現(xiàn)貨價格急漲，帶動DRAM合約價提前于2020年第一季止跌

現(xiàn)貨價格急漲，帶動DRAM合約價提前于2020年第一季止跌

由 中代科技評論關(guān)閉

集邦咨詢：現(xiàn)貨價格急漲，帶動DRAM合約價提前于2020年第一季止跌

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，DRAM現(xiàn)貨價的翻揚，改變了市場氛圍。在預(yù)期性心理因素下，有利于合約市場中買方的備貨意愿提高，目前預(yù)估合約價可能提前至2020年第一季止跌。

集邦咨詢指出，之前1X納米制程因為有退貨狀況，大量不良品以低價轉(zhuǎn)銷現(xiàn)貨市場，導(dǎo)致現(xiàn)貨價格走勢格外疲弱。雖然退貨狀況仍在，但因為模組廠以及在渠道的經(jīng)銷商開始愿意增加庫存準(zhǔn)備，使得這些不良品數(shù)量有效的消耗，帶動現(xiàn)貨價格開始上調(diào)。

從整體供需狀況來看，在歷經(jīng)近五個季度的庫存調(diào)整，2019年第四季DRAM市場仍處于微幅供過于求，即便明年第一季DRAM的拉貨狀況可能呈現(xiàn)淡季不淡，但供需態(tài)勢最快仍要到明年年中才會正式反轉(zhuǎn)。不過，根據(jù)歷史經(jīng)驗，價格上漲一向快于供需反轉(zhuǎn)，因此集邦咨詢原先預(yù)估DRAM的平均銷售單價將在明年第二季初止跌上漲。

然而，受到目前現(xiàn)貨報價大漲的激勵，以及服務(wù)器內(nèi)存1X納米制程的生產(chǎn)狀況普遍不順暢，影響了整體供貨量，因此集邦咨詢對2020年價格預(yù)測進行修正，2020年第一季時，雖然標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存、利基型內(nèi)存與行動式內(nèi)存價格預(yù)估仍較前一季小幅下跌，但服務(wù)器內(nèi)存有機會率先領(lǐng)漲，帶動整體DRAM平均銷售單價較前一季持平。

服務(wù)器與圖形處理內(nèi)存價格領(lǐng)漲，開啟2020年DRAM漲價序幕

根據(jù)集邦咨詢觀察，目前主流服務(wù)器內(nèi)存模組成交量已經(jīng)明顯大幅增加，均價欲跌不易，服務(wù)器業(yè)者在DRAM備貨的態(tài)度轉(zhuǎn)趨積極。展望2020年第一季，由于1X納米產(chǎn)品供貨不順影響持續(xù)，加上短期需求面展望強勁，預(yù)估服務(wù)器內(nèi)存單價將正式反彈，季增幅約5%。

除了服務(wù)器內(nèi)存以外，集邦咨詢也同時調(diào)整圖形處理內(nèi)存的價格預(yù)測；圖形處理內(nèi)存尤其是GDDR5，因為主要GPU芯片供應(yīng)商庫存已經(jīng)調(diào)整完畢，目前已恢復(fù)采購力道，加上最新一代的GDDR6需求也持續(xù)增加，在買方預(yù)期漲價心理影響下，整體價格也將于第一季小幅上調(diào)。

2020年5G手機及資料中心需求提升 DRAM現(xiàn)貨價格觸底反彈

2020年5G手機及資料中心需求提升 DRAM現(xiàn)貨價格觸底反彈

由 中代科技評論關(guān)閉

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，在當(dāng)前各家廠商庫存數(shù)量下跌，加上資料中心需求持續(xù)強勁，以及2020年第1季5G手機市場對于DRAM需求擴大的情況下，近3個月連續(xù)走跌的DRAM價格已經(jīng)觸底反彈。

其中，DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的產(chǎn)品上漲了2.88%，而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的產(chǎn)品也上漲了1.04%，顯示了DRAM市場從下跌狀況走緩，甚至已經(jīng)開始反彈回溫。

有報告顯示，2020年在5G智能手機、資料中心等需求的提升，使得業(yè)者開始加大對于DRAM的采購力道。

其中，在5G智能手機方面，因為旗艦機種將搭載6G到12G的DRAM，相較4G高端旗艦款手機搭載3G到6G DRAM的規(guī)格而言，容量要增加許多，使得市場開始對DRAM的需求增加。

除了在需求面的提升之外，外資報告還指出，韓國存儲器龍頭三星目前在DRAM生產(chǎn)方面已經(jīng)開始導(dǎo)入1z納米制程，三星期望可以透過制程微縮，提升單位生產(chǎn)數(shù)量。

此外，到第三代10納米級的1z納米制程后，由于未來微縮空間減少，使得成本效益遞減，加上三星逐漸導(dǎo)入EUV生產(chǎn)DRAM，生產(chǎn)成本隨之提高，這樣不僅形成進入產(chǎn)業(yè)的高門檻，也限制了未來擴產(chǎn)比例，導(dǎo)致預(yù)期供貨將維持在一定數(shù)量，廠商難以大量收到貨源，形成價格的預(yù)期上揚。而這對于整體DRAM產(chǎn)業(yè)來說，也會是較為健康的發(fā)展。

莫大康：實現(xiàn)中國的存儲器夢

莫大康：實現(xiàn)中國的存儲器夢

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中國半導(dǎo)體業(yè)正進入一個新時期，在大基金等國有資金為主推動下，加上科創(chuàng)板的支持，產(chǎn)業(yè)正從全方位向前推進，其中實現(xiàn)更多的IC國產(chǎn)化是“命門”，顯然存儲器成為一個讓業(yè)界十分期待的目標(biāo)。

據(jù)統(tǒng)計在中國境內(nèi)DRAM消耗約3,000億元及NAND閃存消耗約2,200億元。假設(shè)這個數(shù)量級是基本正確，它表示什么？

據(jù)權(quán)威市場公司W(wǎng)STS的秋季數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體市場4,687億美元，總存儲器的銷售額達1,580億美元，它預(yù)測2019年全球半導(dǎo)體市場下降12.1%，為4,090億美元，其中存儲器下降33%，為1,059億美元，那么中國消耗存儲器為5,200億元，折算成743億美元，即占2018年存儲器的47%及2019年的70%，它表示全球的存儲器近一半以上被中國市場消耗。

為了實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)化，國內(nèi)已經(jīng)啟動合肥長鑫及福建晉華的DRAM，以及武漢長江存儲的3D NAND閃存生產(chǎn)，另有紫光的南京、成都等都已做好上馬的準(zhǔn)備。

