美光一工廠停產(chǎn)?謠言!

美光一工廠停產(chǎn)?謠言!

近日,有媒體報導存儲器廠商美光公司在中國地區(qū)受新冠病毒影響,不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。

該報道指出,美光中國區(qū)目前雖已經(jīng)開始恢復生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴重損失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。

然而,根據(jù)集邦咨詢的調(diào)查,目前全球美光廠都正常運作中,并無外傳停工的相關事宜。

首先,該報道表示事發(fā)地點是在美光中國區(qū),但美光并無任何的DRAM或是NAND產(chǎn)品在中國大陸生產(chǎn),僅有在西安的封裝測試廠。不過,該工廠雖是美光出資,但目前運營由力成管理,且近兩年美光相關產(chǎn)品大多轉(zhuǎn)移到其他地區(qū)做封裝測試,該工廠并未有太多封裝測試。

再者,即使疫情現(xiàn)在在全球各地蔓延,目前的12寸半導體由于已經(jīng)高度自動化,人員需求不多,因為疫情導致停工可能性低。

最后,DDR5量產(chǎn)方面,今年僅有少量測試品給客戶驗證,且支持DDR5平臺最快2021年才會問市,短期美光無大規(guī)模的DDR5量產(chǎn)計劃,自然無拖累量產(chǎn)計劃之實。

所以,該媒體的報道基本屬于假消息,目前美光工廠都在正常運作中,并無外界傳言的停工或是拖累DDR5生產(chǎn)相關事宜。

針對這些報道,美光公司也發(fā)表聲明否認,聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關注國際性新冠肺炎的疫情發(fā)展,也已在辦公場區(qū)域?qū)嵤┙】岛Y檢、差旅管制等必要措施。

美光進一步表示,截至目前為止,亞洲所有廠區(qū)的日常營運幾乎未受任何影響,產(chǎn)線運行一切如常,后續(xù)也將持續(xù)關注情勢發(fā)展并加以因應。

新型存儲的機會來了?格芯22nm工藝量產(chǎn)eMRAM

新型存儲的機會來了?格芯22nm工藝量產(chǎn)eMRAM

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生產(chǎn)。eMRAM屬新型存儲技術,與當前占據(jù)市場主流的DRAM和NAND閃存相比,具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM的潛質(zhì)。它在22nm工藝下的投產(chǎn),將加快新型存儲技術的應用進程,未來發(fā)展前景看好。

22nm FD-SOI工藝eMRAM年內(nèi)量產(chǎn),采用相關芯片的終端明年面世

根據(jù)格芯的報告,將在德國德累斯頓1號晶圓廠的12英寸生產(chǎn)線,進行eMRAM的制造加工。目前,格芯正在接洽多家客戶,計劃于2020年安排多次生產(chǎn)流片。這也意味著,采用22nm FD-SOI工藝的eMRAM有望于2020年投入量產(chǎn),采用相關芯片產(chǎn)品的終端設備于2021年有望面世。

eMRAM屬新型存儲技術,相比DRAM和NAND閃存,具有更快的存取速度和更高的耐用性,適用于物聯(lián)網(wǎng)、通用微控制器、汽車電子、終端側人工智能設備和其他低功耗設備當中?;?2nm FD-SOI先進工藝節(jié)點制造,產(chǎn)品將具有更高的性價比。格芯汽車、工業(yè)和多市場戰(zhàn)略業(yè)務部門高級副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示:“客戶可利用這些解決方案來構建適用于高性能和低功耗應用的創(chuàng)新產(chǎn)品?;贔DX平臺生產(chǎn)的eMRAM,更有利于集成在高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的解決方案中實現(xiàn)產(chǎn)品的差異化?!?/p>

除格芯之外,其他半導體廠商對于eMRAM等新型存儲器的開發(fā)也非常重視。2019年年初,三星曾宣布基于28nm FD-SOI工藝,在韓國器興廠區(qū)投產(chǎn)eMRAM,并計劃生產(chǎn)1千兆容量的eMRAM測試芯片,為大規(guī)模生產(chǎn)做準備。三星代工市場副總裁Ryan Lee表示:“通過eMRAM與現(xiàn)有成熟的邏輯技術相結合,三星晶圓代工將繼續(xù)擴大新興的非易失存儲器工藝產(chǎn)品組合,以滿足客戶和市場需求。”臺積電技術長孫元成也曾經(jīng)透露,臺積電已開始研發(fā)eMRAM和eRRAM等,并計劃采用22nm工藝。這是臺積電應對物聯(lián)網(wǎng)、移動設備、高速運算電腦和智能汽車等領域所提供效能更快速和耗電更低的新存儲器。

