邏輯芯片尺寸持續(xù)擴(kuò)大 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

邏輯芯片尺寸持續(xù)擴(kuò)大 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

在2019年存儲器相關(guān)投資大幅下跌之后,市場預(yù)期2020年新存儲器容量投資將急劇增加。受邏輯半導(dǎo)體制造商之間的競爭所推動,邏輯芯片尺寸持續(xù)擴(kuò)大,新設(shè)備相關(guān)需求也推動了EUV光刻機(jī)的量產(chǎn),為半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)帶來更多的動能。

展望2020年,相對2019年的下跌,存儲器設(shè)備投資預(yù)期將會有所增加??剂康浇诖鎯ζ鞴┬锠顩r的改善,除非相關(guān)投資能在今年第二季有所回升,否則2021年恐將面臨存儲器供應(yīng)嚴(yán)重短缺。因此,主要存儲器制造商預(yù)期將在今年下半年加大投資。

《Business Korea》報(bào)導(dǎo),三星電子DRAM存儲器容量將以50k wpm的速度增長,而NAND則將以85k wpm的速度增長,SK海力士的DRAM的存儲器容量將以30k wpm的速度增長,從這些數(shù)據(jù)來推斷,主要的存儲器設(shè)備制造商有可能在2020年創(chuàng)下有史以來最強(qiáng)勁的獲利。

另一方面,芯片尺寸的增加,以及EUV光刻技術(shù)引入DRAM制程中,也有利于半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)。在邏輯芯片制造商之間的競爭推動下,邏輯芯片的尺寸持續(xù)擴(kuò)大?;诠潭ㄈ萘?,隨著芯片尺寸的增加,芯片出貨量將會下跌,也將推動容量相關(guān)投資。2020年,英特爾(INTC-US)計(jì)劃投資170億美元,使產(chǎn)能年增25%。臺積電也計(jì)劃進(jìn)行150億美元的投資,較2018年增加50%。

新創(chuàng)獨(dú)角獸公司Cerebras日前推出了全球最大的電腦芯片-晶圓級引擎(Wafer-Scale Engine,WSE),標(biāo)志半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要里程碑,芯片尺寸的大幅度增加也將提高AI運(yùn)算能力,WSE芯片是由臺積電16納米制程打造的300mm晶圓切割而成。

近期5納米邏輯芯片和1Z納米DRAM制程引入EUV設(shè)備也將使半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)受益。臺積電如今正在引入4至5層EUV光罩層,用在包括5納米EUV光刻技術(shù)、孔洞陣列(hole arrays)等。

徐宏大使就阿斯麥光刻機(jī)問題回應(yīng)

徐宏大使就阿斯麥光刻機(jī)問題回應(yīng)

1月17日,荷蘭國家公共廣播電視臺(NOS)就美國干涉阿斯麥對華出口極紫外光刻機(jī)一事對徐宏大使進(jìn)行采訪,并于當(dāng)晚黃金時(shí)段作為新聞節(jié)目頭條進(jìn)行播報(bào)。報(bào)道還采訪了荷蘭首相呂特、經(jīng)貿(mào)大臣卡赫、美國駐荷大使及相關(guān)科技領(lǐng)域?qū)<摇?/p>

報(bào)道稱,中美大使最近先后就阿斯麥向中國出口光刻機(jī)問題進(jìn)行了表態(tài)。阿斯麥技術(shù)適合大規(guī)模生產(chǎn)芯片,可以軍民兩用,因此這類技術(shù)被列入出口管制清單,需要荷蘭政府簽發(fā)出口許可。美國大使表示不希望荷蘭政府簽發(fā)出口許可,而中國大使則認(rèn)為美國不應(yīng)插手荷蘭和阿斯麥?zhǔn)聞?wù)。荷蘭政府面臨艱難抉擇。節(jié)目中,呂特表示,大使們可以自由討論各種議題,也可以同媒體討論,所有這些都很有趣,但最后是荷蘭自己做出決定??ê沾蟪家脖硎?,政府會在安全、科技和知識保護(hù)等方面作出周全考慮,也會考慮到投資等經(jīng)濟(jì)因素,這將是一個非常困難的決定。

NOS在網(wǎng)站發(fā)布了對徐宏大使的專訪視頻。專訪文字實(shí)錄如下:

問:中國為何要進(jìn)口阿斯麥的光刻機(jī)?

答:應(yīng)該搞清楚的是,阿斯麥同中國公司的合作完全是公司之間的商業(yè)合作。雙方企業(yè)如果認(rèn)為有利可圖,就可以開展合作。阿斯麥進(jìn)入中國市場已經(jīng)多年了,同中國客戶合作良好。我們歡迎阿斯麥的產(chǎn)品進(jìn)入中國市場。中國政府所關(guān)心的是如何保證企業(yè)間的合作能正常開展,而不應(yīng)該被政治化。我們反對任何將正常商業(yè)活動政治化的行為。

問:您認(rèn)為現(xiàn)在是被政治化了嗎?