按國內(nèi)網(wǎng)站報導(dǎo)，長江存儲已經(jīng)開發(fā)出32層3D NAND閃存，2019年底月產(chǎn)能達20,000片，計劃2020年開始64層3D NAND量產(chǎn)，月產(chǎn)能擴充至40,000片以上，到2023年時可能達到計劃64層月產(chǎn)能100,000片，或者它的原計劃300,000片。并在技術(shù)上進入128層256Gb的業(yè)界先進閃存產(chǎn)品行列。而合肥長鑫已經(jīng)開發(fā)出19納米的DRAM，月產(chǎn)能達20,000片，計劃2020年底月產(chǎn)能擴充至40,000片，到2023年時達到計劃月產(chǎn)能125,000片，技術(shù)上開始邁入17納米。并已有報道長鑫將再建兩個fab2和fab3。

中國已經(jīng)啟動存儲器的布局，充分體現(xiàn)國家的決心與實力，然而全球存儲器的格局是壟斷的，按學(xué)習(xí)曲線的規(guī)律，中國必須循序漸進，國內(nèi)業(yè)界曾提出初始目標(biāo)要占全球市場份額的5%-10%。

5%-10%市場份額

從全球范圍觀察，在DRAM 領(lǐng)域，全球三大陣營的分布：三星市占率 46%、SK 海力士 29%、及美光 21%。而在NAND Flash 領(lǐng)域，全球六大陣營的分布：三星市占率 35%、東芝(更名為鎧俠) 18.2%、WD/SanDisk 占 13.8%、美光 13.7%、SK 海力士 10.2%、英特爾 8.6%。

各家存儲器的產(chǎn)能統(tǒng)計，由于渠道不一樣，只能提供估值，依2018年底計，如全球DRAM的月產(chǎn)能約為110萬片(12寸計)，及NAND閃存約為150萬片，其中三星可能分別是500,000片及480,000片。

根據(jù)三星目前128層3D NAND技術(shù)發(fā)展，以及工廠進度規(guī)劃，預(yù)計2020上半年可能量產(chǎn)的是第六代128層V-NAND。SK海力士128層3D NAND也將在2020年進入投產(chǎn)階段。至2019年底，全球NAND閃存依92/96層計，三星占它的銷售額45%，東芝為50%，美光為35%及Hynix為25%。

當(dāng)今的NAND Flash設(shè)計需要綜合考慮層數(shù)、存儲單元間距、單元厚度、功耗、整體性能、投資效益，還有量產(chǎn)的良率，及市場份額等諸多要素。

DRAM制程工藝進入20nm以后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1xnm、1ynm、1znm，大體來講，1x-nm制程相當(dāng)于16~19nm、1y-nm相當(dāng)于14~16nm，而1z-nm則相當(dāng)于12~14nm。業(yè)界也有討論在1znm之后的可能進展。

據(jù)IT之家2019-10月7日消息，三星宣布成功開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV（直通硅通孔）技術(shù)。這是業(yè)界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝，而此前最大僅為8層。

3D-TSV最多用在HBM顯存上，這種技術(shù)通過芯片內(nèi)部的打孔填充金屬導(dǎo)電材料實現(xiàn)多層芯片互聯(lián)，其速度更快，密度更高。三星此次公布的12層DRAM封裝工藝需要在720微米厚的芯片上打超過60000個TSV孔，這些孔的尺寸僅為人頭發(fā)絲的二十分之一。

全球存儲器業(yè)總是周期性的起伏，也是對于存儲器制造商的考驗。據(jù)預(yù)測，其中33種IC產(chǎn)品類別中的26種將恢復(fù)增長，而增長前三類如下：2020年NAND Flash將增長19%，汽車電子13%及DRAM 12%。

5%-10%的市場份額，它表示中國存儲器業(yè)(包括DRAM，NAND，NOR，新興存儲器)的銷售額已經(jīng)總計達到50-100億美元以上，同時邁出中國半導(dǎo)體業(yè)中IDM產(chǎn)品的關(guān)鍵一步。

結(jié)語

由于中國存儲器廠商幾乎都是“新進者”，面臨的困難可能更多，尤其是美國的“長臂管轄清單”，它隨時可能改變，其影響如同對“晉華”一樣，不可小視。

在這樣的現(xiàn)實情況下，中國存儲器制造商既要提前做出“預(yù)案”，認(rèn)真對待，不喪失信心，可能最妥善的策略是把目前的工作做得更加扎實與仔細(xì)。

技術(shù)上推進是關(guān)鍵，它是基礎(chǔ)，然而產(chǎn)能擴充的步伐要大膽加快，因為至少在下個下降周期中可能占到先機，它也是無法用完全市場化策略來解釋。

盡管初始目標(biāo)是5%-10%的市場份額，但是它的作用不可小視，表明中國存儲器業(yè)完成初步立足，開始有話語權(quán)。如果依2017年計始，估計可能要花5-10年時間，并且要準(zhǔn)備隨時迎接各種干擾的到來。

中國存儲器業(yè)一定能立足下來，無非是花的時間短，或者長些，要認(rèn)識到存儲器業(yè)是個拼生產(chǎn)線管理及能持續(xù)投資的產(chǎn)業(yè)?；仡欀袊_灣地區(qū)之前曾投入400億美元，試圖找立足點，結(jié)果也不盡如人意，據(jù)臺灣人士講主要是資金不足，而中國此次存儲器的突破，似乎資金不成問題，但是缺乏月產(chǎn)能100,000片以上大生產(chǎn)線的管理經(jīng)驗。

顯然生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速度是個“坎”，它不完全是由資金決定，與技術(shù)能力，生產(chǎn)線的良率，芯片價格及外來干擾因素等相關(guān)，在思想認(rèn)識上要有充分的準(zhǔn)備。

按我的初淺認(rèn)識，實現(xiàn)中國的存儲器夢，以下兩條是關(guān)鍵：

持續(xù)投資，擴大產(chǎn)能，降低制造成本，所以生產(chǎn)線應(yīng)該盡可能集中

沉著應(yīng)對來自各方面的“干擾”，包括“長臂管轄清單”，專利及價格戰(zhàn)

事在人為，實現(xiàn)中國存儲器夢是肯定有必要及可能，在此點上連部分西方人士也表示認(rèn)可。

長鑫存儲：獲得大量DRAM內(nèi)存專利

長鑫存儲：獲得大量DRAM內(nèi)存專利

由 中代科技評論關(guān)閉

近日，長鑫存儲技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)制造商奇夢達開發(fā)的DRAM專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。

