2019年，存儲行業(yè)呈現(xiàn)了不少機(jī)遇，也充滿了挑戰(zhàn)。一方面，5G、AI 等技術(shù)的發(fā)展，使得未來的智能生活場景有了較大的想象空間,移動、家庭、車載以及辦公等各個領(lǐng)域?qū)τ趍emory的需求也在不斷增加。

另一方面，國際貿(mào)易局勢緊張，上半年NAND Flash、DRAM價格波動劇烈，市場終端需求在全球經(jīng)濟(jì)疲軟的大環(huán)境下也表現(xiàn)的不溫不火，中國市場一枝獨(dú)秀，已成為全球最大的單一市場。

如今，存儲芯片國產(chǎn)化已被提升到國家戰(zhàn)略層面，面對如此情形，國產(chǎn)存儲芯片究竟該如何發(fā)力？民族企業(yè)又該如何突圍？越來越多的經(jīng)驗(yàn)證明，想要在激烈的市場競爭中立于不敗之地，就需要企業(yè)之間的交流合作、共贏創(chuàng)新。

戰(zhàn)略合作簽約 構(gòu)建共贏格局?

11月20日下午，宏旺半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱：宏旺半導(dǎo)體）與深圳衡宇芯片科技有限公司（以下簡稱：衡宇科技）的戰(zhàn)略合作簽約儀式在深圳龍珠維也納酒店舉行。

本次戰(zhàn)略合作簽約儀式以“攜手同行、共創(chuàng)芯生”為主題，雙方將通過嵌入式存儲、SSD、TF/SD卡等存儲類產(chǎn)品的合作，進(jìn)行資源共享和優(yōu)勢互補(bǔ)，提升產(chǎn)品品質(zhì)，積極參與并推動中國存儲生態(tài)發(fā)展。

在簽約儀式現(xiàn)場，宏旺半導(dǎo)體董事長李斌、衡宇科技董事長顏池男對本次簽約合作發(fā)表了致辭。衡宇科技PM胡家銘、宏旺半導(dǎo)體PM嚴(yán)坤對當(dāng)前行業(yè)、產(chǎn)品、技術(shù)優(yōu)勢進(jìn)行了深入淺出地講解。

集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷經(jīng)多年，存儲器一直都是半導(dǎo)體業(yè)基礎(chǔ)性的大宗商品，市場需求量龐大。近年來，以云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展，引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長，對存儲器的需求更是不斷增加。

數(shù)據(jù)顯示，中國2018年存儲器進(jìn)口額預(yù)計(jì)達(dá)1000億美元，超過全球出貨的60%，中國已成為了全球存儲產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場。

宏旺半導(dǎo)體董事長 李斌

面對廣闊的市場空間，宏旺半導(dǎo)體董事長李斌先生希望雙方的協(xié)作深入拓展到存儲類產(chǎn)品的各個細(xì)分領(lǐng)域，加強(qiáng)開放合作，共同做大產(chǎn)業(yè)、做大市場。同時，構(gòu)建融合的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，實(shí)現(xiàn)雙方的生態(tài)共享、標(biāo)準(zhǔn)共建、渠道共推，從而帶動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。

衡宇科技董事長 顏池男

衡宇科技董事長顏池男先生也表示，存儲芯片的市場規(guī)模十分巨大，約占半導(dǎo)體總體市場的三分之一，因此，發(fā)展存儲芯片、加強(qiáng)戰(zhàn)略合作都十分必要。

衡宇科技PM 胡家銘

在宏旺半導(dǎo)體PM嚴(yán)坤看來，企業(yè)要解決日益增長的存儲需求，一是需要豐富完善的產(chǎn)品線，二是擁有專業(yè)的銷售團(tuán)隊(duì)，三是能為客戶提供極致的體驗(yàn)，四是尋找緊密的合作伙伴。而此次宏旺半導(dǎo)體與衡宇科技的合作，勢必將會優(yōu)化資源，為客戶提供高品質(zhì)的存儲服務(wù)。

宏旺半導(dǎo)體PM 嚴(yán)坤

賦能存儲市場 合力推動創(chuàng)新

衡宇科技是由閃存業(yè)界超過十多年經(jīng)驗(yàn)的同仁組合而成，在短短數(shù)年內(nèi)就開發(fā)出支持各家閃存原廠的全系列控制芯片，2019更發(fā)表了帶有先進(jìn)LDPC + AI 除錯引擎的PCIe SSD和eMMC芯片來支持3D TLC和QLC內(nèi)存。