應用材料則在2019年推出業(yè)界首款具備量產(chǎn)價值的MRAM制造設備平臺Endura Clover MRAM PVD系統(tǒng),可進行材料沉積、介面清潔和熱處理功能等,在半導體設備上為MRAM的量產(chǎn)提供了可行性。根據(jù)應用材料金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明的介紹,一個PVD系統(tǒng)可以整合7個Clover PVD腔室,在一個PVD系統(tǒng)中就可以完成10多種不同材料和超過30層以上的沉積,由于不需要像以往設備那樣進行真空中斷,將大幅提升成品率。

存取速度提高10倍以上,有望成為未來云服務數(shù)據(jù)中心首選

目前,業(yè)界關于新型存儲器的討論一直很熱,并不僅局限于eMRAM。3D XPoint、PCRAM、ReRAMRRAM等均是人們重點關注的技術。

2006年英特爾即與美光聯(lián)合成立了IM Flash Technologies公司,共同開發(fā)新型存儲器3D Xpoint。雖然雙方于2018年因技術路線分歧而分道揚鑣,但是目前英特爾與美光均已各自量產(chǎn)3D Xpoint,并投入推廣。英特爾在其云計算解決方案中,將3D Xpoint和3D NAND整合在單一模塊當中,作為HDD硬盤、3D NAND與DRAM內(nèi)存之間的一個新的層級。由于傲騰硬盤的容量是DDR4內(nèi)存的10倍,斷電也不丟失數(shù)據(jù),將增加存儲系統(tǒng)的整體性能。英特爾中國研究院院長宋繼強告訴記者:“將DRAM、NAND Flash和傲騰技術相結合,在緩存和DRAM之間,DRAM存儲之間插入第三層,填補內(nèi)存層級上的空白,使存儲結構間的過渡更加平滑,對于提高系統(tǒng)性能非常有利?!痹?019年的“Mircon Insight”技術大會上,美光也推出了基于3D XPoint技術的超高速SSD硬盤X100。美光執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示:“美光是全球為數(shù)不多的DRAM、NAND和3D XPoint解決方案垂直整合提供商,該產(chǎn)品將繼續(xù)推動我們的產(chǎn)品組合向更高價值的解決方案發(fā)展,從而加速人工智能能力發(fā)展、推動更快的數(shù)據(jù)分析,并為客戶創(chuàng)造新的價值。”

ReRAM和PCRAM同樣屬于非易失性存儲器,適合作為“存儲級存儲器”填補服務器DRAM和NAND閃存之間不斷擴大的性價比差距。根據(jù)周春明的介紹,在將PCRAM或者ReRAM用于數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)當中時,相較于傳統(tǒng)的NAND,可以提供超過10倍的存取速度,有望成為未來云服務數(shù)據(jù)中心的首選。目前,業(yè)界對于PCRAM與ReRAM的量產(chǎn)開發(fā)也十分積極。2019年在推出面向MRAM生產(chǎn)的PVD系統(tǒng)的同時,應用材料還推出了支持PCRAM、ReRAM量產(chǎn)化的Endura Impulse PVD設備。周春明預測未來3~5年,新型存儲器有望解決制造上瓶頸快速進入市場。

融合還是替代?

eMRAM等新型存儲器會取代DRAM和NAND Flash成為市場主流嗎?集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)資深協(xié)理吳雅婷認為,eMRAM只會部分取代DRAM/NAND的使用量,但并沒有辦法完全取代現(xiàn)有的存儲器解決方案。在所有新一代存儲器中,eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash極其相似,具備一定的優(yōu)缺點,并未具備完全替代DRAM和NAND Flash的性能?!笆褂眯乱淮鎯ζ?,對于傳統(tǒng)平臺來說,需要改變以往的平臺架構才能適應,并不是可以輕松使用的。”吳雅婷說。