依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲從Polaris獲得大量DRAM技術(shù)專利的實施許可。這些專利來自Polaris于2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。

依據(jù)獨立的專利采購協(xié)議，長鑫存儲從Polaris購得相當(dāng)數(shù)量的DRAM專利。

此專利許可和專利采購協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款在此不予披露。

“長鑫存儲將繼續(xù)通過自主研發(fā)以及與WiLAN等國際伙伴的合作，不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價值知識產(chǎn)權(quán)方面的積累?！遍L鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示?！皟煞輩f(xié)議標(biāo)志著，在完善知識產(chǎn)權(quán)組合、進一步強化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運營方面，長鑫存儲采取了新舉措?！?/p>

“長鑫存儲是中國DRAM產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)者。很高興看到長鑫存儲認(rèn)可Polaris所持DRAM專利的價值。這兩份協(xié)議表明，長鑫存儲高度重視知識產(chǎn)權(quán)，致力于持續(xù)投入研發(fā)。我們相信，由此獲得的權(quán)益將使長鑫存儲在業(yè)內(nèi)擁有競爭優(yōu)勢，助力長鑫存儲持續(xù)開發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)。”WiLAN總裁兼首席執(zhí)行官Michael Vladescu表示。“與長鑫存儲的協(xié)議將推動WiLAN在中國等主要新興市場進一步開發(fā)業(yè)務(wù)機會，從而繼續(xù)為母公司Quarterhill和投資者創(chuàng)造更多價值?！?/p>

華邦電高雄12英寸廠裝機時間遞延

華邦電高雄12英寸廠裝機時間遞延

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存儲器大廠華邦電高雄新12英寸廠已在7月上梁，興建計劃依進度進行中，原本預(yù)期2021年底可開始進入生產(chǎn)，初期以25納米DRAM開始投片。不過，華邦電董事長焦佑鈞6日表示，明年存儲器市況將趨于穩(wěn)定，但因存儲器價格仍然不好，加上華邦電中科12英寸廠的營運效率明顯提升，所以高雄12英寸廠的裝機時間將遞延到2022年第一季。

第三季存儲器市場價格跌幅縮小且進入出貨旺季，華邦電第三季合并營收達134.20億元（新臺幣明顯哀痛），歸屬母公司稅后凈利達5.91億元，每股凈利0.51元，符合市場預(yù)期。華邦電子公司新唐第三季合并營收29.44億元創(chuàng)下歷史新高，但因業(yè)外收益縮水，單季獲利達1.76億元，每股凈利0.85元。

華邦電第四季進入淡季，6日公告11月合并營收月減6.1%達40.57億元，較去年同期小幅增加0.9%，累計前11個月合并營收446.97億元，與去年同期474.99億元相較減少5.9%。

焦佑鈞6日出席新唐股東臨時會表示，明年存儲器的產(chǎn)業(yè)景氣，因為之前價格跌幅很大，現(xiàn)在應(yīng)該會趨于安定一陣子，價格會不會反彈還看不出來，但應(yīng)該可以預(yù)期是會穩(wěn)定下來。

焦佑鈞指出，華邦電原先的投資計劃，是考量到中科12英寸廠已經(jīng)沒有空間再放新機器擴產(chǎn)，所以要把20納米與25納米的DRAM制程移到高雄新12英寸廠并進行良率拉升及后續(xù)量產(chǎn)。但考慮到現(xiàn)在存儲器價格并不是很好，臺中廠生產(chǎn)效率提升不少，所以改變了原先計劃。

焦佑鈞表示，由于中科廠區(qū)還有空間可以裝進下一世代制程設(shè)備，就是20納米和25納米的DRAM設(shè)備，所以若在新設(shè)備裝機導(dǎo)入后又順利提升良率，能讓華邦電的成本下降很多。所以，華邦電會先在中科12英寸廠導(dǎo)入新制程并提升良率，然后再搬到高雄新廠量產(chǎn)，高雄新廠裝機時間因此遞延到2022年1月。

對于新唐并購Panasonic半導(dǎo)體事業(yè)，焦佑鈞表示，新唐明年6月才會正式接手，該事業(yè)雖然目前虧損，但轉(zhuǎn)變快對新唐的沖擊就小，若調(diào)整慢的話影響大概會需要二年時間，因此不宜用目前該事業(yè)財報來判斷影響。新唐的核心技術(shù)在ARM基礎(chǔ)架構(gòu)上，Panasonic半導(dǎo)體則以系統(tǒng)架構(gòu)為主，產(chǎn)品線有互補性，未來可整合雙方之力往物聯(lián)網(wǎng)、智慧家庭、工業(yè)與車電市場邁進。

【MTS2020】DRAMeXchange劉家豪：IT基礎(chǔ)架構(gòu)轉(zhuǎn)型現(xiàn)商機 服務(wù)器內(nèi)存市場崛起？

【MTS2020】DRAMeXchange劉家豪：IT基礎(chǔ)架構(gòu)轉(zhuǎn)型現(xiàn)商機 服務(wù)器內(nèi)存市場崛起？

由 中代科技評論關(guān)閉

在討論IT基礎(chǔ)架構(gòu)轉(zhuǎn)型之前，劉家豪簡要闡述了內(nèi)存與終端市場概況。他表示，數(shù)據(jù)中心的需求從終端裝置轉(zhuǎn)移向云端、再至邊緣運算，數(shù)字化轉(zhuǎn)型、企業(yè)服務(wù)器上云等使得數(shù)據(jù)中心逐漸茁壯成長。2020年后，數(shù)據(jù)中心的建設(shè)增速將會減緩，5G概念形成及其相對的應(yīng)用如工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等將把5G和邊緣運算推向落實境地。

2008年之前，PC/NB帶動了整個存儲器市場發(fā)展；2012年，智能終端裝置的普及帶動市場進入行動式內(nèi)存新紀(jì)元，同時也推動了數(shù)據(jù)中心的需求，尤其在經(jīng)歷2012年-2016年的漲價后，美國及中國BAT在數(shù)據(jù)中心的建設(shè)上非常積極，把整個原廠投產(chǎn)計劃導(dǎo)入Server DRAM市場。2020年后，Server DRAM將迎來結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)型，邊緣運算的節(jié)點將逐漸落實。

回顧整個DRAM市場，劉家豪指出，隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型及數(shù)據(jù)中心落實驅(qū)動，2019年Server DRAM投產(chǎn)比重已超過三成，是原廠目前最著重的領(lǐng)域之一。據(jù)其大膽預(yù)測，5G落地后，Server DRAM的投產(chǎn)比重會與行動式內(nèi)存并駕齊驅(qū)，整個產(chǎn)出量預(yù)計將于2025年達到高峰，有望上升至接近四成。

