三星存儲器擴廠引發(fā)臺廠憂慮,當前消化庫存為主沖擊不明顯

三星存儲器擴廠引發(fā)臺廠憂慮,當前消化庫存為主沖擊不明顯

根據(jù)韓國媒體報導,在當前存儲器價格已經(jīng)觸底反彈,整體市場庫水水位也進一步降低的情況之下,三星決定開始恢復針對存儲器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出,三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設備,也為在中國大陸西安的X2晶圓廠訂購了NAND Flash快閃存儲器設備,顯示已經(jīng)逐漸又恢復存儲器市場的布局。而這樣的狀態(tài)下,未來可能將沖擊中國臺灣存儲器廠商的營運狀況。

根據(jù)韓媒的報導、在近期存儲器價格逐漸回溫,加上大陸存儲器廠積極發(fā)展的情況之下,三星決心開始投資存儲器產(chǎn)業(yè)。三星在2019年第3季預計將投資10.1萬億韓元(約84億美元)的金額用于研發(fā),創(chuàng)下該公司的歷史新高紀錄。

但是,其相關資本支出只有10.7萬億韓元,則是史上新低紀錄。而為了能恢復之前的高峰期狀況,知情人士指出,三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設備,也為在西安的X2晶圓廠訂購了NAND Flash快閃存儲器設備,顯示已經(jīng)逐漸又恢復存儲器市場的布局。

報導進一步指出,三星開始為韓國平澤廠和大陸西安廠下單采購設備,包括為韓國P2廠采購DRAM設備,先規(guī)劃2020年第1季每月新增約1萬片產(chǎn)能。并添購西安的X2晶圓廠的NAND Flash快閃存儲器機臺,預計每月新增2萬片產(chǎn)能。除此之外,也正在討論X2晶圓廠追加采購規(guī)模4萬片晶圓的設施。

事實上,對于三星的擴產(chǎn),市場目前呈現(xiàn)看法兩極的態(tài)勢。樂觀者認為,如此顯示三星的庫存壓力已經(jīng)解除,顯示存儲器有機會反彈回升。

而悲觀者認為,在存儲器尚未出現(xiàn)明顯反彈訊號前,三星的大幅度擴產(chǎn)是否會沖擊才剛脆弱回溫的存儲器價格表現(xiàn),則令人擔憂。另外,三星在存儲器的產(chǎn)能居全球之牛耳,這一擴產(chǎn)行動的發(fā)布,有可能沖擊目前狀況并不是太好的臺系存儲器廠商。

對此,根據(jù)市場人士指出,在10月份的合約價格議定大多已經(jīng)議定完成,合約價格跌幅不超過5%的情況下,交易量較第3季的首月進一步放大。不過,在動能表現(xiàn)不足狀況下,部份供貨商價格較顯松軟,談價間相對較大。因此,低價部位仍有些許成交,最終交易情況仍顯疲弱。

因此,雖然在供給端的危機化解以后,現(xiàn)貨價格開始產(chǎn)生連續(xù)下跌的走勢,由7月底至今跌幅已經(jīng)超過22%,并且10月中旬正式跌破起漲前的新低點。但從當前的現(xiàn)貨與合約市場做觀察,其實合約價格已經(jīng)走穩(wěn),10月份的合約價均價跌幅僅不到4.5%。

反觀現(xiàn)貨市場,除了要消化先前不應該存在的漲幅外,近來DRAM供應商龍頭三星半導體陸續(xù)釋出先前1Xnm因品質(zhì)異常遭服務器端客戶退貨的DDR4模組,而這些除了一部分以低價釋放到服務器合約市場外,一部分也改為PC DRAM產(chǎn)品銷往現(xiàn)貨,使得現(xiàn)在現(xiàn)貨價格走勢格外疲弱。

因此,針對三星的擴產(chǎn)是否造成臺廠的沖擊,市場人士指出,畢竟目前整體的DRAM市況仍處于供過于求,第4季的目標并非價格止跌反彈,而在有效的消化韓系廠商偏高的庫存。只要合約價格走勢平穩(wěn),需求端也未見重大下修,那當前的現(xiàn)貨價格走勢就不需要被過度解讀。所以,三星擴產(chǎn)這對于整體市場的沖擊,目前看來還是有些距離。