衡宇科技在IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)有多年經(jīng)驗(yàn)，在存儲控制芯片領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，并致力于將Flash領(lǐng)域的技術(shù)深植全球，為存儲類產(chǎn)品的發(fā)展貢獻(xiàn)一份自己的力量。

讓用戶隨時隨地、隨心儲存，一直是宏旺半導(dǎo)體所追求的。作為國產(chǎn)存儲新勢力，宏旺半導(dǎo)體始終堅(jiān)持自主設(shè)計(jì)研發(fā)、封裝測試等，堅(jiān)持對品質(zhì)的追求。經(jīng)過十五年的探索和發(fā)展，宏旺半導(dǎo)體已擁有豐富的產(chǎn)品線、高品質(zhì)產(chǎn)品、完備的售后和服務(wù)以及穩(wěn)定的產(chǎn)能供應(yīng)保障。

宏旺半導(dǎo)體目前已打造嵌入式存儲、移動式存儲、SSD、內(nèi)存條四條產(chǎn)品線，覆蓋eMMC/eMCP/DDR/LPDDR/UFS/UMCP/SLC/SSD/NAND-FlASH等多個產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于手持移動終端、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、電腦及周邊、醫(yī)療、辦公、汽車電子及工業(yè)控制等設(shè)備的各個領(lǐng)域。

在存儲芯片國產(chǎn)化替代的道路上，宏旺半導(dǎo)體始終以“中國芯·宏旺夢”為愿景和使命，并且保持著自身的特色和優(yōu)勢。宏旺半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)占公司總?cè)藬?shù)的60%，并有獨(dú)立的FW/HW 研發(fā)隊(duì)伍，研發(fā)中心leader均來自國立清華大學(xué)、國立交通大學(xué)等知名院校，充分整合了兩岸的行業(yè)資源和優(yōu)秀人才。

在知識產(chǎn)權(quán)方面，截止目前，公司已申報獲取了十多項(xiàng)知識產(chǎn)權(quán)，覆蓋存儲芯片多個產(chǎn)品線。

不積跬步，無以至千里。此次衡宇科技和ICMAX的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，將勢必推動產(chǎn)品和渠道的結(jié)合更加緊密，并產(chǎn)生質(zhì)的變化。未來ICMAX還將和新伙伴衡宇科技一起，打造更多元化的存儲類產(chǎn)品，利用雙方強(qiáng)大的實(shí)力，讓大家用到更加優(yōu)質(zhì)的存儲產(chǎn)品，為存儲芯片國產(chǎn)化替代發(fā)力！

為深入貫徹落實(shí)省委、省人民政府“一芯兩帶三區(qū)”布局和推進(jìn)十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的工作部署，近日，武漢市政府印發(fā)了《關(guān)于推進(jìn)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的意見》（以下簡稱《發(fā)展意見》）。

《發(fā)展意見》提出，到2022年，全市重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務(wù)收入達(dá)到17000億元，同時確定了集成電路、光電子信息、數(shù)字、航空航天、智能制造及高端裝備等八大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)。在集成電路、光電子信息等多領(lǐng)域掌握一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵核心技術(shù)，部分領(lǐng)域達(dá)到世界領(lǐng)先水平，形成核心競爭力。

集成電路產(chǎn)業(yè)

武漢依托國家存儲器基地，重點(diǎn)發(fā)展存儲芯片、光通信芯片和衛(wèi)星導(dǎo)航芯片，形成以芯片設(shè)計(jì)為引領(lǐng)、芯片制造為核心、封裝測試為配套的較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。到2022年，全市集成電路產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務(wù)收入力爭達(dá)到1000億元以上。

芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，圍繞信息存儲、光通信、顯示、衛(wèi)星導(dǎo)航、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等優(yōu)勢領(lǐng)域，強(qiáng)化集成電路設(shè)計(jì)、軟件開發(fā)、系統(tǒng)集成與應(yīng)用、內(nèi)容與服務(wù)協(xié)同創(chuàng)新，加快核心芯片的設(shè)計(jì)、開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

