據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，為了幫臺(tái)積電3納米廠解決用水問題，臺(tái)灣地區(qū)內(nèi)政部營建署昨（3）日表示，臺(tái)南永康再生水廠統(tǒng)包工程已決標(biāo)，預(yù)計(jì)2020年將可完工，預(yù)計(jì)每日供應(yīng)南科臺(tái)南園區(qū)1.55萬噸再生水。

此外，安平再生水廠目前也正在協(xié)商用水契約，預(yù)計(jì)2021年通水，每日可挹注3.75萬噸用水。

臺(tái)積電3納米投資計(jì)劃繼通過環(huán)評(píng)審查，也解決關(guān)鍵用水供應(yīng)，意謂臺(tái)積電在南科晶圓18廠的第四到六期新廠興建，可望在今年動(dòng)工，并如期在2022年量產(chǎn)，成為全球第一家提供3納米晶圓代工服務(wù)的業(yè)者，全力沖刺生產(chǎn)人工智能（AI）芯片，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫下新紀(jì)元。

鴻海集團(tuán)力拼半導(dǎo)體生產(chǎn)確認(rèn) ! 近日，鴻海旗下旗下子公司夏普 (SHARP) 宣布，包括物聯(lián)網(wǎng)電子裝置和雷射事業(yè)等將獨(dú)立成為 100% 的控股子公司，并且預(yù)計(jì)在 2019 年 4 月 1 日生效。由于日前已經(jīng)有外媒傳出鴻海位力拼半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)，傳聞將把夏普進(jìn)行拆分，將有半導(dǎo)體生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的部門拆分之后，進(jìn)一步與鴻海母集團(tuán)合作。如今，夏普正式證實(shí)了該項(xiàng)傳聞。

根據(jù)夏普表示，本次拆分的部門分別為夏普福山半導(dǎo)體 （SFS） 和夏普福山雷射 （SFL）。 其中，福山半導(dǎo)體主要以生產(chǎn)半導(dǎo)體、應(yīng)用裝置組件、光學(xué)裝置和高頻裝置等產(chǎn)品為主。至于，福山雷射則是負(fù)責(zé)雷射和相關(guān)裝置組件產(chǎn)品。而該項(xiàng)拆分的動(dòng)作，預(yù)計(jì)將在 2019 年的 4 月 1 日完成，兩個(gè)部門各自成立新的子公司。之后，在與母集團(tuán)鴻?；蚱渌髽I(yè)合作，進(jìn)行相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及生產(chǎn)的工作。

夏普表示，在物聯(lián)網(wǎng)電子裝置事業(yè)上，2017 年全年的營收為 4,915 億日?qǐng)A，其營業(yè)利潤則是達(dá)到 51 億日?qǐng)A。而未來由于在物聯(lián)網(wǎng)及 8K 顯示的發(fā)展上，半導(dǎo)體產(chǎn)品會(huì)是其中的關(guān)鍵點(diǎn)。而且，鴻海集團(tuán)總裁郭臺(tái)銘也曾經(jīng)表示，鴻海全力發(fā)展工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的架構(gòu)下，需要大量的半導(dǎo)體產(chǎn)品的支持，因此鴻海一定會(huì)切入半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展。

據(jù)了解，鴻海為了力拼半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，目前已經(jīng)組了百人團(tuán)隊(duì)，從半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)到制造都有涉獵，未來自行研發(fā)及生產(chǎn)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)所需要大量的芯片，包括感知芯片、傳統(tǒng)應(yīng)用芯片等。而對(duì)于鴻海在半導(dǎo)體市場(chǎng)的布局，外界都保持著觀望的態(tài)度。原因是目前在中國全力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的情況下，相關(guān)的半導(dǎo)體人才早就被其他企業(yè)給吸納，鴻海還能有多少人才讓人質(zhì)疑。

另外，電子代工起家的鴻海，其企業(yè)文化與生態(tài)與半導(dǎo)體企業(yè)截然不同。因此，要到鴻海旗下的半導(dǎo)體事業(yè)工作，勢(shì)必有需要轉(zhuǎn)換心態(tài)的準(zhǔn)備，這方面也是鴻海發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的困難性。

