存儲器封測廠力成總經(jīng)理洪嘉鍮預(yù)估，第1季業(yè)績可望較去年同期成長，有機(jī)會創(chuàng)同期新高，上半年模組表現(xiàn)正向看待，今年半導(dǎo)體市況可穩(wěn)健成長。

觀察去年第4季營運(yùn)表現(xiàn)，力成昨天下午在法人說明會上表示，去年第4季NAND型快閃存儲器產(chǎn)出增加、加上固態(tài)硬盤需求大增，帶動去年第4季封測營收沖高，其中封裝稼動率提高到90%到95%。

展望今年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)，洪嘉鍮表示，今年市況可穩(wěn)健成長，其中智能手機(jī)過渡到5G階段，需求看增，企業(yè)用電腦筆電更換需求增溫；游戲機(jī)、電視和機(jī)頂盒需求看佳；云端和企業(yè)用資料中心需求成長；此外5G應(yīng)用持續(xù)加溫。

在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）、快閃存儲器和邏輯芯片部分，力成表示，相關(guān)應(yīng)用需求可望帶動存儲器需求，DRAM價(jià)格持穩(wěn)。

在力成本身封測部分，洪嘉鍮指出，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM封測量持穩(wěn)，產(chǎn)能持續(xù)滿載，移動DRAM、利基型DRAM以及特殊型DRAM封測需求高于往年季節(jié)性表現(xiàn)，服務(wù)器存儲器需求可望逐季成長。

在快閃存儲器部分，洪嘉鍮表示，智能手機(jī)應(yīng)用需求可能季節(jié)性調(diào)整，資料中心需求持穩(wěn)，固態(tài)硬盤滲透率持續(xù)增加。

在系統(tǒng)級封裝和模組部分，洪嘉鍮表示，相關(guān)需求看佳，產(chǎn)品組合改善。在邏輯芯片封測部分，公司表示，傳統(tǒng)型封裝需求正向看待，持續(xù)開發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)，目前模組廠稼動率接近滿載。

展望今年半導(dǎo)體市況，洪嘉鍮預(yù)期，今年全球半導(dǎo)體市場可望年成長5%到6%區(qū)間。

他并預(yù)期，今年第1季和第2季系統(tǒng)級封裝和模組表現(xiàn)看佳，第1季市況需求看佳，業(yè)績可望較去年同期成長，有機(jī)會創(chuàng)同期新高。

展望今年資本支出，力成表示，去年資本支出規(guī)模約新臺幣110億元左右，預(yù)估今年資本支出可超過百億元。

法人預(yù)期，力成新產(chǎn)能將于第1季投產(chǎn)，布局3D NAND型快閃存儲器封測，新產(chǎn)能可望在第1季貢獻(xiàn)業(yè)績。

另外服務(wù)器DRAM訂單能見度可看到第1季底，預(yù)期第1季業(yè)績可望較去年同期成長16%到17%，今年上半年力成在存儲器封測表現(xiàn)可正向看待。

南亞科總經(jīng)理李培瑛近日宣布，已完成自主研發(fā)10納米級DRAM技術(shù)。

針對南亞科自行新研發(fā)出10納米級制程的未來發(fā)展方向，李培瑛則是表示，南亞科成功開發(fā)出10納米級DRAM新型存儲器生產(chǎn)技術(shù)，DRAM產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少3個(gè)世代，未來進(jìn)入10納米制程技術(shù)也將采自主開發(fā)技術(shù)為主，不再向合作伙伴美光（Micron）申請授權(quán)。這樣不僅減少授權(quán)費(fèi)用支出，也能針對自行研發(fā)的技術(shù)適時(shí)優(yōu)化，以提升至最佳生產(chǎn)效率。

預(yù)估，第一代10納米級前導(dǎo)產(chǎn)品包括8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5將建構(gòu)在自主研發(fā)的制程及產(chǎn)品技術(shù)平臺上，預(yù)計(jì)2020下半年陸續(xù)進(jìn)入產(chǎn)品試產(chǎn)。至于，第2代10納米級生產(chǎn)技術(shù)目前正在研發(fā)階段，預(yù)計(jì)2022年開始導(dǎo)入試產(chǎn)。