答:有可能。今早我看報(bào)紙,美國大使接受《金融日報(bào)》采訪時(shí)承認(rèn),美國政府在向荷蘭政府施加影響,阻止向中國出口光刻機(jī)。

問:對美國大使在采訪中的言論有何回應(yīng)?

答:胡克斯特拉大使的言論盡管沒有出乎意料,但我對他那句“ASML技術(shù)不應(yīng)屬于某些地方”的說法仍然感到荒謬。如果你比較我和胡克斯特拉大使的言論,誰在搞政治施壓,一目了然。美國大使在采訪中還提到了中國人權(quán)問題,我想強(qiáng)調(diào)的是,雖然我們的制度不同,但中國政府全心全意為人民謀幸福,并得到廣大中國人民的衷心擁護(hù)。中國沒有在境外挑起一場戰(zhàn)爭,沒有濫用長臂管轄、實(shí)施單邊制裁,更沒有處處以自身利益優(yōu)先來處理對外關(guān)系,干涉他國內(nèi)政。

問:所以美國比中國對荷蘭施加了更大的政治壓力?

答:我們不施加政治壓力,我們充分尊重荷蘭主權(quán)。

問:這會不會對中荷關(guān)系造成影響?

答:我們對在遵守國際法的基礎(chǔ)上發(fā)展兩國關(guān)系充滿信心。

問:如果荷蘭政府屈服于美國,這會對中荷關(guān)系帶來什么影響?

答:我不認(rèn)為荷蘭政府會這么做。我已經(jīng)同荷蘭政府?dāng)?shù)位官員交流過,他們都表示荷蘭政府會秉持客觀標(biāo)準(zhǔn)和法治精神獨(dú)立作出決定。

問:您對荷蘭政府批準(zhǔn)阿斯麥對中國出口光刻機(jī)有信心?

答:阿斯麥當(dāng)然希望向中國出口產(chǎn)品,因?yàn)橹袊且粋€大市場。任何新技術(shù)都需要市場支撐。但至于荷蘭政府是否會發(fā)放出口許可,這是荷蘭政府的內(nèi)政。我希望荷蘭政府能無視其他國家的政治壓力,依照法律作出決定。

問:如果荷蘭無法擺脫這種來自他國的壓力,中國是否也會向荷施壓?

答:中國不搞政治施壓,但是,如果荷蘭政府作出違背自身意愿和利益的決定,肯定對每一方都沒有好處,對國際貿(mào)易秩序也會帶來消極影響。

問:美國大使強(qiáng)調(diào)美國是出于安全或政治考慮,您認(rèn)為是不是也有經(jīng)濟(jì)因素在里面,比如美國為了阻止中國獲取相關(guān)高科技?

答:我不想評價(jià)美國的意圖到底是什么,我只想說中美前兩天剛剛簽署第一階段貿(mào)易協(xié)定。希望美方與中方一樣,秉持誠信原則,落實(shí)好這一協(xié)議。

問:有分析認(rèn)為荷蘭目前正陷于中美紛爭,您對此如何看?

答:中荷關(guān)系非常好,我們希望在各領(lǐng)域開展合作,我不認(rèn)為兩國合作會受到其他國家的影響。

問:美國大使在采訪中提到了向中國出口光刻機(jī)會帶來安全風(fēng)險(xiǎn),您知道是什么風(fēng)險(xiǎn)嗎?

答:美國人一方面強(qiáng)調(diào)安全風(fēng)險(xiǎn),一方面又拿不出任何證據(jù),我不清楚他指的是什么風(fēng)險(xiǎn)。美國大使在采訪中只是在強(qiáng)調(diào)中國和西方的意識形態(tài)和政治制度不同。如果他想利用這種不同將世界分割為對立的兩個陣營,這無疑會破壞國際社會的整體利益。

問:美國大使稱中國政府補(bǔ)貼國企,造成不公平競爭,您對此怎么看?

答:補(bǔ)貼是各國的普遍做法,美國政府也補(bǔ)貼自己的企業(yè)。關(guān)鍵是這種補(bǔ)貼應(yīng)符合世貿(mào)組織規(guī)定。中國嚴(yán)格遵循世貿(mào)組織規(guī)則,在一些領(lǐng)域,我們不只補(bǔ)貼中資企業(yè),對在華營商的外資企業(yè),只要符合條件,我們同樣給予補(bǔ)貼。

問:您認(rèn)為美國干涉荷蘭內(nèi)政,荷蘭政府會如何反應(yīng)?