至于，鴻海的半導(dǎo)體事業(yè)會(huì)不會(huì)成為其他半導(dǎo)體企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。外界評(píng)估，就目前鴻海需求的部分多數(shù)在工業(yè)務(wù)聯(lián)網(wǎng)或 8K 顯示領(lǐng)域上的產(chǎn)品，這部分會(huì)以現(xiàn)階段的成熟制程為主。相較目前處理器、繪圖芯片所需要的高端制程部分，相關(guān)的重疊性不大，所以短期內(nèi)也不會(huì)成為相關(guān)企業(yè)先進(jìn)制程上的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

晶圓代工廠商的先進(jìn)制程競(jìng)賽如火如荼來到7nm，但也有晶圓代工廠商就此打住，聯(lián)電將止于12nm制程研發(fā)，GlobalFoundries宣告無限期停止7nm及以下先進(jìn)制程發(fā)展。一直以來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為延續(xù)摩爾定律每隔18～24個(gè)月集成電路便為晶體管數(shù)目和性能將翻倍提升而努力，10nm及以下先進(jìn)制程成本有多高？讓晶圓代工老二、老三的GlobalFoundries和聯(lián)電紛紛打消發(fā)展念頭。

一直以來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奉摩爾定律為圭臬，努力將線寬縮小，以便在芯片上塞入更多晶體管，雖然晶圓代工價(jià)格也因制程微縮而隨之上升，但越精細(xì)的制程技術(shù)除了能切割出更多芯片外，也能提升產(chǎn)品效能和降低功耗，在良率控制得宜下，往往還是能獲得追求極致產(chǎn)品表現(xiàn)的客戶采用，且隨著經(jīng)驗(yàn)累積和設(shè)備攤提，將會(huì)讓現(xiàn)下先進(jìn)制程技術(shù)成本持續(xù)下探，進(jìn)而吸引更多新產(chǎn)品和新應(yīng)用導(dǎo)入。

但在物理極限下，先進(jìn)制程微縮變得越來越困難，技術(shù)難度提高讓晶圓代工廠的資本支出跟著增加，關(guān)鍵的微影制程為持續(xù)微縮瓶頸所在，相關(guān)設(shè)備成本也最為高昂，使得投入的晶圓代工廠商與客戶減少。

晶圓代工廠商的最大難關(guān)－微影技術(shù)

微影技術(shù)透過紫外光當(dāng)光源，將繪制在光罩上的電路圖形微縮投影至涂布光阻的晶圓上，再經(jīng)過曝光顯影蝕刻去除光阻等過程，在晶圓產(chǎn)生集成電路。隨著制程微縮線寬縮小，光罩也變得更為精細(xì)，光源波長也需變短，以避免繞射效應(yīng)產(chǎn)生。

過去紫外光波長一路從365nm進(jìn)展到目前以ArF氣體雷射達(dá)到193nm，ArF 193nm曝光機(jī)原理上可制作的最小線寬為48nm，加上浸潤式微影與多重曝光的搭配，眾晶圓代工廠的制程辛苦走到7nm節(jié)點(diǎn)，采用多重曝光技術(shù)僅能做單一方向微縮，無法做2個(gè)方向的微縮，影響單位面積下所能容納的晶體管數(shù)量，加以所需光罩?jǐn)?shù)與制程數(shù)大幅增加，以往隨著制程微縮，每芯片成本隨之下降情況已不復(fù)見。

當(dāng)制程微縮圖形變得復(fù)雜，曝光次數(shù)需增加，光罩成本也就跟著飆高；根據(jù)eBeam Initiative調(diào)查，廠商到7～10nm節(jié)點(diǎn)光罩層數(shù)平均來到76層，甚至有廠商來到逾100層，這也代表光罩成本激增，到7nm制程節(jié)點(diǎn)已非一般中小型IC設(shè)計(jì)廠商所能負(fù)擔(dān)。
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波長更短的極紫外光(EUV)成為7nm以下制程的另一解方，以Samsung已導(dǎo)入EUV 的7nm LPP制程為例，光罩模塊總數(shù)減少約20%。