對于2020年的展望，李培英表示，在庫存持續(xù)去化，供需逐步穩(wěn)定的情況下，營運(yùn)預(yù)計(jì)將會一季比一季好，對全年保持樂觀的看法。

南亞科總經(jīng)理李培瑛指出，2020年DRAM的市況，在需求方面，因?yàn)榉?wù)器需求穩(wěn)定成長，手機(jī)搭載DRAM的數(shù)量增加，再加上個(gè)人電腦出貨穩(wěn)定，消費(fèi)型電子產(chǎn)品需求量也穩(wěn)定成長的情況下，需求面持續(xù)看到改善。

供給面方面，各大廠因?yàn)樵?019年資本支出保守，使得現(xiàn)階段沒有新產(chǎn)能開出，供給有限的情況下，使得供需情況更加健康。預(yù)計(jì)，2020年DRAM市場需求將成長15%至20%，供給成長10%至15%，而南亞科2020年位元出貨將成長約15%。

李培瑛還強(qiáng)調(diào)，就目前的情況看來，DRAM市場包括現(xiàn)貨價(jià)與合約價(jià)的平均價(jià)格都已經(jīng)止跌回穩(wěn)，除了三星跳電事件對短期現(xiàn)貨價(jià)有波動，長期來看就是持穩(wěn)，這也使得南亞科2020年第1季毛利率將不會再下滑。

整體來說，雖然2019年第4季較第3季的營收有所下滑，但是優(yōu)于2018年的第4季。而未來的2020年第1季預(yù)估會比2019年第4季還有成長，第2季也將會持續(xù)提升，加上預(yù)計(jì)導(dǎo)入10納米級新制程，資本支出上半年仍較少，下半年起預(yù)計(jì)會有增加，實(shí)際數(shù)字有待董事會最后決定。

存儲器封測廠力成自結(jié)2019年12月合并營收65.99億元（新臺幣，下同），創(chuàng)歷年單月新高，去年第4季營收也創(chuàng)單季新高。法人估2020年第1季業(yè)績可創(chuàng)同期新高。

力成自結(jié)2019年12月合并營收65.99億元，較去年11月63.94億元成長3.22%，比2018年同期53.29億元增加23.83%。法人指出，力成去年12月營收創(chuàng)歷史單月新高。

力成去年第4季自結(jié)合并營收193.08億元，較去年第3季177.05億元成長9.05%，法人指出，去年第4季營收創(chuàng)歷年單季新高。

力成去年第4季標(biāo)準(zhǔn)型存儲器滿載產(chǎn)出穩(wěn)定，行動存儲器（Mobile DRAM）、利基型及特殊型DRAM季節(jié)性需求看佳，服務(wù)器應(yīng)用需求改善。

同時(shí)，因應(yīng)今年第1季產(chǎn)能需求，力成去年9月和10月持續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)充，為公司成立以來首見。

累計(jì)2019年全年力成自結(jié)合并營收665.25億元，較前年680.39億元微降2.23%。

展望今年第1季營運(yùn)，法人預(yù)期，力成新產(chǎn)能將于第1季投產(chǎn)，布局3D NAND型快閃存儲器（NAND Flash）封測，新產(chǎn)能可望在第1季貢獻(xiàn)業(yè)績。

另外服務(wù)器動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）訂單能見度可看到第1季底，預(yù)期第1季業(yè)績可望較去年同期成長16%到17%，單季業(yè)績有機(jī)會創(chuàng)同期新高。今年上半年力成在存儲器封測表現(xiàn)可正向看待。

根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體廠商三星電子旗下位于華城的工廠發(fā)生了跳電事故，影響了DRAM、NAND Flash，以及采用EUV技術(shù)的系統(tǒng)半導(dǎo)體生產(chǎn)部分。

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)指出，三星電子位于韓國華城的工廠，在2019年12月31日發(fā)生了短暫的跳電情況，使得華城廠區(qū)內(nèi)的部分工廠短暫停產(chǎn)。整個(gè)跳電的時(shí)間約1分鐘，之后立即恢復(fù)了供電，目前三星正在積極的進(jìn)行產(chǎn)線檢查，在了解受損程度之后，以便在最短時(shí)間內(nèi)恢復(fù)生產(chǎn)。

