在2019年存儲(chǔ)器相關(guān)投資大幅下跌之后，市場(chǎng)預(yù)期2020年新存儲(chǔ)器容量投資將急劇增加。受邏輯半導(dǎo)體制造商之間的競(jìng)爭(zhēng)所推動(dòng)，邏輯芯片尺寸持續(xù)擴(kuò)大，新設(shè)備相關(guān)需求也推動(dòng)了EUV光刻機(jī)的量產(chǎn)，為半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多的動(dòng)能。

展望2020年，相對(duì)2019年的下跌，存儲(chǔ)器設(shè)備投資預(yù)期將會(huì)有所增加?？剂康浇诖鎯?chǔ)器供需狀況的改善，除非相關(guān)投資能在今年第二季有所回升，否則2021年恐將面臨存儲(chǔ)器供應(yīng)嚴(yán)重短缺。因此，主要存儲(chǔ)器制造商預(yù)期將在今年下半年加大投資。

《Business Korea》報(bào)導(dǎo)，三星電子DRAM存儲(chǔ)器容量將以50k wpm的速度增長(zhǎng)，而NAND則將以85k wpm的速度增長(zhǎng)，SK海力士的DRAM的存儲(chǔ)器容量將以30k wpm的速度增長(zhǎng)，從這些數(shù)據(jù)來(lái)推斷，主要的存儲(chǔ)器設(shè)備制造商有可能在2020年創(chuàng)下有史以來(lái)最強(qiáng)勁的獲利。

另一方面，芯片尺寸的增加，以及EUV光刻技術(shù)引入DRAM制程中，也有利于半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)。在邏輯芯片制造商之間的競(jìng)爭(zhēng)推動(dòng)下，邏輯芯片的尺寸持續(xù)擴(kuò)大?；诠潭ㄈ萘浚S著芯片尺寸的增加，芯片出貨量將會(huì)下跌，也將推動(dòng)容量相關(guān)投資。2020年，英特爾(INTC-US)計(jì)劃投資170億美元，使產(chǎn)能年增25%。臺(tái)積電也計(jì)劃進(jìn)行150億美元的投資，較2018年增加50%。

新創(chuàng)獨(dú)角獸公司Cerebras日前推出了全球最大的電腦芯片-晶圓級(jí)引擎(Wafer-Scale Engine，WSE)，標(biāo)志半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要里程碑，芯片尺寸的大幅度增加也將提高AI運(yùn)算能力，WSE芯片是由臺(tái)積電16納米制程打造的300mm晶圓切割而成。

近期5納米邏輯芯片和1Z納米DRAM制程引入EUV設(shè)備也將使半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)受益。臺(tái)積電如今正在引入4至5層EUV光罩層，用在包括5納米EUV光刻技術(shù)、孔洞陣列(hole arrays)等。

邏輯芯片尺寸持續(xù)擴(kuò)大 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

1月17日，荷蘭國(guó)家公共廣播電視臺(tái)（NOS）就美國(guó)干涉阿斯麥對(duì)華出口極紫外光刻機(jī)一事對(duì)徐宏大使進(jìn)行采訪，并于當(dāng)晚黃金時(shí)段作為新聞節(jié)目頭條進(jìn)行播報(bào)。報(bào)道還采訪了荷蘭首相呂特、經(jīng)貿(mào)大臣卡赫、美國(guó)駐荷大使及相關(guān)科技領(lǐng)域?qū)＜摇?/p>

報(bào)道稱，中美大使最近先后就阿斯麥向中國(guó)出口光刻機(jī)問(wèn)題進(jìn)行了表態(tài)。阿斯麥技術(shù)適合大規(guī)模生產(chǎn)芯片，可以軍民兩用，因此這類技術(shù)被列入出口管制清單，需要荷蘭政府簽發(fā)出口許可。美國(guó)大使表示不希望荷蘭政府簽發(fā)出口許可，而中國(guó)大使則認(rèn)為美國(guó)不應(yīng)插手荷蘭和阿斯麥?zhǔn)聞?wù)。荷蘭政府面臨艱難抉擇。節(jié)目中，呂特表示，大使們可以自由討論各種議題，也可以同媒體討論，所有這些都很有趣，但最后是荷蘭自己做出決定?？ê沾蟪家脖硎?，政府會(huì)在安全、科技和知識(shí)保護(hù)等方面作出周全考慮，也會(huì)考慮到投資等經(jīng)濟(jì)因素，這將是一個(gè)非常困難的決定。

NOS在網(wǎng)站發(fā)布了對(duì)徐宏大使的專訪視頻。專訪文字實(shí)錄如下：

問(wèn)：中國(guó)為何要進(jìn)口阿斯麥的光刻機(jī)？

答：應(yīng)該搞清楚的是，阿斯麥同中國(guó)公司的合作完全是公司之間的商業(yè)合作。雙方企業(yè)如果認(rèn)為有利可圖，就可以開展合作。阿斯麥進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)已經(jīng)多年了，同中國(guó)客戶合作良好。我們歡迎阿斯麥的產(chǎn)品進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。中國(guó)政府所關(guān)心的是如何保證企業(yè)間的合作能正常開展，而不應(yīng)該被政治化。我們反對(duì)任何將正常商業(yè)活動(dòng)政治化的行為。