接著，劉家豪從算力、應(yīng)用以及整體架構(gòu)的差異等方面分析了IT基礎(chǔ)架構(gòu)轉(zhuǎn)型面臨的商機與挑戰(zhàn)，并展望了2020年服務(wù)器內(nèi)存市場發(fā)展。

算力方面，劉家豪認(rèn)為市場對計算性能要求提升，服務(wù)器邁向云端連結(jié)。2008年之前主要是功能型運算，需要處理的工作非常簡單；2012年后，隨著聯(lián)網(wǎng)需求的增加、產(chǎn)業(yè)形態(tài)的改變、數(shù)字化轉(zhuǎn)型的落實等，應(yīng)用連結(jié)越來越重要且復(fù)雜、IDC逐漸普及；2020年后，未來車聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)等關(guān)鍵性應(yīng)用的實現(xiàn)，需要服務(wù)器架構(gòu)的改變，即HPC+cloud概念，其未來服務(wù)器算力將更加集中化，外圍環(huán)繞的是邊緣運算節(jié)點，處理的是及時、非重要信息，例如自動駕駛的安全性上需要信息的快速傳遞，這將是未來的新商機。

從應(yīng)用端看，2020年之前是云對終端裝置的連接，2020年之后將多了霧計算或邊緣運算，未來的趨勢將是傳統(tǒng)邊緣計算和霧計算的逐漸融合，產(chǎn)品將強化IoT結(jié)構(gòu)中各節(jié)點其目標(biāo)類別是云下各層的解決方案，例如智能設(shè)備、工業(yè)控制、傳感器、網(wǎng)關(guān)、邊緣服務(wù)器等，其中解決方案最主要的兩個指標(biāo)就是Edge Server和Edge Gateway。

從硬件規(guī)格看，Edge可根據(jù)數(shù)據(jù)中心的遠(yuǎn)近分為三類：Far Edge、Mid-near Edge、Near Edge。目前已有阿里巴巴、騰訊等國內(nèi)企業(yè)和谷歌等國際大廠介入Edge市場，單從規(guī)格分析，市場上目前提供Edge解決方案最齊全的是英特爾，分別對數(shù)據(jù)中心提供了雙通道、雙插槽、四插槽解決方案，對于遠(yuǎn)到近的Edge分別提供兩插槽、四插槽甚至SOC解決方案。

全球目前有非常多的數(shù)據(jù)中心，數(shù)據(jù)中心建設(shè)主要集中在2016年-2018年，2019年由于中美貿(mào)易問題等因素，新增節(jié)點開始變緩。劉家豪預(yù)估，2020年的市場狀況可能會較2019年要好，服務(wù)器市場明年呈現(xiàn)較好的成長狀況，數(shù)據(jù)中心的建設(shè)大部分是集中在亞太區(qū)例如新加坡、中國香港以及中國臺灣等地。

2019年-2020年中國區(qū)服務(wù)器的使用量有所增加，但受到中美貿(mào)易摩擦影響，2020年增幅下降，但使用量仍有微幅增加；劉家豪認(rèn)為，2020年之后，中國在5G的推動上較美國來得更快，這將使得中國的市場份額在2025年后超過30%。

Server DRAM市場方面，劉家豪預(yù)計三星、SK海力士和美光三大供應(yīng)商的Server DRAM供應(yīng)比例將增加，尤其到2025年將達到高峰，這將壓縮一部分PC DRAM、Mobile DRAM的市場。由于PC單元需求下降，PC DRAM在DRAM總輸出中所占的份額較小，但明年Mobile DRAM將仍然是每個公司產(chǎn)品組合中最大的細(xì)分市場。

從供需情況分析，2016年DRAM迎來反轉(zhuǎn)時期，尤其在2016年下半年，中國手機市場OPPO和vivo備貨動作非常強勁，帶動了一批成長，隨后中國BAT和北美的四大數(shù)據(jù)中心的需求增加，DRAM持續(xù)火熱，致使終端客戶因擔(dān)心缺貨而加大備貨力度，2019年初許多終端客戶的庫存遠(yuǎn)高于2016年。

目前，內(nèi)存價格已歷經(jīng)數(shù)個季度的下跌，原廠明確表示明年的資本支出會大幅減少，加上在手庫存，所以明年預(yù)計Q2價格將有所反轉(zhuǎn)。整個供需來看，劉家豪認(rèn)為明年平均的供應(yīng)還能達到8成，原廠通過合理的供給調(diào)配，價格漲幅也將有所控制。

劉家豪最后指出，目前服務(wù)器DIMM 2018年-2019年的主流配置還是2666Mbps，2020年~2021年將達到2933~3200Mbps。2933Mbps已沒有明顯價差，預(yù)計到明年之后會逐漸恢復(fù)供應(yīng)，其供應(yīng)比重會隨著新平臺的投產(chǎn)而大量導(dǎo)入，目前3200Mbps與2600Mbps、2933Mbps仍有5%-7%的價差。

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DRAMeXchange郭祚榮：預(yù)估內(nèi)存價格明年Q2開始上漲

DRAMeXchange郭祚榮：預(yù)估內(nèi)存價格明年Q2開始上漲

由 中代科技評論關(guān)閉

集邦咨詢DRAMeXchange研究副總經(jīng)理：郭祚榮

供給端方面，郭祚榮分析認(rèn)為全球2020年內(nèi)存市場的年成長預(yù)估僅為12.2%，這個數(shù)字在年成長動輒25%、甚至40%-50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商明年獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會減少。

具體而言，在標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存、服務(wù)器內(nèi)存、行動式內(nèi)存、繪圖用內(nèi)存、利基型內(nèi)存這5大類產(chǎn)品中，明年份額比重最大的是行動式內(nèi)存，占比約39.7%，主要因為智能手機本身需求量大，加上明年5G的興起將帶來強勁的換機潮；其次為服務(wù)器內(nèi)存、占比約為34.9%，郭祚榮指出，服務(wù)器內(nèi)存的份額比重每年逐步上升，未來3-5年服務(wù)器內(nèi)存的份額比重可能會超過行動式內(nèi)存，成為全部內(nèi)存產(chǎn)品份額比重最高的產(chǎn)品。

其他產(chǎn)品類別的份額比重情況，PC方面（標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存）在逐年下降，雖然游戲電腦的需求在提升，但占比不高；繪圖用內(nèi)存目前需求還可以，預(yù)估明年狀況會很好；利基型內(nèi)存方面，每年的增長大概是7%-8%。