應用材料金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明也表示,新型存儲器具有更快的存取速度,更好的耐用性,更小的裸片尺寸、成本和功耗等性能優(yōu)勢。例如,以統(tǒng)合式 MRAM 解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM,可節(jié)省90%的功耗。不過,周春明也指出,目前下一代存儲器在量產(chǎn)制程方面仍然存在很多瓶頸。

也就是說,新一代存儲器想要獲得一定的市場空間,還需要與現(xiàn)有的存儲器解決方案進行配合,加快適應傳統(tǒng)平臺的架構,釋放性能方面的優(yōu)勢。

威剛看好第2季疫情降溫后市場反彈

威剛看好第2季疫情降溫后市場反彈

存儲器模組大廠威剛5日公布2月份營收狀況。威剛表示,不受肺炎疫情沖擊,在下游客戶備貨需求強勁,帶動整體需求的情況下,2月份合并營收達新臺幣24.46億元,較1月份增加30.07%,較2019年同期也是增加19.64%。累計,2020年前2個月營收合計為新臺幣43.27億元,較2019年同期增加4.56%。

威剛表示,2月DRAM產(chǎn)品營收比重為41.69%,非DRAM產(chǎn)品營收比重58.31%。其中,固態(tài)硬盤(SSD)產(chǎn)品營收比重仍維持3成以上,達到31.65%的水準。SSD月銷售金額較2019年同期成長67.67%。預計,2020年上半年產(chǎn)業(yè)DRAM及NAND Flash供給不足態(tài)勢確立,而且在農(nóng)歷春節(jié)后客戶拉貨力道未減,3月接單狀況持續(xù)增溫的情況下,整體第1季營運表現(xiàn)將逐月成長。

威剛進一步表示,在2020年存儲器供不應求態(tài)勢不變的情況下,全球肺炎疫情雖將造成3月到4月的消費市場短期需求降溫,但并未影響中長線產(chǎn)業(yè)景氣多頭走勢,仍看好2020年存儲器價格將逐季上揚。預期隨著2020年第2季肺炎疫情高峰期過后,需求可望出現(xiàn)明顯的補貨效應。在此情況下,威剛將積極備貨,維持足夠庫存水位的策略也將持續(xù)進行,以因應5G、云端及微軟Xbox與Sony PS5等新機上市帶動的存儲器倍增需求。

另外,自2019年第4季以來,資料中心需求持續(xù)回籠,加上肺炎疫情促使宅經(jīng)濟效應升溫,5G應用及云端運算規(guī)模持續(xù)擴大,帶動存儲器訂單直線向上。另一方面,威剛不但在電競版圖的擴展不遺余力,攜手英特爾陸續(xù)攻城掠地。目前,公司于工控產(chǎn)業(yè)的客戶群規(guī)模也因料源備足優(yōu)勢,在這波存儲器供不應求的態(tài)勢下持續(xù)成長,預估2020年整體營運績效及全球品牌價值也將水漲船高。

宇瞻:第二季NAND Flash漲幅將大于DRAM

宇瞻:第二季NAND Flash漲幅將大于DRAM

存儲器模組廠宇瞻總經(jīng)理張家騉昨(4)日指出,新冠肺炎疫情雖造成存儲器整體市場需求端有所修正,但供應原廠均無意降價。

隨著疫情紓緩,在資料中心和電競產(chǎn)品需求強勁下,下一季DRAM和儲存型快閃存儲器(NAND Flash)等二大存儲器都會漲價,下半年更會缺貨,且NAND Flash缺貨比DRAM更嚴重。這是疫情肆虐下,第一家存儲器模組廠舉行法說會,且針對DRAM和NAND Flash市況提供最新說明。

張家騉表示,疫情對全球市場造成影響,瞬息萬變,難以預測,但只是需求端造成干擾。很多系統(tǒng)廠受到返工率緩慢及供應斷鏈影響,因工廠停工或整機出不了貨,暫緩拉貨,但來自資料中心、電競和電商等宅經(jīng)濟的拉貨力道強勁,兩項因素相抵,主要供應大廠仍不愿降價,包括宇瞻等主要買家想趁低檔補貨,也不易拿到低價。