答:我們反對其他國家干涉中國內(nèi)政。至于美國干涉荷蘭內(nèi)政時(shí)荷蘭如何反應(yīng),那是你們應(yīng)該考慮的事情。

問:您認(rèn)為荷蘭政府會怎么做呢?

答:我對此不予置評。

英特爾公布技術(shù)路線圖:10年后推1.4納米工藝

英特爾公布技術(shù)路線圖:10年后推1.4納米工藝

12月11日消息,據(jù)外媒報(bào)道,在今年的IEEE國際電子設(shè)備會議(IEDM)上,芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來十年制造工藝擴(kuò)展路線圖,包括2029年推出1.4納米制造工藝。

2029年1.4納米工藝

英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏,從2019年的10納米工藝開始,到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV(極紫外光刻),然后在2023年采用5納米,2025年3納米,2027年2納米,最終到2029年的1.4納米。這是英特爾首次提到1.4納米工藝,相當(dāng)于12個硅原子所占的位置,因此也證實(shí)了英特爾的發(fā)展方向。

或許值得注意的是,在今年的IEDM大會上,有些演講涉及的工藝尺寸為0.3納米的技術(shù),使用的是所謂的“2D自組裝”材料。盡管不是第一次聽說這樣的工藝,但在硅芯片制造領(lǐng)域,卻是首次有人如此提及。顯然,英特爾(及其合作伙伴)需要克服的問題很多。

技術(shù)迭代和反向移植

在兩代工藝節(jié)點(diǎn)之間,英特爾將會引入+和++工藝迭代版本,以便從每個節(jié)點(diǎn)中提取盡可能多的優(yōu)化性能。唯一的例外是10納米工藝,它已經(jīng)處于10+版本階段,所以我們將在2020年和2021年分別看到10++和10+++版本。英特爾相信,他們可以每年都做到這一點(diǎn),但也要有重疊的團(tuán)隊(duì),以確保一個完整的工藝節(jié)點(diǎn)可以與另一個重疊。

英特爾路線圖的有趣之處還在于,它提到了“反向移植”(back porting)。這是在芯片設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮到的一種工藝節(jié)點(diǎn)能力。盡管英特爾表示,他們正在將芯片設(shè)計(jì)從工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)中分離出來,但在某些時(shí)候,為了開始在硅中布局,工藝節(jié)點(diǎn)過程是鎖定的,特別是當(dāng)它進(jìn)入掩碼創(chuàng)建時(shí),因此在具體實(shí)施上并不容易。

不過,路線圖中顯示,英特爾將允許存在這樣一種工作流程,即任何第一代7納米設(shè)計(jì)可以反向移植到10++版本上,任何第一代5納米設(shè)計(jì)可以反向移植到7++版本上,然后是3納米反向移植到5++,2納米反向移植到3++上,依此類推。有人可能會說,這個路線圖對日期的限定可能不是那么嚴(yán)格,我們已經(jīng)看到英特爾的10納米技術(shù)需要很長時(shí)間才成熟起來,因此,期望公司在兩年的時(shí)間里,在主要的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)上以一年速度進(jìn)行更新的節(jié)奏前進(jìn),似乎顯得過于樂觀。

請注意,當(dāng)涉及到英特爾時(shí),這并不是第一次提到“反向移植”硬件設(shè)計(jì)。由于英特爾10納米工藝技術(shù)目前處于延遲階段,有廣泛的傳聞稱,英特爾未來的某些CPU微體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),最終可能會使用非常成功的14納米工藝。

研發(fā)努力

通常情況下,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的開發(fā),需要有不同的團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)每個節(jié)點(diǎn)的工作。這副路線圖說明,英特爾目前正在開發(fā)其10++優(yōu)化以及7納米系列工藝。其想法是,從設(shè)計(jì)角度來看,+版每一代更新都可以輕松實(shí)現(xiàn),因?yàn)檫@個數(shù)字代表了完整的節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢。

有趣的是,我們看到英特爾的7納米工藝基于10++版本開發(fā),而英特爾認(rèn)為未來的5納米工藝也會基于7納米工藝的設(shè)計(jì),3納米基于5納米設(shè)計(jì)。毫無疑問,每次+/++迭代的某些優(yōu)化將在需要時(shí)被移植到未來的設(shè)計(jì)中。

在這副路線圖中,我們看到英特爾的5納米工藝目前還處于定義階段。在這次IEDM會議上,有很多關(guān)于5納米工藝的討論,所以其中有些改進(jìn)(如制造、材料、一致性等)最終將被應(yīng)用于英特爾的5納米工藝中,這取決于他們與哪些設(shè)計(jì)公司合作(歷史上是應(yīng)用材料公司)。