問(wèn)：您認(rèn)為現(xiàn)在是被政治化了嗎？

答：有可能。今早我看報(bào)紙，美國(guó)大使接受《金融日?qǐng)?bào)》采訪時(shí)承認(rèn)，美國(guó)政府在向荷蘭政府施加影響，阻止向中國(guó)出口光刻機(jī)。

問(wèn)：對(duì)美國(guó)大使在采訪中的言論有何回應(yīng)？

答：胡克斯特拉大使的言論盡管沒(méi)有出乎意料，但我對(duì)他那句“ASML技術(shù)不應(yīng)屬于某些地方”的說(shuō)法仍然感到荒謬。如果你比較我和胡克斯特拉大使的言論，誰(shuí)在搞政治施壓，一目了然。美國(guó)大使在采訪中還提到了中國(guó)人權(quán)問(wèn)題，我想強(qiáng)調(diào)的是，雖然我們的制度不同，但中國(guó)政府全心全意為人民謀幸福，并得到廣大中國(guó)人民的衷心擁護(hù)。中國(guó)沒(méi)有在境外挑起一場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)，沒(méi)有濫用長(zhǎng)臂管轄、實(shí)施單邊制裁，更沒(méi)有處處以自身利益優(yōu)先來(lái)處理對(duì)外關(guān)系，干涉他國(guó)內(nèi)政。

問(wèn)：所以美國(guó)比中國(guó)對(duì)荷蘭施加了更大的政治壓力？

答：我們不施加政治壓力，我們充分尊重荷蘭主權(quán)。

問(wèn)：這會(huì)不會(huì)對(duì)中荷關(guān)系造成影響？

答：我們對(duì)在遵守國(guó)際法的基礎(chǔ)上發(fā)展兩國(guó)關(guān)系充滿信心。

問(wèn)：如果荷蘭政府屈服于美國(guó)，這會(huì)對(duì)中荷關(guān)系帶來(lái)什么影響？

答：我不認(rèn)為荷蘭政府會(huì)這么做。我已經(jīng)同荷蘭政府?dāng)?shù)位官員交流過(guò)，他們都表示荷蘭政府會(huì)秉持客觀標(biāo)準(zhǔn)和法治精神獨(dú)立作出決定。

問(wèn)：您對(duì)荷蘭政府批準(zhǔn)阿斯麥對(duì)中國(guó)出口光刻機(jī)有信心？

答：阿斯麥當(dāng)然希望向中國(guó)出口產(chǎn)品，因?yàn)橹袊?guó)是一個(gè)大市場(chǎng)。任何新技術(shù)都需要市場(chǎng)支撐。但至于荷蘭政府是否會(huì)發(fā)放出口許可，這是荷蘭政府的內(nèi)政。我希望荷蘭政府能無(wú)視其他國(guó)家的政治壓力，依照法律作出決定。

問(wèn)：如果荷蘭無(wú)法擺脫這種來(lái)自他國(guó)的壓力，中國(guó)是否也會(huì)向荷施壓？

答：中國(guó)不搞政治施壓，但是，如果荷蘭政府作出違背自身意愿和利益的決定，肯定對(duì)每一方都沒(méi)有好處，對(duì)國(guó)際貿(mào)易秩序也會(huì)帶來(lái)消極影響。

問(wèn)：美國(guó)大使強(qiáng)調(diào)美國(guó)是出于安全或政治考慮，您認(rèn)為是不是也有經(jīng)濟(jì)因素在里面，比如美國(guó)為了阻止中國(guó)獲取相關(guān)高科技？

答：我不想評(píng)價(jià)美國(guó)的意圖到底是什么，我只想說(shuō)中美前兩天剛剛簽署第一階段貿(mào)易協(xié)定。希望美方與中方一樣，秉持誠(chéng)信原則，落實(shí)好這一協(xié)議。

問(wèn)：有分析認(rèn)為荷蘭目前正陷于中美紛爭(zhēng)，您對(duì)此如何看？

答：中荷關(guān)系非常好，我們希望在各領(lǐng)域開展合作，我不認(rèn)為兩國(guó)合作會(huì)受到其他國(guó)家的影響。

問(wèn)：美國(guó)大使在采訪中提到了向中國(guó)出口光刻機(jī)會(huì)帶來(lái)安全風(fēng)險(xiǎn)，您知道是什么風(fēng)險(xiǎn)嗎？

答：美國(guó)人一方面強(qiáng)調(diào)安全風(fēng)險(xiǎn)，一方面又拿不出任何證據(jù)，我不清楚他指的是什么風(fēng)險(xiǎn)。美國(guó)大使在采訪中只是在強(qiáng)調(diào)中國(guó)和西方的意識(shí)形態(tài)和政治制度不同。如果他想利用這種不同將世界分割為對(duì)立的兩個(gè)陣營(yíng)，這無(wú)疑會(huì)破壞國(guó)際社會(huì)的整體利益。

