2019年9月19日、9月20日、9月23日，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司（以下簡稱“兆易創(chuàng)新”）股票交易連續(xù)三個交易日內(nèi)收盤價格漲幅偏離值累計超過20%，根據(jù)《上海證券交易所交易規(guī)則》的有關(guān)規(guī)定，屬于股票交易異常波動情形。

對此，兆易創(chuàng)新9月23日發(fā)布公告稱，經(jīng)公司自查，公司擬籌劃非公開發(fā)行股份事項，募集資金總額約43億元，主要用于公司DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及補充流動資金。本次非公開發(fā)行的發(fā)行對象為不超過10名特定投資者，發(fā)行方式為競價發(fā)行。

公告同時指出，經(jīng)向公司控股股東及實際控制人朱一明先生書面征詢核實：截至公告披露日，公司控股股東、實際控制人不存在影響公司股票交易價格異常波動的重大事宜；控股股東、實際控制人不存在涉及公司應(yīng)披露而未披露的重大信息，包括但不限于重大資產(chǎn)重組、發(fā)行股份、上市公司收購、債務(wù)重組、業(yè)務(wù)重組、資產(chǎn)剝離和資產(chǎn)注入等重大事項。

目前，兆易創(chuàng)新接到較多投資者有關(guān)合肥12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目的咨詢。兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團）有限公司（以下簡稱“合肥產(chǎn)投”）于2017年10月26日簽署《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》（以下簡稱“《合作協(xié)議》”），約定合作開展12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目，該項目預(yù)算約為180億元人民幣，兆易創(chuàng)新負責籌集約36億元。

2019年4月26日，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投、合肥長鑫集成電路有限責任公司（以下簡稱“合肥長鑫”）簽署《可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議》，以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式對本項目投資3億元，履行《合作協(xié)議》中約定的部分籌資義務(wù)。目前上述3億元可轉(zhuǎn)股債權(quán)尚未轉(zhuǎn)股，兆易創(chuàng)新對該項目尚無其他出資。

兆易創(chuàng)新指出，公司正在籌劃的用于DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目的非公開發(fā)行股份募集資金與本項目投資無關(guān)。目前，公司未收到合肥產(chǎn)投關(guān)于收購其在本項目權(quán)益的要求，公司也無收購合肥產(chǎn)投在12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目權(quán)益的規(guī)劃。兆易創(chuàng)新與合肥長鑫等項目實施主體以各自獨立發(fā)展模式運營。在業(yè)務(wù)合作上，兆易創(chuàng)新與合肥長鑫等項目實施主體將按照市場化方式合作。

值得注意的是，兆易創(chuàng)新提醒，公司非公開發(fā)行股份事項尚處于籌劃階段，本次非公開發(fā)行股份方案尚未經(jīng)公司董事會、股東大會審議，本次發(fā)行后續(xù)也需獲得中國證監(jiān)會的核準。上述事項能否獲得相關(guān)批準或核準，以及獲得相關(guān)批準或核準的時間，均存在不確定性。而公司按照《可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議》以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式對本項目投資3億元，也因為不確定因素影響，存在可轉(zhuǎn)股借款無法在約定期限內(nèi)轉(zhuǎn)為項目公司股權(quán)的風險。

此外，兆易創(chuàng)新在合肥12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目的后續(xù)籌資規(guī)模及投入方案尚未最終確定。該項目運營過程中，因研發(fā)進度、市場環(huán)境、宏觀政策等因素影響，項目進展存在不確定性。

9月21日，在2019世界制造業(yè)大會上，合肥市政府與長鑫存儲技術(shù)有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司等舉行了合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約儀式，該項目主要圍繞長鑫存儲項目布局上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套，提供生活服務(wù)設(shè)施，致力于打造產(chǎn)城融合國家存儲產(chǎn)業(yè)基地、世界一流的存儲產(chǎn)業(yè)集群。

據(jù)了解，合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)，占地面積月15.2平方公里，由長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園和合肥空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。

