業(yè)之外，英特爾此前還投資了瀾起科技、樂鑫科技、泰凌微電子、以及地平線等多家中國半導體公司。

ASML光刻設備技術服務基地項目簽約

5月14日，江蘇無錫高新區(qū)與ASML(阿斯麥)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，擴建升級光刻設備技術服務（無錫）基地。

無錫日報指出，光刻設備技術服務（無錫）基地涵蓋兩大業(yè)務板塊：從事光刻機維護、升級等高技術、高增值服務的技術中心，以及為客戶提供高效供應鏈服務，為設備安裝、升級及生產(chǎn)運營等所需物料提供更高水準物流支持的半導體供應鏈服務中心。

近年來，隨著華虹基地、SK海力士二工廠等一批重大產(chǎn)業(yè)項目建成投產(chǎn)以及一批集成電路企業(yè)的相繼入駐，無錫高新區(qū)也逐步成為了阿斯麥在中國規(guī)模最大的光刻設備技術服務基地之一。

無錫市副市長、高新區(qū)黨工委書記、新吳區(qū)委書記蔣敏表示，阿斯麥公司此次升級光刻設備技術服務基地，將有助于進一步推動該區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的強鏈、補鏈和延鏈，提升業(yè)內影響力。

一直以來，三大存儲巨頭長期壟斷全球內存芯片市場，而由于缺乏核心技術，在國內內存條市場國外品牌也長時間占據(jù)了主導地位。因此，近年國內對于內存芯片和內存條的國產(chǎn)化呼聲很高。

合肥長鑫存儲擁有12英寸晶圓廠，和動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產(chǎn)能力，是國內首屈一指的一體化存儲器制造商，擔負著國內對內存芯片的希望。

在今年2月份，長鑫發(fā)布了首顆國產(chǎn)的1X nm級別的DDR4內存芯片。長鑫DDR4內存芯片，具有更快的數(shù)據(jù)傳輸速率、更穩(wěn)定的性能和更低的能耗，是匹配現(xiàn)有市場需求，能夠應用多個產(chǎn)品領域的國產(chǎn)內存芯片。

而在近日，嘉合勁威旗下光威推出了首款純國產(chǎn)內存條——光威弈PRO系列內存條。該內存條正是采用了國產(chǎn)真芯長鑫DDR4內存芯片。? ? ? ? ? ? ?

根據(jù)玩家測評顯示，光威弈PRO 8G DDR4，不僅兼容性好，而且可玩性高。目前已有一些玩家超頻4000MHZ以上且正在嘗試更高頻率，也有一些玩家嘗試在1.2V電壓的情況下超較高的頻率，等等玩法。這些都充分的表明長鑫顆粒的體質非常好，已經(jīng)媲美三大廠的中高等級的內存顆粒。? ? ? ? ? ?

國產(chǎn)真芯長鑫內存顆粒性能到底如何?光威弈PRO系列純國產(chǎn)內存條到底是怎樣的國貨?產(chǎn)品的好與壞，交給市場去評判。5月14日，光威弈PRO內存條正式登陸京東，一見分曉。

最后，國外三大巨頭在DRAM生產(chǎn)制程上已經(jīng)實現(xiàn)1Y，1Z工藝了，國外大廠商都在研究DDR5了。相對于它們來說，長鑫的1X工藝DDR4 DRAM，光威純國產(chǎn)DDR4，只是后浪。但是對于我們國內來說，國產(chǎn)內存如此巨大的技術進步，是值得肯定的，振奮人心的。長鑫內存芯片的出現(xiàn)，打破了三大巨頭壟斷內存芯片的局面，是國產(chǎn)內存芯片從無到有的階段性勝利，開創(chuàng)了國產(chǎn)內存的新局面。我們相信在不久的將來，中國也將擁有1Znm DRAM技術，在國產(chǎn)內存芯片的推動下中國也將擁有一些像金士頓、海盜船那樣的全球一線品牌，中國也能趕上國際大廠的研發(fā)進度造出自己的DDR5。

根據(jù)存儲器大廠南亞科的最新重大訊息公告指出，南亞科董事會于6日決議，將追加新臺幣65.6億元（約合人民幣15.5億元）的資本支出預算，用以打造10納米級制程產(chǎn)線。

此前南亞科董事會決議，在年度資本支出的部分，南亞科2020年度資本支出預算以不超過新臺幣92億元為上限，其中包含10納米級制程研發(fā)、試產(chǎn)及20納米遞延等資本支出等。如今再加入新的資本支出預算，預計2020年度的資本支出預算交以不超過157.6億元為上限。

事實上，南亞科總經(jīng)理李培瑛在上一季法說會上就已經(jīng)宣布，南亞科已完成自主研發(fā)10納米級DRAM生產(chǎn)技術，并且將在2020年下半年試產(chǎn)。而南亞科新成功開發(fā)出的10納米級DRAM生產(chǎn)技術，預計將使DRAM產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少3個世代。而第一代的10納米級產(chǎn)品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主制程技術及產(chǎn)品技術平臺上，并預計2020下半年進入產(chǎn)品試產(chǎn)階段。