他指出,本季因服務器市場拉貨,包括三星、SK海力士和美光三大DRAM廠庫存水位降到四至六周,加上5G新手機搭載DRAM位元大增,預估下半年DRAM市場將供給短缺,價格上漲;NAND Flash下半年供應會更為緊張。

有關二大存儲器的價格走勢,張家騉指出,目前合約價與現(xiàn)貨價走勢背離,隨著大陸廠陸續(xù)復工,渠道商強力拉價格,使現(xiàn)貨市場漲勢相當大,雖然第2季會受疫情影響,但在復工率大幅提升下,第2季DRAM和nanD Flash合約價都會漲價,并與現(xiàn)貨價逐漸拉近,下半年NAND Flash漲幅會比DRAM高。

獲美商供應 SK海力士將量產(chǎn)HBM2E DRAM

獲美商供應 SK海力士將量產(chǎn)HBM2E DRAM

據(jù)韓媒《Business Korea》報導,韓國科技大廠SK海力士已克服了下一代存儲器量產(chǎn)的障礙之一,全球電子設計自動化龍頭美商新思科技在近期宣布,將向SK海力士供應系統(tǒng)單芯片(SoC)技術方案,以協(xié)助該公司量產(chǎn)高頻寬存儲器HBM2E。

該SoC方案符合基于臺積電7納米制程JEDEC的HBM2E SDRAM標準,并具有409 GB/秒的數(shù)據(jù)率,可以在一秒鐘內(nèi)處理110部全高清電影(每部電影3.7 GB)。

SK海力士的HBM2E存儲器芯片可以同時從數(shù)千個孔洞向數(shù)據(jù)發(fā)送功率,與目前的技術相比,可以減少30%以上的芯片尺寸并減少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC,與邏輯芯片(例如GPU)相距僅數(shù)十微米。因此,相較于在主機板上與SoC并行安裝,可以進一步縮短數(shù)據(jù)傳輸距離,實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸。

不過,HBM2E DRAM價錢是當前的兩到三倍,且尺寸大于LPDDR4芯片。因此,市場并不大,僅用于要求超高性能的地方,例如IDC或超級電腦等大型數(shù)據(jù)中心。

但是,隨著5G移動通信、人工智能(AI)、自動駕駛和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的出現(xiàn),對高性能服務器的需求持續(xù)成長,市場前景樂觀。

SK海力士在2013年首次推出HBM芯片,三星電子也隨即投入了HBM芯片的開發(fā),從而引發(fā)了兩家公司的激烈競爭。針對新一代HBM2E芯片而言,三星電子于今年初首次開始量產(chǎn),SK海力士是于2019年8月推出,但尚未正式開始量產(chǎn)。

日韓疫情持續(xù)加劇 全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈影響幾何?

日韓疫情持續(xù)加劇 全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈影響幾何?

全球疫情還在蔓延,根據(jù)2月26日的報道,韓國累計確診感染者達到1261人,日本新冠肺炎感染者達862人。

日韓疫情兇猛,也牽動著全球半導體產(chǎn)業(yè)的脈搏,因為兩個國家都處在半導體的關鍵地位。其中,韓國位于半導體技術俯沖帶,在存儲器、面板等領域投資力度巨大,日本是產(chǎn)業(yè)鏈上的核心技術節(jié)點,半導體材料、機械設備都首屈一指。

在以上領域中,大家更關注存儲器以及上游材料的狀況。而面板產(chǎn)業(yè),中國產(chǎn)能更大,也有替代之選,生產(chǎn)設備上則有市占率更高的歐洲廠商可以選擇。

目前日韓的半導體巨頭三星、SK海力士等并未停工,都在運轉(zhuǎn)中。短期來看,影響尚不明顯,但是一旦疫情繼續(xù)惡化,關鍵供應的短缺會為全球產(chǎn)業(yè)鏈帶來巨大損失。