其中長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資1500億元，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目；空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園總投資超過200億元，位于長鑫存儲項目以西；合肥空港國際小鎮(zhèn)總投資約500億元，規(guī)劃面積9.2平方公里，總建筑面積420萬平方米，位于長鑫存儲項目以北。

值得注意的是，據(jù)新華網(wǎng)報道，就在簽約的前一天（9月20日），長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目正式宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。而長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明也表示，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

合肥長鑫集成電路制造基地全部建成后，預(yù)計可形成產(chǎn)值規(guī)模超2000億元，集聚上下游龍頭企業(yè)超200家，吸引各類人才超20萬人。

安徽日報指出，長鑫晶圓項目由合肥市產(chǎn)業(yè)投資(控股)集團有限公司和北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司合作投資，長鑫存儲負責管理和運營，是中國大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運營團隊的DRAM項目。該項目建設(shè)3座12英寸DRAM存儲器晶圓工廠，打造研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的存儲器芯片國產(chǎn)化生產(chǎn)基地，預(yù)計三期滿產(chǎn)后，產(chǎn)能達每月36萬片。

20日在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。

該項目以打造設(shè)計和制造一體化的內(nèi)存芯片國產(chǎn)化制造基地為目標，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產(chǎn)投與細分存儲器國產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目。目前，項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。

國家重大專項01專項專家組組長、清華大學(xué)微電子所所長魏少軍，國家重大專項01專項專家組專家、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)特聘教授陳軍寧等業(yè)內(nèi)權(quán)威專家表示，這標志我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產(chǎn)能。

DRAM即動態(tài)隨機存取存儲器，是芯片產(chǎn)業(yè)中產(chǎn)值占比最大的單一品類。2018年，中國芯片進口額超過3000億美元，這個單一品類就占到了其中的兩成以上。其作為最常見的內(nèi)存芯片，被喻為連接中央處理器的“數(shù)據(jù)高速公路”，廣泛應(yīng)用于高性能計算、工業(yè)設(shè)備、消費電子等電子產(chǎn)品之中。

據(jù)魏少軍等專家介紹，我國雖是該芯片的最大應(yīng)用市場，此前卻始終未能出現(xiàn)實現(xiàn)量產(chǎn)的國產(chǎn)項目，沒有掌握自主產(chǎn)能。

長鑫存儲投產(chǎn)的產(chǎn)品是現(xiàn)在全球市場上的主流產(chǎn)品?！巴懂a(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)?！贝髸F(xiàn)場，長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明手持一顆指甲蓋大小的芯片說。

昨日，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實現(xiàn)DRAM零的突破。

DRAM技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀
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平爾萱博士表示，我們現(xiàn)在所處的數(shù)據(jù)社會是在IC的支撐下建立起來的，其中馮諾依曼架構(gòu)則是這些數(shù)據(jù)計算的基礎(chǔ)。這個架構(gòu)的一個特點是數(shù)據(jù)存儲在存儲器DRAM中，CPU以一定的規(guī)則獲取存儲器中的數(shù)據(jù)，并進行運算，然后將結(jié)果通過外圍設(shè)備，比如顯示器呈現(xiàn)出來。

“隨著數(shù)據(jù)量的增加，處理數(shù)據(jù)的能力要加強，因此需要強大的CPU，同時存儲器的數(shù)據(jù)容量也要增強，并且讀寫速度也要增加。因此近來對DRAM的要求也必須持續(xù)提高。DRAM的前景是十分看好”，平爾萱博士強調(diào)。IBS首席執(zhí)行官 Handel Jones日前在上海出席一場技術(shù)論壇時也表示，DRAM將于2020年迎來復(fù)蘇，增長9.87%，這也從側(cè)面印證了平博士的觀點。