除了5納米工藝開發(fā),我們還可以看看英特爾的3納米、2納米以及1.4納米工藝藍(lán)圖,該公司目前正處于“尋路”模式中。展望未來,英特爾正在考慮新材料、新晶體管設(shè)計(jì)等。同樣值得指出的是,基于新的路線圖,英特爾顯然仍然相信摩爾定律。

先進(jìn)制程研發(fā)按計(jì)劃進(jìn)行!中芯國際周子學(xué):EUV出口問題解決

先進(jìn)制程研發(fā)按計(jì)劃進(jìn)行!中芯國際周子學(xué):EUV出口問題解決

日前,外媒曾經(jīng)報(bào)導(dǎo),因?yàn)槭芟抻谥忻蕾Q(mào)易摩擦的情勢,全球最大半導(dǎo)體光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML停止了對中芯國際的極紫外光刻設(shè)備(EUV)的出貨。此事不但造成業(yè)界震撼,還導(dǎo)致中芯國際的股價(jià)重挫。

但ASML隨即發(fā)出聲明表示,公司并非停止出口設(shè)備給中芯國際,而是在等出口許可中。ASML還在聲明中指出,我們對客戶一視同仁,并在出口許可證到期前向荷蘭政府提出了申請。雖然EUV設(shè)備的最大買家是臺積電和三星,但ASML卻也不會忽視未來會發(fā)展的中國市場。

中芯國際董事長周子學(xué)也在日前指出,目前ASML的EUV出口許可問題已經(jīng)解決,但仍將嚴(yán)密觀察ASML是否將很快實(shí)際供應(yīng)EUV設(shè)備。

根據(jù)韓國媒體《ETnews》的報(bào)導(dǎo)指出,中芯國際董事長周子學(xué)在訪問韓國的過程中表示,中芯國際目前正在進(jìn)行EUV設(shè)備進(jìn)口的文書作業(yè),對于進(jìn)口EUV設(shè)備的許可問題現(xiàn)在已經(jīng)解決,這也使得先進(jìn)制程的研發(fā)也依照計(jì)劃進(jìn)行中。

周子學(xué)強(qiáng)調(diào),該情況顯示在目前的情況下,中芯國際發(fā)展先進(jìn)制程的計(jì)劃并沒有受到任何的影響。此外,中芯國際稱,其進(jìn)口ASML的EUV設(shè)備就是用在7納米制程的研發(fā)上,已縮小與領(lǐng)先廠商間的差距。

EUV市場供不應(yīng)求,ASML或取代應(yīng)材登全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭

EUV市場供不應(yīng)求,ASML或取代應(yīng)材登全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),已經(jīng)多年蟬聯(lián)全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭的美商應(yīng)材公司(Applied Materials),2019年可能將其龍頭寶座,讓給以生產(chǎn)半導(dǎo)體制造過程中不可或缺曝光機(jī)的荷蘭ASML,原因是受惠即紫外光刻設(shè)備(EUV)的市場需求大增,進(jìn)一步拉抬了ASML的市占率表現(xiàn)。

根據(jù)報(bào)導(dǎo),市場研究調(diào)查單位表示,過去3年來,應(yīng)材公司一直在晶圓制造前段(WFE)設(shè)備市場失去市場占有率,而ASML卻將憑藉其價(jià)格高昂的EUV光刻設(shè)備的大量出貨,拉抬市占率,并進(jìn)一步取代應(yīng)材公司成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備公司。

調(diào)查資料顯示,應(yīng)材公司在2018年的半導(dǎo)體設(shè)備市場占有率為19.2%,雖然在2019年小幅成長到了19.4%,但仍低于2015年的23%。反觀ASML的市場占有率,則有望從2018年的18%,成長到了21.6%。調(diào)查研究單位還表示,到2020年,整個WFE市場預(yù)期將有5%的小幅成長,再加上半導(dǎo)體制造商原先規(guī)劃的資本支出,ASML的市場占有率有望進(jìn)一步提高到22.8%,而應(yīng)用材料將保持其19.3%的市占率。

根據(jù)財(cái)報(bào)顯示,ASML在2019年第3季營收為30億歐元,凈收入為6.27億歐元。其中,除了一共完成7臺EUV系統(tǒng)出貨,其中3臺是NXE:3400C之外,該季還接到23臺EUV系統(tǒng)訂單,創(chuàng)下ASML單季最高訂單金額紀(jì)錄。

至于,應(yīng)材在最新一季的財(cái)報(bào)透露,營收達(dá)到37.5億美元,低于2018年同期的40.1億美元,優(yōu)于市場預(yù)期的36.8億美元。凈利為6.98億美元,以非美國通用會計(jì)準(zhǔn)則(non-GAAP)計(jì)算,凈利為7.44億美元,較2018年同期的8.37億美元低。