至于投片情況，郭祚榮指出今年第四季度全球內(nèi)存廠晶圓投片量預(yù)估為1200多K，明年第四季度預(yù)計是1300多K，從投片角度看，明年的成長只有5%左右，這其實并不高，與明年的供給成長只有12.2%相呼應(yīng)。

其中，三星明年第四季度投片量與今年第四季度投片量相比，成長只有大概30K（即3萬片左右），以三星的整體規(guī)模看相當(dāng)于幾乎沒有新產(chǎn)能產(chǎn)出；SK海力士的投片量是不增反減，今年第一季度350K、到明年第四季度只有340K；美光方面，今年第四季度和明年第四季度相比，投片量相差不多。

雖然投片量沒有顯著增加，但為何明年供給端仍有12.2%的年成長？郭祚榮表示這是因為制程上的提升增加了顆粒的產(chǎn)出量。明年三星、SK海力士、美光等全球三大廠商的產(chǎn)出量仍有成長，三星預(yù)估成長12.6%，SK海力士由于今年轉(zhuǎn)1Ynm不順、把量轉(zhuǎn)到明年，因此明年預(yù)估有14.1%的成長，美光預(yù)估成長10.3%。

制程轉(zhuǎn)進方面，三星大部分供應(yīng)已集中在1Xnm，1Ynm也有17%，明年三星將繼續(xù)轉(zhuǎn)1Ynm，1Xnm則會繼續(xù)減少。目前，三星也有在做1Znm產(chǎn)品，但還是會先轉(zhuǎn)1Ynm，1Znm的轉(zhuǎn)進會視后面市場情況決定。

郭祚榮認(rèn)為，制程最先進的是三星、SK海力士次之、美光第三。但據(jù)其了解到的新信息，美光的1Znm制程工藝十分先進，甚至可跟三星齊頭并進，有可能在明年或者后年、在1Znm變成規(guī)模較大時，可能是美光制程工藝的反轉(zhuǎn)點。

再看需求端，郭祚榮分析認(rèn)為，明年全球內(nèi)存需求端仍出現(xiàn)微幅衰退，其中筆記本將衰退0.6%、PC將衰退0.7%；服務(wù)器和智能手機是明年唯二呈現(xiàn)成長趨勢的產(chǎn)品類別，其中服務(wù)器這幾年都在上升，明年將成長3.8%；智能手機今年是負(fù)4%，明年預(yù)計為0.1%。

具體而言，全球2020年內(nèi)存需求達17.5%，其中智能手機和服務(wù)器的需求比重最大，無論是今年或是明年，兩者需求比重總和都占據(jù)了總需求七成左右份額，其他如PC比重將越來越低，利基市場大概每年維持差不多的比重。

根據(jù)全球內(nèi)存供需狀況分析，2020年Demand bit Growth預(yù)計增長17.6%、Supply Bit Growth預(yù)計增長12.2%，Sufficiency ratio則有0.5%的增長，價格有可能會反轉(zhuǎn)；今年價格跌了將近50%-60%，這是因為目前供過于求將近5.4%，對市場來講是十分嚴(yán)峻的。

以PC DRAM DDR4 8GB產(chǎn)品為例，今年年初價格為50元，到今年年底預(yù)計價格只剩24元，價格下跌近一半。郭祚榮認(rèn)為，明年第一季度內(nèi)存價格呈現(xiàn)小跌的可能性較高，但這并不影響明年下半年的價格趨勢，畢竟供給真的有所減少，其預(yù)估內(nèi)存價格在明年第二季度會開始反彈，一直延續(xù)到年底，但明年全年可能也只漲20%-30%。

具體到各類別產(chǎn)品，郭祚榮預(yù)估明年漲幅最高的內(nèi)存產(chǎn)品應(yīng)該是PC DRAM和Graphic DRAM，其次是服務(wù)器內(nèi)存；移動設(shè)備方面，相對其他的產(chǎn)品要平穩(wěn)一些，是5大類別產(chǎn)品里面漲幅最小的，另外一個漲幅較小的是利基型產(chǎn)品。

整體而言，郭祚榮預(yù)估全部產(chǎn)品的利潤明年至少有20%的上漲、甚至可能有機會達到30%，但最重要的還是取決于市場需求狀況。對于價格，郭祚榮的結(jié)論是，明年價格會上漲，最快第二季度可以看到，但不會漲得非常兇或者非常高，將呈現(xiàn)緩漲趨勢。

集邦咨詢于2019年11月27日成功舉辦2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會（MTS 2020），在此特別感謝金邦科技、芝奇國際、宏旺半導(dǎo)體、時創(chuàng)意電子、金泰克半導(dǎo)體、紫光存儲、廈門銀行等企業(yè)對本次會議的大力支持。

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紫光日本公司CEO：DRAM內(nèi)存將在5年內(nèi)量產(chǎn)

紫光日本公司CEO：DRAM內(nèi)存將在5年內(nèi)量產(chǎn)

由 中代科技評論關(guān)閉

本月中，紫光宣布前日本內(nèi)存公司爾必達董事長坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級副總裁及日本公司CEO。

坂本幸雄在DRAM領(lǐng)域具有30余年的從業(yè)經(jīng)驗，在技術(shù)以及戰(zhàn)略發(fā)展上擁有優(yōu)秀的領(lǐng)導(dǎo)力。坂本幸雄先生曾任日本德州儀器副社長、神戶制鋼電子信息科半導(dǎo)體部門總監(jiān)理、聯(lián)日半導(dǎo)體社長兼代表董事，及爾必達存儲社長、代表董事兼CEO。

加盟紫光后沒多久，坂本幸雄就接受了日本媒體的采訪，他談到了一些與紫光的趣事。

高啟全3年前也邀請坂本幸雄一起做閃存事業(yè)，但是坂本幸雄一心想做內(nèi)存，就拒絕了邀請。

6月份紫光組建了DRAM內(nèi)存事業(yè)群，高啟全擔(dān)任內(nèi)存事業(yè)群CEO，今年他有兩次邀請了坂本幸雄加盟，最終在9月份同意了加盟紫光內(nèi)存事業(yè)群。

坂本幸雄在采訪中表示，紫光的目標(biāo)是5年內(nèi)量產(chǎn)DRAM內(nèi)存，自己的工作就是協(xié)助公司達成目標(biāo)，為此紫光要在日本神奈川縣川崎設(shè)立“開發(fā)中心”，預(yù)計會招聘70-100位工程師，與中國的制程工藝團隊配合，花2-3年構(gòu)建出可以量產(chǎn)的內(nèi)存技術(shù)。