問(wèn)：美國(guó)大使稱中國(guó)政府補(bǔ)貼國(guó)企，造成不公平競(jìng)爭(zhēng)，您對(duì)此怎么看？

答：補(bǔ)貼是各國(guó)的普遍做法，美國(guó)政府也補(bǔ)貼自己的企業(yè)。關(guān)鍵是這種補(bǔ)貼應(yīng)符合世貿(mào)組織規(guī)定。中國(guó)嚴(yán)格遵循世貿(mào)組織規(guī)則，在一些領(lǐng)域，我們不只補(bǔ)貼中資企業(yè)，對(duì)在華營(yíng)商的外資企業(yè)，只要符合條件，我們同樣給予補(bǔ)貼。

問(wèn)：您認(rèn)為美國(guó)干涉荷蘭內(nèi)政，荷蘭政府會(huì)如何反應(yīng)？

答：我們反對(duì)其他國(guó)家干涉中國(guó)內(nèi)政。至于美國(guó)干涉荷蘭內(nèi)政時(shí)荷蘭如何反應(yīng)，那是你們應(yīng)該考慮的事情。

問(wèn)：您認(rèn)為荷蘭政府會(huì)怎么做呢？

答：我對(duì)此不予置評(píng)。

徐宏大使就阿斯麥光刻機(jī)問(wèn)題回應(yīng)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

12月11日消息，據(jù)外媒報(bào)道，在今年的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議（IEDM）上，芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來(lái)十年制造工藝擴(kuò)展路線圖，包括2029年推出1.4納米制造工藝。

2029年1.4納米工藝

英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏，從2019年的10納米工藝開始，到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV（極紫外光刻），然后在2023年采用5納米，2025年3納米，2027年2納米，最終到2029年的1.4納米。這是英特爾首次提到1.4納米工藝，相當(dāng)于12個(gè)硅原子所占的位置，因此也證實(shí)了英特爾的發(fā)展方向。

或許值得注意的是，在今年的IEDM大會(huì)上，有些演講涉及的工藝尺寸為0.3納米的技術(shù)，使用的是所謂的“2D自組裝”材料。盡管不是第一次聽說(shuō)這樣的工藝，但在硅芯片制造領(lǐng)域，卻是首次有人如此提及。顯然，英特爾(及其合作伙伴)需要克服的問(wèn)題很多。

技術(shù)迭代和反向移植

在兩代工藝節(jié)點(diǎn)之間，英特爾將會(huì)引入+和++工藝迭代版本，以便從每個(gè)節(jié)點(diǎn)中提取盡可能多的優(yōu)化性能。唯一的例外是10納米工藝，它已經(jīng)處于10+版本階段，所以我們將在2020年和2021年分別看到10++和10+++版本。英特爾相信，他們可以每年都做到這一點(diǎn)，但也要有重疊的團(tuán)隊(duì)，以確保一個(gè)完整的工藝節(jié)點(diǎn)可以與另一個(gè)重疊。

英特爾路線圖的有趣之處還在于，它提到了“反向移植”（back porting）。這是在芯片設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮到的一種工藝節(jié)點(diǎn)能力。盡管英特爾表示，他們正在將芯片設(shè)計(jì)從工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)中分離出來(lái)，但在某些時(shí)候，為了開始在硅中布局，工藝節(jié)點(diǎn)過(guò)程是鎖定的，特別是當(dāng)它進(jìn)入掩碼創(chuàng)建時(shí)，因此在具體實(shí)施上并不容易。

不過(guò)，路線圖中顯示，英特爾將允許存在這樣一種工作流程，即任何第一代7納米設(shè)計(jì)可以反向移植到10++版本上，任何第一代5納米設(shè)計(jì)可以反向移植到7++版本上，然后是3納米反向移植到5++，2納米反向移植到3++上，依此類推。有人可能會(huì)說(shuō)，這個(gè)路線圖對(duì)日期的限定可能不是那么嚴(yán)格，我們已經(jīng)看到英特爾的10納米技術(shù)需要很長(zhǎng)時(shí)間才成熟起來(lái)，因此，期望公司在兩年的時(shí)間里，在主要的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)上以一年速度進(jìn)行更新的節(jié)奏前進(jìn)，似乎顯得過(guò)于樂(lè)觀。

請(qǐng)注意，當(dāng)涉及到英特爾時(shí)，這并不是第一次提到“反向移植”硬件設(shè)計(jì)。由于英特爾10納米工藝技術(shù)目前處于延遲階段，有廣泛的傳聞稱，英特爾未來(lái)的某些CPU微體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，最終可能會(huì)使用非常成功的14納米工藝。

研發(fā)努力

通常情況下，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的開發(fā)，需要有不同的團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)每個(gè)節(jié)點(diǎn)的工作。這副路線圖說(shuō)明，英特爾目前正在開發(fā)其10++優(yōu)化以及7納米系列工藝。其想法是，從設(shè)計(jì)角度來(lái)看，+版每一代更新都可以輕松實(shí)現(xiàn)，因?yàn)檫@個(gè)數(shù)字代表了完整的節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)。