HBM2E開啟超高速存儲器半導體新時代

HBM2E開啟超高速存儲器半導體新時代

比爾·蓋茨(Bill Gates)在1999年出版的《未來時速》(Business @ the Speed of Thought)一書中描繪了一種“數(shù)字神經(jīng)系統(tǒng)(Digital Nervous System)”,并把它比作為一個跨越時空界限的互聯(lián)世界?;凇皵?shù)字神經(jīng)系統(tǒng)”這一必要條件,他又提出了如何以思維速度(Speed of Thoughts)經(jīng)營企業(yè)的想法。這在當時看來似乎是不可能的事,但如今科技的快速進步已經(jīng)讓這個預言成為可能。超高速存儲器半導體的時代已經(jīng)來臨,IT技術正向人類大腦的思考速度發(fā)起挑戰(zhàn)。

TSV技術:解鎖HBM無可比擬的“容量和速度”

各大制造商已經(jīng)紛紛引進了高帶寬存儲器 (High Bandwidth Memory, 簡稱HBM),采用硅通孔(Through Silicon Via, 簡稱TSV)技術進行芯片堆疊,以增加吞吐量并克服單一封裝內(nèi)帶寬(Bandwidth)的限制。在這一趨勢下,SK海力士早在2013年便率先開始了HBM的研發(fā),以嘗試提高容量和數(shù)據(jù)傳輸速率。SK海力士現(xiàn)已充分發(fā)揮了最新HBM2E的潛能,通過TSV將8個16Gb芯片縱向連接,從而實現(xiàn)了16GB傳輸速率。

TSV由一個電路芯片和一個“Interposer”(即位于電路板和芯片之間的功能包)上方的多層DRAM組成。簡單來說,TSV可以比喻成一幢公寓式建筑結構,建筑地基(Interposer)上方是社區(qū)活動中心(邏輯芯片),再往上是層層疊加的公寓房間(DRAM)。與傳統(tǒng)方法不同,TSV技術就好比在芯片上鉆孔,然后一個一個地堆疊起來。作為一種封裝技術,它通過這些孔內(nèi)的導電電極連接芯片,由此數(shù)據(jù)可以垂直移動,仿佛安裝了一臺數(shù)據(jù)電梯。與傳統(tǒng)的采用金線鍵合技術生產(chǎn)的芯片相比,這種技術連接更短,因而信號路徑更短,具有更低功耗的高速性能。另外,與傳統(tǒng)方法相比,穿透芯片可以在芯片之間形成更多通道。

從HBM到HBM2E的進化

相比依賴于有線處理的DRAM封裝技術,HBM在數(shù)據(jù)處理速度方面顯示出了高度的改良。不同于金線縫合的方式,通過TSV技術,HBM可將超過5,000個孔鉆入相互縱向連接的DRAM芯片中。在這樣一個快速崛起的行業(yè)趨勢下,SK海力士于2019年8月開發(fā)出了具有超高速性能的HBM2E。這是目前行業(yè)中擁有最高性能的一項技術。與之前的HBM2標準對比,HBM2E將提高50%的數(shù)據(jù)處理速度。由于這一高度改良,它將成為新一代HBM DRAM產(chǎn)品。

不同于傳統(tǒng)結構采用模塊形式封裝存儲芯片并在系統(tǒng)板上進行連接,HBM芯片與芯片與圖像處理器(Graphics Processing Unit, 簡稱GPU)和邏輯芯片等處理器緊密地相互連接。在這樣一個僅有幾微米單元的距離下,數(shù)據(jù)可被更快地進行傳輸。這種全新的結構在芯片之間創(chuàng)造了更短的路徑,從而更進一步加快了數(shù)據(jù)處理速度。

隨著數(shù)據(jù)不斷增加,對于高性能存儲器的需求將在第四次工業(yè)革命中持續(xù)增長。HBM已經(jīng)在GPU中被使用。HBM2E或?qū)⒊蔀榘ㄐ乱淮鶪PU、高性能計算機處理、云計算、計算機網(wǎng)絡、以及超級計算機在內(nèi)等高性能裝置中的一種高端存儲器半導體,以滿足這些裝置對于超高速運作這一特性的要求。除此之外,HBM2E也將在一些高科技行業(yè)中扮演重要角色,例如機器學習和AI系統(tǒng)等。另外,隨著游戲產(chǎn)業(yè)中對圖形應用的日益擴大,HBM技術的采用也相應增加,以此可以處理大屏幕下更多像素的需求。通過更高的計算機處理速度,HBM也為高端游戲提供了更好的穩(wěn)定性。

DDR5開辟DRAM市場新天地

DDR5開辟DRAM市場新天地

SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達到了電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Ele ctron Device Engineering Council,簡稱JEDEC) 標準, 這項技術正在DRAM市場開拓一片新天地。

技術競爭力將引領第四次工業(yè)革命

DDR5具備超高速、低功耗和大容量特性, 將成為大數(shù)據(jù)(Big Data), 人工智能 (AI) 和機器 學習 (Machine Learning) 等新一代系統(tǒng)理想的 DRAM。