今年8月底，紫光集團董事長、CEO趙偉國與重慶市政府達成合作協(xié)議，將在重慶建設(shè)DRAM事業(yè)群總部及內(nèi)存芯片工廠，預(yù)計今年底動工，2021年正式量產(chǎn)內(nèi)存。

英特爾處理器缺貨 影響個人電腦廠商和DRAM廠商出貨

英特爾處理器缺貨 影響個人電腦廠商和DRAM廠商出貨

由 中代科技評論關(guān)閉

處理器龍頭英特爾(Intel)因為CPU產(chǎn)能短缺，進而影響周邊個人電腦廠商出貨的情況逐漸蔓延。繼日前惠普(HP)與聯(lián)想(Lenovo)兩家品牌個人電腦廠商高層出來抱怨，表示英特爾的CPU缺貨已經(jīng)影響到他們產(chǎn)品出貨，并沖擊業(yè)績之外，現(xiàn)在戴爾(DELL)電腦也發(fā)出報告指出，因為英特爾CPU的缺貨狀況，導(dǎo)致戴爾電腦的產(chǎn)品出貨受到影響，因此將進一步下修2020財年全年的營收金額。

對于CPU缺貨的情況，日前英特爾的執(zhí)行副總Michelle Johnston Holthaus罕見在官網(wǎng)上發(fā)出道歉信，針對近一年來發(fā)生的CPU出貨延遲問題表達歉意。而因為英特爾的道歉大動作，使得市場評估，實際上英特爾CPU缺貨的狀況要比之前所預(yù)估的更加嚴(yán)重。而英特爾CPU缺貨而造成的個人電腦出貨遞延，之前包括惠普與聯(lián)想兩大品牌電腦大廠高層都出面抱怨過。甚至是這樣CPU缺貨的態(tài)勢，還可能沖擊到好不容易等到低點反彈時機的DRAM產(chǎn)業(yè)，使得復(fù)蘇時間再遞延。

如今，在聯(lián)想與惠普再加上DRAM業(yè)者之后，全球個人電腦出貨量第三的戴爾電腦也表示，英特爾CPU缺貨的狀況沖擊個人電腦的出貨量，因此將下修2020財年年全年的營收。

根據(jù)《路透社》的報導(dǎo)，目前占戴爾電腦總營收將近一半的個人電腦事業(yè)部，在2020財年第3季營收較第2季成長了4.6%，金額來到114.1億美元。相較于伺服器和網(wǎng)路部門的營收在第3季來到42.4億美元，較第2季下滑了16%的情況，其表現(xiàn)明顯優(yōu)異，只是這樣的情況在第4季預(yù)計將會遭逢瓶頸。

報導(dǎo)指出，戴爾營運長Jeffrey Clarke在與分析師的電話財報會議上表示，因為英特爾CPU短缺狀況較上一季更加嚴(yán)重，影響了戴爾電腦的商用和高端消費型個人電腦在第4季的預(yù)期出貨量。這將使得戴爾電腦預(yù)計把2020財年營收，由原本預(yù)估的927億美元至942億美元，下調(diào)至915億美元至922億美元之間。

而對于CPU缺貨所造成的市場壓力，英特爾方面日前曾經(jīng)表示，除了持續(xù)提升產(chǎn)能與優(yōu)化良率來滿足市場上的需求之外，未來來不排除采用委外代工的模式，以進一步填補CPU缺貨的缺口。不過，目前有哪些產(chǎn)品要委外、又會委外給那些廠商，英特爾則是表示尚在評估當(dāng)中。

集邦咨詢2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會圓滿落幕！

集邦咨詢2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會圓滿落幕！

由 中代科技評論關(guān)閉

本峰會圍繞半導(dǎo)體及存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，詳細(xì)解讀全球半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)宏觀經(jīng)濟環(huán)境、產(chǎn)業(yè)細(xì)分市場以及技術(shù)演變動態(tài)，深度分析未來的驅(qū)動因素和應(yīng)用商機，為產(chǎn)業(yè)及企業(yè)同步提供前瞻性、戰(zhàn)略性規(guī)劃參考，大會現(xiàn)場人氣爆滿、座無虛席。

會議伊始，集邦科技董事長劉炯朗為大會做開幕致辭，對所有參會嘉賓的蒞臨表示感謝。緊接著，集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心DRAMeXchange與拓墣產(chǎn)業(yè)研究院的半導(dǎo)體及存儲產(chǎn)業(yè)各細(xì)分領(lǐng)域分析師、行業(yè)專家等展開精彩演講，下面整理了各演講嘉賓演講的主要內(nèi)容，以饗讀者：

圖1：集邦科技董事長劉炯朗致開幕詞

郭祚榮：2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析

圖2：集邦咨詢DRAMeXchange研究副總經(jīng)理? 郭祚榮

全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)出量明年年成長為12%，為近十年來新低的水平，原因在于各內(nèi)存大廠對于資本支出保守加上工藝轉(zhuǎn)進趨緩?fù)?，?nèi)存價格亦歷經(jīng)了長達一年半的下跌，都讓內(nèi)存大廠想藉由產(chǎn)出的控制，以期明年市場從現(xiàn)在的供過于求往供需平衡邁進。

從產(chǎn)能與工藝的角度來看，全球內(nèi)存投片只有4%的成長，三大主要內(nèi)存廠明年幾乎沒有大規(guī)模新增的產(chǎn)能，明年1X/1Ynm依然是市場主要工藝，1Znm工藝呈現(xiàn)緩步成長。集邦咨詢預(yù)估，明年內(nèi)存價格將有機會在上半年止跌反彈，改善目前的獲利結(jié)構(gòu)。

鐘寶星：5G芯引擎為存儲提供核心動力

圖3：紫光展銳消費電子產(chǎn)品規(guī)劃部部長? 鐘寶星

5G大帶寬、海量連接、超低時延的豐富應(yīng)用場景對存儲提出了更大容量、更加穩(wěn)定、更快響應(yīng)的新要求。5G芯引擎的發(fā)動，從中心、云端存儲維度和邊緣、終端存儲維度都會帶來新的變革，為存儲產(chǎn)業(yè)提供核心動力。

5G時代下IOT將產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)，預(yù)計2025年物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量約80ZB，相當(dāng)于約5154噸1T硬盤。邊緣數(shù)據(jù)在廣度、深度、精度上的全面提升，帶來存儲、模組、傳感器全面升級；5-10倍的速率提升，主流應(yīng)用內(nèi)容質(zhì)量提升數(shù)倍，讀寫速度需求同步增長，5G帶來大帶寬意味著更大量的信息需要被傳輸、處理和存儲，勢必帶動新的一輪硬件升級，帶來新一波智能手機換機熱潮。未來5G加AI的融合，數(shù)據(jù)除了在中心云端處理外，數(shù)據(jù)也會在邊緣端做更多的處理，邊緣AI的普及以及終端低延時應(yīng)用均對存儲提出了更高、更快、更強的要求。