據(jù)記者了解,三星確診的員工是在手機工廠,并且是試驗線,員工并不多,對整體影響不大。三星電子則表示,公司在韓國的芯片和面板工廠未受影響。

日前,SK海力士位于韓國利川工廠的一名新員工曾與大邱市確診病例有密切接觸。SK海力士對外表示,該名員工核酸檢查結果為“陰性”,為安全起見繼續(xù)被隔離至3月1日。對于該員工所接觸的800名人員都無條件地進行隔離。SK海力士在利川工廠擁有1.8萬多名員工,工廠的運營不會受此影響,目前正常運營中。

多位半導體業(yè)內(nèi)人士向21世紀經(jīng)濟報道記者表示,現(xiàn)在日韓政府干預力度沒有那么大,工廠都是正常開工,需要保持動態(tài)跟蹤。

存儲器價格小幅上漲

有手機從業(yè)者曾告訴記者,存儲已經(jīng)超過屏幕、CPU,成為手機最大的成本,存儲在手機中的成本達到25%-35%,可見其重要性。而三星、SK海力士均在存儲器領域占據(jù)壟斷地位。

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,從2019年第四季度全球NAND品牌廠商營收來看,三星排名第一,市場份額達到35.5%;SK海力士排名第六,市場份額為9.6%。2019年第四季度全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營收排名中,三星位居第一,市場份額43.5%,SK海力士為第二名,市場份額29.2%。

整體來看,NAND領域,三星加上SK海力士,韓系廠商市占比為45.1%,接近半壁江山;在DRAM領域,三星和SK的占比高達72.7%。

其中,三星除了韓國有工廠外,在中國西安也有建廠,擴產(chǎn)時程因疫情影響存有隱憂,但目前仍按原本規(guī)劃進行;SK海力士在中國無錫設有工廠,受到中美貿(mào)易戰(zhàn)以及疫情的影響,投片規(guī)劃傾向保守。此外,NAND大廠鎧俠和西部數(shù)據(jù),在日本巖手縣和三重縣均有工廠,也受到疫情影響。

集邦咨詢分析師吳雅婷回復21世紀經(jīng)濟報道記者稱,因內(nèi)存工廠高度自動化,目前生產(chǎn)上并沒有受到疫情影響。至于需求面,受疫情影響,筆記本電腦以及智能手機已經(jīng)有比較明顯的出貨下修;但不管是DRAM還是NAND Flash,目前都是即將要轉(zhuǎn)為供貨吃緊的市況,但是采購端的購貨意愿還是很強。

需要指出的是,半導體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基本全年無休,其制程特殊,一旦停止就會產(chǎn)生重大損失,所以工廠不會輕易地停產(chǎn)或者減少產(chǎn)能。從去年年末開始,存儲器供需就在發(fā)生變化,疫情影響疊加下,或會進一步導致緊缺,存儲器的價格將迎來上漲。

集邦咨詢指出,從全球供給端來看,存儲器產(chǎn)業(yè)的特性是除非遇到全球系統(tǒng)性風險,否則廠商不會貿(mào)然減產(chǎn),加上客戶端庫存仍然不足,即便下游客戶現(xiàn)階段面臨缺工、缺料的問題,但仍會維持一定采購力;加上半導體工廠大多已經(jīng)高度自動化,人力需求不高。因此,集邦咨詢預估第一季DRAM與NAND Flash價格維持小幅上漲的態(tài)勢。

另一方面,業(yè)內(nèi)也關注國內(nèi)存儲器企業(yè)的替代,最有代表性的是長江存儲、合肥長鑫、晉華存儲。目前,長江存儲宣布,公司已開始量產(chǎn)3D NAND閃存,這也是中國首款64層3D NAND閃存。據(jù)長鑫存儲官網(wǎng)消息,新列出的長鑫筆記本和臺式機內(nèi)存,容量都是8GB,速率都是DDR4-2666,公司還計劃建造另外兩座晶圓廠。

兩家公司在NAND、DRAM領域有了突破,但是國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)仍處在追趕階段,和國際大廠差距較大,還需要長時間的積累。

不少材料產(chǎn)品不可替代

目前日本在工廠方面沒有疫情披露,但是日本在半導體上游地位超然,如果疫情導致了原材料斷供,無疑對全球、中國半導體事業(yè)都是重創(chuàng)。

半導體生產(chǎn)工藝主要分為設計、制造、封測三大環(huán)節(jié),在后兩個環(huán)節(jié)中,就需要關鍵設備和材料,它們也是保障芯片順利生產(chǎn)的上游基石。