平博士介紹，所謂DRAM，是基于電容存儲電荷為原理的緊密鋪排的陣列。這個陣列通過一系列外圍電路管理從而讀寫里面存儲的數(shù)據(jù)。自上世紀60年代發(fā)明以來，DRAM容量和尺寸獲得了飛速的發(fā)展。與過往相比，今天，一個面積小于指甲蓋的DRAM里可容納80億存儲單元，按照8個存儲單元存儲一個字母，那就意味著一個芯片可能存8億個字母。并且這些數(shù)據(jù)可以以6Gb/sec 的速度，在幾秒內(nèi)完成讀寫。而在這些改變背后，是DRAM技術(shù)多次“進化”的結(jié)果。

從平博士的介紹我們得知，DRAM技術(shù)在發(fā)明之后的幾十年里，經(jīng)歷了從早期簡單的平面結(jié)構(gòu)，變化成為了向空間爭取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構(gòu)。這主要與容量的提升需求和制造方法的局限性有關(guān)。

平博士解釋道，早期的DRAM芯片，由于線寬比較大，因此有足夠的平面面積可制造出足夠的電容值。然而隨著線寬的減少，表面積逐漸減少，過往的技術(shù)不能滿足所需電容值，因此DRAM開始走向空間結(jié)構(gòu)，爭取更多的表面積，演變出向上和向下兩種技術(shù)發(fā)展路線，并且共存了接近三十年。而最終以堆疊式架構(gòu)勝出。

“造成這個結(jié)局的一個重要原因是溝槽式架構(gòu)面臨幾個技術(shù)難點：其一是溝槽式只限于單面表面積，堆疊式可用雙面表面積，溝槽式架構(gòu)很快就達到了刻蝕深寬比極限；其二是高介質(zhì)材料的應(yīng)用受到溝槽式中高溫制程的限制。傳統(tǒng)材料SiO ，Al2O3可以在高溫下有低漏電的特性，因此比較適合溝槽式架構(gòu)，但像HfO，ZrO這些高介解常數(shù)材料漏電在高于600℃的溫度下增加許多，不能用于溝槽式架構(gòu)中需高溫處理的三極管制造中?！?/p>

平博士還提到，在DRAM技術(shù)的演進過程中，曾經(jīng)的DRAM巨頭奇夢達提出的埋入式電柵三極管概念也給整個產(chǎn)業(yè)帶來巨大的貢獻。他表示，這個技術(shù)同樣是利用空間，將三極管的性能提升，這種提升隨著線寬的減少越來越被需要。而近代DRAM產(chǎn)品都沿用這個概念。

“回看堆疊式架構(gòu)的發(fā)展歷史以及展望將來的發(fā)展趨勢就可以發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在DRAM沿用密集排布電容及埋入式字線三極管，乃至今后3-5代DRAM”，平博士說。

DRAM未來的發(fā)展探索

在談到DRAM技術(shù)未來的發(fā)展時，平博士首先強調(diào)，DRAM是有它的極限的。我們通過改進，可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能，就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個選擇，這在未來幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展，滿足大數(shù)據(jù)時代的需求。

首先在EUV方面，平博士指出，EUV是繼193納米 Immersion Scanner后又一個光刻機革命。它可滿足工藝精準度在持續(xù)微縮中不斷增加的要求。而DRAM又是一個十分密集堆疊的設(shè)計，且對信號要求十分嚴格，任何小的偏離都會對信號造成損失。那就意味著EUV技術(shù)的出現(xiàn)對DRAM技術(shù)的延展有很大的作用：如將線寬進一步減少以增加存儲密度。

“EUV主要是針對陣列。但外圍線路的增強及微縮也是近來DRAM技術(shù)發(fā)展的另一個機會”，平博士補充說。

他表示，在DRAM幾乎一半的外圍線路中，有一半是邏輯線路用的。在過往，這部分的CMOS一直都是用傳統(tǒng)的SiON/Poly Si Gate堆棧的。但這個堆棧在32/28納米階段碰到了瓶頸：一方面是SiON厚度已到極限，不能再薄了；另一方面，Poly Si作為半導(dǎo)體材料，導(dǎo)電率也不足了，出現(xiàn)了嚴重的元器件性能不足。如在高端的圖顯DDR中，芯片性能速度明顯不足，這就需要引進更先進的HKMG CMOS提供更好性能。隨著DDR5的到來，HKMG CMOS的使用會越來越現(xiàn)實。