中國作為全球最大的智能手機市場，將成為存儲的先鋒市場。5G時代全球性的終端升級帶動存儲的高速增長，將全面開啟存儲產(chǎn)業(yè)的新黃金時代。

余大年：存儲在電子競技產(chǎn)業(yè)鏈中的應(yīng)用

圖4：芝奇國際技術(shù)行銷總監(jiān)? 余大年

近年來電競產(chǎn)業(yè)在世界各地快速成長，加上現(xiàn)代電競電腦需要更強大的多任務(wù)同步處理能力及執(zhí)行高畫質(zhì)游戲的性能，帶動了高速度、高容量存儲產(chǎn)品的需求。

芝奇國際為全球高端電競內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌，多年來透過獨特的極限超頻技術(shù)，將每一世代硬件效能發(fā)揮至極限，不僅提供電競玩家更高性能內(nèi)存產(chǎn)品，也同時樹立下一世代高端硬件的規(guī)格標(biāo)竿，成為加速人類科技進化的推手。

DDR5即將問世，內(nèi)存速度及容量勢必再做提升，如何能持續(xù)開發(fā)出更高性能產(chǎn)品以滿足電競玩家需求，將會是各大存儲廠商如何于電競市場致勝的關(guān)鍵。

葉茂盛：2020年智能手機發(fā)展與存儲市場趨勢分析

圖5：集邦咨詢DRAMeXchange分析師? 葉茂盛

智能手機市場已經(jīng)發(fā)展進入高原期，加上硬件創(chuàng)新幅度有限的因素，2020年生產(chǎn)量將大致持平，其中行動裝置存儲需求除傳統(tǒng)上消費者越換越大的預(yù)期以外，明年受到5G手機滲透率提升影響，所需傳輸速度與容量要求皆有提升，在嵌入式產(chǎn)品界面方面，eMMC 5.1已難以負(fù)荷5G時代的基本傳輸要求，加上價格的誘因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速滲透，促使行動裝置市場閃存位元出貨成長達到32%，較2019年不到30%改善，也有助于整體閃存市場需求有較佳成長表現(xiàn)。

徐征：利基型DRAM市場趨勢分析

圖6：晉華集成副總經(jīng)理? 徐征

目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要應(yīng)用于消費型電子產(chǎn)品。2019年DRAM市場供過于求，各大DRAM業(yè)者通過降價減產(chǎn)的方式降低庫存水位，同時三大DRAM業(yè)者重新調(diào)整產(chǎn)線，加速1Znm制程，帶動利基型DRAM的規(guī)格朝向DDR4邁進。

需求端，目前利基型DRAM的位需求量持續(xù)提升已是市場共識，而中國龐大市場需求是中國DRAM制造業(yè)者們的商機所在；供給端，在三大供應(yīng)商加速利基型DRAM規(guī)格迭代情況下，市場上普遍認(rèn)為消費型電子市場DDR4及LPDDR4的滲透率將逐年提升。?

然而，大部分的消費型電子產(chǎn)品并不需要如此快速的規(guī)格轉(zhuǎn)型，加上中國已領(lǐng)先全球著手布建5G系統(tǒng)，更有利于殺手級應(yīng)用的產(chǎn)生，在此情形之下，倘若中國DRAM業(yè)者能夠補足需求缺口，滿足當(dāng)下市場的需求，勢必能減緩終端應(yīng)用廠商面臨被迫轉(zhuǎn)換的壓力，這將是中國DRAM業(yè)者成長的好機會。?

吳元雄：存儲技術(shù)與解決方案發(fā)展

圖7：力晶積成電子存儲器事業(yè)群總經(jīng)理? 吳元雄

傳統(tǒng)計算器架構(gòu)中，動態(tài)隨機存取存儲器帶寬是受限的。在一些存儲器存取頻繁的應(yīng)用中，處理器往往會因帶寬受限，無法獲得充分?jǐn)?shù)據(jù)進行有效運算，這就是所謂“內(nèi)存墻”或“memory wall”問題。

力晶積成電子身為專業(yè)晶圓代工廠，除了邏輯晶圓代工之外，也是業(yè)界唯一專業(yè)動態(tài)隨機存取存儲器晶圓代工廠。力晶積成電子特此綜合這兩項專長，針對深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，開發(fā)了AIM（AI Memory）平臺，旨在解決內(nèi)存墻問題。

力晶積成電子AIM平臺，乃基于力晶先進之動態(tài)隨機存取存儲器制程技術(shù)，可用于制作各式深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速電路。由于加速電路直接植入動態(tài)隨機存取存儲器陣列旁，如此加速電路可享有超高動態(tài)隨機存取存儲器帶寬，完全解決內(nèi)存墻問題。并且由于無需傳統(tǒng)外部存儲器接口，外部接口傳輸所導(dǎo)致之功耗及延遲也一并免除。

劉家豪：IT基礎(chǔ)架構(gòu)轉(zhuǎn)型驅(qū)動存儲器市場新紀(jì)元

圖8：集邦咨詢DRAMeXchange資深分析師? 劉家豪

近年因AI技術(shù)逐漸成熟與智能終端裝置普及，多數(shù)應(yīng)用服務(wù)皆藉由服務(wù)器來統(tǒng)合，尤其是需依賴龐大數(shù)據(jù)進行運算與訓(xùn)練的應(yīng)用服務(wù)，再加上虛擬化平臺及云儲存技術(shù)發(fā)展，服務(wù)器需求與日俱增。此外，在產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)改變與服務(wù)器運算單元大幅進步之下，亦將帶動與傳統(tǒng)應(yīng)用服務(wù)截然不同的服務(wù)器架構(gòu)發(fā)展，進一步推升服務(wù)器的需求。

在云端架構(gòu)提供服務(wù)的基礎(chǔ)上，終端被賦予的運算能力相對薄弱，多是藉由云端來獲取運算與存儲資源，預(yù)期5G商轉(zhuǎn)后數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用將更多元，帶動微型服務(wù)器（Micro Server Node）與邊際運算（Edge Computing）成長，并將成為2020年后的發(fā)展主軸，以實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)與車聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用場景。