而日本的硬核能力就是在上游的原材料和硬件設備上,眾多技術門檻非常高,尤其是材料方面,不少日本企業(yè)的產(chǎn)品不可替代。

2018年全球半導體材料約為總產(chǎn)值的11%,設備約為12%。兩者相加為23%,占半導體產(chǎn)業(yè)的四分之一左右。

雖然材料和設備的整體體量不算大,但高壁壘使得玩家極少,且高玩和普通玩家差距很大,日本就是高玩選手。在原材料領域中,日本企業(yè),在全球半導體材料市場上占據(jù)了半壁江山。

例如,在材料中成本占比最高的硅片領域(超過30%),日本信越化學一騎絕塵,市場份額第一,隨后為日本 SUMCO(三菱住友)、中國臺灣環(huán)球晶圓、德國 Siltronic、韓國的SK 海力士。西南證券報告顯示,2018年,前四大硅片供貨商的全球市占率達到了94%,其中日本信越化學占比28%,日本三菱住友占比25%。

在光刻膠領域,日本JSR、東京應化工業(yè)、住友化學、美國陶氏、富士電子等企業(yè)壟斷;在靶材領域,日本的日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯占據(jù)了大部分市場。

此外,日本的知名半導體材料供應商還包括住友化學、昭和電工、 DAIKIN 工業(yè)、 Stella Chemifa、森田化工、日本凸版印刷株式會社等等。

設備供應商方面,全球五大設備巨頭之一的東京電子就是日本企業(yè),在技術桂冠光刻機方面,日本尼康和佳能可以生產(chǎn),雖然制程和市場份額比不上荷蘭的ASML。

在最強勁的材料和設備之外,日本的芯片供應商在細分領域亦有建樹。比如瑞薩電子是全球排名前三的車用半導體廠商,今年以67億美元完成了對芯片商IDT的收購。索尼雖面臨架構整合、工廠關閉等問題,但是僅CMOS傳感器芯片一項,就在影像拍攝領域制霸。

以上這些領域中,不論中國國內(nèi)還是別國,都很少有完備的產(chǎn)業(yè)鏈來進行替代。國泰君安證券的報告也指出,電子行業(yè)方面,代工制造和封測的材料領域,日本企業(yè)占據(jù)了絕對的優(yōu)勢。日本企業(yè)在材料研發(fā)方面深耕多年,在技術上達到了爐火純青的地步,在硅晶圓材料、光罩、靶材等重要的細分子領域,日本企業(yè)所占份額都多達50%以上。中國目前還沒有能夠在這個領域?qū)崿F(xiàn)較大突破。

對比中國來看,韓國和日本的半導體產(chǎn)業(yè)鏈聚焦在中上游,智力密集度更高,相對來說人工密集度低一些,抗疫情能力強一些。但是依舊不能忽視疫情爆發(fā)帶來的風險,如果進一步加劇,產(chǎn)業(yè)鏈將受到?jīng)_擊。

訂單還有美光、鎧俠可撐 存儲器暫不致斷鏈

訂單還有美光、鎧俠可撐 存儲器暫不致斷鏈

韓國新冠肺炎疫情擴散,業(yè)界擔憂存儲器供應鏈是否受到影響。以目前來說,三星及SK海力士的DRAM或NAND Flash廠區(qū)集中在首爾所在的京畿道附近,疫情仍屬控制中,生產(chǎn)及出貨都不會受到影響。

此外,因市場對疫情發(fā)展仍有憂慮,ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠持續(xù)提高庫存,加上陸廠復工率上升亦帶來庫存回補需求,將持續(xù)推升價格。

韓國兩大半導體廠三星及SK海力士在全球存儲器市場擁有極高市占率。以DRAM來說,三星去年第四季全球市占率達43.5%居首,SK海力士以市占率29.2%居次,兩者合計市占率高達72.7%,意味著全球每4顆DRAM就有3顆來自韓廠。在NAND Flash部分,三星去年第四季市占率達35.5%穩(wěn)居龍頭,SK海力士以市占達9.6%為第六大廠,兩者合計45.1%,幾乎是每2顆NAND Flash就有1顆由韓國業(yè)者生產(chǎn)。