ASML、中芯國際雙雙“表態(tài)”:EUV光刻機(jī)出貨正常

ASML、中芯國際雙雙“表態(tài)”:EUV光刻機(jī)出貨正常

去年4月,中芯國際向荷蘭ASML公司訂購了一臺EUV光刻機(jī),用于研究7nm及以下的先進(jìn)工藝。花費(fèi)超過1.2億歐元(約10億人民幣),預(yù)計(jì)今年底交貨,2020年正式安裝。來自日經(jīng)新聞消息稱,因?yàn)槭艿矫绹P(guān)切,ASML將延后對中國晶圓代工企業(yè)中芯國際出貨。

對此ASML與中芯國際均對此表示否定。

11月7日下午,ASML向《科創(chuàng)板日報(bào)》獨(dú)家回應(yīng)稱,對于日經(jīng)新聞報(bào)道的關(guān)于交貨時(shí)程僅為其媒體推測,ASML從未評論或確認(rèn),對其將推測直接定性為事實(shí)作為新聞標(biāo)題并在文中闡述,表示抗議。

ASML相關(guān)負(fù)責(zé)人強(qiáng)調(diào):“實(shí)際上在我們第三季度財(cái)報(bào)中,就已經(jīng)將相關(guān)情況進(jìn)行說明,根據(jù)瓦圣納協(xié)議(Wassenaar Arrangement),ASML出口EUV到中國需取得荷蘭政府的出口許可(export license)。該出口許可于今年到期,ASML已經(jīng)于到期前重新進(jìn)行申請,目前正在等待荷蘭政府核準(zhǔn)。因此,關(guān)于“ASML決定延遲/終止出貨”的說法是錯誤的,ASML系遵循法規(guī)行事,并一視同仁地服務(wù)我們?nèi)蚩蛻?。?/p>

對于何時(shí)能拿到許可證,ASML相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,目前處于正常的流程狀態(tài)中,尚未掌握確切的時(shí)間。

中芯國際也進(jìn)行回應(yīng):“極紫外光(EUV)還在紙面工作階段,未進(jìn)行相關(guān)活動。公司先進(jìn)工藝研發(fā)進(jìn)展順利。目前,研發(fā)與生產(chǎn)的連結(jié)一切正常,客戶與設(shè)備導(dǎo)入正常運(yùn)作。”

ASML是全球EUV光刻機(jī)的唯一供應(yīng)商,并且是全球市值最高的芯片設(shè)備制造商。ASML年收入約在 83 億歐元 (約 92 億美元) 左右。其中16%來自英特爾和美光等美國公司,19%來自中國。據(jù)了解,臺積電、三星已于2019年導(dǎo)入量產(chǎn)最先端產(chǎn)品的EUV設(shè)備,且蘋果預(yù)計(jì)2020年下半開賣的新型iPhone預(yù)估就會搭載采用該技術(shù)的CPU。

中芯國際是我國最大的半導(dǎo)體制造公司,今年14nm制程已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),追平臺聯(lián)電14nm制程工藝,如果未能準(zhǔn)時(shí)拿到最先進(jìn)光刻機(jī)設(shè)備,或影響趕超臺積電的日程表。

目前臺積電臺積電將包攬ASML今年的30臺EUV光刻機(jī)中的18臺,不過量產(chǎn)的7nm制程仍是基于DUV(深紫外)工藝,今年3月份才啟動7nm EUV的量產(chǎn)。而三星在去年就小規(guī)模投產(chǎn)了7nm EUV。

半導(dǎo)體業(yè)擁抱EUV技術(shù) 代工廠資本支出直線攀升

半導(dǎo)體業(yè)擁抱EUV技術(shù) 代工廠資本支出直線攀升

臺積電、英特爾和三星為打造體積更小、效能更強(qiáng)的處理器,紛紛導(dǎo)入極紫外光(EUV)技術(shù),相關(guān)設(shè)備所費(fèi)不貲,3家大廠資本支出直線攀升,ASML等設(shè)備廠則成為受益者。

華爾街日報(bào)報(bào)導(dǎo),晶圓代工大廠以最新制程挑戰(zhàn)物理極限,需要EUV微影技術(shù)當(dāng)幫手。與常用光源相比,采用EUV的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮,但先進(jìn)晶圓廠建造成本也跟著水漲船高,臺積電兩年前宣布的新廠建造費(fèi)用達(dá)200億美元。

關(guān)鍵在于EUV光刻器具價(jià)格高昂。ASML公布,第3季光售出7套EUV系統(tǒng)就進(jìn)帳7.43億歐元,等于每套系統(tǒng)要價(jià)超過1億歐元。這還不含半導(dǎo)體制程控管與測試設(shè)備成本。