至于第二代10納米級制程技術，已開始進入研發(fā)階段，預計2022年前導入試產(chǎn)，之后將會再開發(fā)第三代的10納米制程技術。李培瑛強調，南亞科進入10納米級制程之后，會以自行研發(fā)的技術為主，降低授權費用支出，以大幅提升效能。

目前以全球DRAM存儲器市場來說，其主要生產(chǎn)技術掌握在韓國三星、SK海力士、以及美商美光等3家企業(yè)的手中，而且3家廠商的合計市場占有率高達95%以上，其關鍵原因就在于3家企業(yè)的技術專利形成了極高的門檻，使其他公司不容易有機會進入市場。

而當前南亞科現(xiàn)在以20納米級的技術為主力，技術來源為過去的合作伙伴美光，而且每年也支付美光相關技術授權費用。而隨著南亞科導入自主的10納米級制程技術之后，則未來將不再大幅度仰賴美光授權，使得高昂授權費支付的情況也可以減少，有利于南亞科往后的營運發(fā)展。

近日，兆易創(chuàng)新發(fā)布最新財報，數(shù)據(jù)顯示，2020年第一季度，兆易創(chuàng)新共實現(xiàn)營收8.05億元，同比增長76.51%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.68億元，同比增長高達323.24%。兆易創(chuàng)新表示，2020年第一季度財報同比大漲，主要受消費類、物聯(lián)網(wǎng)市場同期需求增加，而2019年第一季度受中美貿易摩擦影響市場需求疲軟。

資料顯示，兆易創(chuàng)新主要產(chǎn)品為閃存芯片產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品、以及2019年新增加的傳感器產(chǎn)品，其中閃存芯片產(chǎn)品主要為NOR Flash和NAND Flash兩類。2020年第一季度，兆易創(chuàng)新研發(fā)支出1.06億元，同比增長64.65%。

當前，兆易創(chuàng)新正在積極布局擴充其產(chǎn)品線，2019年，兆易創(chuàng)新依據(jù)業(yè)務經(jīng)營情況調整公司組織架構，組建完成了存儲+MCU+傳感器為核心的三大事業(yè)部架構，現(xiàn)有的業(yè)務布局分為存儲、MCU和傳感器三大方向。

對于2020年的的發(fā)展戰(zhàn)略，兆易創(chuàng)新表示，2020年，公司將繼續(xù)圍繞發(fā)展戰(zhàn)略和方向，持續(xù)加大技術和產(chǎn)品研發(fā)投入，提高存量市場占有率，把握新興領域增量市場，在強化技術和產(chǎn)品的核心競爭力的同時，還將大力推進產(chǎn)品線和產(chǎn)能的布局。

其中，在NOR Flash產(chǎn)品方面，2020年兆易創(chuàng)新將實現(xiàn)55nm工藝產(chǎn)品全面量產(chǎn)，并提升產(chǎn)品容量，針對5G基站、AIOT、智慧城市、可穿戴式應用等領域持續(xù)推出具有競爭力的多樣化產(chǎn)品。

在NAND Flash產(chǎn)品上，2020年兆易創(chuàng)新將實現(xiàn)24nm工藝平臺產(chǎn)品量產(chǎn)，同時針對SLC NAND產(chǎn)品，提升產(chǎn)品容量，推出中高容量解決方案，以滿足移動終端、智能化產(chǎn)品及中高容量市場需求，在5G帶動的AIOT領域持續(xù)開辟新增長點。

在MCU產(chǎn)品方面，兆易創(chuàng)新將不斷加強產(chǎn)品安全功能，為客戶提供安全可靠，功能豐富的無線MCU。同時配合通用MCU產(chǎn)品，拓展電源管理和電機驅動控制產(chǎn)品，為消費、工業(yè)和新能源技術提供低功耗高性能電源解決方案。

傳感器產(chǎn)品方面，在光學方向上，思立微將在2020年進一步完成超小封裝透鏡式光學指紋產(chǎn)品、超薄光學指紋產(chǎn)品、大面積TFT光學屏下指紋等創(chuàng)新產(chǎn)品的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應用，并推出柔性大面積光學指紋；在超聲方向上，將基于已研發(fā)成功的超聲換能器結構及工藝，搭配邊緣端的信號處理系統(tǒng)，進一步拓展其在人機交互、體征監(jiān)測及汽車電子等方向的應用。

值得注意的是，作為中國大陸閃存芯片設計企業(yè)，兆易創(chuàng)新也在積極整合產(chǎn)業(yè)資源，布局DRAM產(chǎn)品領域，進一步拓展并豐富公司產(chǎn)品線，提升公司的核心競爭力和行業(yè)影響力。

2019年9月，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行股票預案，擬募集資金總額不超過人民幣43億元，用于DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及補充流動資金。項目開發(fā)目標為研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術，設計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

兆易創(chuàng)新表示，2020年將繼續(xù)推進公司非公開發(fā)行股票事項，擬募集資金不超過約43億元，用以研發(fā)1Xnm級工藝制程下的DRAM技術，進一步擴大公司存儲器產(chǎn)品的種類與規(guī)模。此外，公司將繼續(xù)推進合肥12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目合作，探討在DRAM產(chǎn)品銷售、代工、以及工程端的多種合作模式。