昂貴的解方EUV

EUV雖能減少光罩，并能降低生產(chǎn)周期(Cycle Time)和晶圓缺陷問題，但EUV設(shè)備所費(fèi)不貲，ArF浸潤式曝光機(jī)價(jià)格已要價(jià)約5,600～6,200萬美元，EUV曝光機(jī)價(jià)格1臺(tái)更是上看1.2億美元，大幅墊高晶圓代工廠商資本支出，而EUV波長極短，能量很容易被材料吸收，光罩須重新設(shè)計(jì)為反射式，成本也較為昂貴，EUV光源要達(dá)到250W和每小時(shí)單位產(chǎn)出125片(WPH)，才能達(dá)到半導(dǎo)體廠商量產(chǎn)最低要求，目前ASML已突破此要求，但相較目前浸潤式曝光機(jī)可達(dá)每小時(shí)250片(WPH)的產(chǎn)出而言，仍有很大努力空間。

EUV本身也還有光罩薄膜和光阻劑等挑戰(zhàn)待突破，因此臺(tái)積電目前7nm制程仍使用193i進(jìn)行四重曝光(4P4E)，預(yù)估第二代7nm制程才會(huì)在部分Layer使用EUV。

IC設(shè)計(jì)與品牌商同樣面對(duì)的成本高墻

除了光罩，IP授權(quán)與人事研發(fā)成本隨著最先進(jìn)制程導(dǎo)入，成本更是節(jié)節(jié)升高，綜合EETAsia與Semico估計(jì)，一般SoC IP授權(quán)與人事費(fèi)用約1.5億美元，而7nm將較10nm多出23%來到1.84億美元，5nm節(jié)點(diǎn)更將來到2～2.5億美元。

對(duì)IC制造與IC設(shè)計(jì)商而言，7nm以下制程越來越少有廠商玩得起。

從終端芯片來看，可能對(duì)芯片成本的提升更有感，以每年搭載最先進(jìn)制程芯片的Apple iPhone為例，2018年新機(jī)iPhone XS Max搭載7nm制程A12 Bionic處理器，成本來到72美元，較2017年搭載10nm制程的A11 Bionic再貴上8%；而光芯片成本已直逼中階智能型手機(jī)80～120美元整體BOM Cost。
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智能型手機(jī)的行動(dòng)運(yùn)算、服務(wù)器、繪圖與資料中心等領(lǐng)域，仍受益于芯片微縮計(jì)算機(jī)運(yùn)算效能提升與耗電降低的好處，但當(dāng)成本也節(jié)節(jié)升高，并不是所有廠商都奮不顧身投入.

目前宣告產(chǎn)品采用7nm的廠商Apple、Samsung、華為、NVIDIA與AMD等廠商若非前幾大智能型手機(jī)品牌就是CPU/GPU重要大廠，為了產(chǎn)業(yè)上的領(lǐng)先地位，價(jià)格敏感度也較低，也有較大生產(chǎn)量，才能分?jǐn)偣庹?、設(shè)計(jì)與制造等成本；當(dāng)客戶群集中在少數(shù)，對(duì)非前幾大晶圓代工廠商而言，持續(xù)進(jìn)行先進(jìn)制程的投資，后續(xù)產(chǎn)能若無法填補(bǔ)，將面臨極大的財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)，這也是為何聯(lián)電和GlobalFoundries紛紛在這場(chǎng)奈米競(jìng)賽停止腳步，以獲利為優(yōu)先。

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今年8月底Globalfoundries公司(簡(jiǎn)稱GF）突然宣布停止7nm及以下工藝的研發(fā)、制造，受此影響AMD公司宣布將7nm訂單全部交給臺(tái)積電代工。GF公司停止7nm工藝代工影響的不只是AMD公司，還有一個(gè)重要客戶IBM，后者的Power 9處理器使用的也是GF的14nm工藝，因此IBM也要尋找新的代工廠了。