有趣的是，我們看到英特爾的7納米工藝基于10++版本開發(fā)，而英特爾認(rèn)為未來(lái)的5納米工藝也會(huì)基于7納米工藝的設(shè)計(jì)，3納米基于5納米設(shè)計(jì)。毫無(wú)疑問(wèn)，每次+/++迭代的某些優(yōu)化將在需要時(shí)被移植到未來(lái)的設(shè)計(jì)中。

在這副路線圖中，我們看到英特爾的5納米工藝目前還處于定義階段。在這次IEDM會(huì)議上，有很多關(guān)于5納米工藝的討論，所以其中有些改進(jìn)(如制造、材料、一致性等)最終將被應(yīng)用于英特爾的5納米工藝中，這取決于他們與哪些設(shè)計(jì)公司合作(歷史上是應(yīng)用材料公司)。

除了5納米工藝開發(fā)，我們還可以看看英特爾的3納米、2納米以及1.4納米工藝藍(lán)圖，該公司目前正處于“尋路”模式中。展望未來(lái)，英特爾正在考慮新材料、新晶體管設(shè)計(jì)等。同樣值得指出的是，基于新的路線圖，英特爾顯然仍然相信摩爾定律。

英特爾公布技術(shù)路線圖：10年后推1.4納米工藝最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

日前，外媒曾經(jīng)報(bào)導(dǎo)，因?yàn)槭芟抻谥忻蕾Q(mào)易摩擦的情勢(shì)，全球最大半導(dǎo)體光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML停止了對(duì)中芯國(guó)際的極紫外光刻設(shè)備(EUV)的出貨。此事不但造成業(yè)界震撼，還導(dǎo)致中芯國(guó)際的股價(jià)重挫。

但ASML隨即發(fā)出聲明表示，公司并非停止出口設(shè)備給中芯國(guó)際，而是在等出口許可中。ASML還在聲明中指出，我們對(duì)客戶一視同仁，并在出口許可證到期前向荷蘭政府提出了申請(qǐng)。雖然EUV設(shè)備的最大買家是臺(tái)積電和三星，但ASML卻也不會(huì)忽視未來(lái)會(huì)發(fā)展的中國(guó)市場(chǎng)。

中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)也在日前指出，目前ASML的EUV出口許可問(wèn)題已經(jīng)解決，但仍將嚴(yán)密觀察ASML是否將很快實(shí)際供應(yīng)EUV設(shè)備。

根據(jù)韓國(guó)媒體《ETnews》的報(bào)導(dǎo)指出，中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)在訪問(wèn)韓國(guó)的過(guò)程中表示，中芯國(guó)際目前正在進(jìn)行EUV設(shè)備進(jìn)口的文書作業(yè)，對(duì)于進(jìn)口EUV設(shè)備的許可問(wèn)題現(xiàn)在已經(jīng)解決，這也使得先進(jìn)制程的研發(fā)也依照計(jì)劃進(jìn)行中。

周子學(xué)強(qiáng)調(diào)，該情況顯示在目前的情況下，中芯國(guó)際發(fā)展先進(jìn)制程的計(jì)劃并沒(méi)有受到任何的影響。此外，中芯國(guó)際稱，其進(jìn)口ASML的EUV設(shè)備就是用在7納米制程的研發(fā)上，已縮小與領(lǐng)先廠商間的差距。

先進(jìn)制程研發(fā)按計(jì)劃進(jìn)行！中芯國(guó)際周子學(xué)：EUV出口問(wèn)題解決最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，已經(jīng)多年蟬聯(lián)全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭的美商應(yīng)材公司（Applied Materials），2019年可能將其龍頭寶座，讓給以生產(chǎn)半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺曝光機(jī)的荷蘭ASML，原因是受惠即紫外光刻設(shè)備（EUV）的市場(chǎng)需求大增，進(jìn)一步拉抬了ASML的市占率表現(xiàn)。

根據(jù)報(bào)導(dǎo)，市場(chǎng)研究調(diào)查單位表示，過(guò)去3年來(lái)，應(yīng)材公司一直在晶圓制造前段（WFE）設(shè)備市場(chǎng)失去市場(chǎng)占有率，而ASML卻將憑藉其價(jià)格高昂的EUV光刻設(shè)備的大量出貨，拉抬市占率，并進(jìn)一步取代應(yīng)材公司成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備公司。

調(diào)查資料顯示，應(yīng)材公司在2018年的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)占有率為19.2%，雖然在2019年小幅成長(zhǎng)到了19.4%，但仍低于2015年的23%。反觀ASML的市場(chǎng)占有率，則有望從2018年的18%，成長(zhǎng)到了21.6%。調(diào)查研究單位還表示，到2020年，整個(gè)WFE市場(chǎng)預(yù)期將有5%的小幅成長(zhǎng)，再加上半導(dǎo)體制造商原先規(guī)劃的資本支出，ASML的市場(chǎng)占有率有望進(jìn)一步提高到22.8%，而應(yīng)用材料將保持其19.3%的市占率。