“由于DRAM制程中有電容這一段，因此HGMG制程的選擇需與電容制程匹配。所謂的Gate First制程就可被選擇為DRAM邏輯線路CMOS制程”，平博士說。他進一步表示，通過引入HKMG，不但可以推動存儲密度進一步提高，接口速度也同步獲得了提升。

“為了繼續(xù)發(fā)展DRAM技術(shù)，我們還需要在新材料、新架構(gòu)上進行更多探索，并與相關(guān)企業(yè)進行合作”，平博士說。他最后指出，回顧過去幾十年的DRAM發(fā)展，證明IDM是發(fā)展DRAM的必然選擇，而這正是長鑫存儲從一開始建立就堅持的。

從平博士的介紹中我們可以看到，基于授權(quán)所得的奇夢達相關(guān)技術(shù)和從全球招攬的極具豐富經(jīng)驗的人才，長鑫存儲借助先進的機臺已經(jīng)把原本奇夢達的46納米 DRAM平穩(wěn)推進到了10納米級別。公司目前也已然開始了在EUV、HKMG和GAA等目前還沒有在DRAM上實現(xiàn)的新技術(shù)探索。

正如前面所述，這些技術(shù)將會給DRAM帶來一個巨大的提升。這也會讓長鑫存儲有機會從一個技術(shù)追隨者轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€技術(shù)并駕齊驅(qū)、甚至全球領(lǐng)先的中國DRAM玩家

力晶科技成功轉(zhuǎn)型晶圓代工廠，上市計劃備受市場關(guān)注。力晶昨（18）日表示，現(xiàn)階段仍以2021年重新上市為目標，并追求獲利。

力晶董事長黃崇仁昨（18）天強調(diào)，在AI和5G的世代，力晶掌握存儲器、邏輯和多元化整合制程技術(shù)，已經(jīng)在AI的領(lǐng)域上貢獻了第一步，期許整個產(chǎn)業(yè)可以共同努力。

力晶先前因受DRAM市況崩跌導(dǎo)致凈值轉(zhuǎn)負、股票下柜，公司轉(zhuǎn)型晶圓代工，截至去年連續(xù)六年大賺。不過，今年受美中貿(mào)易摩擦、存儲器價格下滑等因素影響，上半年合并營收167.57億元（新臺幣，下同）、年減36.4%；本業(yè)與業(yè)外都出現(xiàn)虧損，稅后凈損26.88億元，不如去年同期的獲利52.12億元，上半年每股凈損0.85元。

力晶表示，上半年除了受美中貿(mào)易摩擦沖擊和存儲器價格下滑影響，還有轉(zhuǎn)投資的合肥晶合虧損等多重因素拖累，導(dǎo)致業(yè)績下滑。不過，近期存儲器價格止跌回穩(wěn)，預(yù)期下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年，

針對市場關(guān)注的重新掛牌計劃，力晶表示，仍維持原先的目標，預(yù)計在2021年重返上市，目前先想辦法將業(yè)績做好，進行打底的動作，強調(diào)雖然現(xiàn)在不直接受存儲器產(chǎn)業(yè)的循環(huán)，但是DRAM代工占總產(chǎn)能五成，客戶仍受景氣循環(huán)影響，因此，如何持續(xù)獲利，將是上市前的首要目標。