早前有消息稱IBM也選擇了臺(tái)積電的7nm代工Power處理器，不過IBM、三星今天聯(lián)合宣布擴(kuò)大戰(zhàn)略合作關(guān)系，三星將使用7nm EUV工藝為IBM代工Power處理器。

作為OpenPower及IBM研究聯(lián)盟的一員，三星在半導(dǎo)體工藝方面跟IBM已經(jīng)合作至少15年了，三星的FinFET工藝技術(shù)也同樣受益于IBM技術(shù)，今天雙方的合作還將擴(kuò)展到下一個(gè)十年，IBM選擇三星代工未來的Power處理器。

根據(jù)雙方的合作信息，IBM將使用三星的7nm EUV工藝生產(chǎn)未來的Power處理器及其他HPC產(chǎn)品，該工藝今年10月份才量產(chǎn)，三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程，整個(gè)制造過程更加簡(jiǎn)單，節(jié)省了時(shí)間和金錢，又可以實(shí)現(xiàn)40%面積能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。

不過三星與IBM的合作還缺少細(xì)節(jié)，目前的Power 9使用的是14nm工藝，依然由GF代工，下一代的Power 10處理器規(guī)劃使用10nm工藝，再下一代的Power 11月才會(huì)使用7nm工藝，由于代工廠的變動(dòng)，現(xiàn)在不確定IBM是跳過10nm節(jié)點(diǎn)直接上7nm還是會(huì)繼續(xù)使用10nm工藝。

對(duì)三星來說，由于臺(tái)積電幾乎壟斷了所有7nm工藝訂單，現(xiàn)在獲得IBM這個(gè)大客戶對(duì)他們擴(kuò)展代工業(yè)務(wù)至關(guān)重要，而與IBM的合作也會(huì)成為三星7nm EUV工藝的廣告宣傳，未來可以從臺(tái)積電那里搶更多的客戶了。

12月18日，江豐電子發(fā)布公告，將在惠州投資建設(shè)濺射靶材及濺射設(shè)備關(guān)鍵部件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

公告顯示，江豐電子與惠州仲 愷高新區(qū)東江高新科技產(chǎn)業(yè)園管理委員會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“東江科技園”） 于2018年12月18日在惠州簽訂了《項(xiàng)目投資意向書》，擬約定公司在東江科技園內(nèi)注冊(cè)設(shè)立獨(dú)立企業(yè)法人，并由該企業(yè)法人投資建設(shè)濺射靶材及濺射設(shè)備關(guān)鍵部件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

根據(jù)協(xié)議，這次擬建項(xiàng)目名稱為濺射靶材及濺射設(shè)備關(guān)鍵部件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，項(xiàng)目選址位于惠州仲愷（國家級(jí)）高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)的工業(yè)用地，用地面積約2.47 萬平方米（最終以國土部門實(shí)際掛牌面積為準(zhǔn)）。

江豐電子表示，如本次合作簽訂并履行正式協(xié)議，開展濺射靶材及濺射設(shè)備關(guān)鍵部件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的投資建設(shè)，將對(duì)公司未來發(fā)展具有積極意義，有利于公司實(shí)施戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃，進(jìn)一步增強(qiáng)公司的綜合競(jìng)爭(zhēng)力和盈利能力。

公告亦提示稱，本意向書僅為框架意向約定，系雙方建立合作關(guān)系的初步意向，為各方進(jìn)一步討論的基礎(chǔ)，截止公告披露之日，雙方尚未開展具體的合作事宜，項(xiàng)目的具體實(shí)施尚需進(jìn)一步洽談，雙方能否就具體項(xiàng)目達(dá)成合作并簽署正式協(xié)議存在一定的不確定性。

據(jù)了解，濺射靶材是超大規(guī)模集成電路制造的必需原材料。資料顯示，江豐電子專業(yè)從事超大規(guī)模集成電路芯片制造用超高純金屬材料及濺射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，2017年6月上市。