根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，ASML在2019年第3季營(yíng)收為30億歐元，凈收入為6.27億歐元。其中，除了一共完成7臺(tái)EUV系統(tǒng)出貨，其中3臺(tái)是NXE:3400C之外，該季還接到23臺(tái)EUV系統(tǒng)訂單，創(chuàng)下ASML單季最高訂單金額紀(jì)錄。

至于，應(yīng)材在最新一季的財(cái)報(bào)透露，營(yíng)收達(dá)到37.5億美元，低于2018年同期的40.1億美元，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的36.8億美元。凈利為6.98億美元，以非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則（non-GAAP）計(jì)算，凈利為7.44億美元，較2018年同期的8.37億美元低。

EUV市場(chǎng)供不應(yīng)求，ASML或取代應(yīng)材登全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

去年4月，中芯國(guó)際向荷蘭ASML公司訂購(gòu)了一臺(tái)EUV光刻機(jī)，用于研究7nm及以下的先進(jìn)工藝?；ㄙM(fèi)超過(guò)1.2億歐元（約10億人民幣），預(yù)計(jì)今年底交貨，2020年正式安裝。來(lái)自日經(jīng)新聞消息稱，因?yàn)槭艿矫绹?guó)政府關(guān)切，ASML將延后對(duì)中國(guó)晶圓代工企業(yè)中芯國(guó)際出貨。

對(duì)此ASML與中芯國(guó)際均對(duì)此表示否定。

11月7日下午，ASML向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》獨(dú)家回應(yīng)稱，對(duì)于日經(jīng)新聞報(bào)道的關(guān)于交貨時(shí)程僅為其媒體推測(cè)，ASML從未評(píng)論或確認(rèn)，對(duì)其將推測(cè)直接定性為事實(shí)作為新聞標(biāo)題并在文中闡述，表示抗議。

ASML相關(guān)負(fù)責(zé)人強(qiáng)調(diào)：“實(shí)際上在我們第三季度財(cái)報(bào)中，就已經(jīng)將相關(guān)情況進(jìn)行說(shuō)明，根據(jù)瓦圣納協(xié)議（Wassenaar Arrangement），ASML出口EUV到中國(guó)需取得荷蘭政府的出口許可（export license）。該出口許可于今年到期，ASML已經(jīng)于到期前重新進(jìn)行申請(qǐng)，目前正在等待荷蘭政府核準(zhǔn)。因此，關(guān)于“ASML決定延遲/終止出貨”的說(shuō)法是錯(cuò)誤的，ASML系遵循法規(guī)行事，并一視同仁地服務(wù)我們?nèi)蚩蛻??！?/p>

對(duì)于何時(shí)能拿到許可證，ASML相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，目前處于正常的流程狀態(tài)中，尚未掌握確切的時(shí)間。

中芯國(guó)際也進(jìn)行回應(yīng)：“極紫外光（EUV）還在紙面工作階段，未進(jìn)行相關(guān)活動(dòng)。公司先進(jìn)工藝研發(fā)進(jìn)展順利。目前，研發(fā)與生產(chǎn)的連結(jié)一切正常，客戶與設(shè)備導(dǎo)入正常運(yùn)作?！?/p>

ASML是全球EUV光刻機(jī)的唯一供應(yīng)商，并且是全球市值最高的芯片設(shè)備制造商。ASML年收入約在 83 億歐元 (約 92 億美元) 左右。其中16%來(lái)自英特爾和美光等美國(guó)公司，19%來(lái)自中國(guó)。據(jù)了解，臺(tái)積電、三星已于2019年導(dǎo)入量產(chǎn)最先端產(chǎn)品的EUV設(shè)備，且蘋果預(yù)計(jì)2020年下半開賣的新型iPhone預(yù)估就會(huì)搭載采用該技術(shù)的CPU。

中芯國(guó)際是我國(guó)最大的半導(dǎo)體制造公司，今年14nm制程已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，追平臺(tái)聯(lián)電14nm制程工藝，如果未能準(zhǔn)時(shí)拿到最先進(jìn)光刻機(jī)設(shè)備，或影響趕超臺(tái)積電的日程表。

目前臺(tái)積電臺(tái)積電將包攬ASML今年的30臺(tái)EUV光刻機(jī)中的18臺(tái)，不過(guò)量產(chǎn)的7nm制程仍是基于DUV(深紫外）工藝，今年3月份才啟動(dòng)7nm EUV的量產(chǎn)。而三星在去年就小規(guī)模投產(chǎn)了7nm EUV。

ASML、中芯國(guó)際雙雙“表態(tài)”：EUV光刻機(jī)出貨正常最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

臺(tái)積電、英特爾和三星為打造體積更小、效能更強(qiáng)的處理器，紛紛導(dǎo)入極紫外光（EUV）技術(shù)，相關(guān)設(shè)備所費(fèi)不貲，3家大廠資本支出直線攀升，ASML等設(shè)備廠則成為受益者。