繼1Y納米工藝的8Gbit(Gb)DDR4之后, SK海力士于2018年11月面向各大主要芯片組制造商, 推出與DDR4 采用相同微細 化工藝的16Gb DDR5 。新一代DDR5 DRAM支持5200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率, 比上一代3200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率快了 60左右。同樣在今年2月, 在美國舊金山舉行的2019國際固態(tài)電路會議 (the International Solid-State Circuits Conference 2019, 簡稱ISSCC) 上, SK海力士詳細介紹了16Gb DDR5, 表示該產(chǎn)品技術上支持的數(shù)據(jù)傳輸速率高達6400Mbps。

DDR5將性能效率最大化

與上一代產(chǎn)品DDR4相比, DDR5不僅在功耗上降低了30%, 數(shù)據(jù)傳輸速率還提升了60%。DDR5支持41.6GByte/秒的數(shù)據(jù)傳輸速率, 相當于一秒內(nèi)能處理11部全高清 (Full-HD)電影的容量。

2018年11月, SK海力士成功研發(fā)世界首個DDR5 DRAM。該產(chǎn)品采用與JEDEC一致的DDR5標準, 儲庫(Bank)的數(shù)量從16翻番至32。突發(fā)長度 (Burst Length, 即連續(xù)傳輸?shù)闹芷跀?shù)) 也從8翻番至16。與此同時, 這款最新DRAM還包含錯誤糾正代碼 (Error Correcting Code, 簡稱ECC)算法, 從而將大大提升大容量系統(tǒng)的可靠性。

由于采用最新先進技術實現(xiàn)超高速且可靠的動作性能, 該產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度得到大幅提升, 進一步鞏固了SK海力士的技術競爭力和行業(yè)領先地位。

新一代DRAM將重振內(nèi)存市場

有市場調(diào)查顯示, 對于DDR5內(nèi)存需求將從 2020年開始增長, 預計到2021年為止將占DRAM總市場的25%。這一市場份額將逐步提升, 并在2022年達到44%。SK海力士計劃從2020年開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片,同時公司也將繼續(xù)研發(fā)DRAM技術, 希望引領新一代半導體技術的發(fā)展方向。

SK海力士公布最新財報 DRAM和NAND Flash各自表現(xiàn)如何?

SK海力士公布最新財報 DRAM和NAND Flash各自表現(xiàn)如何?

10月24日 – SK海力士今日宣布截止2019年9月30日的2019年第三季度財務報告。第三季度結合并收入為6.84萬億韓元,營業(yè)利潤為4726億韓元,凈利潤為4955億韓元。本季度的營業(yè)利潤率為7%,凈利潤率為7%。

第三季度,由于出現(xiàn)恢復需求的動向,收入環(huán)比增長6%,但在收益性方面,盡管DRAM的單位成本降低,但市場價格下降幅度卻沒有完全抵消,營業(yè)利潤環(huán)比下降26%。

對于DRAM,公司積極響應移動新產(chǎn)品,并隨著一些數(shù)據(jù)中心客戶的購買量也所增加,DRAM比特出貨量(bit shipments)環(huán)比增加23%,但價格持續(xù)疲軟,平均銷售價下降了16%。但是,平均銷售價下降幅度比上一季度有所減少。

對于NAND閃存,公司積極應對持續(xù)需求復蘇的高容量移動和SSD等解決方案市場,但由于公司減少上一季度暫時增加的單品銷售,導致比特出貨量環(huán)比下降1%。但由于減少了價格相對較低的單品銷售比重,平均銷售價格環(huán)比增長了4%。

SK海力士計劃,在滿足日益增長的客戶要求的同時,并有效應對外部不確定性引起的需求波動,將根據(jù)市場情況靈活調(diào)整生產(chǎn)和投資。

SK海力士正在其利川M10廠的一部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為批量生產(chǎn)CMOS圖像傳感器(CIS)的生產(chǎn)線,同時減少2D NAND閃存的生產(chǎn)量。結果,于去年相比,明年的DRAM和NAND閃存的生產(chǎn)容量預計將減少。于今年相比,明年的投資額也將相當減少。

另外,SK海力士計劃,持續(xù)開發(fā)新一代微細工程技術,并通過擴大高容量附加值產(chǎn)品的銷售來擴展其他產(chǎn)品組合,以在市場改善時實現(xiàn)更大的增長。