DRAM大廠南亞科董事長吳嘉昭認為，明年第2季起，DRAM市場就會供需平衡，且若市場未有大量新產(chǎn)能開出，下半年DRAM可望再度供不應(yīng)求。

吳嘉昭認為，從產(chǎn)能與需求分析來看，明年第1季DRAM市場仍將供過于求，但因各廠節(jié)制生產(chǎn)，價格可望持穩(wěn)，他預(yù)估，第2季供需就會進入平衡，若各廠均未大量擴建產(chǎn)能，下半年DRAM市場可望再回到供不應(yīng)求的情況。

由于DRAM供需逐步平穩(wěn)，南亞科日前上調(diào)本季位元銷售量季增幅度，由14-16%上調(diào)至逾25%。南亞科總經(jīng)理李培瑛日前也說，第3季旺季效應(yīng)顯現(xiàn)，且較原先預(yù)期稍微好一些，目前包括伺服器、PC、消費型電子終端產(chǎn)品及手機等DRAM應(yīng)用領(lǐng)域，市場需求均相當不錯。

展望第4季，李培瑛指出，雖然第3季為傳統(tǒng)旺季，但目前看來，第4季需求還算好，可望持平第3季，對第4季營運樂觀看待。

受惠DRAM及NAND Flash合約價在7月底與8月底分別落底反彈，存儲器模組廠威剛科技營運持續(xù)升溫，8月合并營收較7月成長14.04%，達新臺幣23.52億元。

威剛表示，雖然近期DRAM現(xiàn)貨價回跌，但預(yù)期下跌幅度有限，DRAM及NAND Flash在2019年價格最低的時機已過。伴隨著國際貿(mào)易紛爭未解、傳統(tǒng)新品上市備貨需求，以及資料中心布建5G應(yīng)用需求逐步啟動，如同先前預(yù)期，公司不僅第3季業(yè)績將逐月走高，整體營運向上成長波段更有機會迎接至第四季的存儲器補貨潮。

威剛進一步表示，由于NAND Flash歷經(jīng)價格修正時間較長，此波價格觸底反彈的時間點相較DRAM來得早，反彈幅度也比DRAM明顯，因此客戶補貨態(tài)勢積極。

8月包括固態(tài)硬盤(SSD)、記憶卡及隨身碟等NAND Flash產(chǎn)品營收均創(chuàng)今年單月高點，SSD產(chǎn)品營收攀升至新臺幣7.37億元，更為2016年12月以來新高，占整體營收比重達31.35%。

整體而言，威剛8月DRAM產(chǎn)品占整體營收比重41.73%，非DRAM產(chǎn)品占整體營收比重58.27%。

DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛昨(5)日表示，第3季旺季效應(yīng)優(yōu)于預(yù)期，各應(yīng)用領(lǐng)域需求均相當不錯，第4季需求也可望與第3季持平，對第4季營運樂觀看待，并看好第4季DRAM合約價有機會較第3季反彈走強。

由于DRAM供需逐步平穩(wěn)，南亞科日前上調(diào)本季位元銷售量季增幅度，由14-16%上調(diào)至逾25%。李培瑛5日表示，第3季旺季效應(yīng)顯現(xiàn)，且較原先預(yù)期稍微好一些，目前包括服務(wù)器、PC、消費型電子終端產(chǎn)品及手機等DRAM應(yīng)用領(lǐng)域，市場需求均相當不錯。

展望第4季，李培瑛指出，雖然第3季為傳統(tǒng)旺季，但目前看來，第4季需求還算好，盼能與第3季持平，對第4季營運樂觀看待。他并認為，第4季DRAM合約價有機會較第3季反彈走強。

對于美中貿(mào)易摩擦，李培瑛認為，貿(mào)易摩擦持續(xù)影響整體經(jīng)濟，雙方何時能完成協(xié)商，還很難說，預(yù)期整體經(jīng)濟保守情況將會持續(xù)。不過，從DRAM產(chǎn)業(yè)來看，重點仍在市場供需，自貿(mào)易摩擦開打以來已歷經(jīng)逾1年時間，DRAM原廠會有因應(yīng)動作，可望使DRAM產(chǎn)業(yè)市況漸趨穩(wěn)定。