華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠以最新制程挑戰(zhàn)物理極限，需要EUV微影技術(shù)當(dāng)幫手。與常用光源相比，采用EUV的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮，但先進(jìn)晶圓廠建造成本也跟著水漲船高，臺(tái)積電兩年前宣布的新廠建造費(fèi)用達(dá)200億美元。

關(guān)鍵在于EUV光刻器具價(jià)格高昂。ASML公布，第3季光售出7套EUV系統(tǒng)就進(jìn)帳7.43億歐元，等于每套系統(tǒng)要價(jià)超過(guò)1億歐元。這還不含半導(dǎo)體制程控管與測(cè)試設(shè)備成本。

臺(tái)積電深耕晶圓代工先進(jìn)制程，10月表示強(qiáng)效版7納米制程導(dǎo)入EUV技術(shù)，今年第2季開始量產(chǎn)，良率已相當(dāng)接近7納米制程；6納米制程預(yù)計(jì)明年第1季試產(chǎn)，并于明年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

與此同時(shí)，晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢(shì)。

臺(tái)積電10月宣布今年資本支出達(dá)140億至150億美元，高于原先設(shè)定目標(biāo)近40%。英特爾（Intel）隨后宣布加碼3%，今年資本支出目標(biāo)達(dá)160億美元，創(chuàng)公司成立以來(lái)新高，比兩年前高出36%。三星（Samsung）上周宣布，今年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出約200億美元。

三星公布的金額略少于去年，但業(yè)界分析師預(yù)期，三星今年大幅減少投資存儲(chǔ)器生產(chǎn)，以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。

在EUV技術(shù)帶動(dòng)下，半導(dǎo)體設(shè)備廠獲益良多。ASML第3季接獲23套EUV系統(tǒng)訂單，創(chuàng)單季訂單金額新高；半導(dǎo)體制程控管設(shè)備制造商科磊（KLA-Tencor）上周公布，會(huì)計(jì)年度第1季營(yíng)收年增率達(dá)29%，并表示EUV投資是業(yè)績(jī)成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽堋?/p>

今年以來(lái)，ASML與科磊股價(jià)漲幅分別達(dá)76%、94%。報(bào)導(dǎo)指出，明年EUV需求預(yù)料更加旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備廠前景一片光明。

半導(dǎo)體業(yè)擁抱EUV技術(shù) 代工廠資本支出直線攀升最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音20日表示，臺(tái)積電5納米正積極準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)。

臺(tái)積電不僅7納米表現(xiàn)搶眼，更積極布局5納米，且進(jìn)展相當(dāng)順利，此前就有消息指出將會(huì)提前試產(chǎn)。

盡管三星也動(dòng)作頻頻大買設(shè)備，向ASML購(gòu)買價(jià)值約27.5億美元的EUV設(shè)備，強(qiáng)化與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)能力。但目前來(lái)看，臺(tái)積電不僅以極紫外光7納米強(qiáng)化版制程量產(chǎn)應(yīng)對(duì)，甚至預(yù)計(jì)5納米強(qiáng)化版今年底即可小量量產(chǎn)。

臺(tái)積電正以驚人的技術(shù)，準(zhǔn)備在市場(chǎng)上筑起令對(duì)手難以逾越的壁壘，今年第三季臺(tái)積電全球市占仍然過(guò)半，且優(yōu)勢(shì)可望繼續(xù)維持。

劉德音證實(shí)，如今7納米技術(shù)已成熟發(fā)展到車用規(guī)模，5納米也即將在明年第一季正式量產(chǎn)，并且明年將急速擴(kuò)張。

據(jù)媒體，臺(tái)積電5納米制程試產(chǎn)結(jié)果，晶體管數(shù)將會(huì)是7納米的1.8倍，同一功耗下提升運(yùn)算效能15%，繼續(xù)領(lǐng)先業(yè)界。所以此前就有消息傳出，即使5納米尚未量產(chǎn)但已有不少一線大廠預(yù)訂，而臺(tái)積電連續(xù)上修資本支出，也是為了擴(kuò)張5納米產(chǎn)能。

目前最新消息指出，預(yù)計(jì)新增預(yù)算中將有25億美元用在5納米制程。

供應(yīng)鏈方面也有消息透露，臺(tái)積電南科P3廠將加快建廠，并決定導(dǎo)入5納米強(qiáng)化版制程，規(guī)劃月產(chǎn)能近3萬(wàn)片，總計(jì)5納米月產(chǎn)將能增加至8萬(wàn)片，量產(chǎn)規(guī)模不斷上修。而P1及P2廠的7納米月產(chǎn)能，也將增加至5.1萬(wàn)片。業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電打算把籌碼押注在5納米身上，一口氣拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的距離，并將優(yōu)勢(shì)延續(xù)到3納米。

臺(tái)積電7納米營(yíng)收占比明年有望超越三成，而5納米將也會(huì)成為明年?duì)I收成長(zhǎng)主力，但預(yù)期數(shù)字暫時(shí)不能對(duì)外公開。不過(guò)臺(tái)積預(yù)估明年5G手機(jī)占比將迅速達(dá)到15%左右，且如相機(jī)模組、RF、AP、電源管理、調(diào)制解調(diào)器等芯片，將都會(huì)采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程。