在存儲器市場舉足輕重的三星及SK海力士,DRAM及NAND Flash廠集中在韓國。三星的DRAM及NAND Flash廠集中在位于首爾附近的京畿道的華城及平澤,另在西安設有NAND Flash廠。SK海力士的DRAM及NAND Flash廠據(jù)點位于京畿道的利川,另一NAND Flash廠位于緊臨京畿道的忠清北道清州,并在無錫設有DRAM廠。

本次爆發(fā)疫情的慶尚北道及大邱市,與上述晶圓廠均有一段距離,因此其存儲器生產(chǎn)及出貨均不受影響。至于三星的西安NAND Flash廠及SK海力士的無錫DRAM廠,也維持正常運作。

業(yè)界仍擔憂一旦疫情失控,恐導致出貨不順。不過,由于今年以來DRAM及NAND Flash市場供給吃緊,為避免未來無法取得足夠貨源,ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠積極提高庫存,大陸復工率提升也帶來強勁的庫存回補需求,DRAM及NAND Flash價格可能一路漲到下半年。

此外,蘋果iPhone及iPad等產(chǎn)品雖仍大量采用三星及SK海力士的DRAM或NAND Flash,但近年來蘋果已大幅降低對韓國業(yè)者依賴程度,DRAM訂單大量流向美光,NAND Flash則向鎧俠、西數(shù)(WD)、美光等擴大采購。即便韓國存儲器出貨不順影響蘋果的生產(chǎn)鏈,也不至于斷鏈。

沖10納米制程 南亞科今年資本支出年增逾31%

沖10納米制程 南亞科今年資本支出年增逾31%

DRAM廠南亞科昨(26)日召開董事會,通過今年資本支出預算案,以不超過92億元(新臺幣,下同)為上限,與去年資本支出相較之下,增幅達31.4%,其中包含10納米級制程研發(fā)、試產(chǎn)及20納米遞延等資本支出。

南亞科2017年資本支出共294億元,但2018年下半年起受到美中貿(mào)易摩擦、CPU缺貨等因素沖擊,DRAM市況轉(zhuǎn)趨保守,南亞科因此于2018年第4季下修資本支出,全年資本支出為204億元。

去年DRAM市況持續(xù)走弱,南亞科也因此再下調(diào)資本支出,去年2月原定資本支出共106億元,4月下調(diào)至70億元,與2018年相較,等同大幅縮水超過6成。不過,南亞科表示,由于前2年已陸續(xù)采購設備,去年資本支出規(guī)模原本就相對較少,并因應市場變化,再縮減資本支出。

今年則因10納米級制程技術將導入,包括研發(fā)、試產(chǎn)等需求,推升資本支出金額較去年擴增,南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,上半年資本支出相對較低,下半年適逢10納米級制程推進,資本支出相對較高。

存儲器價格止跌回升,南亞科率模組廠續(xù)攻

存儲器價格止跌回升,南亞科率模組廠續(xù)攻

存儲器大廠南亞科技率先舉行的法說會對今年市況抱持樂觀看法,扭轉(zhuǎn)去年存儲器衰退的窘境,并預期2020年第一季DRAM價格可望止跌回穩(wěn),公司出貨也會比上季增加。

南亞科日前舉行法人說明會,總經(jīng)理李培瑛對今年DRAM市場看法樂觀,李培瑛表示,2020年庫存持續(xù)去化,供需逐步穩(wěn)定,對今年全年保持樂觀看法,并預期公司第一季的產(chǎn)品價量表現(xiàn)都會比上季好,上半年業(yè)績可望逐季成長,今年有機會逐季向上。

南亞科預期今年供需狀況轉(zhuǎn)好;整體市況將隨著服務器需求穩(wěn)定成長,手機DRAM搭載量增加,PC出貨量穩(wěn)定,消費性電子產(chǎn)品需求穩(wěn)定成長。在供給方面,因供應商2019年資本支出保守,供給成長將有限。