芯片制造領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)12英寸三維數(shù)據(jù)型閃存（3D—NANDFLASH）、代碼型閃存（NORFLASH）存儲器量產(chǎn)，積極推動現(xiàn)有12英寸生產(chǎn)線改造升級、產(chǎn)能擴(kuò)張、規(guī)模發(fā)展；兼顧8英寸微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS)工藝與其他特色半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線建設(shè)，提升先進(jìn)生產(chǎn)制造工藝對集成電路設(shè)計(jì)的服務(wù)能力；實(shí)現(xiàn)三維集成特種工藝、先進(jìn)存儲器工藝技術(shù)突破；重點(diǎn)開發(fā)應(yīng)用于數(shù)據(jù)通信、移動通信5G領(lǐng)域的25Gb/s速率以上的高速光電子芯片和器件，實(shí)現(xiàn)超過百萬只的規(guī)?；瘧?yīng)用。

封裝測試與材料業(yè)，加快引進(jìn)和大力發(fā)展芯片封裝、測試等生產(chǎn)線建設(shè)，著力發(fā)展閃存（FLASH）、雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（DDR）、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）先進(jìn)測試技術(shù)和測試設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化；加快發(fā)展硅片、封裝膠等集成電路配套材料，加強(qiáng)引線框架、合金鍵合線等關(guān)鍵材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

在重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)布局上，以武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)、武漢臨空港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)為核心發(fā)展區(qū)，重點(diǎn)建設(shè)長江存儲項(xiàng)目、國家先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、武漢光谷集成電路產(chǎn)業(yè)園，籌建長江芯片研究院，支持弘芯半導(dǎo)體項(xiàng)目進(jìn)入國家窗口指導(dǎo)。

光電子信息產(chǎn)業(yè)

新一代信息技術(shù)。發(fā)揮光電子信息、5G等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢，重點(diǎn)培育光通信、新型顯示與智能終端、5G、信息安全等細(xì)分領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，建成具有國際影響力的新一代信息產(chǎn)業(yè)基地。到2022年，全市新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務(wù)收入力爭達(dá)到1200億元以上。

人工智能方面，重點(diǎn)發(fā)展虹膜識別、指紋識別、人臉識別等生物識別領(lǐng)域的應(yīng)用。大力發(fā)展自動駕駛、無人機(jī)試飛、智能家居等應(yīng)用場景試點(diǎn)示范。有序發(fā)展深度學(xué)習(xí)、人機(jī)交互等技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用。

智能終端方面，加快智能手機(jī)、平板電腦、智能電視、可穿戴裝備等各類智能終端研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，發(fā)展新一代移動智能終端產(chǎn)品、可穿戴終端產(chǎn)品及智慧教育、智慧交通、智慧語音、智慧安防、智能家居等領(lǐng)域智能終端產(chǎn)品。拓展產(chǎn)品形態(tài)和相關(guān)應(yīng)用服務(wù)，著力完善終端產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈，強(qiáng)化整機(jī)企業(yè)和芯片、器件、軟件企業(yè)協(xié)同發(fā)展。

5G通信方面，加快突破5G核心芯片、高頻器件和虛擬化平臺等關(guān)鍵技術(shù)，加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。推廣應(yīng)用互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議第六版（IPv6）、移動物聯(lián)網(wǎng)（NB—IoT），建成工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)標(biāo)識解析國家頂級節(jié)點(diǎn)（武漢）。加快推進(jìn)5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，推動5G與各行業(yè)深度融合應(yīng)用，構(gòu)建跨領(lǐng)域多技術(shù)融合的創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境。

在重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)布局上，依托武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)、武漢臨空港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，建設(shè)國內(nèi)一流的光通信技術(shù)研發(fā)基地、新型顯示基地、光纖光纜生產(chǎn)基地。

半導(dǎo)體封測大廠南茂第4季業(yè)績可望較第3季成長，毛利率可維持第3季水準(zhǔn)，第4季存儲器封測成長幅度可高于面板驅(qū)動IC封測，明年整體業(yè)績表現(xiàn)可較今年好。

南茂董事長鄭世杰昨天表示，第3季受惠NAND型快閃存儲器（NAND Flash）新品封測成長，此外高毛利面板驅(qū)動與觸控整合單芯片（TDDI）封測營收增加，帶動整體毛利率表現(xiàn)，測試稼動率提升到75%，也改善第3季毛利率表現(xiàn)。