SK海力士計劃將第二代10納米(1Y)DRAM的生產(chǎn)比重到明年末提高至10%初,并計劃對最近開發(fā)的第三代10納米(1Z)工程的產(chǎn)品進行批量生產(chǎn)。此外,該公司計劃積極應對LPDDR5和HBM2E市場。預計這些產(chǎn)品將于明年被客戶積極采用。

公司將把96層4D NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)比重到年末擴大到10%中后半,并推進128層 4D NAND閃存的批量生產(chǎn)和銷售準備。此外,公司重點攻略高配置智能手機和SSD市場,預計SK海力士的NAND閃存銷售額中SSD所占的比重在第四季度將增加到30%。

SK海力士攸關者表示 :“我們將基于這次市場低迷的經(jīng)驗,將把事業(yè)的波動性最小化。同時,加大努力實現(xiàn)可持續(xù)成長。”

■ 2019財年第三季度業(yè)績? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

新半導體產(chǎn)線何時啟動運作?三星陷入兩難

新半導體產(chǎn)線何時啟動運作?三星陷入兩難

之前,在半導體市況好的時候,韓國三星在中國陜西省西安市和韓國京畿道平澤市所擴增的半導體生產(chǎn)線,如今面臨了在存儲器市場價格跌價的情況下,何時進一步啟動運作的大問題。因為三星一但啟動新的產(chǎn)線,則將對目前好不容易有復蘇跡象的半導體市場再進行一次重擊,使得市場重回供過于求,價格下跌的困境。但是,面對競爭對手開始進行增產(chǎn)的計劃,三星也怕可能失去市場占有率。因此,這樣問題讓三星目前陷入兩難的困擾中。

根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導,原本三星預計在2019年藉由更新生產(chǎn)設備,使得DRAM的生產(chǎn)由1x納米制程提升至1y納米制程,來進一步調(diào)整DRAM的產(chǎn)能,達到以量制價恢復市場價格的目標,使整個半導體產(chǎn)業(yè)能重回成長的行列。但是,根據(jù)最新的報價顯示,截至2019年9月底,DRAM(DDR4 8Gb)和NAND Flash快閃存儲器(128Gb MLC)的價格分別為2.94美元和4.11美元,已經(jīng)連續(xù)2個月沒有變化,這使得三星開始考慮,是否真的要讓新產(chǎn)能進行啟動。

報導指出,事實上在2019年第2季財報公布后,三星的競爭對手包括SK海力士,東芝及美光等廠商宣布降低DRAM和NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。而這樣的降低產(chǎn)能計劃,雖然讓半導體的供應量減少,但是卻使得廠商能藉由調(diào)整供過于求的情況,來達到緩和存儲器價格下跌的目標。

但是,這樣的情況到了2020年可能將會變得更加困難。原因是三星在中國西安的第2家工廠和平澤的第2家工廠預計將開始大規(guī)模生產(chǎn)存儲器,如此一來存儲器價格的再度下跌將是不可避免的事情。因此,出于這種擔憂,三星表示目前尚未決定何時讓新產(chǎn)線正式運作,或者是生產(chǎn)那種產(chǎn)品。

報導進一步表示,根據(jù)市場人士的推測,三星位在中國西安的第2家工廠將像第1家工廠一樣進行NAND Flash快閃存儲器的生產(chǎn)。原因是NAND Flash快閃存儲器價格在2019年上半年的下滑已經(jīng)到了價格平衡點(BEP),這使得三星西安的第2家工廠有可能被用作NAND Flash快閃存儲器的生產(chǎn)基地,以供應需求量很大的中國市場。不過,這樣的說法已經(jīng)遭到了三星的否認,并且表示目前尚未進行任何的決定。

另外,近期競爭對手的舉動加劇了三星的擔憂。因為全球第三大DRAM制造商美光(Micron)在上個月的財報會議中指出,由于2020年DRAM的需求預計將成長18%至20%,因此美光將相應的增加DRAM的供應,并宣布了其擴產(chǎn)計劃。雖然,憑藉其在技術和生產(chǎn)能力方面的競爭優(yōu)勢,三星可以輕易的打敗競爭對手。但是,考慮到該產(chǎn)業(yè)最近的全球形勢,這依舊是非常冒險的。

盡管由于5G普及,讓人們對存儲器市場的另一個超級循環(huán)周期有所其期待。但是,因為蘋果要到2020年下半年才發(fā)布5G iPhone,這使得2020年對存儲器的需求預計將受到一些限制。再加上近來服務器市場對DRAM的大量需求,在最近幾年中的確大幅度地推動了三星在市場中的出色表現(xiàn)。但是,未來的云端運算服務著重的是軟件的優(yōu)化,而不是增加購買存儲器,因此需求幾乎不可能反彈。