據(jù)了解，這次三星電子華城廠區(qū)的跳電事件，影響的是生產(chǎn)DRAM的Line 12產(chǎn)線，以及生產(chǎn)Nand Flash的Line 13產(chǎn)線，另外還有以EUV（extreme ultraviolet）技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)的LSI（large-scale integration）部分。

根據(jù)市場人士估計(jì)，由于是生產(chǎn)DRAM的Line 12產(chǎn)線，以及生產(chǎn)NAND Flash的Line 13產(chǎn)線都屬于制程比較落后的產(chǎn)線，因此受影響較大的部分的將會是在以EUV來生產(chǎn)系統(tǒng)半導(dǎo)體的領(lǐng)域，整體損失金額可能達(dá)到3,000萬美元。

至于，會發(fā)生跳電的原因目前并不清楚。只是，以中國臺灣的晶圓廠為例，在供電方面多半都設(shè)計(jì)有兩套回路，分別由兩個(gè)不同的變電所來供電，以降低因意外而發(fā)生跳電的風(fēng)險(xiǎn)。不過，如果發(fā)生大規(guī)模的天然災(zāi)害，例如地震而導(dǎo)致電廠停止運(yùn)轉(zhuǎn)的情況，這部分就另當(dāng)別論。因此，這次韓國三星華城廠區(qū)在無發(fā)生重大天然災(zāi)害情況下，卻發(fā)生跳電的情況，這個(gè)過程就必須好好地確認(rèn)。

至于，這次的跳電事件是否會影響市場上DRAM及NAND Flash的價(jià)格，就如同2019年6月份，日本存儲器大廠東芝在三重縣四日市的廠區(qū)發(fā)生跳電，造成市場供貨沖擊的狀況，目前還不得而知。

不過，日前三星才宣布，將在未來10年內(nèi)投資超過千億美元以發(fā)展系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，已達(dá)成未來登上全球系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)龍頭的計(jì)劃，會不會因?yàn)檫@樣的斷電事件而受到影響，未來還需要進(jìn)一步的觀察。

集邦咨詢：供給調(diào)整速度不及需求成長，2020年第一季顯卡內(nèi)存價(jià)格快速翻漲

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，2020年第一季除了因1X納米良率問題導(dǎo)致供貨不及，使得服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格領(lǐng)漲以外，顯卡內(nèi)存價(jià)格也快速反轉(zhuǎn)向上。由于顯卡內(nèi)存相較于其他產(chǎn)品類別，屬于價(jià)格波動明顯的淺碟市場，因此在買方積極拉貨下，預(yù)期價(jià)格將較前一季上漲逾5%，漲幅為所有產(chǎn)品中最高。

顯卡與游戲機(jī)規(guī)格提升，高容量GDDR6需求增溫

觀察2020年整體需求狀況，市場正快速從GDDR5轉(zhuǎn)向GDDR6，顯卡市場中，NVIDIA的主流產(chǎn)品RTX顯卡幾乎已經(jīng)全部轉(zhuǎn)用GDDR6，而AMD正在積極去化舊顯卡庫存，屆時(shí)NAVI系列也將全數(shù)使用GDDR6。在游戲機(jī)市場，雖然目前Sony PS4與微軟XBOX One都是使用GDDR5，但預(yù)期明年下半年上市的PS5與XBOX Series X都將采用GDDR6，且最高容量將達(dá)到16GB，遠(yuǎn)高過目前主流顯卡的8GB容量，代表明年顯卡內(nèi)存的供應(yīng)吃緊將無法避免。

供給方面，相較其他產(chǎn)品別，顯卡內(nèi)存的單顆芯片生產(chǎn)成本最高，因此在歷經(jīng)過去幾季DRAM價(jià)格快速下滑之后，顯卡內(nèi)存出現(xiàn)虧損較其他產(chǎn)品來的快。因此，三大DRAM原廠紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向其他獲利能力較好的類別。截至目前，顯卡內(nèi)存占DRAM總產(chǎn)出的比重低于6%，在供給有限又面臨需求增溫的情況下，報(bào)價(jià)止跌回穩(wěn)。由于原廠的產(chǎn)能調(diào)整無法快速反應(yīng)，集邦咨詢預(yù)期價(jià)格將會在2020年強(qiáng)勁反彈，而且可能成為漲幅最大的DRAM產(chǎn)品類別。