在有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）面板驅(qū)動IC部分，鄭世杰指出，相關(guān)玻璃覆晶封裝（COG）和薄膜覆晶封裝（COF）業(yè)績雖然占比僅4%，不過預(yù)期OLED應(yīng)用在智能手機(jī)可望持續(xù)成長。

展望第4季存儲器封測，南茂表示，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）客戶消化庫存，需求略增；NOR型快閃存儲器客戶需求逐漸增加；NAND型快閃存儲器客戶需求增加，新業(yè)務(wù)專案穩(wěn)定成長。

在面板驅(qū)動IC封測部分，南茂指出，大尺寸面板應(yīng)用在電視等庫存水位較高，需求較為疲弱；小尺寸面板應(yīng)用在智慧型手機(jī)需求強(qiáng)勁；TDDI持續(xù)在HD等級面板擴(kuò)大采用；OLED產(chǎn)品規(guī)模逐漸成長。

鄭世杰表示，產(chǎn)業(yè)狀況改善、美中貿(mào)易摩擦緩和，加上新智能手機(jī)推出，盡管電視面板庫存仍高、市場需求疲弱，不過預(yù)期第4季存儲器成長幅度，可高于驅(qū)動IC，高端產(chǎn)品測試量增加，預(yù)估南茂第4季封測業(yè)績可持續(xù)成長，當(dāng)季訂單審慎樂觀。

法人問及第4季毛利率表現(xiàn)，鄭世杰預(yù)期，第4季毛利率可與第3季相當(dāng)。

展望明年，鄭世杰預(yù)期存儲器封測仍可持續(xù)成長，預(yù)估明年整體狀況可較今年好。

在資本投資部分，鄭世杰表示，南茂持續(xù)投資快閃存儲器封測機(jī)臺，由于OLED面板IC測試時間長，目前有規(guī)劃增加投資，不過還沒有付諸實(shí)現(xiàn)。南茂預(yù)期，今年全年資本支出約占整體營收比重約25%。

才與臺積電進(jìn)行專利訴訟官司和解，并簽訂10年交互授權(quán)協(xié)議的晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計(jì)廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計(jì)服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時間。

格芯表示，為了實(shí)現(xiàn)資料密集AI訓(xùn)練應(yīng)用的容量和頻寬，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師面臨在同時保持合理的功率標(biāo)準(zhǔn)下，將更多的頻寬壓縮到較小區(qū)域的艱鉅挑戰(zhàn)。因此，格芯的12LP平臺和12LP+解決方案，搭配SiFive的定制化高頻寬存儲器介面，能使高頻寬存儲器輕松整合到系統(tǒng)單芯片（SoC）解決方案，從而在運(yùn)算和有線基礎(chǔ)設(shè)施市場中，為AI應(yīng)用提供快速、節(jié)能的數(shù)據(jù)處理。

另外，作為合作的一部分，設(shè)計(jì)人員還能使用SiFive的RISC-V IP產(chǎn)品組合和DesignShare IP生態(tài)系統(tǒng)，運(yùn)用格芯12LP+設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），大幅提高芯片的專門化，改善設(shè)計(jì)效率，在迅速又具成本效益的情況下提供差異化的SoC解決方案。

格芯進(jìn)一步指出，旗下的12LP+是一款針對AI訓(xùn)練和推理應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案，為設(shè)計(jì)人員提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取單元，支持處理器與存儲器之間快速、節(jié)能的數(shù)據(jù)傳輸。此外，用于2.5D封裝的新中介層有助于將高頻寬存儲器與處理器整合在一起，以實(shí)現(xiàn)快速、節(jié)能的數(shù)據(jù)處理。

目前，格芯正在位于美國紐約州馬爾他的8號晶圓廠，進(jìn)行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面和客制IP解決方案的開發(fā)?？蛻魧⒖稍?020年上半年開始進(jìn)行優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)，開發(fā)針對高性能計(jì)算和邊緣AI應(yīng)用的差異化解決方案。

存儲器大廠南亞科4日公布2019年10月份營運(yùn)狀況，根據(jù)資料指出，受到存儲器價格仍維持在低檔情況的影響，南亞科10月份合并營收為45.22億元（新臺幣，下同），較9月份減少9.58%，較2018年同期減少32.76%，為近4個月來的新低紀(jì)錄。累計(jì)，2019年前10個月的營收為為431.34億元，較2018年同期減少42.09%。