臺積電深耕晶圓代工先進(jìn)制程,10月表示強(qiáng)效版7納米制程導(dǎo)入EUV技術(shù),今年第2季開始量產(chǎn),良率已相當(dāng)接近7納米制程;6納米制程預(yù)計(jì)明年第1季試產(chǎn),并于明年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

與此同時(shí),晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢。

臺積電10月宣布今年資本支出達(dá)140億至150億美元,高于原先設(shè)定目標(biāo)近40%。英特爾(Intel)隨后宣布加碼3%,今年資本支出目標(biāo)達(dá)160億美元,創(chuàng)公司成立以來新高,比兩年前高出36%。三星(Samsung)上周宣布,今年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出約200億美元。

三星公布的金額略少于去年,但業(yè)界分析師預(yù)期,三星今年大幅減少投資存儲器生產(chǎn),以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。

在EUV技術(shù)帶動下,半導(dǎo)體設(shè)備廠獲益良多。ASML第3季接獲23套EUV系統(tǒng)訂單,創(chuàng)單季訂單金額新高;半導(dǎo)體制程控管設(shè)備制造商科磊(KLA-Tencor)上周公布,會計(jì)年度第1季營收年增率達(dá)29%,并表示EUV投資是業(yè)績成長主要動能。

今年以來,ASML與科磊股價(jià)漲幅分別達(dá)76%、94%。報(bào)導(dǎo)指出,明年EUV需求預(yù)料更加旺盛,半導(dǎo)體設(shè)備廠前景一片光明。

劉德音證實(shí) 臺積電5納米明年第一季量產(chǎn)

劉德音證實(shí) 臺積電5納米明年第一季量產(chǎn)

臺積電董事長劉德音20日表示,臺積電5納米正積極準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)。

臺積電不僅7納米表現(xiàn)搶眼,更積極布局5納米,且進(jìn)展相當(dāng)順利,此前就有消息指出將會提前試產(chǎn)。

盡管三星也動作頻頻大買設(shè)備,向ASML購買價(jià)值約27.5億美元的EUV設(shè)備,強(qiáng)化與臺積電競爭能力。但目前來看,臺積電不僅以極紫外光7納米強(qiáng)化版制程量產(chǎn)應(yīng)對,甚至預(yù)計(jì)5納米強(qiáng)化版今年底即可小量量產(chǎn)。

臺積電正以驚人的技術(shù),準(zhǔn)備在市場上筑起令對手難以逾越的壁壘,今年第三季臺積電全球市占仍然過半,且優(yōu)勢可望繼續(xù)維持。

劉德音證實(shí),如今7納米技術(shù)已成熟發(fā)展到車用規(guī)模,5納米也即將在明年第一季正式量產(chǎn),并且明年將急速擴(kuò)張。

據(jù)媒體,臺積電5納米制程試產(chǎn)結(jié)果,晶體管數(shù)將會是7納米的1.8倍,同一功耗下提升運(yùn)算效能15%,繼續(xù)領(lǐng)先業(yè)界。所以此前就有消息傳出,即使5納米尚未量產(chǎn)但已有不少一線大廠預(yù)訂,而臺積電連續(xù)上修資本支出,也是為了擴(kuò)張5納米產(chǎn)能。

目前最新消息指出,預(yù)計(jì)新增預(yù)算中將有25億美元用在5納米制程。

供應(yīng)鏈方面也有消息透露,臺積電南科P3廠將加快建廠,并決定導(dǎo)入5納米強(qiáng)化版制程,規(guī)劃月產(chǎn)能近3萬片,總計(jì)5納米月產(chǎn)將能增加至8萬片,量產(chǎn)規(guī)模不斷上修。而P1及P2廠的7納米月產(chǎn)能,也將增加至5.1萬片。業(yè)界認(rèn)為,臺積電打算把籌碼押注在5納米身上,一口氣拉開與競爭對手的距離,并將優(yōu)勢延續(xù)到3納米。

臺積電7納米營收占比明年有望超越三成,而5納米將也會成為明年?duì)I收成長主力,但預(yù)期數(shù)字暫時(shí)不能對外公開。不過臺積預(yù)估明年5G手機(jī)占比將迅速達(dá)到15%左右,且如相機(jī)模組、RF、AP、電源管理、調(diào)制解調(diào)器等芯片,將都會采用臺積電的先進(jìn)制程。

值得注意的是,可編程邏輯元件(FPGA)也持續(xù)在向5納米制程靠攏,隨著AI及高速運(yùn)算等特殊應(yīng)用持續(xù)熱絡(luò),對于推升臺積電5納米制程需求也有所助益。