最后,該報導指出,由于三星在平澤的第二家工廠投資了30萬億韓元,可以開發(fā)基于EUV技術的DRAM生產(chǎn),并且擴大晶圓代工方面的產(chǎn)能。因此,在該工廠建成后,該公司將根據(jù)市場情況彈性應用。市場人士也指出,目前存儲器的生產(chǎn)芯片需要考慮的因素很多,除設廠狀況之外,還包括美中貿(mào)易摩擦的后續(xù),甚至是2020年美國總統(tǒng)大選的結果等。因此,現(xiàn)階段要廠商做出是否啟動新產(chǎn)線的決定并不容易。

兆易創(chuàng)新擬投資39.9億元研發(fā)研發(fā)1Xnm級DRAM 技術

兆易創(chuàng)新擬投資39.9億元研發(fā)研發(fā)1Xnm級DRAM 技術

9月23日,北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司(以下簡稱“兆易創(chuàng)新”)在股票交易異常波動公告中表示,擬定增43億元,籌劃DRAM芯片自研及產(chǎn)業(yè)化項目。如今,此次非公開發(fā)行A股相關事項已經(jīng)獲得兆易創(chuàng)新第三屆董事會第八次會議審議通過,但尚需公司股東大會審議批準及中國證監(jiān)會核準。

10月1日,兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預案公告。公告指出,本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對象為不超過10名特定投資者,發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%,即不超過64,224,315股(含本數(shù))。

預案顯示,兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額(含發(fā)行費用)不超過人民幣432,402.36萬元(含本數(shù)),扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及補充流動資金。

其中,DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目計劃投資39.92億元,擬投入募集資金33.24億元。兆易創(chuàng)新擬通過本項目,研發(fā)1Xnm級(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術,設計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項目的成功實施,有助于公司豐富自身產(chǎn)品線,有效整合產(chǎn)業(yè)資源,鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。

資料顯示,兆易創(chuàng)新自2005年設立并進入閃存芯片設計行業(yè),通過技術開拓、業(yè)務并購,目前已成為中國大陸最為領先的芯片設計企業(yè)之一,主營業(yè)務為閃存芯片及其衍生產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品、傳感器模塊的研發(fā)、技術支持和銷售。

兆易創(chuàng)新指出,通過本次非公開發(fā)行,公司將以募集資金投入DRAM芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,積極推進產(chǎn)業(yè)整合,加快業(yè)務發(fā)展,拓展戰(zhàn)略布局。本次非公開發(fā)行是公司打造國內(nèi)領先存儲器廠商、全球領先芯片設計公司的關鍵戰(zhàn)略,發(fā)行完成后,公司在存儲器領域?qū)⒊蔀楦采wFlash、DRAM的領軍企業(yè)。

上述項目的實施能夠豐富公司的產(chǎn)品結構,深入公司在存儲器行業(yè)的布局,成為國內(nèi)高端通用存儲器領域領軍企業(yè),并能夠在公司業(yè)務不斷爬升、日益發(fā)展壯大的過程中補充營運資金。

DRAM作為集成電路領域通用芯片,產(chǎn)品標準化,非常適宜于迅速擴張,本次非公開發(fā)行完成及募集資金投資項目實施完畢后,公司在存儲器領域的產(chǎn)品結構將得到進一步豐富,在NOR Flash、NAND Flash基礎上切入DRAM存儲芯片。項目完成后,兆易創(chuàng)新將掌握DRAM技術、具備DRAM產(chǎn)品設計能力。

南亞科本周公布營收 本季可望上看150億新臺幣

南亞科本周公布營收 本季可望上看150億新臺幣

DRAM 大廠南亞科本周將公告 9 月與第 3 季營收,由于第 3 季旺季效應優(yōu)于預期,南亞科已上調(diào)位元銷售量季增幅至逾 25%,外資看好,南亞科 9 月營收將較 8 月持續(xù)走揚,第 3 季營收上看 150 億(新臺幣,下同)。

南亞科 7、8 月營收共達 97.98 億元,其中,8 月受惠旺季需求增溫,銷售量月增 7-9%,使營收月增 14%,達 52.22 億元,創(chuàng)近 9 個月高點,也因 DRAM 供需逐步平穩(wěn),南亞科 9 月初時,上調(diào)第 3 季位元銷售量季增幅度,由 14-16% 上調(diào)至逾 25%。

不過,美系外資指出,從通路消息來看,中國市場新筆電與智能型手機訂單動能強,南亞科第 3 季位元銷售量表現(xiàn)可望更強勁,季增幅上看 3 成,預估南亞科 9 月營收將較 8 月進一步攀揚,第 3 季單季營收上看 150 億元,每股純益估將超過 0.9 元,稍優(yōu)于第 2 季表現(xiàn)。