雖然自6月以來，南亞科單月營收已連續(xù)3個月拉高，7、8月旺季需求更是明顯，但9月合并營收僅為50.01億元，月減4.23%，動能可能正在消失。南亞科技總經(jīng)理李培瑛日前坦承，雖然服務(wù)器DRAM需求開始有起色，出貨量正在上揚(yáng)，但總體市場仍然低迷，未來庫存去化仍是重點(diǎn)。

李培瑛在之前在法會上表示，在這種市場價格下跌的情況之下，南亞科過去經(jīng)常是陷入虧損的狀態(tài)。目前南亞科還能維持獲利狀況，已非常難得。展望未來，因?yàn)?019年第3季銷售遠(yuǎn)高于預(yù)期，將影響第4季位元銷售將較第3季達(dá)到維持現(xiàn)況或小幅減少的狀態(tài)。

而就第4季的整體情況分析，李培瑛指出，總體經(jīng)濟(jì)不確定性仍將持續(xù)。而在第3季旺季效應(yīng)在出貨量上揚(yáng)，庫存降低的情況下，加上云端服務(wù)器需求逐漸增加，手機(jī)新機(jī)搭載量成長，個人電腦出貨量下半年優(yōu)于上半年，消費(fèi)型電子產(chǎn)品需求穩(wěn)定，這使得預(yù)期第4季DRAM供需平穩(wěn)，價格持平或小幅漲跌。

另外，李培瑛還強(qiáng)調(diào)，因?yàn)榇髲S的庫存消化已達(dá)健康水位，且至少還有兩家廠商醞釀價格反彈，加上2020年在廠商的資本支出方面又偏保守，預(yù)計(jì)2020年市況一定會反轉(zhuǎn)，只是時間點(diǎn)仍待進(jìn)一步觀察。

近期，美光、三星、SK海力士、英特爾等多數(shù)存儲廠商開始看好明年市場復(fù)蘇前景，紛紛加大新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度，希望在新一輪市場競爭中占據(jù)有利地位。專家指出，隨著云計(jì)算、人工智能對數(shù)據(jù)運(yùn)算能力提出越來越嚴(yán)苛的要求，DRAM與NAND的存儲能力正在成為瓶頸，開發(fā)新一代存儲芯片將成為全球各大存儲廠商角力焦點(diǎn)。

市場：多數(shù)存儲廠商看好明年前景

在此情況下，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度，試圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替克服危機(jī)，并在新一輪市場競爭中占據(jù)有利地位。

技術(shù)升級一向是存儲芯片公司間競爭的主要策略。半導(dǎo)體專家莫大康指出，存儲芯片具有高度標(biāo)準(zhǔn)化的特性，且品種單一，較難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。這導(dǎo)致各廠商需要集中在工藝技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模上比拼競爭力。因此，每當(dāng)市場格局出現(xiàn)新舊轉(zhuǎn)換，廠商往往打出技術(shù)牌，以期通過新舊世代產(chǎn)品的改變，提高產(chǎn)品密度，降低制造成本，取得競爭優(yōu)勢。

技術(shù)：3D堆疊vs工藝微縮

3D化是當(dāng)前NAND閃存引領(lǐng)發(fā)展的主要趨勢，各NAND閃存大廠都在3D 堆疊上加大研發(fā)力度，盡可能提升閃存的存儲密度。三星的第一代3D V-NAND只有24層，第二代為32層，隨后是48層……目前市場上的主流3D NAND產(chǎn)品為64層。今年8月三星電子再次宣布實(shí)現(xiàn)第六代超過100層的3D NAND 閃存量產(chǎn)。

美光科技也于近期宣布流片128層的3D NAND，并有望于2020年生產(chǎn)商用化的3D NAND。在近日召開的“Mircon Insight2019”技術(shù)大會上，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將大大降低產(chǎn)品每比特成本。

SK海力士于年初宣布將投資大約1.22萬億韓元用于存儲芯片的開發(fā)和生產(chǎn)。SK海力士目前的主流3D NAND閃存為72層。SK海力士表示，下一代3D NAND堆疊層數(shù)將超過90層，再下一個階段為128層，到了2021年會超過140層。

與NAND閃存不同，因?yàn)镈RAM比較難堆疊芯片層數(shù)，所以制造商大多只能以減少電路間距的方式，提高性能效率。拉近電路距離的好處包含提高信號處理速度、降低工作電壓，以及增加每個硅片的DRAM產(chǎn)量。這也是各大制造商展開納米競爭的緣由。