7nm+EUV工藝大規(guī)模量產(chǎn),EUV光刻機(jī)銷量有望走高

7nm+EUV工藝大規(guī)模量產(chǎn),EUV光刻機(jī)銷量有望走高

臺積電近日宣布,已經(jīng)開始了7nm+ EUV工藝的大規(guī)模量產(chǎn),這是該公司乃至整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首個商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。作為EUV設(shè)備唯一提供商,市場預(yù)估荷蘭ASML公司籍此EUV設(shè)備年增長率將超過66%。這個目標(biāo)是否能實(shí)現(xiàn)?EUV工藝在發(fā)展過程中面臨哪些挑戰(zhàn)?產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中需要突破哪些瓶頸?

EUV設(shè)備讓摩爾定律再延伸三代工藝

光刻是集成電路生產(chǎn)過程中最復(fù)雜、難度最大也是最為關(guān)鍵的工藝,它對芯片的工藝制程起著決定性作用。193nm浸沒式光刻技術(shù)自2004年年底由臺積電和IBM公司應(yīng)用以來,從90nm節(jié)點(diǎn)一直延伸到10nm節(jié)點(diǎn),經(jīng)歷了12年時(shí)間,是目前主流的光刻工藝。但是進(jìn)入7nm工藝后,它的制約也越來越明顯,因此EUV工藝堂而皇之走上舞臺。

全球EUV光刻技術(shù)的研發(fā)始于20世紀(jì)80年代,經(jīng)過近40年的發(fā)展,EUV技術(shù)從原理到零部件再到原材料等已經(jīng)足夠成熟,并且在現(xiàn)階段的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用中體現(xiàn)了較明顯優(yōu)勢。

研究院王珺在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示,極紫外光(EUV)短于深紫外光(DUV)的波長,這讓EUV光刻技術(shù)的應(yīng)用顯著提升了光刻機(jī)曝光分辨率,進(jìn)而帶動晶體管特征尺寸的縮減。制造企業(yè)在28nm及以下工藝的解決方案使用浸沒式和多重曝光技術(shù)。但是進(jìn)入7nm工藝,DUV的多重曝光次數(shù)增長太多,讓制造成本、難度、良率、交付期限均顯著惡化。在關(guān)鍵層應(yīng)用EUV光刻技術(shù),從而減少曝光次數(shù),進(jìn)而帶來制造成本與難度的降低,這讓EUV光刻技術(shù)具備了足夠的生產(chǎn)價(jià)值。

“EUV光刻機(jī)在5nm及以下工藝具有不可替代性,在未來較長時(shí)間內(nèi)應(yīng)用EUV技術(shù)都將成為實(shí)現(xiàn)摩爾定律發(fā)展的重要方向?!蓖醅B說。因此,從工藝技術(shù)和制造成本綜合因素考量,EUV設(shè)備被普遍認(rèn)為是7nm以下工藝節(jié)點(diǎn)最佳選擇,它可以繼續(xù)往下延伸三代工藝,讓摩爾定律再至少延長10年時(shí)間。

DRAM存儲器將帶動EUV光刻機(jī)增長

在臺積電、三星、英特爾繼續(xù)延續(xù)摩爾定律進(jìn)行工藝發(fā)展的帶動下,EUV光刻機(jī)的應(yīng)用數(shù)量將持續(xù)提升。

王珺表示,從目前看,對EUV光刻技術(shù)具有明顯應(yīng)用需求的芯片包括應(yīng)用處理器、CPU、DRAM存儲器、基帶芯片。

半導(dǎo)體專家莫大康認(rèn)為,ASML公司EUV設(shè)備產(chǎn)量若要進(jìn)一步擴(kuò)大,希望就落在存儲器廠商身上。他向《中國電子報(bào)》記者表示,目前看,EUV光刻機(jī)主要賣給三家公司:英特爾、三星和臺積電,其中臺積電訂得最多。他介紹說,存儲器主要分為兩種:一種是DRAM,另一種是3D NAND。3D NAND目前的競爭主要集中在層數(shù)上,雖然也需要工藝的先進(jìn)性,但需求不那么迫切。而DRAM存儲器則不同,一方面其產(chǎn)量比較大,另一方面若做到1Z(12~14nm)以下,就可能需要用到EUV光刻機(jī)了,屆時(shí),存儲器廠商訂的EUV設(shè)備將有大的爆發(fā)?!暗唧w時(shí)間,還要看市場需求以及廠商導(dǎo)入情況。目前,ASML公司EUV設(shè)備一年的出貨量只有40多臺,遠(yuǎn)遠(yuǎn)未達(dá)到業(yè)界預(yù)期?!?/p>