隨著本季存儲器現(xiàn)貨價格將止跌回升,亦有利于下游存儲器模組本季營運不淡。威剛表示,在上游庫存壓力減弱、市場需求提前布局,2020年第一季NAND Flash價格穩(wěn)健向上態(tài)勢不變,DRAM價格也可望止跌回穩(wěn)。

本季DRAM價格回升趨勢確立,主流的DDR4 8G及4G現(xiàn)貨價至1月17日較去年底漲約10%。儲存型快閃存儲器(NAND Flash)方面,3D TLC 256GB較去年底約漲5%。

NAND Flash價格穩(wěn)健向上態(tài)勢不變,DRAM價格也可望止跌逐步向上;除了存儲器大廠受惠,下游模組廠亦可望受惠景氣復蘇,今年第一季淡季不淡。

減小研發(fā)測試成本 西安軟件園與紫光國芯成立IC創(chuàng)新實驗室

減小研發(fā)測試成本 西安軟件園與紫光國芯成立IC創(chuàng)新實驗室

2020年1月17日上午,備受矚目的西安軟件園-西安紫光國芯共建集成電路創(chuàng)新實驗室揭牌儀式在西安紫光國芯公司舉行。此次儀式的順利舉辦標志著西安軟件園與西安紫光國芯共建的集成電路創(chuàng)新實驗室正式成立。

西安市商務局服務貿(mào)易處處長吳增軍、高新區(qū)軟件園發(fā)展中心黨委副書記劉賀、高新區(qū)管委會工業(yè)和信息化局副局長李志遠、陜西省半導體行業(yè)協(xié)會秘書長何曉寧、西安市服務外包協(xié)會會長吳勝利、北京紫光存儲科技有限公司CEO、西安紫光國芯總經(jīng)理任奇?zhèn)?、西安紫光國芯代理總?jīng)理江喜平蒞臨揭牌儀式。

西安軟件園作為西安高新區(qū)發(fā)展軟件信息服務業(yè)和文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)的專業(yè)園區(qū),始建于1998年12月,是我國四個擁有國家軟件產(chǎn)業(yè)基地、國家軟件出口基地”雙基地”稱號的園區(qū)之一。西安紫光國芯是在西安高新區(qū)成立并一路成長起來的集成電路設計企業(yè),是國內(nèi)罕有同時擁有DRAM和NAND Flash存儲器研發(fā)量產(chǎn)能力的企業(yè)。2019年,西安高新區(qū)軟件園和西安紫光國芯進行了深入合作,由園區(qū)投入網(wǎng)絡設備,企業(yè)投入集成電路專用設備,共同籌建集成電路創(chuàng)新實驗室,以支持企業(yè)和園區(qū)集成電路發(fā)展。

西安軟件園劉賀書記和西安紫光國芯代理總經(jīng)理江喜平分別致辭。高新區(qū)軟件園發(fā)展中心黨委副書記劉賀表示,西安高新區(qū)在集成電路設計領域的發(fā)展起步較早,規(guī)模日益擴大,目前已聚集了紫光國芯、紫光展銳、新華三、克瑞斯半導體、華為海思、航天民芯等一批知名集成電路設計企業(yè),聚集效應已經(jīng)形成。創(chuàng)新實驗室的建立,將有效增強高新區(qū)在集成電路測試領域的配套支撐,使上下游企業(yè)形成緊密合作,為打造自主可控的產(chǎn)業(yè)體系提供有力支持,也將為我省自主存儲器產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展打好堅實基礎。

西安紫光國芯發(fā)展至今,公司員工已接近500人,累計二十余款DRAM存儲器產(chǎn)品和四十余款模組產(chǎn)品實現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷售,已經(jīng)發(fā)展成為區(qū)內(nèi)最重要的集成電路企業(yè)之一。西安紫光國芯代理總經(jīng)理江喜平表示,此次集成電路創(chuàng)新實驗室的建立,公司將攜手軟件園為園區(qū)內(nèi)相關企業(yè)提供更加便捷、更加專業(yè)的設計測試服務,大大減少園區(qū)內(nèi)企業(yè)尤其是小微企業(yè)的研發(fā)測試成本。接下來,公司將繼續(xù)探索多種形式的合作,有效地運用社會資源,共同促進西安高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)和服務產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。