受到數(shù)據(jù)中心的落實驅(qū)動，2019年服務(wù)器DRAM全年使用量占整體DRAM的三成以上，預(yù)估2025年在5G相關(guān)部署驅(qū)動下，更將上升至接近四成。

梁紅偉：面向ABC時代的存儲器技術(shù)演進與挑戰(zhàn)

圖9：宇視科技云存儲開發(fā)部部長? 梁紅偉

伴隨著云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等信息技術(shù)的快速發(fā)展和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化的轉(zhuǎn)型，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級增長，傳統(tǒng)存儲架構(gòu)存在性能/容量擴展有限、數(shù)據(jù)可靠性一般等“通病”，已經(jīng)不能適用于海量數(shù)據(jù)存儲。

AI+安防是人工智能技術(shù)商業(yè)落地發(fā)展最快、市場容量最大的主賽道之一。該領(lǐng)域的智能方案產(chǎn)品配置繁瑣、成本高，方案復(fù)雜、組件多、開局調(diào)試工作量大，運維復(fù)雜、數(shù)據(jù)路徑長等，對存儲方案提出了新訴求。云計算方面，傳統(tǒng)存儲在設(shè)備資源統(tǒng)一管理、擴展性及節(jié)點故障保護上都存在缺陷，無法適應(yīng)虛擬化數(shù)據(jù)中心彈性可擴展的未來要求。宇視超融合存儲解決方案針對傳統(tǒng)存儲方案存在的問題、痛點，給出了不一樣的解決之道。

黃士德：主控芯片創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用發(fā)展及挑戰(zhàn)

圖10：慧榮科技SSD產(chǎn)品協(xié)理? 黃士德

隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等新科技不斷發(fā)展演進、大數(shù)據(jù)的產(chǎn)出，促使NAND閃存技術(shù)迅速發(fā)展，3D NAND閃存的堆棧層數(shù)也已經(jīng)高達100層以上，單顆NAND閃存的容量己從32GB提高到64GB、128GB。目前3D NAND正迎來價格下跌刺激高需求、低密度傳統(tǒng)硬盤更換、新的體系架構(gòu)和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、高帶寬數(shù)據(jù)流和5G寬帶、人工智能+存儲等帶來的市場機遇。

NAND閃存存儲應(yīng)用越來越廣泛，從記憶卡到移動電話中的eMMC及被廣泛應(yīng)用的固態(tài)硬盤，主控芯片扮演相當(dāng)重要的關(guān)鍵角色，其促使NAND閃存在不同應(yīng)用下發(fā)揮極致效能。如在自動駕駛汽車存儲領(lǐng)域，自動駕駛汽車需要安全可靠且響應(yīng)迅速的解決方案，對存儲器的性能、數(shù)據(jù)校正、可靠性、溫度范圍等均提出了更高需求。

呂國鼎：閃存控制芯片暨儲存產(chǎn)業(yè)資源共享平臺大聯(lián)盟

圖11：群聯(lián)電子營銷暨項目企劃室項目經(jīng)理? 呂國鼎

長久以來，存儲產(chǎn)業(yè)一直存在一個迷思，就是存儲產(chǎn)業(yè)市場很大，殊不知，市場很大指的是閃存芯片（NAND Flash），而非閃存主控（NAND Controller）。在主控開發(fā)成本不斷提升，而主控芯片售價卻不斷下降的狀況，閃存主控難以獲利的情況及趨勢將愈來愈嚴(yán)重。

群聯(lián)獨特的營運模式，歷經(jīng)20年的產(chǎn)業(yè)洗禮，不斷成長茁壯。群聯(lián)也將透過最完整的閃存主控相關(guān)IP授權(quán)及ASIC設(shè)計服務(wù)，建構(gòu)“閃存主控暨存儲產(chǎn)業(yè)資源共享平臺大聯(lián)盟”，協(xié)助國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)實踐自主可控的中國芯大愿。

陳玠瑋：2020年全球閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

圖12：集邦咨詢DRAMeXchange研究協(xié)理? 陳玠瑋

全球閃存產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出量明年年成長為約30%，為近幾年來相對低檔的水平，原因在于閃存大廠除中國長江存儲較積極投資外，其他競爭者對于資本支出都較以往來得保守，導(dǎo)致新產(chǎn)能增加有限；再加上明年又要轉(zhuǎn)換新制程到更具挑戰(zhàn)性的128L等級，良率提升速度也會比之前來得緩慢。

另一方面，因為2019年閃存市場ASP大跌40-50%，讓閃存大廠由盈轉(zhuǎn)虧，也是造成2020年擴張保守的主因之一。集邦咨詢預(yù)估，明年閃存價格在供給面成長動能受限，以及需求端有機會回歸正常表現(xiàn)下，將出現(xiàn)另一波漲勢動能。

徐韶甫：晶圓代工工藝飛躍，高端制程坐7趕5追3

圖13：集邦拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析師? 徐韶甫

2019年在總體經(jīng)濟不穩(wěn)定的影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)呈現(xiàn)衰退，晶圓代工產(chǎn)業(yè)更迎來罕見負(fù)成長。

而展望2020年，盡管市場氛圍仍有不確定性，但受惠于5G、AI、車用等新興終端應(yīng)用需求的持續(xù)挹注，可望拉抬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸脫離谷底；尤其在高端運算需求下，IC設(shè)計業(yè)者持續(xù)導(dǎo)入新一代矽智權(quán)，與最新制程技術(shù)結(jié)合，強化芯片效能與芯片客制化能力，提升了先進制程的采用率。

即便在2019年半導(dǎo)體景氣低迷的情形下，7納米節(jié)點的采用率仍獲得大幅度的提升，也更加速7納米EUV（極紫外光）與5納米的量產(chǎn)商用，并連帶推升市場對3納米節(jié)點的信心，使先進制程研發(fā)的時程圖更加明朗化，日后將持續(xù)提高先進制程在晶圓代工中的份額，并藉由先進制程工藝的躍進來扶持摩爾定律的延續(xù)。

結(jié)語：

本次峰會的議題分別從內(nèi)存與閃存的市場供需態(tài)勢、技術(shù)發(fā)展方向、應(yīng)用領(lǐng)域趨勢等方面，對半導(dǎo)體及存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢進行了全方位解讀與剖析，助力存儲產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)把握商機，為行業(yè)人士獻上了一場精彩紛呈的產(chǎn)業(yè)交流盛宴。

在演講嘉賓的精彩分享及參會人士的積極支持下，本次峰會圓滿落幕！集邦咨詢未來仍將提供最新的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)與動態(tài)，繼續(xù)為推動存儲產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展作貢獻！

【關(guān)于集邦咨詢】

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