南亞科總經(jīng)理李培瑛日前也說,第 3 季旺季效應優(yōu)于預期,包括服務器、PC、消費型電子終端產(chǎn)品及手機等各應用領域,需求均相當不錯,第 4 季需求也可望與第 3 季持平,對后市營運樂觀看待,并看好第 4 季 DRAM 合約價有機會較第 3 季反彈走強。

美光科技第四季度凈利潤同比大幅下降

美光科技第四季度凈利潤同比大幅下降

美光科技在美股市場周四收盤后(北京時間周五凌晨)發(fā)布了該公司的2019財年第四季度及全年財報。報告顯示,美光科技第四季度營收為48.70億美元,相比之下去年同期為84.40億美元,上一季度為47.88億美元;凈利潤為5.61億美元,相比之下去年同期為43.25億美元,上一季度為8.40億美元;每股攤薄收益為0.49美元,相比之下上年同期為3.56美元,上一季度為0.74美元。

財報發(fā)布后,美光科技盤后股價下跌5.80%,報45.78美元/股,原因是該公司對2020財年第一季度調(diào)整后每股收益的展望未達華爾街分析師預期。

第四季度業(yè)績概要:

美光科技第四季度營收為48.70億美元,相比之下去年同期為84.40億美元,上一季度為47.88億美元,超出分析師預期。財經(jīng)信息供應商FactSet調(diào)查顯示,分析師此前平均預期美光科技第四季度營收將達45.9億美元。

美光科技第四季度毛利潤為13.95億美元,在營收中所占比例為28.6%,相比之下去年同期的毛利潤為51.51億美元,在營收中所占比例為61.0%;上一季度的毛利潤為18.28億美元,在營收中所占比例為38.2%。

不按照美國通用會計準則,美光科技第四季度調(diào)整后毛利潤為14.91億美元,在營收中所占比例為30.6%,相比之下去年同期的調(diào)整后毛利潤為51.79億美元,在營收中所占比例為61.4%;上一季度的調(diào)整后毛利潤為18.84億美元,在營收中所占比例為39.3%。

美光科技第四季度運營利潤為6.50億美元,在營收中所占比例為13.3%,相比之下去年同期的運營利潤為43.77億美元,在營收中所占比例為51.9%;上一季度的運營利潤為10.10億美元,在營收中所占比例為21.1%。

不按照美國通用會計準則,美光科技第四季度調(diào)整后運營利潤為6.94億美元,在營收中所占比例為14.3%,相比之下去年同期的運營利潤為44.39億美元,在營收中所占比例為52.6%;上一季度的調(diào)整后運營利潤為11.10億美元,在營收中所占比例為23.2%。

美光科技第四季度凈利潤為5.61億美元,相比之下去年同期為43.25億美元,上一季度為8.40億美元;每股攤薄收益為0.49美元,相比之下上年同期為3.56美元,上一季度為0.74美元。

不按照美國通用會計準則,美光科技第四季度調(diào)整后凈利潤為6.37億美元,調(diào)整后每股收益為0.56美元,這一業(yè)績超出分析師預期,相比之下去年同期的調(diào)整后凈利潤為43.13億美元,調(diào)整后每股收益為3.53美元;上一季度的調(diào)整后凈利潤為11.98億美元,調(diào)整后每股收益為1.05美元。財經(jīng)信息供應商FactSet調(diào)查顯示,分析師此前平均預期美光科技第四季度調(diào)整后每股收益將達0.51美元。

2019財年業(yè)績概要:

美光科技2019財年營收為234.06億美元,相比之下2018財年為303.91億美元,超出分析師預期。據(jù)雅虎財經(jīng)頻道提供的數(shù)據(jù)顯示,29名分析師此前平均預期美光科技2019財年營收將達231.2億美元。

美光科技2019財年毛利潤為107.02億美元,在營收中所占比例為45.7%,相比之下2018財年的毛利潤為178.91億美元,在營收中所占比例為58.9%。

不按照美國通用會計準則,美光科技2019財年調(diào)整后毛利潤為109.73億美元,在營收中所占比例為46.9%,相比之下2018財年的調(diào)整后毛利潤為179.94億美元,在營收中所占比例為59.2%。

美光科技2019財年運營利潤為73.76億美元,在營收中所占比例為31.5%,相比之下2018財年的運營利潤為149.94億美元,在營收中所占比例為49.3%。

不按照美國通用會計準則,美光科技2019財年調(diào)整后運營利潤為78.01億美元,在營收中所占比例為33.3%,相比之下2018財年的調(diào)整后運營利潤為152.43億美元,在營收中所占比例為50.2%。