值得注意的是，可編程邏輯元件（FPGA）也持續(xù)在向5納米制程靠攏，隨著AI及高速運(yùn)算等特殊應(yīng)用持續(xù)熱絡(luò)，對(duì)于推升臺(tái)積電5納米制程需求也有所助益。

劉德音證實(shí) 臺(tái)積電5納米明年第一季量產(chǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

臺(tái)積電近日宣布，已經(jīng)開始了7nm+ EUV工藝的大規(guī)模量產(chǎn)，這是該公司乃至整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首個(gè)商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。作為EUV設(shè)備唯一提供商，市場(chǎng)預(yù)估荷蘭ASML公司籍此EUV設(shè)備年增長(zhǎng)率將超過(guò)66%。這個(gè)目標(biāo)是否能實(shí)現(xiàn)?EUV工藝在發(fā)展過(guò)程中面臨哪些挑戰(zhàn)?產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中需要突破哪些瓶頸?

EUV設(shè)備讓摩爾定律再延伸三代工藝

光刻是集成電路生產(chǎn)過(guò)程中最復(fù)雜、難度最大也是最為關(guān)鍵的工藝，它對(duì)芯片的工藝制程起著決定性作用。193nm浸沒(méi)式光刻技術(shù)自2004年年底由臺(tái)積電和IBM公司應(yīng)用以來(lái)，從90nm節(jié)點(diǎn)一直延伸到10nm節(jié)點(diǎn)，經(jīng)歷了12年時(shí)間，是目前主流的光刻工藝。但是進(jìn)入7nm工藝后，它的制約也越來(lái)越明顯，因此EUV工藝堂而皇之走上舞臺(tái)。

全球EUV光刻技術(shù)的研發(fā)始于20世紀(jì)80年代，經(jīng)過(guò)近40年的發(fā)展，EUV技術(shù)從原理到零部件再到原材料等已經(jīng)足夠成熟，并且在現(xiàn)階段的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用中體現(xiàn)了較明顯優(yōu)勢(shì)。

研究院王珺在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，極紫外光(EUV)短于深紫外光(DUV)的波長(zhǎng)，這讓EUV光刻技術(shù)的應(yīng)用顯著提升了光刻機(jī)曝光分辨率，進(jìn)而帶動(dòng)晶體管特征尺寸的縮減。制造企業(yè)在28nm及以下工藝的解決方案使用浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)。但是進(jìn)入7nm工藝，DUV的多重曝光次數(shù)增長(zhǎng)太多，讓制造成本、難度、良率、交付期限均顯著惡化。在關(guān)鍵層應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，從而減少曝光次數(shù)，進(jìn)而帶來(lái)制造成本與難度的降低，這讓EUV光刻技術(shù)具備了足夠的生產(chǎn)價(jià)值。

“EUV光刻機(jī)在5nm及以下工藝具有不可替代性，在未來(lái)較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)應(yīng)用EUV技術(shù)都將成為實(shí)現(xiàn)摩爾定律發(fā)展的重要方向?！蓖醅B說(shuō)。因此，從工藝技術(shù)和制造成本綜合因素考量，EUV設(shè)備被普遍認(rèn)為是7nm以下工藝節(jié)點(diǎn)最佳選擇，它可以繼續(xù)往下延伸三代工藝，讓摩爾定律再至少延長(zhǎng)10年時(shí)間。

DRAM存儲(chǔ)器將帶動(dòng)EUV光刻機(jī)增長(zhǎng)

在臺(tái)積電、三星、英特爾繼續(xù)延續(xù)摩爾定律進(jìn)行工藝發(fā)展的帶動(dòng)下，EUV光刻機(jī)的應(yīng)用數(shù)量將持續(xù)提升。

王珺表示，從目前看，對(duì)EUV光刻技術(shù)具有明顯應(yīng)用需求的芯片包括應(yīng)用處理器、CPU、DRAM存儲(chǔ)器、基帶芯片。

半導(dǎo)體專家莫大康認(rèn)為，ASML公司EUV設(shè)備產(chǎn)量若要進(jìn)一步擴(kuò)大，希望就落在存儲(chǔ)器廠商身上。他向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示，目前看，EUV光刻機(jī)主要賣給三家公司：英特爾、三星和臺(tái)積電，其中臺(tái)積電訂得最多。他介紹說(shuō)，存儲(chǔ)器主要分為兩種：一種是DRAM，另一種是3D NAND。3D NAND目前的競(jìng)爭(zhēng)主要集中在層數(shù)上，雖然也需要工藝的先進(jìn)性，但需求不那么迫切。而DRAM存儲(chǔ)器則不同，一方面其產(chǎn)量比較大，另一方面若做到1Z(12～14nm)以下，就可能需要用到EUV光刻機(jī)了，屆時(shí)，存儲(chǔ)器廠商訂的EUV設(shè)備將有大的爆發(fā)。“但具體時(shí)間，還要看市場(chǎng)需求以及廠商導(dǎo)入情況。目前，ASML公司EUV設(shè)備一年的出貨量只有40多臺(tái)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)未達(dá)到業(yè)界預(yù)期?！?/p>