據(jù)報道，SK海力士在成功開發(fā)第二代10納米級工藝(1y nm)11個月后，近日再度取得新進(jìn)展，成功開發(fā)出第三代10納米級工藝(1z nm)的16G DDR4 DRAM。SK海力士 DRAM開發(fā)與業(yè)務(wù)主管Lee Jung-hoon表示：“1z nm DDR4 DRAM提供了業(yè)界最高的密度、速度和能效，使其成為高性能、高密度DRAM客戶適應(yīng)不斷變化的需求的最佳選擇?！?0納米級的DRAM制程分為1代(1x)、2代(1y)與3代(1z)。1z nm生產(chǎn)效率比前一代高出27%，SK海力士將于明年開始量產(chǎn)并全面交付。

除SK海力士外，三星電子、美光也已成功實(shí)施1z工程。三星電子于3月完成1z DRAM的開發(fā)，并從9月開始量產(chǎn)。而且三星電子還表示將于今年年底前引入極紫外光(EUV)光刻技術(shù)。美光也在今年8月宣布開發(fā)1z工藝的16Gb DDR4。目前，美光已經(jīng)開始量產(chǎn)1z nm的16Gb DDR4，密度更高，功耗降低了40%。

焦點(diǎn)：新一代存儲芯片開始量產(chǎn)

云計(jì)算與人工智能對數(shù)據(jù)的運(yùn)算能力提出越來越嚴(yán)苛的要求，DRAM與NAND的存儲能力正在成為瓶頸，越來越多的新一代存儲芯片被開發(fā)出來。因此，新一代存儲芯片的布局與開發(fā)也成為各大存儲公司角力的焦點(diǎn)。

“Mircon Insight2019”技術(shù)大會上，美光科技正式宣布推出了基于3D XPoint技術(shù)的超高速SSD硬盤X100。這是美光產(chǎn)品系列中首款面向數(shù)據(jù)中心的存儲和內(nèi)存密集型應(yīng)用程序的解決方案，利用新一代3D XPoint存儲技術(shù)，在內(nèi)存到存儲的層次結(jié)構(gòu)中引入新的層級，具有比DRAM更大的容量和更好的持久性，以及比NAND更高的耐用度和更強(qiáng)性能。

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：“美光是全球?yàn)閿?shù)不多的DRAM、NAND和 3D XPoint解決方案垂直整合提供商，該產(chǎn)品將繼續(xù)推動我們的產(chǎn)品組合向更高價值的解決方案發(fā)展，從而加速人工智能能力發(fā)展、推動更快的數(shù)據(jù)分析，并為客戶創(chuàng)造新的價值?！?/p>

三星則重點(diǎn)發(fā)展新一代存儲技術(shù)MRAM。今年年初，三星宣布量產(chǎn)首款可商用的eMRAM產(chǎn)品。三星計(jì)劃年內(nèi)開始生產(chǎn)1G容量的eMRAM測試芯片，采用基于FD-SOI的28nm工藝。

三星代工市場副總裁Ryan Lee表示：“在克服新材料的復(fù)雜挑戰(zhàn)后，我們推出了嵌入式非易失性存儲器eMRAM技術(shù)，并通過eMRAM與現(xiàn)有成熟的邏輯技術(shù)相結(jié)合，三星晶圓代工繼續(xù)擴(kuò)大新興的非易失存儲器工藝產(chǎn)品組合，以滿足客戶和市場需求。”

臺積電同樣重視下一代存儲器的開發(fā)。2017年臺積電技術(shù)長孫元成首次透露，臺積電已開始研發(fā)eMRAM和eRRAM，采用22nm制程。這是臺積電應(yīng)對物聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備、高速運(yùn)算電腦和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新存儲器。

臺積電共同執(zhí)行長劉德音日前在接受媒體采訪時表示，臺積電不排除收購一家存儲器芯片公司，再次表達(dá)了對下一代存儲技術(shù)的興趣。

中國：爭當(dāng)與產(chǎn)業(yè)共進(jìn)“貢獻(xiàn)者”

目前，中國半導(dǎo)體廠商也在積極發(fā)展存儲芯片事業(yè)?？紤]到國際存儲大廠仍在不斷壘高技術(shù)門檻，中國的存儲事業(yè)仍有很長一段路要走，技術(shù)與創(chuàng)新將是成敗的關(guān)鍵。