2020年顯卡內(nèi)存供給成長幅度達(dá)15%

三大原廠在顯卡內(nèi)存領(lǐng)域的競爭態(tài)勢，三星處于領(lǐng)先地位，不僅市占最高，在GDDR6的設(shè)計(jì)與產(chǎn)品驗(yàn)證的進(jìn)度也最快。SK海力士與美光半導(dǎo)體的市占大約在伯仲之間，但在最新一代GDDR6產(chǎn)品的開發(fā)上，美光即將進(jìn)入量產(chǎn)階段，快過SK海力士，因此在2020年有望拉開與SK海力士的差距。

集邦咨詢預(yù)估，在2020下半年游戲機(jī)新機(jī)種將搭載高容量GDDR6以及價(jià)格反彈的刺激下，原廠會逐漸將產(chǎn)能轉(zhuǎn)回生產(chǎn)顯卡內(nèi)存，使得明年位元產(chǎn)出年成長量有機(jī)會突破15%，增幅位居第二，僅次于服務(wù)器內(nèi)存。

針對美商存儲器大廠美光科技(Micron)發(fā)布2020財(cái)年第1季財(cái)報(bào)，其結(jié)果優(yōu)于市場預(yù)期，進(jìn)而帶動美光在美國時(shí)間18日于美股股價(jià)，最后收盤價(jià)上漲逾4%的情況，市場人士指出，不僅毛利將是此波循環(huán)的低點(diǎn)，接下來將逐季好轉(zhuǎn)，而且市場需求在服務(wù)器、移動設(shè)備皆有正面表現(xiàn)，加上2020年全年庫存水位將維持樂觀的情況下，未來發(fā)展將會優(yōu)于當(dāng)前。

美光科技第1季營收為51.44億美元，相較2019財(cái)年同期的79.13億美元下降35%，凈利為4.91億美元，相較2019財(cái)年同期的32.93億美元下降85%。

而針對美光2020財(cái)年的第1季表現(xiàn)，市場人士表示，該季DRAM的位元出貨量成長將近10%優(yōu)于預(yù)期，帶動營收表現(xiàn)達(dá)財(cái)測上緣。雖然預(yù)期下一季營收將季減10%，不過毛利將是此波循環(huán)的低點(diǎn)，接下來將逐季好轉(zhuǎn)。

整體來說，因?yàn)閹齑嫣鞌?shù)持續(xù)下降，雖然因?yàn)橄乱患久媾R淡季而小量增加，但對于2020財(cái)年全年的DRAM庫存水位保持樂觀。

需求方面，包括服務(wù)器、移動設(shè)備、繪圖芯片等需求展望皆正面，僅PC因?yàn)橛⑻貭柕腃PU缺貨狀況將至少延續(xù)到2020年初，因此整體仍往優(yōu)質(zhì)的方向發(fā)展。

另外，在華為的供貨方面，因?yàn)槊拦獗硎?，近期已收到所有之前向政府申請的許可，允許出貨給華為，包括驗(yàn)證移動設(shè)備以及服務(wù)器業(yè)務(wù)等相關(guān)的新產(chǎn)品，不過仍有一些非移動設(shè)備和服務(wù)器相關(guān)的產(chǎn)品禁止出貨；此外，也強(qiáng)調(diào)由于驗(yàn)證剛開始，距離實(shí)際貢獻(xiàn)營收仍需時(shí)間，不讓市場有過度期待。但這些訊息至少顯示禁止出貨給華為的干擾，目前正在慢慢消除。

另外，在制程技術(shù)方面，美光目前采自有技術(shù)進(jìn)行DRAM制程轉(zhuǎn)進(jìn)，一直到1 gamma制程都還看的到經(jīng)濟(jì)效益，但同時(shí)間也在觀察EUV，若EUV成本優(yōu)勢顯現(xiàn)，不排除導(dǎo)入。

而NAND Flash則持續(xù)發(fā)展更換制成，2020財(cái)年將是轉(zhuǎn)型年，銷售方面主要仰賴販賣2019財(cái)年的庫存。至于臺中新產(chǎn)線則是如期進(jìn)行中，預(yù)期產(chǎn)出將會落在2021年。而這新產(chǎn)線將開始放置EUV機(jī)臺，而整體2020財(cái)年的整體資本支出也維持在70到80億美元的水準(zhǔn)。