EUV還需克服諸多挑戰(zhàn)

現(xiàn)階段EUV光刻技術(shù)已經(jīng)成熟，且進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，但是在光刻機(jī)的光源效率、光刻膠的靈敏度等方面依然存在較大的進(jìn)步空間。

有關(guān)人士指出，EUV光刻機(jī)除了價(jià)格昂貴之外(超過(guò)1億美元)，最大的問(wèn)題是電能消耗，電能利用率低，是傳統(tǒng)193nm光刻機(jī)的10倍，因?yàn)闃O紫外光的波長(zhǎng)僅有 13.5nm，投射到晶圓表面曝光的強(qiáng)度只有光進(jìn)入EUV設(shè)備光路系統(tǒng)前的2%。在7nm成本比較中，7nm的EUV生產(chǎn)效率在80片/小時(shí)的耗電成本是14nm的傳統(tǒng)光刻生產(chǎn)效率在240片/小時(shí)耗電成本的1倍，這還不算設(shè)備購(gòu)置成本和掩膜版設(shè)計(jì)制造成本比較。

莫大康認(rèn)為EUV工藝面臨三大挑戰(zhàn)：首先是光源效率，即每小時(shí)刻多少片，按照工藝要求，要達(dá)到每小時(shí)250片，而現(xiàn)在EUV光源效率達(dá)不到這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，因此還需進(jìn)一步提高，且技術(shù)難度相當(dāng)大。其次是光刻膠，光刻膠的問(wèn)題主要體現(xiàn)在：EUV光刻機(jī)和普通光刻機(jī)原理不同，普通光刻機(jī)采用投影進(jìn)行光刻，而EUV光刻機(jī)則利用反射光，要通過(guò)反光鏡，因此，光子和光刻膠的化學(xué)反應(yīng)變得不可控，有時(shí)候會(huì)出差錯(cuò)，這也是迫切需要解決的難題。最后是光刻機(jī)保護(hù)層的透光材料，隨著光刻機(jī)精度越來(lái)越高，上面需要一層保護(hù)層，現(xiàn)在的材料還不夠好，透光率比較差。

在以上三個(gè)挑戰(zhàn)中，光源效率是最主要的。此外，EUV光刻工藝的良率也是阻礙其發(fā)展的“絆腳石”。目前，采用一般光刻機(jī)生產(chǎn)的良率在95%，EUV光刻機(jī)的良率則比它低不少，在70%~80%之間。莫大康表示，解決上述問(wèn)題，關(guān)鍵是訂單數(shù)量，只有訂單多了，廠商用的多了，才能吸引更多光源、材料等上下游企業(yè)共同參與，完善EUV產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

王珺表示，EUV技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用難度極高，未來(lái)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步發(fā)展在全球范圍內(nèi)將遵循競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)理論，各國(guó)和地區(qū)的供應(yīng)商依靠自身優(yōu)勢(shì)進(jìn)行國(guó)際化產(chǎn)業(yè)整合。

7nm+EUV工藝大規(guī)模量產(chǎn)，EUV光刻機(jī)銷量有望走高最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

全球半導(dǎo)體微影技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商ASML 16日發(fā)布2019年第3季財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，ASML在2019年第3季銷售凈額（net sales）為30億歐元，凈收入（net income）為6.27億歐元，毛利率（gross margin）43.7%。

預(yù)估2019年第4季銷售凈額則將落在約39億歐元上下，較第3季成長(zhǎng)30%，毛利率約為48%到49%。

ASML總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Peter Wennink表示，ASML在2019年第3季的銷售額和毛利率符合財(cái)測(cè)。而由于5G和人工智能等終端市場(chǎng)技術(shù)和應(yīng)用需要使用到先進(jìn)制程芯片。因此，在年底之前，預(yù)期邏輯芯片客戶的需求將持續(xù)強(qiáng)勁。

至于，在EUV方面，ASML表示客戶有穩(wěn)定的進(jìn)展。在2019年第3季中，除了一共完成7臺(tái)EUV系統(tǒng)出貨，其中3臺(tái)是NXE:3400C之外，該季還接到23臺(tái)EUV系統(tǒng)訂單，不僅創(chuàng)下ASML單季最高訂單金額紀(jì)錄，也證實(shí)邏輯和存儲(chǔ)器芯片客戶均積極將EUV系統(tǒng)導(dǎo)入芯片量產(chǎn)。

總結(jié)來(lái)說(shuō)，ASML對(duì)于2019年的整體營(yíng)收目標(biāo)維持不變，2019年對(duì)于ASML來(lái)說(shuō)仍是成長(zhǎng)的一年。

展望2019年第4季營(yíng)運(yùn)狀況，ASML預(yù)估銷售凈額可達(dá)39億歐元，毛利率約48%到49%。研發(fā)費(fèi)用約5億歐元，管理支出費(fèi)用（SG&A）約1.35億歐元。

邏輯和存儲(chǔ)器芯片受青睞 第三季ASML接23臺(tái)EUV系統(tǒng)訂單最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。