美光科技2019財年凈利潤為63.13億美元,相比之下2018財年為141.35億美元;每股攤薄收益為5.51美元,相比之下2018財年為11.51美元。

不按照美國通用會計準則,美光科技2019財年調(diào)整后凈利潤為73.14億美元,相比之下2018財年為147.00億美元;調(diào)整后每股攤薄收益為6.35美元,超出分析師預期,相比之下2018財年為11.95美元。據(jù)雅虎財經(jīng)頻道提供的數(shù)據(jù)顯示,26名分析師此前平均預期美光科技2019財年調(diào)整后每股收益將達6.24美元。

業(yè)績展望:

美光科技對2020財年第一季度業(yè)績作出了以下展望:

– 營收預計將可達到50億美元,上下浮動2億美元,超出分析師預期。財經(jīng)信息供應商FactSet調(diào)查顯示,分析師此前平均預期美光科技第一季度營收將達48億美元;

– 毛利率預計將可達到25.5%,上下浮動1.5%;不按照美國通用會計準則,調(diào)整后毛利率預計將可達到26.5%,上下浮動1.5%;

– 每股攤薄收益預計將可達到0.42美元,上下浮動0.07美元;不按照美國通用會計準則,調(diào)整后每股攤薄收益預計將可達到0.46美元,上下浮動0.07美元,不及分析師預期。財經(jīng)信息供應商FactSet調(diào)查顯示,分析師此前平均預期美光科技第一季度調(diào)整后每股收益將達0.53美元。

集邦咨詢:DRAM八月合約價格止跌,九月繼續(xù)持平可能性高

集邦咨詢:DRAM八月合約價格止跌,九月繼續(xù)持平可能性高

集邦咨詢:DRAM八月合約價格止跌,九月繼續(xù)持平可能性高

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,八月DRAM合約價與前月持平,DDR4 8GB均價來到25.5美元,而九月合約價格雖然仍在議定當中,但繼續(xù)持平的可能性高。

從市場面來觀察,隨著日本政府批準關鍵半導體原料出口,七月開始的日韓貿(mào)易問題已正式落幕。但期間OEM客戶受不確定因素與預期心理影響,已紛紛拉高備貨庫存,使得DRAM原廠的高庫存水位逐步下降,并往正常水位邁進。此外,第三季適逢傳統(tǒng)旺季,再加上美國將在12月初開始對部分中國出口的電子產(chǎn)品課征關稅,也產(chǎn)生提前出貨的效應,需求力道超過預期,這讓DRAM原廠在價格議定時態(tài)度更為堅定,亦讓整體第三季價格扭轉(zhuǎn)原先的跌勢,轉(zhuǎn)為持平。

原廠調(diào)整資本支出以穩(wěn)固獲利,明年DRAM產(chǎn)出增幅創(chuàng)十年新低

展望2020年,由于三大DRAM原廠仍以獲利為導向,資本支出預估將較今年減少至少10%,明年的產(chǎn)出年成長亦是近十年來新低,僅12.5%,為價格反彈奠定一定的基礎。

集邦咨詢調(diào)查顯示,DRAM原廠的擴廠計劃轉(zhuǎn)趨保守,如三星的平澤二廠已經(jīng)接近完工,但最快要到2020年第二季才會進入商轉(zhuǎn),且新增的設備僅是支持未來1Znm制程的轉(zhuǎn)進,整體投片量將與今年大致相同。SK海力士最新M16工廠最快明年下半年完工,產(chǎn)出增加最快要等到2021年,加上舊工廠M10逐步轉(zhuǎn)做代工,預估明年整體DRAM投片量將不增反減。

美光今年在廣島廠旁增設的F棟工廠,也是為了支援1Znm制程轉(zhuǎn)進,整體廣島廠產(chǎn)能并無增加。而臺灣美光內(nèi)存目前正在興建的A3新廠,初期也是支援1Znm制程轉(zhuǎn)進,短期增產(chǎn)機會并不大。但A3廠基地面積不小,未來還是有新增產(chǎn)能的可能。