EUV還需克服諸多挑戰(zhàn)

現(xiàn)階段EUV光刻技術(shù)已經(jīng)成熟,且進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,但是在光刻機(jī)的光源效率、光刻膠的靈敏度等方面依然存在較大的進(jìn)步空間。

有關(guān)人士指出,EUV光刻機(jī)除了價(jià)格昂貴之外(超過1億美元),最大的問題是電能消耗,電能利用率低,是傳統(tǒng)193nm光刻機(jī)的10倍,因?yàn)闃O紫外光的波長僅有 13.5nm,投射到晶圓表面曝光的強(qiáng)度只有光進(jìn)入EUV設(shè)備光路系統(tǒng)前的2%。在7nm成本比較中,7nm的EUV生產(chǎn)效率在80片/小時(shí)的耗電成本是14nm的傳統(tǒng)光刻生產(chǎn)效率在240片/小時(shí)耗電成本的1倍,這還不算設(shè)備購置成本和掩膜版設(shè)計(jì)制造成本比較。

莫大康認(rèn)為EUV工藝面臨三大挑戰(zhàn):首先是光源效率,即每小時(shí)刻多少片,按照工藝要求,要達(dá)到每小時(shí)250片,而現(xiàn)在EUV光源效率達(dá)不到這個標(biāo)準(zhǔn),因此還需進(jìn)一步提高,且技術(shù)難度相當(dāng)大。其次是光刻膠,光刻膠的問題主要體現(xiàn)在:EUV光刻機(jī)和普通光刻機(jī)原理不同,普通光刻機(jī)采用投影進(jìn)行光刻,而EUV光刻機(jī)則利用反射光,要通過反光鏡,因此,光子和光刻膠的化學(xué)反應(yīng)變得不可控,有時(shí)候會出差錯,這也是迫切需要解決的難題。最后是光刻機(jī)保護(hù)層的透光材料,隨著光刻機(jī)精度越來越高,上面需要一層保護(hù)層,現(xiàn)在的材料還不夠好,透光率比較差。

在以上三個挑戰(zhàn)中,光源效率是最主要的。此外,EUV光刻工藝的良率也是阻礙其發(fā)展的“絆腳石”。目前,采用一般光刻機(jī)生產(chǎn)的良率在95%,EUV光刻機(jī)的良率則比它低不少,在70%~80%之間。莫大康表示,解決上述問題,關(guān)鍵是訂單數(shù)量,只有訂單多了,廠商用的多了,才能吸引更多光源、材料等上下游企業(yè)共同參與,完善EUV產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

王珺表示,EUV技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用難度極高,未來實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步發(fā)展在全球范圍內(nèi)將遵循競爭優(yōu)勢理論,各國和地區(qū)的供應(yīng)商依靠自身優(yōu)勢進(jìn)行國際化產(chǎn)業(yè)整合。

邏輯和存儲器芯片受青睞 第三季ASML接23臺EUV系統(tǒng)訂單

邏輯和存儲器芯片受青睞 第三季ASML接23臺EUV系統(tǒng)訂單

全球半導(dǎo)體微影技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商ASML 16日發(fā)布2019年第3季財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示,ASML在2019年第3季銷售凈額(net sales)為30億歐元,凈收入(net income)為6.27億歐元,毛利率(gross margin)43.7%。

預(yù)估2019年第4季銷售凈額則將落在約39億歐元上下,較第3季成長30%,毛利率約為48%到49%。

ASML總裁暨執(zhí)行長Peter Wennink表示,ASML在2019年第3季的銷售額和毛利率符合財(cái)測。而由于5G和人工智能等終端市場技術(shù)和應(yīng)用需要使用到先進(jìn)制程芯片。因此,在年底之前,預(yù)期邏輯芯片客戶的需求將持續(xù)強(qiáng)勁。

至于,在EUV方面,ASML表示客戶有穩(wěn)定的進(jìn)展。在2019年第3季中,除了一共完成7臺EUV系統(tǒng)出貨,其中3臺是NXE:3400C之外,該季還接到23臺EUV系統(tǒng)訂單,不僅創(chuàng)下ASML單季最高訂單金額紀(jì)錄,也證實(shí)邏輯和存儲器芯片客戶均積極將EUV系統(tǒng)導(dǎo)入芯片量產(chǎn)。

總結(jié)來說,ASML對于2019年的整體營收目標(biāo)維持不變,2019年對于ASML來說仍是成長的一年。

展望2019年第4季營運(yùn)狀況,ASML預(yù)估銷售凈額可達(dá)39億歐元,毛利率約48%到49%。研發(fā)費(fèi)用約5億歐元,管理支出費(fèi)用(SG&A)約1.35億歐元。