對此，莫大康曾經(jīng)指出，考慮到整個產(chǎn)業(yè)形勢，在未來相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，中國存儲產(chǎn)業(yè)必須是一個踏踏實(shí)實(shí)的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”，同樣又要爭當(dāng)一個與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻(xiàn)者”。

2018年，長江存儲在FMS(閃存技術(shù)峰會)上首次公開了自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)，榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎項(xiàng)。它可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路，這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

今年9月，長江存儲宣布量產(chǎn)采用Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND。長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華表示：“通過將Xtacking架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展?！遍L江存儲還宣布正在開發(fā)下一代Xtacking2.0技術(shù)，Xtacking 2.0將進(jìn)一步提升NAND的吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等。

今年9月，合肥長鑫在2019世界制造業(yè)大會上，宣布DRAM內(nèi)存芯片投產(chǎn)。合肥長鑫現(xiàn)場展示了8Gb DDR4芯片，采用19nm(1x)工藝生產(chǎn)，和國際主流DRAM工藝基本保持同步。長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示，8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

不過，中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)仍然處于剛起步階段。根據(jù)集邦咨詢的評估，2020年中國存儲產(chǎn)量只相當(dāng)于全球產(chǎn)能的3%。要想發(fā)展壯大，在國際市場中發(fā)揮影響力，自立自強(qiáng)始終是企業(yè)成敗的關(guān)鍵。

三星電子31日發(fā)布的最新財(cái)報顯示，由于芯片價格持續(xù)下跌，第三季度營運(yùn)利潤同比下降近56%，不過仍略優(yōu)于市場預(yù)期。

三星第三季度營收為62萬億韓元，營業(yè)利潤為7.78萬億韓元，同比下降近56%，營業(yè)利潤率為12.5%。凈利6.29萬億韓元，同比減少52.3%。這已是連續(xù)第4個季度，三星獲利同比下滑，但仍優(yōu)于此前市場預(yù)估的5.8萬億韓元。

且三星認(rèn)為，接下來的第四季存儲器芯片需求將比第三季回溫，2020年也將穩(wěn)健，預(yù)期第四季仍能實(shí)現(xiàn)低個位數(shù)成長。

（Source：三星）

目前最受關(guān)注的還是智能手機(jī)和資料中心所使用的存儲器行情，也是三星主要獲利來源。三星對此相當(dāng)樂觀的表示，由于5G技術(shù)的發(fā)展，存儲器需求將會持續(xù)擴(kuò)展，明年將會觸底反彈。且目前旗艦機(jī)Galaxy Note 10的出貨強(qiáng)勁，也帶來更好的盈利能力，其行動部門的收入成長近17.4%。

值得一提的是，證券分析師指出，這是受益于美國華為禁售令，三星將因華為禁售令而在除中國大陸外的5G手機(jī)競爭中獲勝。還有IBK證券近期也有分析師報告提到，預(yù)計(jì)到明年第三季DRAM價格將開始復(fù)蘇，其中服務(wù)器芯片需求將會大幅增加，且認(rèn)為折疊屏幕手機(jī)未來也將成為一個新亮點(diǎn)。

但《彭博社》的研究則沒有那么看好，盡管市場似乎對存儲器態(tài)度轉(zhuǎn)趨樂觀，但三星至明年初營利還是會持續(xù)下滑。簡單來講，盡管明年三星可望改善中小尺寸顯示器的產(chǎn)能利用率，但競爭也會更加劇烈，甚至可能在第四季就將惡化，而同樣手機(jī)出貨預(yù)估也會下修，零組件需求將受到季節(jié)因素影響而趨軟。

（Source：三星）

三星自身其實(shí)也表示，今年資本支出與去年差不多，不過受到行銷費(fèi)用增加影響，獲利并不是很穩(wěn)定，其強(qiáng)調(diào)，在大環(huán)境風(fēng)險高的情況下，仍謹(jǐn)慎看待2020年。

還有需注意的是，在晶圓代工方面，三星表示，今年第四季將開始大量生產(chǎn)EUV 7納米產(chǎn)品，EUV 5納米即將流片，已獲得新訂單，并將建立4納米設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)設(shè)施。三星強(qiáng)調(diào)，將藉由擴(kuò)大新興科技應(yīng)用訂單來加速其客戶多元化，并致力完成GAA 3納米制程的開發(fā)。