明年中國DRAM投片占全球不到3%,對產(chǎn)業(yè)長期影響仍待觀察

中國目前有兩個DRAM生產(chǎn)基地,規(guī)模較大的合肥長鑫存儲(CXMT)已經(jīng)初步投產(chǎn),初期產(chǎn)品以DDR4 8Gb為主,明年上半年將會有LPDDR4 8Gb的產(chǎn)品,持續(xù)往量產(chǎn)邁進,但預計要到2021年,產(chǎn)能才有機會達到滿載的100K甚至以上。福建晉華(JHICC)雖然受到美國禁令影響,美系設備無法有工程人員駐廠維護,但內(nèi)部仍試圖自行將參數(shù)調(diào)整至最佳化,預計明年投片有10K之內(nèi)的水平。

因此集邦咨詢預估,2020年中國DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%,自主生產(chǎn)成果仍有限。展望未來,中國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍需克服良率、機臺建置以及IP相關限制等挑戰(zhàn),對整體DRAM供給產(chǎn)生明顯沖擊的確切時間點,仍需持續(xù)觀察。

DRAM合約價格八月止跌 九月走勢如何?

DRAM合約價格八月止跌 九月走勢如何?

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,八月DRAM合約價與前月持平,DDR4 8GB均價來到25.5美元,而九月合約價格雖然仍在議定當中,但繼續(xù)持平的可能性高。

從市場面來觀察,隨著日本政府批準關鍵半導體原料出口,七月開始的日韓貿(mào)易問題已正式落幕。但期間OEM客戶受不確定因素與預期心理影響,已紛紛拉高備貨庫存,使得DRAM原廠的高庫存水位逐步下降,并往正常水位邁進。

此外,第三季適逢傳統(tǒng)旺季,再加上美國將在12月初開始對部分中國出口的電子產(chǎn)品課征關稅,也產(chǎn)生提前出貨的效應,需求力道超過預期,這讓DRAM原廠在價格議定時態(tài)度更為堅定,亦讓整體第三季價格扭轉(zhuǎn)原先的跌勢,轉(zhuǎn)為持平。

原廠調(diào)整資本支出以穩(wěn)固獲利,明年DRAM產(chǎn)出增幅創(chuàng)十年新低

展望2020年,由于三大DRAM原廠仍以獲利為導向,資本支出預估將較今年減少至少10%,明年的產(chǎn)出年成長亦是近十年來新低,僅12.5%,為價格反彈奠定一定的基礎。

集邦咨詢調(diào)查顯示,DRAM原廠的擴廠計劃轉(zhuǎn)趨保守,如三星的平澤二廠已經(jīng)接近完工,但最快要到2020年第二季才會進入商轉(zhuǎn),且新增的設備僅是支持未來1Znm制程的轉(zhuǎn)進,整體投片量將與今年大致相同。

SK海力士最新M16工廠最快明年下半年完工,產(chǎn)出增加最快要等到2021年,加上舊工廠M10逐步轉(zhuǎn)做代工,預估明年整體DRAM投片量將不增反減。

美光今年在廣島廠旁增設的F棟工廠,也是為了支援1Znm制程轉(zhuǎn)進,整體廣島廠產(chǎn)能并無增加。而臺灣美光內(nèi)存目前正在興建的A3新廠,初期也是支援1Znm制程轉(zhuǎn)進,短期增產(chǎn)機會并不大。但A3廠基地面積不小,未來還是有新增產(chǎn)能的可能。

明年中國DRAM投片占全球不到3%,對產(chǎn)業(yè)長期影響仍待觀察

中國目前有兩個DRAM生產(chǎn)基地,規(guī)模較大的合肥長鑫存儲(CXMT)已經(jīng)初步投產(chǎn),初期產(chǎn)品以DDR4 8Gb為主,明年上半年將會有LPDDR4 8Gb的產(chǎn)品,持續(xù)往量產(chǎn)邁進,但預計要到2021年,產(chǎn)能才有機會達到滿載的100K甚至以上。

福建晉華(JHICC)雖然受到美國禁令影響,美系設備無法有工程人員駐廠維護,但內(nèi)部仍嘗試自行將參數(shù)調(diào)整至最佳化,預計明年投片有10K之內(nèi)的水平。

因此集邦咨詢預估,2020年中國DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%,自主生產(chǎn)成果仍有限。展望未來,中國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍需克服良率、機臺建置以及IP相關限制等挑戰(zhàn),對整體DRAM供給產(chǎn)生明顯沖擊的確切時間點,仍需持續(xù)觀察。

展望2020年,全球存儲市場產(chǎn)能、價格又將出現(xiàn)哪些變化?存儲產(chǎn)業(yè)又將迎來哪些新的機遇與挑戰(zhàn)?

為了更快更好地推動存儲市場發(fā)展,增強業(yè)界對2020年存儲產(chǎn)業(yè)的深入了解,促進產(chǎn)業(yè)上下游交流與互動,由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”將于2019年11月27日在深圳舉辦。